JPS62173436A - 液晶電気光学素子の駆動法 - Google Patents
液晶電気光学素子の駆動法Info
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- JPS62173436A JPS62173436A JP1486886A JP1486886A JPS62173436A JP S62173436 A JPS62173436 A JP S62173436A JP 1486886 A JP1486886 A JP 1486886A JP 1486886 A JP1486886 A JP 1486886A JP S62173436 A JPS62173436 A JP S62173436A
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- liquid crystal
- voltage
- time
- electrode
- scanning electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、強誘電性液晶を用いた、マトリクス表示装置
及びプリンター用光シヤツター等に用いる液晶電気光学
−に子の駆動法に関するものである。
及びプリンター用光シヤツター等に用いる液晶電気光学
−に子の駆動法に関するものである。
[従来の技術]
強誘電性液晶を用いた液晶電気光学素子は、その応答が
従来のネマチック液晶を用いた液晶電気光学素子に比較
して10〜1000倍速く、高速光シャッター装置への
応用が期待され、また電界に対して双安定性をもたせる
ことも可能であることにより、大型かつ高密度の表示装
置への応用が期待されている。
従来のネマチック液晶を用いた液晶電気光学素子に比較
して10〜1000倍速く、高速光シャッター装置への
応用が期待され、また電界に対して双安定性をもたせる
ことも可能であることにより、大型かつ高密度の表示装
置への応用が期待されている。
複数の走査電極群の設けられた基板と複数の信号電極群
の設けられた基板との間に、電界の極性に依存した双安
定性を示す強誘電性液晶を挟持し、その双安定性を利用
した液晶電気光学素子用の駆動法に関しては、既にいく
つかの提案がなされている。
の設けられた基板との間に、電界の極性に依存した双安
定性を示す強誘電性液晶を挟持し、その双安定性を利用
した液晶電気光学素子用の駆動法に関しては、既にいく
つかの提案がなされている。
しかしながら、強誘電性液晶は双安定な2つの状態にお
いて一方から他方へ移る際のエメルギー障壁が非常に小
さく、明確なしきい値特性は得られにくい。すなわち、
その画;にの走査電極が選択されない場合に、他の画素
を書き込む際の信号電極の電圧が印加される、いわゆる
クロストーク電圧によって、本来保持されるべき状態か
ら他方の状態へ変化してしまう現象がみられる。この現
象は、走査電極の数が多くなるほど顕著に現われてくる
ので、走査電極の数をあまり多くはできず、素子の大型
化、高密度化の妨げとなっている。
いて一方から他方へ移る際のエメルギー障壁が非常に小
さく、明確なしきい値特性は得られにくい。すなわち、
その画;にの走査電極が選択されない場合に、他の画素
を書き込む際の信号電極の電圧が印加される、いわゆる
クロストーク電圧によって、本来保持されるべき状態か
ら他方の状態へ変化してしまう現象がみられる。この現
象は、走査電極の数が多くなるほど顕著に現われてくる
ので、走査電極の数をあまり多くはできず、素子の大型
化、高密度化の妨げとなっている。
また、従来の強誘電性液晶電気光学素子の駆動法は一画
素に印加される電界の積分値をとると、その直流成分が
Oでなく表示パターンによって大きく異なることにより
、次の問題点を生じる。第1に、電極及び液晶材料が直
流電界によって醇化もしくは還元されることで、信頼性
が低下することである。
素に印加される電界の積分値をとると、その直流成分が
Oでなく表示パターンによって大きく異なることにより
、次の問題点を生じる。第1に、電極及び液晶材料が直
流電界によって醇化もしくは還元されることで、信頼性
が低下することである。
第2には、液晶分子を一方向に配向させるための配向制
御膜が絶縁膜である場合、その表面に液晶中のイオン等
荷電粒子が吸着されるため、液晶層に実効的に印加され
る電圧が直流電界によって次第に異ってくることで、そ
のしきい値特性に大きな変化をもたらす問題点があるこ
とがわかった。
御膜が絶縁膜である場合、その表面に液晶中のイオン等
荷電粒子が吸着されるため、液晶層に実効的に印加され
る電圧が直流電界によって次第に異ってくることで、そ
のしきい値特性に大きな変化をもたらす問題点があるこ
とがわかった。
この直流成分をなくす駆動法としては、 +985ST
Dでのセイコー電子社の発表(SID 85 DIGE
STp、131)があるが、この駆動法では、表示パタ
ーンによって非選択時に印加されるクロストーク電圧の
波形が大きく異り、表示にムラが生じるという問題があ
った。
Dでのセイコー電子社の発表(SID 85 DIGE
STp、131)があるが、この駆動法では、表示パタ
ーンによって非選択時に印加されるクロストーク電圧の
波形が大きく異り、表示にムラが生じるという問題があ
った。
[発明の解決しようとする問題点]
第7−a、b図に、1985年SIDでの−t=イコー
電子社の発表した駆動法を実施する具体的な一例を示し
た。この駆動法では、強誘電性液晶を一方の安定状態に
する為の走査と、他方の安定状態にする走査の2走査で
1周期の書き込みが構成される。(以下2つの安定状態
の一方を点灯状態、他方を非点灯状態として説明する。
電子社の発表した駆動法を実施する具体的な一例を示し
た。この駆動法では、強誘電性液晶を一方の安定状態に
する為の走査と、他方の安定状態にする走査の2走査で
1周期の書き込みが構成される。(以下2つの安定状態
の一方を点灯状態、他方を非点灯状態として説明する。
)点灯状態の書き込み走査時には、1つの走査電極の選
択時には、選択時間1/2T+ の内、前記1/4T+
にはV0 + Vlの電圧を印加し、後期1/4T+に
はV0 −V、の電圧を印加し、非選択時にはVOの電
圧を印加し、非点灯状態の書き込み走査時には、選択時
間1/2T、の内、前記1/4T、にはVo −V+
(1)電圧11加し、後JjJJ l/4T+ ニハV
o +Vlの電圧を印加し、非選択時にはVoの電圧を
印加し、信号電極には選択された走査電極との対向部の
強誘電性液晶を点灯状態にする場合には、点灯、非点灯
状態の書き込み走査のいずれも選択時間1/2T+ (
1)内、前記174TIニはV0 −V2の電圧を印加
し、後期1/4T+にはV0 + V2の電圧を印加し
、選択された走査電極との対向部の強誘電性液晶を非点
灯状態にする場合には、点灯、非点灯状態の書き込み走
査のいずれも選択時間1/2T+ (7)内、前記1/
4T+ニはVo + V2 (7)電圧を印加し、後期
1/4T+にはV0 −V2の電圧を印加する。第8−
a、b、c、d図にはこの駆動法を、第2図に示した走
査電極群と信号電極群の組み合わされたドントマトリク
スにおいて走査・電極群が8本の電極で構成された場合
(n=8)に用いた時、第2図中Al1点の強誘電性液
晶に印加される電圧波形を示した。第8図−a図には、
Anl(n=1〜8)点の全てをα灯状態にする場合、
第8−b図にはAnt(n = 1〜8)点の全てを非
点灯状態にする場合、第8−c図にはAnt(n=奇故
)点を点灯状態とし、Ant(n=偶数)点を非点灯状
IEとする場合、第8−d図にはAnt(n=俗数)点
を非点灯状態とし、Anl(n=偶数)点を点灯状ym
とする場合にAl1点に印加される電圧波形を示した。
択時には、選択時間1/2T+ の内、前記1/4T+
にはV0 + Vlの電圧を印加し、後期1/4T+に
はV0 −V、の電圧を印加し、非選択時にはVOの電
圧を印加し、非点灯状態の書き込み走査時には、選択時
間1/2T、の内、前記1/4T、にはVo −V+
(1)電圧11加し、後JjJJ l/4T+ ニハV
o +Vlの電圧を印加し、非選択時にはVoの電圧を
印加し、信号電極には選択された走査電極との対向部の
強誘電性液晶を点灯状態にする場合には、点灯、非点灯
状態の書き込み走査のいずれも選択時間1/2T+ (
1)内、前記174TIニはV0 −V2の電圧を印加
し、後期1/4T+にはV0 + V2の電圧を印加し
、選択された走査電極との対向部の強誘電性液晶を非点
灯状態にする場合には、点灯、非点灯状態の書き込み走
査のいずれも選択時間1/2T+ (7)内、前記1/
4T+ニはVo + V2 (7)電圧を印加し、後期
1/4T+にはV0 −V2の電圧を印加する。第8−
a、b、c、d図にはこの駆動法を、第2図に示した走
査電極群と信号電極群の組み合わされたドントマトリク
スにおいて走査・電極群が8本の電極で構成された場合
(n=8)に用いた時、第2図中Al1点の強誘電性液
晶に印加される電圧波形を示した。第8図−a図には、
Anl(n=1〜8)点の全てをα灯状態にする場合、
第8−b図にはAnt(n = 1〜8)点の全てを非
点灯状態にする場合、第8−c図にはAnt(n=奇故
)点を点灯状態とし、Ant(n=偶数)点を非点灯状
IEとする場合、第8−d図にはAnt(n=俗数)点
を非点灯状態とし、Anl(n=偶数)点を点灯状ym
とする場合にAl1点に印加される電圧波形を示した。
このように、第7=a図及び第7−b図の駆動法による
と、Al1点を点灯状態にする場合、第8−a図と第8
−C図に示されるように、第8−a図ではクロストーク
部に周期1/2T+ の交流パルスが、又、第8−c図
ではクロストーク部に周期T1の交流パルスが印加され
ていることとなり、クロストーク部の電圧波形の周波数
は2倍異なり、Al1点を非点灯状態にする場合におい
ても、第8−b図と第8−d図に示されるように、クロ
ストーク部の′電圧波形の周波数は2倍異なる。即ち、
画素の点灯状況によっては、例えば第8−c図及び第8
−d図では、周期TIの交流パルス3周期連続しており
、このように周期の交流パルスが1周期以上続いている
と第8−a図、第8−b図のように周期1/2T+ の
交流パルスに比して明らかに゛ト分の周波、t!!とな
るためクロストークか大幅に増加することとなる。
と、Al1点を点灯状態にする場合、第8−a図と第8
−C図に示されるように、第8−a図ではクロストーク
部に周期1/2T+ の交流パルスが、又、第8−c図
ではクロストーク部に周期T1の交流パルスが印加され
ていることとなり、クロストーク部の電圧波形の周波数
は2倍異なり、Al1点を非点灯状態にする場合におい
ても、第8−b図と第8−d図に示されるように、クロ
ストーク部の′電圧波形の周波数は2倍異なる。即ち、
画素の点灯状況によっては、例えば第8−c図及び第8
−d図では、周期TIの交流パルス3周期連続しており
、このように周期の交流パルスが1周期以上続いている
と第8−a図、第8−b図のように周期1/2T+ の
交流パルスに比して明らかに゛ト分の周波、t!!とな
るためクロストークか大幅に増加することとなる。
従って、表示パターンにより、クロスト−り電圧の波形
が大きく異なり、クロスト−り部による光強度への影響
か表示パターンによって異なる為に、表示ムラを生じる
問題がある。
が大きく異なり、クロスト−り部による光強度への影響
か表示パターンによって異なる為に、表示ムラを生じる
問題がある。
このように、従来の強、1 ’iri性液晶を用いた液
晶電気光学素子の駆動法には、表示パターンによるクロ
ストーク電圧波形の変化が少なく、かつ直流成分を持た
ず、信頼性の観点から好ましい駆動法はなく、表示ムラ
の少ない素子ができないという問題点があった。
晶電気光学素子の駆動法には、表示パターンによるクロ
ストーク電圧波形の変化が少なく、かつ直流成分を持た
ず、信頼性の観点から好ましい駆動法はなく、表示ムラ
の少ない素子ができないという問題点があった。
[問題点を解決するだめの手段]
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、走査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設け
られた基板との間に、電界の極性に依存した双安定状7
mを示す強誘電性液晶が挟持された液晶電気光学素子の
駆動法において、前記走査電極群の一つを順次選択して
書き込み走査を行うに際し、1回の走査で1周期の書き
込みを構成し、1つの前記走査電極の選択時には、選択
された走査電極と選択された走査電極に対向する信号電
極とに挟持された強誘電性液晶を一方の安定状態にする
場合に、選択時間TI (T1=tl+t2+t3+t
a)の内、走査電極が選択されてからtlの時間は一■
−の電圧を印加し、走査′電極が選択されてからtlよ
りt2の時間はVwの電圧を印加し、走査電極が選択さ
れてから(tl+t2)よりt3の時間はVe (1V
el< lVwl)の電圧を印加し、走査′1シ極が選
択されてから(t+ + t7+ t3)よりt4の時
間は−Veの電圧を印加し、選択された走査電極と選択
された走査電極に対向する信号電極とに挟持された強誘
電性液晶を他方の安定状態にする場合に、選択時間T1
の内、走査電極が選択されてから1.の時間は−Veの
電圧を印加し、走査電極が選択されてからtlよりt2
の時間はVeの電圧を印加し、走査電極が選択されてか
ら(t+ + t2)よりt3の時間はVwの電圧を印
加し、走査電極が選択されてから(jl+t2+t3)
よりt4の時間は−V賛の電圧を印加し、非選択時には
前記1つの走査電極と前記1つの走査電極に対向する信
号電極との間に、振幅±Ve以丁の交流パルスであって
少なくとも周期TIの交流パルスが1周期以上連続しな
いような交流パルス電圧が印加される液晶電気光学素子
の駆動法。板と、信号電極群の設けられた基板との間に
、電界の極性に依存した双安定状yルを示す強1″A電
性液晶が挟持yれた液晶電気光学素子の駆動法において
、該走査電極群の一つを順次選択して占き込み操作を行
うに際し、2回の走査で1周期の1与き込みを構成し、
1つの該走査電極に1回目の選択時には1選択時間T1
の内、前期にvO+ Vlの電圧を、後期にVo −V
lの電圧を印加し、2回目の選択時には、+i7i期に
VO−Vlの電圧を、後期にV0+V1の電圧を印加し
、非選択時には1回1」、2回目の走査時とも一定の電
圧VOに周期T2(T2<T1)振幅±v2の高周波信
号を屯畳した波形を印加し、該信号電極には1回「」、
2回1」の走査時とも1第1の状態には、選択時間T1
の内、前期にV0 −Vlの電圧を印加し、後期にV0
+ Vlの電圧を印加するとともに、第2の状態、に
は選択時間TIの内、1111期にVO+V、の′電圧
を印加し、後期にV0 −Vlの1じ圧を印加すること
を特徴とする液晶電気光学素子の駆動法を提供するもの
である。
り、走査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設け
られた基板との間に、電界の極性に依存した双安定状7
mを示す強誘電性液晶が挟持された液晶電気光学素子の
駆動法において、前記走査電極群の一つを順次選択して
書き込み走査を行うに際し、1回の走査で1周期の書き
込みを構成し、1つの前記走査電極の選択時には、選択
された走査電極と選択された走査電極に対向する信号電
極とに挟持された強誘電性液晶を一方の安定状態にする
場合に、選択時間TI (T1=tl+t2+t3+t
a)の内、走査電極が選択されてからtlの時間は一■
−の電圧を印加し、走査′電極が選択されてからtlよ
りt2の時間はVwの電圧を印加し、走査電極が選択さ
れてから(tl+t2)よりt3の時間はVe (1V
el< lVwl)の電圧を印加し、走査′1シ極が選
択されてから(t+ + t7+ t3)よりt4の時
間は−Veの電圧を印加し、選択された走査電極と選択
された走査電極に対向する信号電極とに挟持された強誘
電性液晶を他方の安定状態にする場合に、選択時間T1
の内、走査電極が選択されてから1.の時間は−Veの
電圧を印加し、走査電極が選択されてからtlよりt2
の時間はVeの電圧を印加し、走査電極が選択されてか
ら(t+ + t2)よりt3の時間はVwの電圧を印
加し、走査電極が選択されてから(jl+t2+t3)
よりt4の時間は−V賛の電圧を印加し、非選択時には
前記1つの走査電極と前記1つの走査電極に対向する信
号電極との間に、振幅±Ve以丁の交流パルスであって
少なくとも周期TIの交流パルスが1周期以上連続しな
いような交流パルス電圧が印加される液晶電気光学素子
の駆動法。板と、信号電極群の設けられた基板との間に
、電界の極性に依存した双安定状yルを示す強1″A電
性液晶が挟持yれた液晶電気光学素子の駆動法において
、該走査電極群の一つを順次選択して占き込み操作を行
うに際し、2回の走査で1周期の1与き込みを構成し、
1つの該走査電極に1回目の選択時には1選択時間T1
の内、前期にvO+ Vlの電圧を、後期にVo −V
lの電圧を印加し、2回目の選択時には、+i7i期に
VO−Vlの電圧を、後期にV0+V1の電圧を印加し
、非選択時には1回1」、2回目の走査時とも一定の電
圧VOに周期T2(T2<T1)振幅±v2の高周波信
号を屯畳した波形を印加し、該信号電極には1回「」、
2回1」の走査時とも1第1の状態には、選択時間T1
の内、前期にV0 −Vlの電圧を印加し、後期にV0
+ Vlの電圧を印加するとともに、第2の状態、に
は選択時間TIの内、1111期にVO+V、の′電圧
を印加し、後期にV0 −Vlの1じ圧を印加すること
を特徴とする液晶電気光学素子の駆動法を提供するもの
である。
第1 +Nは、本発明で駆動する強誘電性液晶電気光学
素子の断面図である。2枚の透明基板(1a)、(1b
)の表面に、それぞれ透明な導電膜(2a)、(2b)
と配向制御膜(3a)、(3b)を形成する。導電膜(
2a)、(2b)は、基板間に保持された液晶層(4)
に電界を印加するだめの電極であり、夫々走査電極群と
信号電極群を構成し、電気光学的応答を生じさせる目的
で設けられているもので、In;+03か、5n07等
からなり、所定のパターンに形成されている。
素子の断面図である。2枚の透明基板(1a)、(1b
)の表面に、それぞれ透明な導電膜(2a)、(2b)
と配向制御膜(3a)、(3b)を形成する。導電膜(
2a)、(2b)は、基板間に保持された液晶層(4)
に電界を印加するだめの電極であり、夫々走査電極群と
信号電極群を構成し、電気光学的応答を生じさせる目的
で設けられているもので、In;+03か、5n07等
からなり、所定のパターンに形成されている。
配向制御膜(3a)、(3b)は、液晶を水モ配向させ
るものであり、代表的なものとしては、tf機高分子1
1Q、特にポリイミド系高分子膜を形成し、711で一
定方向にラビングしたものが々rましいか、その他、ポ
リアミド系i+’7i分子I+!、!、ポリイシドアミ
ド系j″1゛1j分子−膜、ポリパラキシリレン等の高
分子膜をラビングしたもの及び5i02笠の斜めノ入着
膜も有効でありまたオーバーコート膜を形成せずに、直
接、・q電11A(2a)、(2b)をラビングして配
向制御1模を形成してもよい。
るものであり、代表的なものとしては、tf機高分子1
1Q、特にポリイミド系高分子膜を形成し、711で一
定方向にラビングしたものが々rましいか、その他、ポ
リアミド系i+’7i分子I+!、!、ポリイシドアミ
ド系j″1゛1j分子−膜、ポリパラキシリレン等の高
分子膜をラビングしたもの及び5i02笠の斜めノ入着
膜も有効でありまたオーバーコート膜を形成せずに、直
接、・q電11A(2a)、(2b)をラビングして配
向制御1模を形成してもよい。
このような配向処理を行ったのち、該ノ、(板が平行、
かつ一定の間隔で保持されるように、スペーサー、例え
ば、有機ビーズ、アルミナ粒子をはさみ、シール剤(5
)で周囲を固定し、セルとする。この際、2枚の基板の
配向制御方向は、お互いに)1行になるようにする。
かつ一定の間隔で保持されるように、スペーサー、例え
ば、有機ビーズ、アルミナ粒子をはさみ、シール剤(5
)で周囲を固定し、セルとする。この際、2枚の基板の
配向制御方向は、お互いに)1行になるようにする。
その後1強誘電性液晶組成物をコレステリック相、ある
いは等方相まで加熱し、セルに注入した後、封■l二す
る。セルの外側に2枚の偏光板(6a)、(6b)をそ
の偏光板がお互いに直交し、かつノ、(板の配向制御方
向と一定角度をなすように配置する。この角度は、液晶
材料、装置の動作温度、駆動方法等によって変わり最も
コントラスト特性等のよい角度を選べばよく、また場合
によっては2枚の偏光板の偏光軸を直交から僅かにずら
して配置する場合もある。
いは等方相まで加熱し、セルに注入した後、封■l二す
る。セルの外側に2枚の偏光板(6a)、(6b)をそ
の偏光板がお互いに直交し、かつノ、(板の配向制御方
向と一定角度をなすように配置する。この角度は、液晶
材料、装置の動作温度、駆動方法等によって変わり最も
コントラスト特性等のよい角度を選べばよく、また場合
によっては2枚の偏光板の偏光軸を直交から僅かにずら
して配置する場合もある。
基板(1b)側に光源(7)を置き、反対側へ光が透過
するようにする。なお、反射型で用いる場合には、偏光
板(6b)の外側に反射板を設ければよい。
するようにする。なお、反射型で用いる場合には、偏光
板(6b)の外側に反射板を設ければよい。
第2図は、導電膜(2a)及び(2b)のパターン例を
示し、トントマトリンクス表示素子等に使われるもので
ある。一方の基板には1横方向の縞状の走査電極群01
〜Cnがバターニングされ、他力の基板には、縦方向の
縞状の信号型8i群S1〜Smがパターニングされてい
る。2組の電極群の交差点A11−Amnが画素となる
。走査電極群のうち一つの走査電極群Ciを後述の方法
で選択を行ない、その際に信号電極群S1〜5fflに
印加する信号によって、画素AiI−Aimを書き込み
、その後Gi+1を選択し、これを繰り返すことで企画
;ぢの古き込みを行う。
示し、トントマトリンクス表示素子等に使われるもので
ある。一方の基板には1横方向の縞状の走査電極群01
〜Cnがバターニングされ、他力の基板には、縦方向の
縞状の信号型8i群S1〜Smがパターニングされてい
る。2組の電極群の交差点A11−Amnが画素となる
。走査電極群のうち一つの走査電極群Ciを後述の方法
で選択を行ない、その際に信号電極群S1〜5fflに
印加する信号によって、画素AiI−Aimを書き込み
、その後Gi+1を選択し、これを繰り返すことで企画
;ぢの古き込みを行う。
第3図は、導電膜(2a)及び(2b)の他のパターン
例を示しプリンターヘッド用光シヤツター素子として使
われる。この例では1/4デユーテイで駆動される場合
のパターン例を示している。
例を示しプリンターヘッド用光シヤツター素子として使
われる。この例では1/4デユーテイで駆動される場合
のパターン例を示している。
A11 =A4mは開口部を示し、これ以外の部分は遮
光膜を形成し用いる。
光膜を形成し用いる。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、電界の
極性に依存した双安定性を示す液晶相をもつ液晶が使用
できるが、応答性の点でカイラルスメクチ、りC相(S
mC’相)の液晶が好ましい。具体的な例としては、4
−(4−n−デシルオキシベンジリデンアミン)ケイ皮
酸−2−メチルブチルエステル等がある。
極性に依存した双安定性を示す液晶相をもつ液晶が使用
できるが、応答性の点でカイラルスメクチ、りC相(S
mC’相)の液晶が好ましい。具体的な例としては、4
−(4−n−デシルオキシベンジリデンアミン)ケイ皮
酸−2−メチルブチルエステル等がある。
また、本発明に用いられる液晶としては、後述の作用の
項で説明するように、負の誘電率異方性をもつ液晶が好
ましい。具体的な例としては、p−デシルオキシベンジ
リデン−p−アミン−2−メチルブチル−α−シアノ−
シンナメート(DOBAMBfllC:)等がある。ま
た、材ネ゛1?11体ではなくいくつかの材料を混合し
て特性を実現してもよく、例えば、表1に示すような混
合物が用いられる。
項で説明するように、負の誘電率異方性をもつ液晶が好
ましい。具体的な例としては、p−デシルオキシベンジ
リデン−p−アミン−2−メチルブチル−α−シアノ−
シンナメート(DOBAMBfllC:)等がある。ま
た、材ネ゛1?11体ではなくいくつかの材料を混合し
て特性を実現してもよく、例えば、表1に示すような混
合物が用いられる。
表 1
構造式 e i隻(wt%)転移
温度 51.0℃ 69.1℃ 89.4°C98,3℃
Cr−SmC・ −SmA−Ch−1 よ R會: C2H5−CH−CH2− CH3 また、本発明で用いる液晶としては、強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲においてスメクチック相(Sm
A相)をもつ液晶が双安定性の対称性の点で好ましい。
温度 51.0℃ 69.1℃ 89.4°C98,3℃
Cr−SmC・ −SmA−Ch−1 よ R會: C2H5−CH−CH2− CH3 また、本発明で用いる液晶としては、強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲においてスメクチック相(Sm
A相)をもつ液晶が双安定性の対称性の点で好ましい。
等方相(I相)あるいはネマチフク相(Ne相)あるい
はコレステリック相(ch相)より、5CIA相を経由
せずに直接SvC”相等の強誘電性液晶相へ変化する液
晶を用いた場合、通常配向制御の方向に対して液晶分子
層の方向か異なる2挿類の配向状態をとる。
はコレステリック相(ch相)より、5CIA相を経由
せずに直接SvC”相等の強誘電性液晶相へ変化する液
晶を用いた場合、通常配向制御の方向に対して液晶分子
層の方向か異なる2挿類の配向状態をとる。
この2種類の配向状態か混在するとコント・ラストの低
ドをまねくため、1相あるいはNe相あるいはch相よ
りSmC”相゛9の強誘電性液晶相へ冷却する際に、=
一方向の極性をもつ直流電界を印加し、2種類の配白状
j及:のうち1種類のみに配向させる等の手段をとるこ
とが必要となる。このようにして作成した素子において
はその安定性において第1の安定状yEと第2の安定状
yEのうち、冷却する際に印加する電界の極性と一致す
る安定状態のほうがより安定となってしまい、双安定性
の低下につながる。これに対し、SmA相をもつ液晶に
おいては、液晶分子層の方向が1種類しかなく、電界印
加等の手段が必要なく、従って双安定性が電圧に対して
対称的になり双安定性がよい。
ドをまねくため、1相あるいはNe相あるいはch相よ
りSmC”相゛9の強誘電性液晶相へ冷却する際に、=
一方向の極性をもつ直流電界を印加し、2種類の配白状
j及:のうち1種類のみに配向させる等の手段をとるこ
とが必要となる。このようにして作成した素子において
はその安定性において第1の安定状yEと第2の安定状
yEのうち、冷却する際に印加する電界の極性と一致す
る安定状態のほうがより安定となってしまい、双安定性
の低下につながる。これに対し、SmA相をもつ液晶に
おいては、液晶分子層の方向が1種類しかなく、電界印
加等の手段が必要なく、従って双安定性が電圧に対して
対称的になり双安定性がよい。
また、本発明で用いる液晶としては、強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲でch相をもつことが配向の均
一性の点で好ましい。この液晶の配向の作成法について
は、特願昭59−274073号の方法を用いることで
極めて良好な配向に素子が作成できる。
晶相より高温の温度範囲でch相をもつことが配向の均
一性の点で好ましい。この液晶の配向の作成法について
は、特願昭59−274073号の方法を用いることで
極めて良好な配向に素子が作成できる。
強誘電性液晶組成物としてSa+G”相をもち、それよ
り高い温度においてch相をもち、かつCh相における
らせんピッチの長さくp)が基板(1a)と(1b)間
の距#(d)の4倍量り、長い液晶を用いる。またCh
相とSmC”相の間にSmA相をもつことか、配向の均
一性の点で9!ましい。このような液晶としては、光学
活性物質、スメクチック液晶化合物、ネマチック液晶化
合物を適当な割合で混合することで得られ、必要に応じ
て非液晶添加物を加える場合もある。特に、Ch相にお
けるピッチを長くするには、左らせんを生じさせる光学
活性物質と、右らせんを生じさせる光学活性物質を、ら
せんを生じさせる力の大きさに応じて混合するのが有効
である。
り高い温度においてch相をもち、かつCh相における
らせんピッチの長さくp)が基板(1a)と(1b)間
の距#(d)の4倍量り、長い液晶を用いる。またCh
相とSmC”相の間にSmA相をもつことか、配向の均
一性の点で9!ましい。このような液晶としては、光学
活性物質、スメクチック液晶化合物、ネマチック液晶化
合物を適当な割合で混合することで得られ、必要に応じ
て非液晶添加物を加える場合もある。特に、Ch相にお
けるピッチを長くするには、左らせんを生じさせる光学
活性物質と、右らせんを生じさせる光学活性物質を、ら
せんを生じさせる力の大きさに応じて混合するのが有効
である。
通常、ch相におけるらせんピッチの長さは温度ととも
に変化する。均一な配向を得るには、コレステリック−
スメクチック相転移点の直上でp>4dの条件を満たす
ことが必要である。
に変化する。均一な配向を得るには、コレステリック−
スメクチック相転移点の直上でp>4dの条件を満たす
ことが必要である。
しかし、この条件を満たす温度範囲が転移点のご〈近傍
に限られる場合は、温度降下速度が速い場合においては
、らせん構造がほどけずにスメクチック相へ転移してし
まう。この場合には均一な配向が得られないので、らせ
ん構造がほどけるまでp>46を満たす温度に保持する
か、温度降下速度を遅くする必要がある。この理由から
らせんピッチpが基板間距離dの4倍以上になる温度範
囲は、コレステリック−スメクチック相転移点より5℃
以上の範囲にわたることが好ましく、ざらにch相全全
温度範囲わたることがより好ましい。
に限られる場合は、温度降下速度が速い場合においては
、らせん構造がほどけずにスメクチック相へ転移してし
まう。この場合には均一な配向が得られないので、らせ
ん構造がほどけるまでp>46を満たす温度に保持する
か、温度降下速度を遅くする必要がある。この理由から
らせんピッチpが基板間距離dの4倍以上になる温度範
囲は、コレステリック−スメクチック相転移点より5℃
以上の範囲にわたることが好ましく、ざらにch相全全
温度範囲わたることがより好ましい。
なお、ここでいうch相はネマチック液晶に光学活性物
質を添加して固有のピンチを持つようにされたネマチッ
ク液晶によるNe相も含むのもである。
質を添加して固有のピンチを持つようにされたネマチッ
ク液晶によるNe相も含むのもである。
次に本発明の駆動法を具体例に従って説明する。第4図
および第5−a、b、c、d図は本発明の好ましい具体
例の1つであり、それぞれ横軸か時間を、縦軸が電圧を
表す。
および第5−a、b、c、d図は本発明の好ましい具体
例の1つであり、それぞれ横軸か時間を、縦軸が電圧を
表す。
第4図は、各走査電極、信号電極に印加される電圧波形
および走査電極と信号電極の対向部の強誘電性液晶に印
加される′電圧波形を示したものである。また、第5−
a、b、c、d図は、未発明の駆動法を、第2図に示し
た走査電極群と信り電極群が組み合わせれたドントマト
リックスにおいて走査電極が8木の電極で構成された場
合(n=8)に用いた時、第2図中A l i点の強誘
電性液晶に印加される電圧波形を示した。第5−a図に
はA nl(n = 1〜8 )点の全てを点灯状態に
する場合、第5−b図にはAnl(n=1〜8)点の全
てを非点灯状態にする場合、第5−a図にはAnl(n
=奇数)点を点灯状態;とし、Ant(n=偶数)を非
点灯状態にする場合、第5−d図にはA。+(n=7濱
攻)点を非点灯状IEとし、Ant(n=偶数)点を点
灯状5E;とする場合に、Al1点に印加される電圧波
形を示した。
および走査電極と信号電極の対向部の強誘電性液晶に印
加される′電圧波形を示したものである。また、第5−
a、b、c、d図は、未発明の駆動法を、第2図に示し
た走査電極群と信り電極群が組み合わせれたドントマト
リックスにおいて走査電極が8木の電極で構成された場
合(n=8)に用いた時、第2図中A l i点の強誘
電性液晶に印加される電圧波形を示した。第5−a図に
はA nl(n = 1〜8 )点の全てを点灯状態に
する場合、第5−b図にはAnl(n=1〜8)点の全
てを非点灯状態にする場合、第5−a図にはAnl(n
=奇数)点を点灯状態;とし、Ant(n=偶数)を非
点灯状態にする場合、第5−d図にはA。+(n=7濱
攻)点を非点灯状IEとし、Ant(n=偶数)点を点
灯状5E;とする場合に、Al1点に印加される電圧波
形を示した。
本発明の駆動法によると、Al1点を点灯状態にする場
合、第5−a図と第5−a図とのクロストーク電圧波形
の差が最も火きく、Al1点を非点灯状態にする場合、
第5−b図と第5−d図とのタロストーク電圧波形の差
が最も大きいが、従来例である第8−a、b、c、d図
にくらへて表示パターンの差によるクコストーク電圧波
形の差は小さくなる。
合、第5−a図と第5−a図とのクロストーク電圧波形
の差が最も火きく、Al1点を非点灯状態にする場合、
第5−b図と第5−d図とのタロストーク電圧波形の差
が最も大きいが、従来例である第8−a、b、c、d図
にくらへて表示パターンの差によるクコストーク電圧波
形の差は小さくなる。
即ち、第5−a図及び第5−b図のクロストーク部では
周期1/2T+の交流パルスが印加されている。又、第
5−a図及び第5−d図のクロストーク部では2Tlの
時間の間に周期1/2T+ の交流パルスと周期T1の
交流パルスとが混在して印加されるが、この周期TIの
交流パルスは1周期連続していることはなく、必ず周期
1/2T+ の交流パルスと連続しているため、第8図
のようにクロストーク部の交流パルスの周波数が2倍と
なることがなく、クロストークが減少することとなる。
周期1/2T+の交流パルスが印加されている。又、第
5−a図及び第5−d図のクロストーク部では2Tlの
時間の間に周期1/2T+ の交流パルスと周期T1の
交流パルスとが混在して印加されるが、この周期TIの
交流パルスは1周期連続していることはなく、必ず周期
1/2T+ の交流パルスと連続しているため、第8図
のようにクロストーク部の交流パルスの周波数が2倍と
なることがなく、クロストークが減少することとなる。
第4図、第5−a、b、c、d図において、T1は1つ
の走査電極が選択される時間を示し、通常+11132
0位とされればよいが、液晶材料の今後の開発により、
より短くすることも可能で、液晶材料が点灯状態と非点
灯状態のいずれかに変化しうる時間より長ければよい。
の走査電極が選択される時間を示し、通常+11132
0位とされればよいが、液晶材料の今後の開発により、
より短くすることも可能で、液晶材料が点灯状態と非点
灯状態のいずれかに変化しうる時間より長ければよい。
また、第4図においてtl=t2=t3=ta−1/4
T+ とじている。これは、tl 、 t2. h
、 tl< 1/2T+ でかつtl+t2÷j3+t
n =TI の範囲で1/4h にしないこともでき、
この場合短時間では直流成分が残るという欠点があるが
、長期的には点灯状態と非点灯状態があられれるため、
ある程度交流化する傾向があり、又、tl<1/4 T
+及びh<1/4T+ とし、T1、T3を液晶の状
態が変化するのに十分なだけとすることにより、選択時
間を短くできるため走査II!F間を短縮できるメリッ
トがある。もつとも、t1÷t2 =1/2T1 、
t3 +t4=1/271 とすることにより両方の
安定状態への変化がほぼ均一となり、かつt+ = b
= L3= La=1/4 Tl とすることにか
、完全に直流成分を除去でき、安定な動作が可能となる
ため好ましい。
T+ とじている。これは、tl 、 t2. h
、 tl< 1/2T+ でかつtl+t2÷j3+t
n =TI の範囲で1/4h にしないこともでき、
この場合短時間では直流成分が残るという欠点があるが
、長期的には点灯状態と非点灯状態があられれるため、
ある程度交流化する傾向があり、又、tl<1/4 T
+及びh<1/4T+ とし、T1、T3を液晶の状
態が変化するのに十分なだけとすることにより、選択時
間を短くできるため走査II!F間を短縮できるメリッ
トがある。もつとも、t1÷t2 =1/2T1 、
t3 +t4=1/271 とすることにより両方の
安定状態への変化がほぼ均一となり、かつt+ = b
= L3= La=1/4 Tl とすることにか
、完全に直流成分を除去でき、安定な動作が可能となる
ため好ましい。
本発明では、走査電極に印加される選択信号の電圧v1
と信号電極に印加される点灯信号の電圧V2は、−選択
時間T1において±V−即ち±(V2+v1)の電圧で
液晶の安定状態が変化し±ve即ち±(V2−V3)の
電圧では液晶の安定状態が変化しないような電圧とすれ
ばよく、V2:V1=2:1〜8:1程度に設定されれ
ばよく、好ましくはV+ : V2= 2:1〜4:1
程度に設定されればよい。
と信号電極に印加される点灯信号の電圧V2は、−選択
時間T1において±V−即ち±(V2+v1)の電圧で
液晶の安定状態が変化し±ve即ち±(V2−V3)の
電圧では液晶の安定状態が変化しないような電圧とすれ
ばよく、V2:V1=2:1〜8:1程度に設定されれ
ばよく、好ましくはV+ : V2= 2:1〜4:1
程度に設定されればよい。
又、走査電極の非選択■¥には1画素に振幅上Ve以下
の交流パルスであって周期T1の交流パルスが1周期以
上連続して生じないような電圧が印加されればよい。具
体的には、±V3 (IVI −V2|>|V3|≧0
)の交流パルスが印加されればよく、例えばtlの時間
にはv3、L2の時間には−V3 、 t3の時間には
v3、tlの時間には−V3、というように印加されれ
ばよい。又、tlとL3の時間には−v3、t2とtl
の時間にはv3としてもよい。この場合、非選択画素に
は、振幅IV2+V31.1V2−v31(7)電圧か
印加されることとなり、これら両者ともが1Velより
も小さくされていればよい。もつとも第4図の例のよう
にv3 =ovとすることにより、非選択画素には常に
一定の振幅VC=V0−V2の交流パルスが印加される
ことになり、クロストークが少なくなるため好ましい。
の交流パルスであって周期T1の交流パルスが1周期以
上連続して生じないような電圧が印加されればよい。具
体的には、±V3 (IVI −V2|>|V3|≧0
)の交流パルスが印加されればよく、例えばtlの時間
にはv3、L2の時間には−V3 、 t3の時間には
v3、tlの時間には−V3、というように印加されれ
ばよい。又、tlとL3の時間には−v3、t2とtl
の時間にはv3としてもよい。この場合、非選択画素に
は、振幅IV2+V31.1V2−v31(7)電圧か
印加されることとなり、これら両者ともが1Velより
も小さくされていればよい。もつとも第4図の例のよう
にv3 =ovとすることにより、非選択画素には常に
一定の振幅VC=V0−V2の交流パルスが印加される
ことになり、クロストークが少なくなるため好ましい。
[作用]
最初に本発明の駆動波形による液晶電気光学素子の動作
について説明する。まず点灯状態(第1の安定状態)に
するには、第4図に示すように、選択時間の前記tl
+ t2には振幅が±(V2+Vl)の大きな交流信号
が印加される。この大きなプラス、マイナスの信号によ
り強誘電性液晶分子の配列方向がその都度変化するが、
時間的に後のプラス信号での安定状態となる。
について説明する。まず点灯状態(第1の安定状態)に
するには、第4図に示すように、選択時間の前記tl
+ t2には振幅が±(V2+Vl)の大きな交流信号
が印加される。この大きなプラス、マイナスの信号によ
り強誘電性液晶分子の配列方向がその都度変化するが、
時間的に後のプラス信号での安定状態となる。
選択時間の後期t3÷t4には±(V7−1h)の小さ
な交流信号が印加されるが、この信号では、強誘電性液
晶分子の配列方向は変化はしない。この信号では強誘電
性液晶の配列方向は変化せず、次の選択時間まで点灯状
態が保持される。
な交流信号が印加されるが、この信号では、強誘電性液
晶分子の配列方向は変化はしない。この信号では強誘電
性液晶の配列方向は変化せず、次の選択時間まで点灯状
態が保持される。
一方非点灯状態(第2の安定状fE、 )にするには、
前記tl+t2(7)ニは士(V2−Vl) (7)小
サナ交流信号が印加される。この信号では強誘電性液晶
の配列方向は変化しない。選択時間の後期t3+Lには
±(V2+Vl)の大きな交流化信号−が印加され、前
述と同様にして時間的に後のマイナス(lj号での安定
状7f、となる。また非選択時には±v2のクロストー
ク゛重圧波形が印加されるが、このイ1)すでは強誘電
性液晶の配列方向は変化せず、次の選択時間まで非点灯
状yルが保持される。
前記tl+t2(7)ニは士(V2−Vl) (7)小
サナ交流信号が印加される。この信号では強誘電性液晶
の配列方向は変化しない。選択時間の後期t3+Lには
±(V2+Vl)の大きな交流化信号−が印加され、前
述と同様にして時間的に後のマイナス(lj号での安定
状7f、となる。また非選択時には±v2のクロストー
ク゛重圧波形が印加されるが、このイ1)すでは強誘電
性液晶の配列方向は変化せず、次の選択時間まで非点灯
状yルが保持される。
なお、」二記説明では、第1の安定状5Bを点灯状態、
第2の安定状yルを非点灯状態としたが、これは偏光膜
により逆にすることもできる。
第2の安定状yルを非点灯状態としたが、これは偏光膜
により逆にすることもできる。
次に強誘電性液晶分子の動きについて、第6図に従って
さらに詳しく説明する。
さらに詳しく説明する。
強誘電性液晶は、液晶分子(41)が層構造をなし、そ
の分子長軸方向は層重直線方向に対し、ある一定角度だ
け傾いている。この分子に直角でかつ層モ面(42)に
含まれる方向に自発分極(43)をもつ。
の分子長軸方向は層重直線方向に対し、ある一定角度だ
け傾いている。この分子に直角でかつ層モ面(42)に
含まれる方向に自発分極(43)をもつ。
この液晶分子の方向を外部からの電界によって変える効
果として2つの作用が考えられる。
果として2つの作用が考えられる。
一つは自発分極と電界の結合作用であり、この作用にお
いては電界の極性に対し自発分極の向きをそろえようと
するように分子の向きが変る。すなわち、正の電界方向
と負の電界方向では、分子の層垂線からの傾く方向が逆
になる。
いては電界の極性に対し自発分極の向きをそろえようと
するように分子の向きが変る。すなわち、正の電界方向
と負の電界方向では、分子の層垂線からの傾く方向が逆
になる。
第9図に示すようにElの電界極性に対しては、(a)
のように配列し、 E2の電界極性に対しては(t2)
のように配列しようとする。
のように配列し、 E2の電界極性に対しては(t2)
のように配列しようとする。
もう一つの作用は、誘電率異方性と電界との結合作用で
ある。この作用においては1分子の配列方向は電界の極
性には依存せず、方向のみによって決まる。液晶分子が
負の誘電異方性をもつ場合は、E3の電界方向に対して
(a)か(t2)いずれかの配列状態をとろうとする。
ある。この作用においては1分子の配列方向は電界の極
性には依存せず、方向のみによって決まる。液晶分子が
負の誘電異方性をもつ場合は、E3の電界方向に対して
(a)か(t2)いずれかの配列状態をとろうとする。
本発明の駆動法では、特に前者の作用を使い点灯、非点
灯状態への変化を行なっているが、強誘電性液晶として
負の誘電異方性をもつ液晶を用いた場合、後者の作用に
よって双安定性が増し、クロストーク電圧波形による光
強度の変化を減少させることができる。
灯状態への変化を行なっているが、強誘電性液晶として
負の誘電異方性をもつ液晶を用いた場合、後者の作用に
よって双安定性が増し、クロストーク電圧波形による光
強度の変化を減少させることができる。
[実施例]
液晶としてSmC”相のより高温でSaA相、さらに高
温でCh相を有するカイラルスメクチック液晶組成物を
用い、走査電極を8本設けた液晶セルを形成し、走査電
極に71 = 800μsec、tl = h =t3
= t4 = 200μsec、Vo= OV 、
Vl = 15Vの電圧を印加し、信号電極にTl =
800μsec、tl = t2 = t3 = t
4= 200μsec、Vo= OV、 V2 = 5
V の電圧を印加し、第5−a、b、c、d図のそれ
ぞれの波形での液晶電気光学素子の光強度1ajb、I
C,Idを測定した。一方従来例として第7a、b図に
示した駆動法を用い走査電極に71 = 800μse
c、Vo = OV 。
温でCh相を有するカイラルスメクチック液晶組成物を
用い、走査電極を8本設けた液晶セルを形成し、走査電
極に71 = 800μsec、tl = h =t3
= t4 = 200μsec、Vo= OV 、
Vl = 15Vの電圧を印加し、信号電極にTl =
800μsec、tl = t2 = t3 = t
4= 200μsec、Vo= OV、 V2 = 5
V の電圧を印加し、第5−a、b、c、d図のそれ
ぞれの波形での液晶電気光学素子の光強度1ajb、I
C,Idを測定した。一方従来例として第7a、b図に
示した駆動法を用い走査電極に71 = 800μse
c、Vo = OV 。
V+=15Vノ電圧を印加し、信号電極ニTI=800
μsec、 VO=OV、 V2=5V ノミ圧を印
加し、第8−a、b、c、d図のそれぞれの波形での液
晶電気光学素子の光強度1’a、I’b、I’c、I’
dを測定した。
μsec、 VO=OV、 V2=5V ノミ圧を印
加し、第8−a、b、c、d図のそれぞれの波形での液
晶電気光学素子の光強度1’a、I’b、I’c、I’
dを測定した。
本発明の駆動法によると、表示パターンによるクロスト
ーク電圧波形の変化による点灯状gE;の光強度の変化
はIa/Ic = 1.08、非点灯状態の光強度の変
化はIb/Id = 1.00であった。一方。
ーク電圧波形の変化による点灯状gE;の光強度の変化
はIa/Ic = 1.08、非点灯状態の光強度の変
化はIb/Id = 1.00であった。一方。
従来例では、表示パターンによるクコストーク電圧波形
の変化による点灯状態の光強度の変化はIa/Ic =
1.11.非点灯状態の光強度の変化はIb/Id
=0.83であった。
の変化による点灯状態の光強度の変化はIa/Ic =
1.11.非点灯状態の光強度の変化はIb/Id
=0.83であった。
このように、本発明によれば表示パターンに[発明の効
果] 本発明は、表示パターンによるクロストーク電圧波形の
変化を小さくし、従って、表示ムラを減少させる如き優
れた効果を有し、液晶゛心気光学素子の大型化、高密度
化を可能とした効果をもつ。
果] 本発明は、表示パターンによるクロストーク電圧波形の
変化を小さくし、従って、表示ムラを減少させる如き優
れた効果を有し、液晶゛心気光学素子の大型化、高密度
化を可能とした効果をもつ。
また1本発明は直流′上界成分を液晶に印加しないこと
により、液晶及び電極の劣化を妨げる効果をもつ。また
、このことにより、配向膜として絶縁膜を使用できる、
あるいは液晶と電極の間に他の絶縁11りを形成するこ
ともII)能であり、これにより液晶セル内での電極間
の短絡病1ヒに効果をもつ。
により、液晶及び電極の劣化を妨げる効果をもつ。また
、このことにより、配向膜として絶縁膜を使用できる、
あるいは液晶と電極の間に他の絶縁11りを形成するこ
ともII)能であり、これにより液晶セル内での電極間
の短絡病1ヒに効果をもつ。
さらに、従来例では2回の走査では1回の書き込みを形
成しているために1画面分の表示データ用のメモリを惑
星とするか、本発明によれば、1行分の表示データ用の
メモリでよく、制御回路を小さくする効果をもつ。
成しているために1画面分の表示データ用のメモリを惑
星とするか、本発明によれば、1行分の表示データ用の
メモリでよく、制御回路を小さくする効果をもつ。
あり、第2図、第3図は、本発明の駆動法の好ましい適
用例の電極パターンの例の平面図である。第4図及び第
5−a、b、c、d図は、未発1月による駆動波形図で
あり、第5−a、b。 c、d図は点灯状yE、非点灯状態に印加する波形の時
間的な変化を表示パターンを変えて示した図である。第
6図は、本発明の駆動法の原理の説明図である。 第7−a、b図および第8−a、b、c、d図は従来例
による駆動波形図であり、第8−a。 b、c、d図は点灯状態、非点灯状8に印加する波形の
時間的な変化を表示パターンを変えて示した図である。 la、1b:透明基板 2a、2b:導電膜 3d、3b:配向制御膜 4 :液晶層 6a、6b:偏光板
用例の電極パターンの例の平面図である。第4図及び第
5−a、b、c、d図は、未発1月による駆動波形図で
あり、第5−a、b。 c、d図は点灯状yE、非点灯状態に印加する波形の時
間的な変化を表示パターンを変えて示した図である。第
6図は、本発明の駆動法の原理の説明図である。 第7−a、b図および第8−a、b、c、d図は従来例
による駆動波形図であり、第8−a。 b、c、d図は点灯状態、非点灯状8に印加する波形の
時間的な変化を表示パターンを変えて示した図である。 la、1b:透明基板 2a、2b:導電膜 3d、3b:配向制御膜 4 :液晶層 6a、6b:偏光板
Claims (9)
- (1)走査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設
けられた基板との間に、電界の極性に依存した双安定状
態を示す強誘電性液晶が挟持された液晶電気光学素子の
駆動法において、前記走査電極群の一つを順次選択して
書き込み走査を行うに際し、1回の走査で1周期の書き
込みを構成し、1つの前記走査電極の選択時には、選択
された走査電極と選択された走査電極に対向する信号電
極とに挟持された強誘電性液晶を一方の安定状態にする
場合に、選択時間T_1(T_1=t_1+t_2+t
_3+t_4)の内、走査電極が選択されてからt_1
の時間は−Vwの電圧を印加し、走査電極が選択されて
からt_1よりt_2の時間はVwの電圧を印加し、走
査電極が選択されてから(t_1+t_2)よりt_3
の時間はVe(|Ve|<|Vw|)の電圧を印加し、
走査電極が選択されてから(t_1+t_2+t_3)
よりt_4の時間は−Veの電圧を印加し、選択された
走査電極と選択された走査電極に対向する信号電極とに
挟持された強誘電性液晶を他方の安定状態にする場合に
、選択時間T_1の内、走査電極が選択されてからt_
1の時間は−Veの電圧を印加し、走査電極が選択され
てからt_1よりt_2の時間はVeの電圧を印加し、
走査電極が選択されてから(t_1+t_2)よりt_
3の時間はVwの電圧を印加し、走査電極が選択されて
から(t_1+t_2+t_3)よりt_4の時間は−
Vwの電圧を印加し、非選択時には前記1つの走査電極
と前記1つの走査電極に対向する信号電極との間に、振
幅±Ve以下の交流パルスであって少なくとも周期T_
1の交流パルスが1周期以上連続しないような交流パル
ス電圧が印加される液晶電気光学素子の駆動法。 - (2)前記走査電極群の一つを順次選択して書き込み走
査を行うに際し、1回の走査で1周期の書き込みを構成
し、1つの前記走査電極の選択時には、選択時間T_1
の内、選択されてからt_1の時間はV_0+V_1の
電圧を印加し、走査電極が選択されてからt_1より(
t_2+t_3)の時間はV_0−V_1の電圧を印加
し、走査電極が選択されてから(t_1+t_2+t_
3)よりt_4の時間はV_0+V_1の電圧を印加し
、非選択時には、±V3(|V_1−V_2|>|V_
3|≧0)の電圧を印加し、前記信号電極には、選択さ
れた走査電極との対向部の強誘電性液晶を一方の安定状
態にする場合に、選択時間T_1の内、走査電極が選択
されてからt_1の時間はV_0−V_2の電圧を印加
し、走査電極が選択されてからt_1よりt_2の時間
はV_0+V_2の電圧を印加し、走査電極が選択され
てから(t_1+t_2)よりt_3の時間はV_0−
V_2の電圧を印加し、走査電極が選択されてから(t
_1+t_2+t_3)よりt_4の時間はV_0+V
_2の電圧を印加し、選択された走査電極との対向部の
強誘電性液晶を他方の安定状態にする場合に、選択時間
T_1の内、走査電極が選択されてからt_1の時間は
V_0+V_2の電圧を印加し、走査電極が選択されて
からt_1よりt_2の時間はV_0−V_2の電圧を
印加し、走査電極が選択されてから(t_1+t_2)
よりt_3の時間はV_0+V_2の電圧を印加し、走
査電極が選択されてから(t_1+t_2+t_3)よ
りt_4の時間はV_0−V_2の電圧を印加する特許
請求の範囲第1項記載の液晶電気光学素子の駆動法。 - (3)V_3=0である特許請求の範囲第2項記載の液
晶電気光学素子の駆動法。 - (4)前記時間t_1、t_2、t_3、t_4が(t
_1+t_2)=(t_3+t_4)である特許請求の
範囲第1項乃至第3項のいずれか一項記載の液晶電気光
学素子の駆動法。 - (5)前記時間t_1、t_2、t_3、t_4がt_
1=t_2=t_3=t_4でる特許請求の範囲第4項
記載の液晶電気光学素子の駆動法。 - (6)前記強誘電性液晶がカイラルスメクチックC相で
ある特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか一項記
載の液晶電気光学素子の駆動法。 - (7)前記強誘電性液晶の分子長軸の誘電率が分子短軸
の誘電率より小さい強誘電性液晶を用いた特許請求の範
囲第6項記載の液晶電気光学素子の駆動法。 - (8)前記強誘電性液晶がカイラルスメクチックA相を
有する特許請求の範囲第6項記載の液晶電気光学素子の
駆動法。 - (9)前記強誘電性液晶がコレステリック相を有する特
許請求の範囲第6項記載の液晶電気光学素子の駆動法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1486886A JPS62173436A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 液晶電気光学素子の駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1486886A JPS62173436A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 液晶電気光学素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62173436A true JPS62173436A (ja) | 1987-07-30 |
Family
ID=11872998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1486886A Pending JPS62173436A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 液晶電気光学素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62173436A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6478234A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Nippon Denso Co | Matrix type liquid crystal display device |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP1486886A patent/JPS62173436A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6478234A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Nippon Denso Co | Matrix type liquid crystal display device |
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