JPS62201266A - 薄膜型サ−マルヘツド - Google Patents
薄膜型サ−マルヘツドInfo
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- JPS62201266A JPS62201266A JP61044249A JP4424986A JPS62201266A JP S62201266 A JPS62201266 A JP S62201266A JP 61044249 A JP61044249 A JP 61044249A JP 4424986 A JP4424986 A JP 4424986A JP S62201266 A JPS62201266 A JP S62201266A
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- thermal head
- heat generating
- metal
- generating resistor
- membrane
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は薄膜型サーマルヘッドに関し、特に改良された
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
[従来技術とその問題点]
薄膜発熱抵抗体を用いる薄膜型サーマルヘッドはコンピ
ュータ、ワードプロセッザ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはNi
−Cr 、 Ta2N 、 Ta−8i02、Cr−3
i等がある。
ュータ、ワードプロセッザ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはNi
−Cr 、 Ta2N 、 Ta−8i02、Cr−3
i等がある。
これらはサーマルヘッド用抵抗発熱体としてすぐれた特
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルギーを繰返し印加した場合、発熱によって発熱抵
抗体に酸化現象か発生し、抵抗値の増大を招き、印字時
・14の低下を招く。
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルギーを繰返し印加した場合、発熱によって発熱抵
抗体に酸化現象か発生し、抵抗値の増大を招き、印字時
・14の低下を招く。
また、これらの金属系の発熱抵抗体は繰返し通電による
熱パルスにより急激な熱ザイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を生じてクラックの原因となる。一方、
Ta5i02等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠け、印字品質を
低下させた。
熱パルスにより急激な熱ザイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を生じてクラックの原因となる。一方、
Ta5i02等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠け、印字品質を
低下させた。
また、金属系の発熱抵抗体は固有抵抗率が小さく、また
上記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく(丁
a2Nで200〜300μΩcm、 Ta−8i02で
も約2000μΩcm>、サーマルヘッドに必要な面積
抵抗1罰/口前後を得ようとすると、数十への薄膜の発
熱抵抗体を実現しなCブればなら\ず、安定して製造す
ることが困難である。曲型的な製法はスパッタリング、
イオンブレーティング、CVD法などの周知の半導体プ
ロセス技術であるが、膜厚が1000人稈度ないと工程
制御が困難である。また、これらの発熱体材料の抵抗温
度係数は成分比に対して比較的不感であり、所望値に制
御することが困難である。さらに、金属系では発熱体と
電力供給電極との間に反応が生じ、発熱抵抗体の抵抗値
変動や断線等の不良の発生の原因となる。
上記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく(丁
a2Nで200〜300μΩcm、 Ta−8i02で
も約2000μΩcm>、サーマルヘッドに必要な面積
抵抗1罰/口前後を得ようとすると、数十への薄膜の発
熱抵抗体を実現しなCブればなら\ず、安定して製造す
ることが困難である。曲型的な製法はスパッタリング、
イオンブレーティング、CVD法などの周知の半導体プ
ロセス技術であるが、膜厚が1000人稈度ないと工程
制御が困難である。また、これらの発熱体材料の抵抗温
度係数は成分比に対して比較的不感であり、所望値に制
御することが困難である。さらに、金属系では発熱体と
電力供給電極との間に反応が生じ、発熱抵抗体の抵抗値
変動や断線等の不良の発生の原因となる。
1発明の目的コ
従って、本発明の目的は、耐熱性が高く、寿命が長く、
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数が調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数が調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
「発明の概要]
本発明は、薄膜発熱抵抗体として、高融点金属と、アル
ミニウムと、酸素とを主成分として含有させたことを特
徴とする。すなわち、H−Al −0系発熱抵抗体であ
る。ここに■は高融点金属でTi、No、 w 11f
f、 Ni1V 、 1a1Ta、 Fe及びCoより
選ばれた少なくとも1種である。
ミニウムと、酸素とを主成分として含有させたことを特
徴とする。すなわち、H−Al −0系発熱抵抗体であ
る。ここに■は高融点金属でTi、No、 w 11f
f、 Ni1V 、 1a1Ta、 Fe及びCoより
選ばれた少なくとも1種である。
高融点金属の存在により発熱体の抵抗率は繰返し熱パル
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸化物である
ため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数の差
による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの発生
がない。金属やAl 203の量比を増や−けば熱伝導
性が良くなり均熱性が向上し、サーマルヘッドとしての
電力効率の向上が計られる。また、十分な酸素の存在に
より経時酸化のおそれもなく特性が安定する。さらに、
高融点金属の含有率に対して固有抵抗率及び抵抗温度係
数が大きく変化するので、その含有量を制御することで
サーマルヘッドの特性の制御範囲が大きくなり、例えば
104μΩcm抵抗温度係数±11001)l)/ ℃
のような発熱体抵抗の設計も容易になし得る。このよう
な高抵抗率では、発熱体の薄膜は1000八前後が好適
となり、成膜が容易となる。
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸化物である
ため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数の差
による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの発生
がない。金属やAl 203の量比を増や−けば熱伝導
性が良くなり均熱性が向上し、サーマルヘッドとしての
電力効率の向上が計られる。また、十分な酸素の存在に
より経時酸化のおそれもなく特性が安定する。さらに、
高融点金属の含有率に対して固有抵抗率及び抵抗温度係
数が大きく変化するので、その含有量を制御することで
サーマルヘッドの特性の制御範囲が大きくなり、例えば
104μΩcm抵抗温度係数±11001)l)/ ℃
のような発熱体抵抗の設計も容易になし得る。このよう
な高抵抗率では、発熱体の薄膜は1000八前後が好適
となり、成膜が容易となる。
[発明の詳細な説明]
本発明の薄膜型サーマルヘッドの構成の概要は第1図に
示されている。図中1はグレーズドセラミック基板であ
り、その表面にグレーズ層2が形成される。グレーズ@
2は磁器のうわぐすりに相当する酸化物でおり、硅素及
びアルミニウムの酸化物を含み、またJ:り好ましくは
さらに発熱抵抗体筒に用いられる高融点金属と同じもの
を含む。
示されている。図中1はグレーズドセラミック基板であ
り、その表面にグレーズ層2が形成される。グレーズ@
2は磁器のうわぐすりに相当する酸化物でおり、硅素及
びアルミニウムの酸化物を含み、またJ:り好ましくは
さらに発熱抵抗体筒に用いられる高融点金属と同じもの
を含む。
グレーズN2の上には例えば公知のスパッタ法により本
発明の薄膜抵抗発熱体3が成膜され、さらに電力供給用
電極(Ni、 Cr、 AP等、特にAl)4か蒸着
またはスパッタなどで成膜され、最後に公知の耐摩耗性
保護膜(例えば八で一〇系、Aに一8i−0系等)6が
スパッタ法等で成膜される。
発明の薄膜抵抗発熱体3が成膜され、さらに電力供給用
電極(Ni、 Cr、 AP等、特にAl)4か蒸着
またはスパッタなどで成膜され、最後に公知の耐摩耗性
保護膜(例えば八で一〇系、Aに一8i−0系等)6が
スパッタ法等で成膜される。
発熱抵抗体3は本発明に従って、アルミニウムと高融点
金属M (Ti、 No1W 、Hf、 Ni、 V
、 l−a。
金属M (Ti、 No1W 、Hf、 Ni、 V
、 l−a。
Ta、re、 Coの少なくとも1種)とを含む酸化物
である。この高融点金属は種類によって作用上のちがい
があるが、しかし単独またはどの組合せを用いても発熱
抵抗体の抵抗率107〜102μΩcmの範囲で大きく
変動する。従って特定の高融点金属含有率を選択するこ
とにより、所望の抵抗率及び温度係数の発熱体を設計し
うる。例えば抵抗率104μΩcmのものを選択すれば
膜厚は1000人以−トとなしうる。一般に高融点金属
は20〜60wt%の範囲で選択しうる。この点につい
ては実施例により具体的に示す。
である。この高融点金属は種類によって作用上のちがい
があるが、しかし単独またはどの組合せを用いても発熱
抵抗体の抵抗率107〜102μΩcmの範囲で大きく
変動する。従って特定の高融点金属含有率を選択するこ
とにより、所望の抵抗率及び温度係数の発熱体を設計し
うる。例えば抵抗率104μΩcmのものを選択すれば
膜厚は1000人以−トとなしうる。一般に高融点金属
は20〜60wt%の範囲で選択しうる。この点につい
ては実施例により具体的に示す。
AIは耐熱・[(1、耐酸・l’lの酸化物を形成しう
る乙のであり、その比率を変えることにより耐熱+1を
保ちイ【がら抵抗率を変えることかできる。例えばAl
2O2は抵抗率>>107μΩcm、温度係数く一15
00ppm/ ’Cであるが、高融点金属Mの含有率か
10wt%以上で107μΩcm以下、−100ppm
/ °C以」二を得ることかできる。
る乙のであり、その比率を変えることにより耐熱+1を
保ちイ【がら抵抗率を変えることかできる。例えばAl
2O2は抵抗率>>107μΩcm、温度係数く一15
00ppm/ ’Cであるが、高融点金属Mの含有率か
10wt%以上で107μΩcm以下、−100ppm
/ °C以」二を得ることかできる。
14、八ρ、0のうち少なくとも2種を含有するグレー
ズ層2を選択すれば、本発明の発熱抵抗体は下地基板の
而に良くなじみ、また熱膨張係数の差が少なくなり好ま
しい。また耐摩耗保護層6に対しても同様とすればさら
に好都合である。さらに、電極4,5としてAeを用い
れば、同様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良くなり好
ましい。
ズ層2を選択すれば、本発明の発熱抵抗体は下地基板の
而に良くなじみ、また熱膨張係数の差が少なくなり好ま
しい。また耐摩耗保護層6に対しても同様とすればさら
に好都合である。さらに、電極4,5としてAeを用い
れば、同様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良くなり好
ましい。
本発明の発熱抵抗体は特にスパッタ法で製造することが
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、ぞれを圧縮成形してペレット化し、これをター
ゲラ1〜としてArをスパッタガスどして用い、静イオ
ンをターゲラl〜に衝撃させ、放出されたイオンないし
原子を基板上に付着させる。膜組成はペレットの組成及
びスパッタ条件を変えることにより調整しうる。
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、ぞれを圧縮成形してペレット化し、これをター
ゲラ1〜としてArをスパッタガスどして用い、静イオ
ンをターゲラl〜に衝撃させ、放出されたイオンないし
原子を基板上に付着させる。膜組成はペレットの組成及
びスパッタ条件を変えることにより調整しうる。
実施例
組成■oX ” 0.300.57のペレットをタ
ーゲラ1〜として1〜6mTorrのArをスパッタガ
スとして用い、ターゲット−基板距離60朧、R[電力
1〜IOW/cm2、基板温度200〜400°Cの条
件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作し、さらに
AR電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘッドを作成
した。
ーゲラ1〜として1〜6mTorrのArをスパッタガ
スとして用い、ターゲット−基板距離60朧、R[電力
1〜IOW/cm2、基板温度200〜400°Cの条
件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作し、さらに
AR電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘッドを作成
した。
なお、基板表面層及び保護層にはAl及びSiの他にN
oを少量含有させた。得られた1ノーマルヘツドに対し
て、次ぎのテストを行った。
oを少量含有させた。得られた1ノーマルヘツドに対し
て、次ぎのテストを行った。
X=0.13のサンプルに対してパルス幅0.3m秒、
周期2m秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を第
2図に示した。またNoの含有率による抵抗率及び抵抗
温度係数を第3図に示した。なお対照サンプルとして従
来のT82N発熱抵抗体八と、1r−3i発熱抵抗体C
に対する耐熱パルステストの結果を第2図に併記した。
周期2m秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を第
2図に示した。またNoの含有率による抵抗率及び抵抗
温度係数を第3図に示した。なお対照サンプルとして従
来のT82N発熱抵抗体八と、1r−3i発熱抵抗体C
に対する耐熱パルステストの結果を第2図に併記した。
第2図のBは本発明による発熱抵抗体を用いたサーマル
ヘッドを示す。
ヘッドを示す。
[作用効果]
第2図から分るように、本発明のNo−A2−0系発熱
抵抗体Bを用いたサーマルヘッドは熱パルスを多数加え
ても抵抗値が変らず、耐熱性が良い。従来の発熱抵抗体
A(Ta2N)ヤC(7r−8i)では成る一定数の熱
パルスを越えると抵抗の変化が大きくなる。
抵抗体Bを用いたサーマルヘッドは熱パルスを多数加え
ても抵抗値が変らず、耐熱性が良い。従来の発熱抵抗体
A(Ta2N)ヤC(7r−8i)では成る一定数の熱
パルスを越えると抵抗の変化が大きくなる。
第3図から分るように、本発明の発熱抵抗体は高融点金
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設則することができる
。
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設則することができる
。
耐熱性の向上には発熱体面内の温度分布の均一化、及び
熱膨張係数の減少によるものと思われる。
熱膨張係数の減少によるものと思われる。
また発熱体中にAlを含むためにAI!電極を用いても
それが発熱体中へ拡散するおそれがなく、従って安価な
^2電極を給電用に用いることができる。また、下地基
板の表面層及び/又は耐摩耗保護膜にNo、Al、0を
含有した材料を用いれば、相互間のなじみが良くなって
密着性が向上し、熱衝撃等に強くなり、クラック・剥離
等の発生が抑制される。また、本発明の発熱抵抗体は耐
薬品性に優れ、アルカリや湿気の影響を受は難い。
それが発熱体中へ拡散するおそれがなく、従って安価な
^2電極を給電用に用いることができる。また、下地基
板の表面層及び/又は耐摩耗保護膜にNo、Al、0を
含有した材料を用いれば、相互間のなじみが良くなって
密着性が向上し、熱衝撃等に強くなり、クラック・剥離
等の発生が抑制される。また、本発明の発熱抵抗体は耐
薬品性に優れ、アルカリや湿気の影響を受は難い。
第1図はサーマルヘッドの構造を示す断面図、第2図は
本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッド及び従来例
の耐熱テストを示ずグラフ、及び第3図は本発明のサー
マルヘッドにおいて発熱抵抗体中に含有される高融点金
属と抵抗率及び抵抗温度係数との関係を示すグラフであ
る。
本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッド及び従来例
の耐熱テストを示ずグラフ、及び第3図は本発明のサー
マルヘッドにおいて発熱抵抗体中に含有される高融点金
属と抵抗率及び抵抗温度係数との関係を示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱絶縁層を有する下地基板に、高融点金属とアルミ
ニウムと酸素とを主成分とする発熱抵抗体薄膜を設け、
その表面に耐摩耗性保護膜を形成し、さらに前記抵抗体
に電力供給用電極を接続した、薄膜型サーマルヘッド。 2、高融点金属がTi、Mo、W、Hf、Ni、V、L
a、Ta、Fe、Coよりなる群から選ばれる前記第1
項記載のサーマルヘッド。 3、耐摩耗性保護膜が酸素と、アルミニウムと、高融点
金属のうち少なくとも2種の元素を含んでいる前記第1
項記載のサーマルヘッド。 4、電力供給用電極がAl単層である前記第1項ないし
第3項のいずれかに記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044249A JPS62201266A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044249A JPS62201266A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201266A true JPS62201266A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12686258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044249A Pending JPS62201266A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62201266A (ja) |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP61044249A patent/JPS62201266A/ja active Pending
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