JPS62114228A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 胆ノ団り斂肚 本発明は特に例えば半導体ウェーハの表面を純水にて洗
浄する半導体製造装置に関するものである。

従来Ω肢術 半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと称す。）のウェ
ット処理装置は、処理液を満たした処理槽内にウェーハ
を浸してエツチングや洗浄処理するものの他、スクラブ
によりウェーハの表面を洗浄するものがある。後者のウ
ェット処理装置の一具体例としてブラシスクラブ装置を
、第２図を参照して次に示す。同図に示すように、ブラ
シスクラブ装置（１）は、ウェーハ（２）を吸着台（３
）に真空吸着して回転させると共に回転する円筒状ブラ
シ（４）にてウェーハ（２）の表面をスクラブし、同時
にブラシ（４）によるスクラブ中やスクラブ後に注水ノ
ズル（５）よりウェーハ（２）の表面に間歇的に純水（
６）を吹き付けて洗浄するものである。

発１１（’Ｌ、”　　　る口　屯 ところで、上述したブラシスクラブ装置（１）において
ウェーハ（２）の表面に間歇的に純水（６）を吹き付け
で行う洗浄は、ブラシスクラブと併用して行う補助的な
ものであるため純水（６）の使用量は少ない。そこで、
配管内で純水（６）の流速が遅く、しかも間歇的に流れ
るため、純水（６）の滞留時間が長くなってバクテリア
が繁殖し、これが純水（６）と共にウェーハ（２）の表
面に吹きかけられ汚れの原因となる。

□　占　　°１　るための 本発明は、半導体ウェーハの表面に処理液を吹き付ける
ウェット処理装置であって、注水口とその近傍の開閉弁
を介して給水口とを接続し開閉弁によって間歇的に処理
液を流す配管を備えたものにおいて、上記開閉弁付近で
給水口側に弁を介在させてバイパス管を接続し、上記開
閉弁の閉栓時に給水口より上記配管を経てバイパス管に
処理液を流すようにしたことを特徴とする。

立且 純水系配管の注水口閉栓時に給水口より配管を経てバイ
パス管まで処理液を流すと、配管内を処理液が常に流れ
て滞留する時間が短くなる。

尖皿ガ 本発明の一実施例を第１図を参照して次に示す。同図に
おいて、（７）は純水系配管、（８）は注水口、（９）
はフィルタ、（１０）は給水口、（１１）は第１のバイ
パス管、（１２）は第２のバイパス管、（１３）は第３
のバイパス管、（１４）はマニホールド、（Ｖｌ）は第
１の三方弁、（ｖ２）は第２の三方弁、（Ｖ３）は第３
の三方弁、（■４）は第４の三方弁、（Ｖ５）は開閉弁
、（１５）は流量調整弁、（１６）はポンプ、（１７）
は洗浄液、例えば過酸化水素水の希釈液、（１８）はヒ
ータ、（１９）はフィルタである。

純水系配管（７）は給水口（１０）から注水口（８）ま
での間に、第１、第２、第３の三方弁（Ｖｌ　）　　（
Ｖ２　）　　（Ｖ３　）　、開閉弁（■５）及びフィル
タ（９）が介在しており、更に第２と第３の三方弁（■
２）と（■３）の間のマニホールド（１４）によって他
の注水口（図示せず）に分岐して接続される。フィルタ
（９）は注水口（８）に接続していて純水の汚れを濾過
し、開閉弁（ｖ５）はフィルタ（９）に接続して注水口
（８）を開閉する。第３の三方弁（Ｖ３）は開閉弁（■
５）の近傍で給水口（１０）側にあって配管（７）に第
１のバイパス管（１１）を接続する。第１の三方弁（Ｖ
＋　）は給水口（１０）に接続されていて、配管（７）
に第３のバイパス管（１３）を選択的に接続する。第２
の三方弁（ｖ２）は￥Ｓ１の三方弁（■１）の近傍で注
水口（８）側にあって第２のバイパス管（１２）を選択
的に接続する。第１のバ・「パス管（１１）は第３の三
方弁（■３）より流量調整弁（１５）を介して第４の三
方弁（■４）に接続し２つの排水口（２０）　　（２１
）に分かれる。第２のバイパス管（１２）は第２の三方
弁（■２）よりポンプ（１６）を介して洗浄液（１７）
に接続しており、洗浄液（１７）を第２の三方弁（■２
）より配管（７）に送り込む。第３のバイパス管（１３
）は第１の三方弁（ｖｌ）よりフィルタ（１９）を介し
゛ζ空気口（２３）に接続すると共にヒータ（１８）が
第１の三方弁（Ｖｌ　）とフィルタ（１９）の間に何段
され、フィルタ（１９）によって濾過した空気又は窒素
をヒータ（１８）によって加熱し第１の三方弁（ｖｌ）
より配管（７）内に送り込む。

上記構成に基づき本発明の動作を次に示す。

まず、通常のウェーハ洗浄処理の際は純水が給水口（１
０）より第１、第２、第３の三方弁（■１）（Ｖ２　）
　　（Ｖ３　）　、開閉弁（■５）及びフィルタ（９）
まで配管（７）を通り注水口（８）よりウェーハに吹き
付けられ、更に第２の三方弁（■２）よりマニホールド
（１４）を経て他の複数の注水口に送られる。そして、
注水口（８）より間歇的に純水を吹き付ける際は開閉弁
（Ｖ５）を閉じると、純水が給水口（１０）より配管（
７）を流れ第３の三方弁（■３）を経て第４の三方弁（
■４）まで第１のバイパス管（１１）を通り排水口（２
０）へ流れて回収される。従って、注水口（８）の開閉
に拘わらず第１の三方弁（Ｖｌ）から第３の三方弁（■
３）まで常に純水が流れる快感になって、配管（７）内
での純水の滞留時間が短くなり、バクテリアがそこで１
！殖しにくくなる。この時、流量調整弁（１５）によっ
てバクテリアが繁殖しない程度に流量を調整する。次に
、配管（７）内を洗浄する際は開閉弁（■５）を閉じ、
洗浄液（１７）をポンプ（１６）で汲み上げて第２の三
方弁（ｖ２）より配管（７）を流し、第３の三方弁（ｖ
３）を経て第４の三方弁（ｖ４）まで第１のバイパス管
（１１）を通して排水口（２１）より排水し、第２の三
方弁（■２）から第３の三方弁（ｖ３）までの配管（７
）内を洗浄する。更に、−週間以上の長期不使用時は配
管（７）内の純水を抜いて、代わりに空気口（２３）よ
りフィルタ（１９）によって濾過した空気又は窒素をヒ
ータ（１８）によって加熱し第１の三方弁（■１）より
第２、第３の三方弁（Ｖ２　）　　（Ｖａ　）　、開閉
弁（■５）を経て注水口（８）まで送り込んで配管（７
）内を乾燥させバクテリアの繁殖を防止する。

尚、本発明は純水によるウェーハ洗浄処理に限らず他の
ウェット処理装置にも適用できる。

又、三方弁の代わりに他の弁を用いてもよい。

３１１ΩまＬ巣 本発明によれば、例えば純水を用いた半導体ウェーへの
洗浄処理等のウェット処理装置において、注水口より純
水を被処理面に吹き付ける際、注水口の閉栓時にも純水
系配管内に純水を流すようにしたから、注水口の開閉状
態に拘わらず配管内を純水が常に流れる状態になって、
純水の滞留時間が短くなり配管内でのバクテリアの繁殖
を防止できる。又、純水の代わりに洗浄液を流すことが
でき配管内の洗浄もできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体製造装置の一実施例を示す
概略構成図、第２図は従来の半導体ウェーハの洗浄処理
装置の一具体例を示すブラシスクラブ装置の側面図であ
る。 （２）−ｍ−半導体ウエーハ、（６）　−純水、（７）
・−配管、（８”）　−注水口、（１０）　−給水口、
（１１）−・−バイパス管、（１７）・−管内洗浄液、
（Ｖａ）・〜・三方弁、（ＶｓＬ−開閉弁。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェーハの表面に処理液を吹き付けるウェ
   ット処理装置であって、注水口とその近傍の開閉弁を介
   して給水口とを接続し開閉弁によって間歇的に処理液を
   流す配管を備えたものにおいて、 上記開閉弁付近で給水口側に弁を介在させてバイパス管
   を接続し、上記開閉弁の閉栓時に給水口より上記配管を
   経てバイパス管に処理液を流すようにしたことを特徴と
   する半導体製造装置。