JPS62173703A - ｓｉｃ薄膜サ−ミスタ - Google Patents
ｓｉｃ薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS62173703A JPS62173703A JP61015132A JP1513286A JPS62173703A JP S62173703 A JPS62173703 A JP S62173703A JP 61015132 A JP61015132 A JP 61015132A JP 1513286 A JP1513286 A JP 1513286A JP S62173703 A JPS62173703 A JP S62173703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wire
- sic
- thin film
- glass layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高応答性、高耐熱性、高耐水性を要求される
温度センサに使用されるＳｉＣ薄膜サーミスタに関する
ものである。
温度センサに使用されるＳｉＣ薄膜サーミスタに関する
ものである。
従来の技術
従来のＳ工Ｃ薄膜サーミスタは、第２因に示すようにア
ルミナ基板１上に、金属ペーストにて一対の対向電極２
Ｎ、２ｂ’ｉ形成した後、リード線取り出し部電極３ａ
、３ｂと除く前記対向電極２ ａ。
ルミナ基板１上に、金属ペーストにて一対の対向電極２
Ｎ、２ｂ’ｉ形成した後、リード線取り出し部電極３ａ
、３ｂと除く前記対向電極２ ａ。
２ｂが形成されている前記アルミナ基板１上に５ｉＣＦ
Ｊ膜４をスパッタリングにより形成し、前記リード線取
り出し部電極３ａ、３ｂにリード線ｅａ、ｓｂｌ接続し
たのち、アルミナ系板１上全面にわたってガラス層５に
て被覆した構造であり７’Ｃ。
Ｊ膜４をスパッタリングにより形成し、前記リード線取
り出し部電極３ａ、３ｂにリード線ｅａ、ｓｂｌ接続し
たのち、アルミナ系板１上全面にわたってガラス層５に
て被覆した構造であり７’Ｃ。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成でＩｉ、ＳｌＣ薄腰がリード線取
り出し部電極を除く対向電惨が形成されているアルミナ
基板上全面に形成されているため、この上からガラス層
で被覆してもＳｉＣ薄膜の端面汀ガラス層で完全に覆わ
れていないため、煮沸、スチーム等の苛酷な条件下では
、水分の吸着あるいは浸入により抵抗値の異ｎ低下をも
たらし、耐水性面で保証し難い構造であった。一方、リ
ード俸取り出し部霜、極にリード線分接続した後、アル
ミナ基板上全面をガラス層で１°σって１７り成ざルて
いるが、リード線とガラス層の熱膨張係数に差があるた
め、引き出しリード線に滑ってクラックが発生する場合
があり、この時にも同様に煮沸、スチーム等の苛酷な条
件下では、水分の浸入により抵抗値の異常低下？もたら
すという問題があった。
り出し部電極を除く対向電惨が形成されているアルミナ
基板上全面に形成されているため、この上からガラス層
で被覆してもＳｉＣ薄膜の端面汀ガラス層で完全に覆わ
れていないため、煮沸、スチーム等の苛酷な条件下では
、水分の吸着あるいは浸入により抵抗値の異ｎ低下をも
たらし、耐水性面で保証し難い構造であった。一方、リ
ード俸取り出し部霜、極にリード線分接続した後、アル
ミナ基板上全面をガラス層で１°σって１７り成ざルて
いるが、リード線とガラス層の熱膨張係数に差があるた
め、引き出しリード線に滑ってクラックが発生する場合
があり、この時にも同様に煮沸、スチーム等の苛酷な条
件下では、水分の浸入により抵抗値の異常低下？もたら
すという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、煮沸、ス
チーム等の苛酷な条件下でも十分に使用可能な耐水性、
耐湿性に優れたＳｉＣ薄膜サーミスタを提供することを
目的とするものである。
チーム等の苛酷な条件下でも十分に使用可能な耐水性、
耐湿性に優れたＳｉＣ薄膜サーミスタを提供することを
目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、セラミック絶縁
基板上に熱安定性に優れた金属ペーストにて一対の対向
電極を形成し、リード線取り出し部を除く前記対向電極
上にＳ工Ｃ遼膜を形成し、この上から５ｉｌＪ１７膜よ
り大きな面積を有するＳｉＣ保護用ガラス層でＳｉ０ｇ
膜を完全に被覆し更に前記リード線取り出し部電極にリ
ード線を接続し、このリード線取り出し部をリード線補
強用ガラスにて仮覆することにより構成されたＳｉＣ＃
膜す−ミスタである。
基板上に熱安定性に優れた金属ペーストにて一対の対向
電極を形成し、リード線取り出し部を除く前記対向電極
上にＳ工Ｃ遼膜を形成し、この上から５ｉｌＪ１７膜よ
り大きな面積を有するＳｉＣ保護用ガラス層でＳｉ０ｇ
膜を完全に被覆し更に前記リード線取り出し部電極にリ
ード線を接続し、このリード線取り出し部をリード線補
強用ガラスにて仮覆することにより構成されたＳｉＣ＃
膜す−ミスタである。
作用
このｔｌり成により、Ｓ工ＯＡｌ１膜は、この上からＳ
ｉＣ薄膜より大きな面積を有するＳｉＣ保護用ガラス層
で完全に被覆されていること、及び、リード線取り出し
都電極上に接続したリード線は、この上からリード線補
強用ガラスでリード線ヲ被可しているため、リード線と
リード線補強用ガラスの熱膨張係数の違いにより、リー
ド線に沿ってクランクが発生したとしても、ＳｉＣ保護
用ガラス層には、そのクラックが到達しないため、５ｉ
Ｃ４膜は、ＳｉＣ保護用ガラスで完全に被覆された状態
を維持することができるため、煮沸、スチーム等の苛酷
な条件下でも常に安定した電気的特性？維持発揮するこ
とのできるＳｉＣ薄膜サーミスタを提供することができ
ることとなる。
ｉＣ薄膜より大きな面積を有するＳｉＣ保護用ガラス層
で完全に被覆されていること、及び、リード線取り出し
都電極上に接続したリード線は、この上からリード線補
強用ガラスでリード線ヲ被可しているため、リード線と
リード線補強用ガラスの熱膨張係数の違いにより、リー
ド線に沿ってクランクが発生したとしても、ＳｉＣ保護
用ガラス層には、そのクラックが到達しないため、５ｉ
Ｃ４膜は、ＳｉＣ保護用ガラスで完全に被覆された状態
を維持することができるため、煮沸、スチーム等の苛酷
な条件下でも常に安定した電気的特性？維持発揮するこ
とのできるＳｉＣ薄膜サーミスタを提供することができ
ることとなる。
実施例
本発明の一実施例による５ｉＣＲＩＩＩサーミスタを、
図面ヲ泰照しながら説明する。
図面ヲ泰照しながら説明する。
第１図に示すように、アルミナ基板７の上に、熱安定性
に優れたＰｔ −Ａｕペーストにて一対の対向電極８４
，８ｂを形成した後、リード線取り出し部電極９ａ＋
９ｂを除く前記対向電極９Ｎ、８ｂが形成されている
アルミナ基板７上に、基板７の端部より内側にＳｉＣ薄
膜１ｏをスパッタリングにより形成し感温抵抗体とする
。次いで、このＳｉＣ薄膜１Ｑの面積より更に大きな面
積でＳｉＣ保護用ガラス層１１？スクリーン印刷により
塗布、焼付して形成し、５ｉ（Ｊ９膜１０ｉＳｉＣ保護
用ガラス１１にて完全に被覆する。更に、前記リード線
取り出し部電極９１．９ｂ上にリード線１２！Ｌ、１２
ｂを溶接にて接続した後、このリード線取り出し部ｅ
ＩＪ−ド線補強用ガラス１３Ｊ１３ｂで塗布。
に優れたＰｔ −Ａｕペーストにて一対の対向電極８４
，８ｂを形成した後、リード線取り出し部電極９ａ＋
９ｂを除く前記対向電極９Ｎ、８ｂが形成されている
アルミナ基板７上に、基板７の端部より内側にＳｉＣ薄
膜１ｏをスパッタリングにより形成し感温抵抗体とする
。次いで、このＳｉＣ薄膜１Ｑの面積より更に大きな面
積でＳｉＣ保護用ガラス層１１？スクリーン印刷により
塗布、焼付して形成し、５ｉ（Ｊ９膜１０ｉＳｉＣ保護
用ガラス１１にて完全に被覆する。更に、前記リード線
取り出し部電極９１．９ｂ上にリード線１２！Ｌ、１２
ｂを溶接にて接続した後、このリード線取り出し部ｅ
ＩＪ−ド線補強用ガラス１３Ｊ１３ｂで塗布。
焼付けることにより被覆して構成される。
ここで、アルミナ基板は他のセラミック絶縁基板でもよ
く、また対向電極は熱安定性に優れた金属ペーストで形
成されればよいものである。
く、また対向電極は熱安定性に優れた金属ペーストで形
成されればよいものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ＳｉＣ薄膜はガラス層で
完全に被覆されているため、煮沸、スチーム等の苛酷な
条件下でも水分がＳｉＣ％膜部に浸入しないため、抵抗
値の異常低下を起こすことのない極めて安定した電気的
特性を維持発揮するＳｉＣ薄膜サーミスタを得ることが
できる。更に、リード線接続部−１ｄ、 ＳｉＣ保護用
ガラス層とは分離してリード線補強用ガラスでリード線
を被覆しているため、熱膨張係数の違いによりリード線
補強用ガラスにリード線に沿ってクラックが発生したと
しても、そのクランクはＳｉＣ保護用ガラス層には到達
しないため、ＳｉＣ薄膜はＳｉＣ保護用ガラス層にて完
全に被覆された状態を維持することができるため、同様
の効果を発揮することができる０
完全に被覆されているため、煮沸、スチーム等の苛酷な
条件下でも水分がＳｉＣ％膜部に浸入しないため、抵抗
値の異常低下を起こすことのない極めて安定した電気的
特性を維持発揮するＳｉＣ薄膜サーミスタを得ることが
できる。更に、リード線接続部−１ｄ、 ＳｉＣ保護用
ガラス層とは分離してリード線補強用ガラスでリード線
を被覆しているため、熱膨張係数の違いによりリード線
補強用ガラスにリード線に沿ってクラックが発生したと
しても、そのクランクはＳｉＣ保護用ガラス層には到達
しないため、ＳｉＣ薄膜はＳｉＣ保護用ガラス層にて完
全に被覆された状態を維持することができるため、同様
の効果を発揮することができる０
第１図は本発明の一実施例による５ｉＣ４９膜サーミス
タを示す斜視図、第２図は従来のＳ工Ｃ薄膜サーミスタ
を示す斜視図である。 ７・・・・・・セラミック絶縁基板（アルミナ基板）、
８２Ｌ、８ｂ・・・・・・対向電＠Ｌ（Ｐｔ−Ａｕ対向
電極）、９ａ、９ｂ・・・・・・リード線取り出し部電
極、１０・・・−−−ＳｉＣ７％１７膜、１１・・・・
・・ＳＩＣ保獲用ガラス層、１２ａ。 １２ｂ・・・・・・リード！、１３ ｚ、 １３ ｂ
−・・−・−リード線補強用ガラス０
タを示す斜視図、第２図は従来のＳ工Ｃ薄膜サーミスタ
を示す斜視図である。 ７・・・・・・セラミック絶縁基板（アルミナ基板）、
８２Ｌ、８ｂ・・・・・・対向電＠Ｌ（Ｐｔ−Ａｕ対向
電極）、９ａ、９ｂ・・・・・・リード線取り出し部電
極、１０・・・−−−ＳｉＣ７％１７膜、１１・・・・
・・ＳＩＣ保獲用ガラス層、１２ａ。 １２ｂ・・・・・・リード！、１３ ｚ、 １３ ｂ
−・・−・−リード線補強用ガラス０
Claims (1)
- セラミック絶縁基板上に熱安定性に優れた金属ペース
トで一対の対向電極を形成し、この上にＳｉＣの薄膜を
形成し、さらにリード線取り出し部電極を除く前記対向
電極上に形成したＳｉＣ薄膜をそれより大きな面積を有
するＳｉＣ保護用ガラス層で完全に被覆し、更に前記リ
ード線取り出し部電極にリード線を接続し、このリード
線取り出し部をリード線補強用ガラスで被覆し補強した
ことを特徴とするＳｉＣ薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015132A JPS62173703A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | ｓｉｃ薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015132A JPS62173703A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | ｓｉｃ薄膜サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62173703A true JPS62173703A (ja) | 1987-07-30 |
Family
ID=11880294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61015132A Pending JPS62173703A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | ｓｉｃ薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62173703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200192A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Koa Corp | チップ部品用セラミック基板およびチップ部品の製造方法 |
| WO2025105222A1 (ja) * | 2023-11-13 | 2025-05-22 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | 温度センサ及び温度センサを備えた装置 |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP61015132A patent/JPS62173703A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200192A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Koa Corp | チップ部品用セラミック基板およびチップ部品の製造方法 |
| WO2025105222A1 (ja) * | 2023-11-13 | 2025-05-22 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | 温度センサ及び温度センサを備えた装置 |
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