JPS6215743A - イオン処理装置 - Google Patents
イオン処理装置Info
- Publication number
- JPS6215743A JPS6215743A JP60154970A JP15497085A JPS6215743A JP S6215743 A JPS6215743 A JP S6215743A JP 60154970 A JP60154970 A JP 60154970A JP 15497085 A JP15497085 A JP 15497085A JP S6215743 A JPS6215743 A JP S6215743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- electrode
- cross
- pull
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 21
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 101100537937 Caenorhabditis elegans arc-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空中で回転および並進させられるディス
クに装着された試料にイオンビームを照射して当該試料
を処理するイオン処理装置に関し、特に当該装置のイオ
ン源の電極形状の改良に関する。
クに装着された試料にイオンビームを照射して当該試料
を処理するイオン処理装置に関し、特に当該装置のイオ
ン源の電極形状の改良に関する。
イオン処理装置には、イオン注入装置、イオン注入と真
空蒸着とを併用するイオン蒸着薄膜形成装置、イオンビ
ームエツチング装置等がある。以下においてはイオンビ
ームエツチング装置を例に説明する。
空蒸着とを併用するイオン蒸着薄膜形成装置、イオンビ
ームエツチング装置等がある。以下においてはイオンビ
ームエツチング装置を例に説明する。
第４図は、従来のバッチ式のイオンビームエツチング装
置の一例を示す概略断面図である。真空容器２６内に、
ディスク回転・並進機構２８によって例えば矢印Ａのよ
うに回転させられると共に矢印Ｂのように並進させられ
るディスク２２が設けられており、当該ディスク２２の
表面の同一半径Ｒ＋（第５図参照）上には、複数枚のウ
ェハ（試料）２４が装着される。そして各ウェハ２４に
対してイオン源２からイオンビーム２０を照射して、当
該ウェハ２４を処理、例えばこの例ではエツチングする
ようにしている。
置の一例を示す概略断面図である。真空容器２６内に、
ディスク回転・並進機構２８によって例えば矢印Ａのよ
うに回転させられると共に矢印Ｂのように並進させられ
るディスク２２が設けられており、当該ディスク２２の
表面の同一半径Ｒ＋（第５図参照）上には、複数枚のウ
ェハ（試料）２４が装着される。そして各ウェハ２４に
対してイオン源２からイオンビーム２０を照射して、当
該ウェハ２４を処理、例えばこの例ではエツチングする
ようにしている。
イオン源２は、この例ではＥＣＲ形イオン源であり、プ
ラズマを作るプラズマ室８、そこに例えば活性ガスを供
給するガス供給源１２、プラズマ室８に導波管６を通し
てマイクロ波電力を供給するマイクロ波発振器４、プラ
ズマ閉込めのための磁場コイル１０およびプラズマ室８
からイオンビーム２０を引き出すための引出し電極系１
４を備えており、当該引出し電極系１４はこの例では、
イオンビーム２０引出しのための引出し電極（加速電橋
あるいはプラズマ電極とも呼ぶ、以下同じ） １６およ
び下流からの電子をはね返す減速電極１８から成る。
ラズマを作るプラズマ室８、そこに例えば活性ガスを供
給するガス供給源１２、プラズマ室８に導波管６を通し
てマイクロ波電力を供給するマイクロ波発振器４、プラ
ズマ閉込めのための磁場コイル１０およびプラズマ室８
からイオンビーム２０を引き出すための引出し電極系１
４を備えており、当該引出し電極系１４はこの例では、
イオンビーム２０引出しのための引出し電極（加速電橋
あるいはプラズマ電極とも呼ぶ、以下同じ） １６およ
び下流からの電子をはね返す減速電極１８から成る。
ディスク回転・並進機構２８は、機構部３２を介してデ
ィスク２２を並進させるステッピングモータ３０、ディ
スク２２を高速回転させるインダクションモータ３４お
よび真空シール部３６を備えている。この場合、ディス
ク２２の並進運動速度Ｖは、各ウェハ２４を均一に処理
するため、次の関係を満たすように制御される。
ィスク２２を並進させるステッピングモータ３０、ディ
スク２２を高速回転させるインダクションモータ３４お
よび真空シール部３６を備えている。この場合、ディス
ク２２の並進運動速度Ｖは、各ウェハ２４を均一に処理
するため、次の関係を満たすように制御される。
ｖ ｃＩＣＩ ／ Ｒ
ここで、■はイオンビーム２０のビーム電流、Ｒはイオ
ンビーム２０の中心とディスク２２の中心との間の距離
である。
ンビーム２０の中心とディスク２２の中心との間の距離
である。
第５図は、第４図の装置のディスク回りを示す概略平面
図である。矢印Ａのように回転させられるディスク２２
上の各ウェハ２４が順次イオンビーム２０の照射領域を
通過すると共に、ディスク２２の矢印Ｂのような並進に
より相対的にイオンビーム２０が走査される。その場合
の走査幅ＳＷＩは、走査した際にイオンビーム２０がウ
ェハ２４に当たらなくなる所までの距離により決定され
る。
図である。矢印Ａのように回転させられるディスク２２
上の各ウェハ２４が順次イオンビーム２０の照射領域を
通過すると共に、ディスク２２の矢印Ｂのような並進に
より相対的にイオンビーム２０が走査される。その場合
の走査幅ＳＷＩは、走査した際にイオンビーム２０がウ
ェハ２４に当たらなくなる所までの距離により決定され
る。
尚、イオンビーム２０とイオン源２の引出し電極系１４
とは、平面的に見て、はぼ同じ形状でほぼ同じ位置にあ
る。
とは、平面的に見て、はぼ同じ形状でほぼ同じ位置にあ
る。
上述のような装置におけるイオン源２の引出し電極系１
４の平面形状としては、従来は例えば正方形とか長方形
とかが採用されており、そのような場合に電極面積を増
加させてビーム量を増加させようとすると、電極の横幅
あるいは縦方向の長さを増加させる必要がある。
４の平面形状としては、従来は例えば正方形とか長方形
とかが採用されており、そのような場合に電極面積を増
加させてビーム量を増加させようとすると、電極の横幅
あるいは縦方向の長さを増加させる必要がある。
ところが、電極の横幅、即ちイオンビーム２０の幅Ｗ、
を増加させるとそれに伴って走査幅ＳＷＩは著しく大き
くなる。また電極の長さ、即ちイオンビーム２０の長さ
Ｌｌを増加させてそれが第５図のようにウェハ２４の直
径よりも大きくなると、隣接するウェハ２４にイオンビ
ーム２０が当たらなくなる所までイオンビーム２０を相
対的に走査しなければならないため、この場合もやはり
走査幅ＳＷ、は大きくなる。
を増加させるとそれに伴って走査幅ＳＷＩは著しく大き
くなる。また電極の長さ、即ちイオンビーム２０の長さ
Ｌｌを増加させてそれが第５図のようにウェハ２４の直
径よりも大きくなると、隣接するウェハ２４にイオンビ
ーム２０が当たらなくなる所までイオンビーム２０を相
対的に走査しなければならないため、この場合もやはり
走査幅ＳＷ、は大きくなる。
従っていずれの場合においても、走査幅ＳＷＩの増大に
よるビーム利用効率（＝ウェハの全面積／イオンビーム
の全照射面積）の低下を来すことになる。
よるビーム利用効率（＝ウェハの全面積／イオンビーム
の全照射面積）の低下を来すことになる。
従ってこの発明は、ビーム形状を大きくするような場合
にでも大きなビーム利用効率を得ることができるイオン
、処理装置を提供することを目的とする。
にでも大きなビーム利用効率を得ることができるイオン
、処理装置を提供することを目的とする。
この発明のイオン処理装置は、イオン源のイオンビーム
引出しに係わる電極の少なくともイオンビーム引出し部
分の平面形状を弧状にしていることを特徴とする。
引出しに係わる電極の少なくともイオンビーム引出し部
分の平面形状を弧状にしていることを特徴とする。
イオン源の電極の少なくともイオンビーム引出し部分の
平面形状が弧状であるため、イオンビームも平面形状が
弧状のものが得られる。従ってビーム形状を大きくする
ような場合にでも、ディスクを並進させる幅、即ち相対
的なイオンビームの走査幅を小さくすることができ、そ
の結果大きなビーム利用効率が得られる。
平面形状が弧状であるため、イオンビームも平面形状が
弧状のものが得られる。従ってビーム形状を大きくする
ような場合にでも、ディスクを並進させる幅、即ち相対
的なイオンビームの走査幅を小さくすることができ、そ
の結果大きなビーム利用効率が得られる。
第１図は、この発明の一実施例に係るイオンビームエツ
チング装置のディスク回りを示す概略平面図である。そ
の他の部分は第４図と同様であるので図示および説明を
省略する。
チング装置のディスク回りを示す概略平面図である。そ
の他の部分は第４図と同様であるので図示および説明を
省略する。
この実施例においては、前述したイオン源２のイオンビ
ーム２０の引出しに係わる電極、即ちこの例では引出し
電極系１４の引出し電極１６および減速電極１８の少な
くともイオンビーム引出し部分の平面形状を弧状にする
ことにより、そこから引き出されるイオンビーム２０の
形状も図のように弧状にしている。
ーム２０の引出しに係わる電極、即ちこの例では引出し
電極系１４の引出し電極１６および減速電極１８の少な
くともイオンビーム引出し部分の平面形状を弧状にする
ことにより、そこから引き出されるイオンビーム２０の
形状も図のように弧状にしている。
より具体例を説明すれば、第２図に示すように、引出し
電極１６の平面形状は、はぼ一定の幅Ｗ２を有し、内側
の弧１６１の半径Ｒ２および外側の弧１６２の半径Ｒ３
を共に各ウェハ２４のディスク２２の中心までの半径Ｒ
Ｉにほぼ等しくしたものであり（即ちＲ１＃Ｒ２＃Ｒ３
） 、その長さＲ２はウェハ２４の直径よりも大きくし
ている。そして当８亥引出し電極１６には一面にイオン
ビーム２０引出しのための小孔１６３が設けられている
。
電極１６の平面形状は、はぼ一定の幅Ｗ２を有し、内側
の弧１６１の半径Ｒ２および外側の弧１６２の半径Ｒ３
を共に各ウェハ２４のディスク２２の中心までの半径Ｒ
Ｉにほぼ等しくしたものであり（即ちＲ１＃Ｒ２＃Ｒ３
） 、その長さＲ２はウェハ２４の直径よりも大きくし
ている。そして当８亥引出し電極１６には一面にイオン
ビーム２０引出しのための小孔１６３が設けられている
。
減速電極１８も当該引出し電極１６と同一の構造をして
いる。
いる。
従って上記のような電極形状をしたイオン源２からは、
第１図に示すように幅がほぼＷ２、長さがほぼＲ２の弧
状のイオンビーム２０が引き出され、これがディスク２
２上のウェハ２４に向けて照射される。この場合、イオ
ンビーム２０の内側の弧２０１および外側の弧２０２は
、共に、各ウェハ２４の外側を結ぶ包絡線２４２および
内側を結ぶ包絡線２４１にほぼ沿う形となるので、相対
的なイオンビーム２０の走査幅ＳＷ２を従来の場合の走
査幅ＳＷＩに比べて小さくすることができ、それによっ
て、イオンビーム２０の形状を図のように大きくするよ
うな場合にでも大きなビーム利用効率が得られる。
第１図に示すように幅がほぼＷ２、長さがほぼＲ２の弧
状のイオンビーム２０が引き出され、これがディスク２
２上のウェハ２４に向けて照射される。この場合、イオ
ンビーム２０の内側の弧２０１および外側の弧２０２は
、共に、各ウェハ２４の外側を結ぶ包絡線２４２および
内側を結ぶ包絡線２４１にほぼ沿う形となるので、相対
的なイオンビーム２０の走査幅ＳＷ２を従来の場合の走
査幅ＳＷＩに比べて小さくすることができ、それによっ
て、イオンビーム２０の形状を図のように大きくするよ
うな場合にでも大きなビーム利用効率が得られる。
例えば、イオンビーム２０の幅Ｗ＋＝Ｗｚ＝８０ｍｍ、
長さＬＩ＝Ｌ２＝３００ｍｍ、ウェハ列の半径ＲＩ＝３
４５ｍｍ、ウェハ２４の半径ｒ＝７５ｍｍおよびウェハ
２４の枚数を１３枚とした場合、ビーム利用効率は従来
（第５図の場合）は約４０％程度であったものが、この
実施例では約４５％程度に向上する。しかもこのような
ビーム利用効率の向上は、ウェハ２４の処理（例えばエ
ツチング）におけるスループット（単位時間当たりの処
理枚数）の向上にもつながる。
長さＬＩ＝Ｌ２＝３００ｍｍ、ウェハ列の半径ＲＩ＝３
４５ｍｍ、ウェハ２４の半径ｒ＝７５ｍｍおよびウェハ
２４の枚数を１３枚とした場合、ビーム利用効率は従来
（第５図の場合）は約４０％程度であったものが、この
実施例では約４５％程度に向上する。しかもこのような
ビーム利用効率の向上は、ウェハ２４の処理（例えばエ
ツチング）におけるスループット（単位時間当たりの処
理枚数）の向上にもつながる。
また、引出し電極１６ないし減速電極１８の内側の弧１
６１の半径Ｒ２および外側の弧１６２の半径Ｒ３は、そ
れぞれ、上述した外側の包絡線２４２の半径Ｒ５（＝Ｒ
Ｉ＋ｒ）および内側の包絡線２４１の半径Ｒ４（＝ＲＩ
ｒ）にほぼ等しくしても良く （即ちＲ２″−Ｒ３
、Ｒ１ζＲ４）、そのようにすればイオンビーム２０の
内側の弧２０１および外側の弧２０２は、それぞれ、包
絡線２４２および２４１にほぼ完全に沿うようになり、
これによって走査幅ＳＷ２を最小にすることができる。
６１の半径Ｒ２および外側の弧１６２の半径Ｒ３は、そ
れぞれ、上述した外側の包絡線２４２の半径Ｒ５（＝Ｒ
Ｉ＋ｒ）および内側の包絡線２４１の半径Ｒ４（＝ＲＩ
ｒ）にほぼ等しくしても良く （即ちＲ２″−Ｒ３
、Ｒ１ζＲ４）、そのようにすればイオンビーム２０の
内側の弧２０１および外側の弧２０２は、それぞれ、包
絡線２４２および２４１にほぼ完全に沿うようになり、
これによって走査幅ＳＷ２を最小にすることができる。
尚、イオン源２のタイプ、イオンビーム２０の引出しに
係わる電極の枚数等は上述したようなものに限られるも
のではない。例えば第３図のようなイオン源であっても
良い。このイオン源は、いわゆるパケット形のイオン源
であり、アークチャンバ４０、フィラメント４２、磁石
４４等によってプラズマの生成、閉込めを行い、引出し
電極４８、減速電極５０および接地電極５２から成る引
出し電極系４６によってイオンビーム２０を引き出すも
のであり、この引出し電極系４６の形状を上述のような
ものにすれば良い。
係わる電極の枚数等は上述したようなものに限られるも
のではない。例えば第３図のようなイオン源であっても
良い。このイオン源は、いわゆるパケット形のイオン源
であり、アークチャンバ４０、フィラメント４２、磁石
４４等によってプラズマの生成、閉込めを行い、引出し
電極４８、減速電極５０および接地電極５２から成る引
出し電極系４６によってイオンビーム２０を引き出すも
のであり、この引出し電極系４６の形状を上述のような
ものにすれば良い。
また、上においてはイオンビームエツチング装置を例に
説明したけれども、この発明はそれに限定されるもので
はなく、ディスクの回転および並進を行うバッチ式のも
のであって一番初めに例示したようなイオン処理装置に
広く適用することができる。
説明したけれども、この発明はそれに限定されるもので
はなく、ディスクの回転および並進を行うバッチ式のも
のであって一番初めに例示したようなイオン処理装置に
広く適用することができる。
以上のようにこの発明によれば、ビーム形状を大きくす
るような場合にでも大きなビーム利用効率が得られる。
るような場合にでも大きなビーム利用効率が得られる。
またこれに伴ってスループットも向上する。
第１図は、この発明の一実施例に係るイオンビームエツ
チング装置のディスク回りを示す概略平面図である。第
２図は、この発明に係るイオン源の電極形状の一例を示
す概略平面図である。第３図は、この発明に係るイオン
源の他の例を示す概略断面図である。第４図は、従来の
バッチ式のイオンビームエツチング装置の一例を示す概
略断面図である。第５図は、第４図の装置のディスク回
りを示す概略平面図である。
チング装置のディスク回りを示す概略平面図である。第
２図は、この発明に係るイオン源の電極形状の一例を示
す概略平面図である。第３図は、この発明に係るイオン
源の他の例を示す概略断面図である。第４図は、従来の
バッチ式のイオンビームエツチング装置の一例を示す概
略断面図である。第５図は、第４図の装置のディスク回
りを示す概略平面図である。
Claims (1)
- （１）真空中で回転および並進させられるディスクの同
一半径上に装着される複数枚の試料にイオン源からイオ
ンビームを照射して当該試料を処理するイオン処理装置
において、イオン源のイオンビーム引出しに係わる電極
の少なくともイオンビーム引出し部分の平面形状を弧状
にしていることを特徴とするイオン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154970A JPH0727767B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | イオン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154970A JPH0727767B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | イオン処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215743A true JPS6215743A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0727767B2 JPH0727767B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=15595867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154970A Expired - Fee Related JPH0727767B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | イオン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727767B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189845A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Toshiba Corp | イオン注入装置 |
| JP2005533391A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ターゲットの移動をともなうプラズマ注入システムおよび方法 |
| JP2007250523A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Showa Shinku:Kk | 荷電粒子照射装置及び荷電粒子制御方法 |
| JP2009211955A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Showa Shinku:Kk | 荷電粒子照射装置、これを用いた周波数調整装置及び荷電粒子制御方法 |
| JP2010056336A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Ulvac Japan Ltd | イオン照射装置 |
| JP2017199603A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビームエッチング装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015122713A1 (ko) * | 2014-02-14 | 2015-08-20 | 한국과학기술원 | 단면 시편 제조 장치 및 회전형 단면 시편 제조 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5341184A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-14 | Nec Corp | Ion injection device |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60154970A patent/JPH0727767B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5341184A (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-14 | Nec Corp | Ion injection device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189845A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Toshiba Corp | イオン注入装置 |
| JP2005533391A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ターゲットの移動をともなうプラズマ注入システムおよび方法 |
| JP2007250523A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Showa Shinku:Kk | 荷電粒子照射装置及び荷電粒子制御方法 |
| JP2009211955A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Showa Shinku:Kk | 荷電粒子照射装置、これを用いた周波数調整装置及び荷電粒子制御方法 |
| JP2010056336A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Ulvac Japan Ltd | イオン照射装置 |
| JP2017199603A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビームエッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727767B2 (ja) | 1995-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5760405A (en) | Plasma chamber for controlling ion dosage in ion implantation | |
| EP0137649B1 (en) | Apparatus and method for ion implantation | |
| EP0624896A1 (en) | Contamination control in plasma contouring the plasma sheath using materials of differing rf impedances | |
| US5825038A (en) | Large area uniform ion beam formation | |
| EP0451943A2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US6838677B2 (en) | Extraction and deceleration of low energy beam with low beam divergence | |
| JPH0610348B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| US5554853A (en) | Producing ion beams suitable for ion implantation and improved ion implantation apparatus and techniques | |
| KR20070003977A (ko) | 이온 빔 전류 변조 | |
| JPH06188215A (ja) | イオンビーム走査装置および方法 | |
| US6504159B1 (en) | SOI plasma source ion implantation | |
| JPS6215743A (ja) | イオン処理装置 | |
| JPH05102083A (ja) | ドライエツチング方法及びそのための装置 | |
| EP0066175B1 (en) | Ion implanter | |
| EP0880793B1 (en) | Large area uniform ion beam formation | |
| JP3020075B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JPS63208220A (ja) | 集束イオンビ−ム照射方法 | |
| JPS6292322A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH07335618A (ja) | プラズマプロセスの方法及びプラズマプロセス装置 | |
| WO2025155421A1 (en) | Ion extraction optics for ion processing system | |
| JPS6342707B2 (ja) | ||
| JPH04319243A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3106327B2 (ja) | 電子ビーム励起プラズマ処理装置 | |
| JPH04202778A (ja) | イオン注入装置 | |
| CN1791961A (zh) | 用于带状射束离子注入器的高解析度分离磁体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |