JPS62183610A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS62183610A JPS62183610A JP2649086A JP2649086A JPS62183610A JP S62183610 A JPS62183610 A JP S62183610A JP 2649086 A JP2649086 A JP 2649086A JP 2649086 A JP2649086 A JP 2649086A JP S62183610 A JPS62183610 A JP S62183610A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- line
- chip
- chip capacitor
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ技術分野
この発明は、バイポーラトランジスタやＦＥＴ等を発振
素子とするマイクロ波発振器に関する。
素子とするマイクロ波発振器に関する。
（ｂｌ従来技術とその欠点
従来のマイクロ波発振器では、発振素子の接地方法とし
て１７４波長開放端線路を用いていた。第２図（Ａ）は
、バイポーラトランジスタＴｒのコレクタ端子Ｃを接地
した場合を示すものであり、基板上に形成した１７４波
長開放端線路１をこのコレクタ端子Ｃに直接接続してい
る。なお、コンデンサ５は、１７４波長開放端線路ｌに
並列に接続された安定化用のチップコンデンサである。
て１７４波長開放端線路を用いていた。第２図（Ａ）は
、バイポーラトランジスタＴｒのコレクタ端子Ｃを接地
した場合を示すものであり、基板上に形成した１７４波
長開放端線路１をこのコレクタ端子Ｃに直接接続してい
る。なお、コンデンサ５は、１７４波長開放端線路ｌに
並列に接続された安定化用のチップコンデンサである。
ところが、例えば５ＧＩＩｚの発振器では、インピーダ
ンス５０オームの１／４波長開放端線路１は、１ｍ厚の
アルミナ基板上（ε、 ＝９．６ ）で、幅１゜０朋、
長さ６鶴の大きさとなる。したがって、従来は接地のた
めにこの１７４波長開放端線路１が占める面積がマイク
ロ波発振器の小型化のための障害となっていた。
ンス５０オームの１／４波長開放端線路１は、１ｍ厚の
アルミナ基板上（ε、 ＝９．６ ）で、幅１゜０朋、
長さ６鶴の大きさとなる。したがって、従来は接地のた
めにこの１７４波長開放端線路１が占める面積がマイク
ロ波発振器の小型化のための障害となっていた。
（Ｃ）発明の目的
この発明は、上記事情に漏みなされたものであって、発
振素子をインダクタンス素子として機能するストリップ
ラインとコンデンサ素子とで形成される直列共振回路で
接地することにより、基板上における占有面積を小さく
することができるマイクロ波発振器を提供することを目
的とする。
振素子をインダクタンス素子として機能するストリップ
ラインとコンデンサ素子とで形成される直列共振回路で
接地することにより、基板上における占有面積を小さく
することができるマイクロ波発振器を提供することを目
的とする。
（ｄ）発明の構成および効果
この発明のマイクロ波発振器は、少なくとも３つの端子
を有する半導体増幅素子を発振素子とするマイクロ波発
振器において、 発振素子のいずれかの端子を、インダクタンス素子とし
て機能するストリップラインとコンデンサ素子とで形成
される直列共振回路を介してアースパターンに接続する
ことにより高周波的に接地したことを特徴とする。
を有する半導体増幅素子を発振素子とするマイクロ波発
振器において、 発振素子のいずれかの端子を、インダクタンス素子とし
て機能するストリップラインとコンデンサ素子とで形成
される直列共振回路を介してアースパターンに接続する
ことにより高周波的に接地したことを特徴とする。
この発明を上記のように構成すると、インダクタンス素
子として機能させるためのストリップラインが１７４波
長開放端線路に比べて十分に小さく形成されるので、発
振素子の端子を接地するための基板上の占有面積がはる
かに小さくなる。また、このようにストリップラインと
コンデンサ素子とで直列共振回路を形成することにより
、安定化用のコンデンサを省略することができるので、
従来に比べて余分なスペースが必要になるということも
ない。したがって、この発明はマイクロ波発振器の小型
化を図る上の障害を取り除くことができる。
子として機能させるためのストリップラインが１７４波
長開放端線路に比べて十分に小さく形成されるので、発
振素子の端子を接地するための基板上の占有面積がはる
かに小さくなる。また、このようにストリップラインと
コンデンサ素子とで直列共振回路を形成することにより
、安定化用のコンデンサを省略することができるので、
従来に比べて余分なスペースが必要になるということも
ない。したがって、この発明はマイクロ波発振器の小型
化を図る上の障害を取り除くことができる。
（ｅｌ実施例
第１図（Ａ）、 （Ｂ）はこの発明の実施例であるマ
イクロ波発振器におけるトランジスタのコレクタ接地回
路を示す回路図および実態配線図である。
イクロ波発振器におけるトランジスタのコレクタ接地回
路を示す回路図および実態配線図である。
この実施例は、ストリップライン２とチンプコンデナ３
（コンデンサ素子）とで構成される。ストリップライ
ン２は、アルミナ基板上に形成された帯状の電極パター
ンであり、インダクタンス素子として機能する。このス
トリップライン２は、発振素子として使用するトランジ
スタＴｒのコレクタ端子Ｃが実装される位置に形成され
る。チップコンデンサ３は、方形板状のセラミックスチ
ップの両端に端子面を形成したコンデンサ素子である。
（コンデンサ素子）とで構成される。ストリップライ
ン２は、アルミナ基板上に形成された帯状の電極パター
ンであり、インダクタンス素子として機能する。このス
トリップライン２は、発振素子として使用するトランジ
スタＴｒのコレクタ端子Ｃが実装される位置に形成され
る。チップコンデンサ３は、方形板状のセラミックスチ
ップの両端に端子面を形成したコンデンサ素子である。
また、ストリップライン２からほぼこのチップコンデン
サ３の長さ分だけ離れた位置までアースパターン４が引
き出して形成されている。
サ３の長さ分だけ離れた位置までアースパターン４が引
き出して形成されている。
上記のように構成された各素子の実装は、まずアルミナ
基板上にトランジスタＴｒを実装し、コレクタ端子Ｃと
ストリップライン２とを半田付けする。そして、チップ
コンデンサ３をこのストリップライン２とアースパター
ン２との間に掛は渡すように載置し、両端の端子面をそ
れぞれストリップライン２とアースパターン４とに半田
付けすることにより第１図（Ａ）の回路を形成する。
基板上にトランジスタＴｒを実装し、コレクタ端子Ｃと
ストリップライン２とを半田付けする。そして、チップ
コンデンサ３をこのストリップライン２とアースパター
ン２との間に掛は渡すように載置し、両端の端子面をそ
れぞれストリップライン２とアースパターン４とに半田
付けすることにより第１図（Ａ）の回路を形成する。
例えばｆ＝５ＣＩＩｚの発振器の場合、チップコンデン
サ３は自己共振点を持つために容量をあまり大きくする
ことができないので、Ｃ＝１ｐＦとして定めると、直列
共振回路を構成するためには、■ より、Ｌ＝１ｎＨのインダクタンス分が必要となる。し
たがって、インダクタンス素子として機能するストリッ
プライン２を１ｎＨとなる大きさに形成すればよいが、
実際にはコレクタ端子Ｃのインダクタンス分やチップコ
ンデンサ３のインダクタンス分が加わるので、予めスト
、リップライン２の大きさを正確に定めることができな
い。このため、ストリップライン２は若干大きめに形成
しておき、トランジスタＴｒやチップコンデンサ３を実
装した後に、リュータ等で第１図（Ｂ）の二点鎖線で示
す部分を適当な大きさだけ削り取ることにより調節する
。
サ３は自己共振点を持つために容量をあまり大きくする
ことができないので、Ｃ＝１ｐＦとして定めると、直列
共振回路を構成するためには、■ より、Ｌ＝１ｎＨのインダクタンス分が必要となる。し
たがって、インダクタンス素子として機能するストリッ
プライン２を１ｎＨとなる大きさに形成すればよいが、
実際にはコレクタ端子Ｃのインダクタンス分やチップコ
ンデンサ３のインダクタンス分が加わるので、予めスト
、リップライン２の大きさを正確に定めることができな
い。このため、ストリップライン２は若干大きめに形成
しておき、トランジスタＴｒやチップコンデンサ３を実
装した後に、リュータ等で第１図（Ｂ）の二点鎖線で示
す部分を適当な大きさだけ削り取ることにより調節する
。
この実施例を上記のように構成すると、ストリップライ
ン２がアルミナ基板上に占有する面積が従来の１７４波
長開放端線路よりも蟲かに小さくなる。また、このスト
リップライン２とチップコンデンサ３とで直列共振回路
を形成するので、従来の安定化用コンデンサを省略する
ことができ、チップコンデンサ３の実装のための特別な
スペースを必要としない。したがって、この実施例は、
接地回路のアルミナ基板上での占有面積を小さくするこ
とができるのでマイクロ波発振器の小型化を図ることが
できる。また、直列共振回路のインダクタンスの値は、
後にストリップライン２を削ることで補正することがで
きるので、確実な接地を得ることができる。
ン２がアルミナ基板上に占有する面積が従来の１７４波
長開放端線路よりも蟲かに小さくなる。また、このスト
リップライン２とチップコンデンサ３とで直列共振回路
を形成するので、従来の安定化用コンデンサを省略する
ことができ、チップコンデンサ３の実装のための特別な
スペースを必要としない。したがって、この実施例は、
接地回路のアルミナ基板上での占有面積を小さくするこ
とができるのでマイクロ波発振器の小型化を図ることが
できる。また、直列共振回路のインダクタンスの値は、
後にストリップライン２を削ることで補正することがで
きるので、確実な接地を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）、 （Ｂ）この発明の実施例であるマイ
クロ波発振器におけるトランジスタの接地回路の回路図
および実態配線図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は従来のマイ
クロ波発振器におけるｌ・ランジスタの接地回路の回路
図および実態配線図である２−ストリップライン、 ３−チップコンデンサ（コンデンサ素子）、４−アース
パターン、 Ｔｒ−トランジスタ（発振素子）、 Ｃ−コレクタ端子（接地端子）。
クロ波発振器におけるトランジスタの接地回路の回路図
および実態配線図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は従来のマイ
クロ波発振器におけるｌ・ランジスタの接地回路の回路
図および実態配線図である２−ストリップライン、 ３−チップコンデンサ（コンデンサ素子）、４−アース
パターン、 Ｔｒ−トランジスタ（発振素子）、 Ｃ−コレクタ端子（接地端子）。
Claims (1)
- （１）少なくとも３つの端子を有する半導体増幅素子を
発振素子とするマイクロ波発振器において発振素子のい
ずれかの端子を、インダクタンス素子として機能するス
トリップラインとコンデンサ素子とで形成される直列共
振回路を介してアースパターンに接続することにより高
周波的に接地したことを特徴とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2649086A JPS62183610A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2649086A JPS62183610A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183610A true JPS62183610A (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=12194941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2649086A Pending JPS62183610A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714920A (en) * | 1992-06-01 | 1998-02-03 | Poseidon Scientific Instruments Pty Ltd. | Dielectrically loaded cavity resonator |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP2649086A patent/JPS62183610A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714920A (en) * | 1992-06-01 | 1998-02-03 | Poseidon Scientific Instruments Pty Ltd. | Dielectrically loaded cavity resonator |
| US5990767A (en) * | 1992-06-01 | 1999-11-23 | Poseidon Scientific Instruments Pty Ltd | Dielectrically loaded cavity resonator |
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