JPS62139152A - 光デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 光ディスク基板と記録層との間に存在する下地層を記録
媒体より融点の高い金属の薄膜で形成することによりピ
ッ１−１！！ｌりを減少した光ディスク。

〔産業上の利用分野〕

本発明はビット誤りを減少した光ディスクの構成に関す
る。

光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容置が太き（、非接触で書込みと再
生を行うことができ、また塵埃の影響を受けにくいなど
優れた特徴をもっている。

ここで、光ディスクは記録媒体として低融点の金属或い
は非金属を用い、情報の書込みを穴の有無により行う追
記型メモリ　（Ｗｒｉｔｅ　０ｎｃｏ　Ｍｅｍｏｒｙ）
以外に結晶と非晶質（アモルファス）間の相転移を行う
際に両者の間に反射率の差があるのを利用する書替え可
能メモリ（Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｍｅｍｏｒｙ）も開発さ
れている。

本発明は前者の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

光ディスクはポリメチルメタアクリレイト（略称ＰＭＭ
Ａ　）、ポリカーポネ−１・（略称ＰＣ）などのプラス
チックスやガラスなどの透明な光ディスク基板の−Ｌに
二酸化硅素（５ｉ０２　）や窒化硅素（Ｓｉ３Ｎｇ）な
どの耐熱性絶縁物からなる薄い下地層を介して金属ある
いεＪ非金属元素からなる合金を記録媒体とする記録層
があり、更にその−ににＳｉＯ２などからなる保護膜を
設けてｆｉｔ位のディスク基板が構成されている。

そして光ディスクはか５る二枚の１−ナラ形をしたｌｉ
ｌ　（☆のディスクツ、（板について記録層を内側とし
、夕（周スペーリ゛リングと山川スペーサリンクを用い
てイ☆置決めし、接着１〜で構成さ才１ている。

ここで、光ディスク基（ルと記録層との間に介在する下
地層の役割り＋Ｊ光ディスク基板の案内溝に沿ってレー
デ光を照則し、信号に応して記録層を局部加熱して穴開
けし、情÷■の記録を行う際に記録層をｆ’　ＨＭ　Ａ
などの光ディスク法板から隔削して記録層たりに明瞭な
穴１１）ロノを行・うごと、またＰＭＭＡなとの基板を
透過してくる湿気から記録層を護ることである。

そのため下地層の必要条件として、 融点或いは分解温度の高い＋イ料からなること、透］１
１目４牢ｌからなるごと、 耐？Ｙｔ（’ｌのイ褒れているごと、 などがあり、この点から５ｉ（１２、Ｓｉ）　Ｎ　４な
どの４４利を用いて１νさが約１５ｎ…の１・地層を形
成し、この［−に厚さが約１５ｎｍの記録層を形成し゛
（使用し、ピノ１誤り率の低７成がｉｔＩめられている
。

然し、一般に使用され°（いるＳｉＯ２をｌ：Ｉｔ！！
層として形成した光ディスクにおいてはじ］ｌ誤り率を
１０の−５，５束以トと”づるごとは容易で４；Ｉ：　
ｌ＞い。

この理１１０，１穴開（）に３１、リノ１しるピノ１形
状が不均一なためである。

づ−なわら、長穴記録力Ｊ（をとる場合Ｉｔ：　Ｌ−−
ザスボソ１−を案内溝に沿って照＃ＪＬ、この際に穴の
縁端部の有無に、１、り記録情報の読出し７を行うが、
穴の形状が悪く、縁端部の位置がずれている場合はビッ
ト誤りとなる。

そのため、情報の記録に当たっ′（じ〕Ｉ・誤り率を低
減するには楕円形の穴をｉＦ　シ＜均一番こ開けること
にかかっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上記したように現在の光ディスクのピッｌ’　ｌ！ｌ
’１ν）率は１０の−５，５稈１ｉであるが、ビット誤
り率をゾ（に低減するには穴の形状を正しい楕円形状に
歩留り、１、く穴開けするごとが必要であるが、その方
法を見いだすことが課題である。

ｃ問題点を解決するだめの手段〕 ｌ−記の問題は光ディスク基板の案内溝に沿って１ノ−
ザ光を照射し、情報の記録を穴の有無により行う読み取
り専用メモリにおいて、光ディスク基板と記録層との間
に設Ｃ）る下地層が該記録層を構成する記録媒体よりも
融点の高い金属よりなる薄膜を用いて形成されているこ
とを特徴とする光ディスクにより達成することができる
。

〔作用〕

本発明はレーザ照射により形成されるピント形状を観察
した結果なされたものである。

すなわちピント形状を観察すると不規則な楕円形状のも
のが多いが、ヒツト誤りとなるものは正規の穴径よりも
大きなものが多い。

このことはレーザ照射により記録層が局部的に加熱され
、被照射部が蒸発して飛散する際に熱伝導が悪く、その
ため被照射部の周辺にも蒸発が起こることを意味してい
る。

そこで、本発明は第１図に示すように光ディスク基板１
と記録層２の間に介在する下地層３として熱伝導の良い
材料を使用し、急冷が起こり易くするものである。

このように熱伝導の良い材料として金属が選ばれるが、
か＼る金属を使用した下地層の必要条件は、 融点が記録層形成材料より１もかに高く、具体的には１
０００℃以」二であること、 光吸収が少ないこと、 などを挙げることができるが、一番問題と思われる光吸
収も膜厚を比較的薄く形成すれば、問題がないことが判
った。

実験の結果、良い成績を示す金属として次のような元素
を挙げることができる。

一’−ソケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（
Ｍｎ）。

タングステン（Ｗ）、バナジウＪ、（■）２チタン（Ｔ
ｉ）、！失（Ｆｅ）　、　ジルコニウム（ＺｒＬ　ニオ
フ゛（Ｎｂ）。

モリブデン（Ｍｏ）　、タンタル（Ｔａ）。

〔実施例〕

実施例１： 光ディスク）、（板１として従来のように１１　Ｍ　ｌ
’ｌ　Ａを用い、記録層２としてＮ１■成比が９０；１
０のテルル（Ｔｅ）セレン（Ｓｅ）合金を用いた。

そして下地層；３の構成金属としてＮｉをｊ５１んで槙
Ｋｒの光ディスクを形成し、この特性を下地層３として
Ｓｉｎ　２を用いた従来構成のものと比較した。

ここで記録層の厚さは１５ｎｍ、また従来構成のＳｉＯ
２層の厚さは１５ｎｍである。

一方、Ｎ１層の厚さは６ｎｍと４ｎｍにとった。

第２図し１この結果で、４ｊｒ７軸には半導体レーザの
書込み電力を、また縦軸にはピン１−誤り率を示してい
る。

結果はＮ１を使用すると、熱伝導が良いために楕円形の
穴が一様に開き、そのためにヒソｌ−誤り率１ＪｉｌＯ
の−６，２にまでイ氏下さ一ロるごとができた。

！４、感度は光吸収のために幾分低下する傾向を示す。

そのために下地層はピンホールを７１（シない限度で成
るべく薄く形成する必要があることが判る。

実施例２： 光ディスク基板１と記録層２は実施例１の場合と同様に
し、下地層３の構成材料としてＷを選び、従来のＳｉＯ
□を用いたものと比較した。

この膜厚はＳｉＯ２層Ｌｌ：］５ｎｍ、　Ｗ層は４ｎｍ
と６ｎｍである。

第３図はこの結果を示すもので、Ｗを用いた結果はＮ１
を用いた場合と同様であって１０の−６，２乗にまで低
下した。

一方、感度は同様に厚さに比例して低下するものの、］
Ｏｎｍ以下の膜厚で使用することにより充分に１］的を
達成することができる。

なお最低膜厚は光ディスク基板の影響が現れない限度で
あり、実験の結果は約１ｎｍである。

これらのことから、下地層３として金属を使用するごと
により感度は幾分低下するもののビット誤り率は明瞭に
低下することが判る。

〔発明の効果〕 以上記したように本発明の実施によりヒント誤り率の低
減が可能となり、光ディスクの信顛性が山ｋｌニする。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した光ディスク基板の断面図、 第２図と第３図は実施例の特性図、 である。 図において、 １は光ディスク基板、　　　２は記録層、３は下地層、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　光ディスク基板の案内溝に沿ってレーザ光を照射し、
   情報の記録を穴の有無により行う追記型メモリにおいて
   、光ディスク基板と記録層との間に設ける下地層が該記
   録層を構成する記録媒体よりも融点の高い金属よりなる
   薄膜を用いて形成することを特徴とする光ディスク。