JPS62202528A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPS62202528A JPS62202528A JP4407986A JP4407986A JPS62202528A JP S62202528 A JPS62202528 A JP S62202528A JP 4407986 A JP4407986 A JP 4407986A JP 4407986 A JP4407986 A JP 4407986A JP S62202528 A JPS62202528 A JP S62202528A
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- JP
- Japan
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- substrate
- resistance
- heat treatment
- semiconductor substrate
- oxygen
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はシリコン半導体基板（ウェーハ）の製造方法に
関りるもので、特に大口径で均一な抵抗の基板が要求さ
れる高耐圧パワートランジスタ等の製造に使用される。
関りるもので、特に大口径で均一な抵抗の基板が要求さ
れる高耐圧パワートランジスタ等の製造に使用される。
（従来技術）
６耐ＪＥパワー素子等を１１ＩＪ造するためのシリコン
半導体基板は、高抵抗の基板で抵抗の均一性が良いこと
が必要である。 このため従来は、フローティングゾー
ン精製法（以下Ｆ、Ｚ法と略記する）で育成したシリコ
ン基板に中性子を照射し、熱処理した基板が使われてい
る。 ＦＺ法で育成した基板は、酸素をはとＩυど含ま
ないため高抵抗の基板が容易に得られ、中性子照射する
ことにより抵抗の均・−性が得られる等の利点がある。
半導体基板は、高抵抗の基板で抵抗の均一性が良いこと
が必要である。 このため従来は、フローティングゾー
ン精製法（以下Ｆ、Ｚ法と略記する）で育成したシリコ
ン基板に中性子を照射し、熱処理した基板が使われてい
る。 ＦＺ法で育成した基板は、酸素をはとＩυど含ま
ないため高抵抗の基板が容易に得られ、中性子照射する
ことにより抵抗の均・−性が得られる等の利点がある。
しかし最近大口径の基板を使用する傾向が強くなって
さているが、ＦＺ法では大口径の基板の製造は困矧であ
る。
さているが、ＦＺ法では大口径の基板の製造は困矧であ
る。
基板の大口径化の可能な結晶育成法としてはブヨクラシ
スキー引上法（ＣＺ法と略記する）や磁場応用引上法（
ＭＣ７：法と略記する）が知られている。
スキー引上法（ＣＺ法と略記する）や磁場応用引上法（
ＭＣ７：法と略記する）が知られている。
Ｃ７法ではルツボ中のボロン（Ｂ）が不純物として結晶
中に溶けこみ高抵抗の基板が得られにくい。 また酸素
を過飽和に含むので中性子照射をして熱処理を行うと微
小欠陥が発生すると共に酸素の熱ドｊ−−（Ｔ ｈｃｒ
ｍａｌ Ｄ ｏｍｅｒ）が発生し均一抵抗の基板を作
ることが困難である。
中に溶けこみ高抵抗の基板が得られにくい。 また酸素
を過飽和に含むので中性子照射をして熱処理を行うと微
小欠陥が発生すると共に酸素の熱ドｊ−−（Ｔ ｈｃｒ
ｍａｌ Ｄ ｏｍｅｒ）が発生し均一抵抗の基板を作
ることが困難である。
、そこで酸素含有１を低くできるＭＣＺ法で育成された
シリコン結晶が注目されている。 ＭＣＺ法では結晶引
上げ時に磁場をかけることにより融液の熱対流を制御で
きるので不純物の混入が少なく、抵抗の均一性が良く高
抵抗の基板を作ることも可能である。 しかしＭＣＺ法
による基板の場合、中性子照射をして熱処理を施した結
果、基板抵抗がねらい値よりずれ、且つ基板の抵抗の均
一性が悪化する現象がしばしば発生し問題となっている
。
シリコン結晶が注目されている。 ＭＣＺ法では結晶引
上げ時に磁場をかけることにより融液の熱対流を制御で
きるので不純物の混入が少なく、抵抗の均一性が良く高
抵抗の基板を作ることも可能である。 しかしＭＣＺ法
による基板の場合、中性子照射をして熱処理を施した結
果、基板抵抗がねらい値よりずれ、且つ基板の抵抗の均
一性が悪化する現象がしばしば発生し問題となっている
。
（発明が解決しようとげる問題点）
従来のＦＺ法では大口径の単板を作ることは困難である
。 ＣＺ法による基板はボロン等の不純物が多く、且つ
酸素を過飽和に含むため高抵抗で、均一な基板が’Ｕら
れにくい。 ＭＣＺ法では不純物混入が少なく均一な高
抵抗の基板を作ることも可能であるが、通常ＭＣＺ結晶
中に中性子照射を行う従来技術では基板抵抗がねらい値
よりずれ、抵抗の均一性の悪化が発生する場合があり問
題となっている。
。 ＣＺ法による基板はボロン等の不純物が多く、且つ
酸素を過飽和に含むため高抵抗で、均一な基板が’Ｕら
れにくい。 ＭＣＺ法では不純物混入が少なく均一な高
抵抗の基板を作ることも可能であるが、通常ＭＣＺ結晶
中に中性子照射を行う従来技術では基板抵抗がねらい値
よりずれ、抵抗の均一性の悪化が発生する場合があり問
題となっている。
本発明の目的は、前記の問題点を解決し、大口径シリコ
ン基板で、抵抗の均一性の良い半導体基板のｔＪ造方法
を提供することである。
ン基板で、抵抗の均一性の良い半導体基板のｔＪ造方法
を提供することである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明による半導体基板の製造方法は、ＭＣＺ法により
育成されその含有酸ｉａ度が３．０Ｘ１０”ａｔｏｍｓ
／Ｃｍ３を越えないシリコン基板を使用し、これに中
性子照射をして所望温度の不純物のドーピングを行った
後、熱処理を施すことを特徴とするものである。 なお
本発明における半導体基板は、半導体装置の製造工程に
投入以前の基板及び投入優の基板を共に含む。 従って
前記熱処理は装置の製造工程において他の熱処理工程を
兼ねて行われる場合もある。 又含有ｗｉ素８２度は、
波数１１０６ｃ「１の赤外光の室温での吸収係数をα７
１、としたとき、（３，０１Ｘ１０” Ｘ（Ｚ、、、）
ａｔｏｍｓ／Ｃｆｆ１３として得られるものである
。
育成されその含有酸ｉａ度が３．０Ｘ１０”ａｔｏｍｓ
／Ｃｍ３を越えないシリコン基板を使用し、これに中
性子照射をして所望温度の不純物のドーピングを行った
後、熱処理を施すことを特徴とするものである。 なお
本発明における半導体基板は、半導体装置の製造工程に
投入以前の基板及び投入優の基板を共に含む。 従って
前記熱処理は装置の製造工程において他の熱処理工程を
兼ねて行われる場合もある。 又含有ｗｉ素８２度は、
波数１１０６ｃ「１の赤外光の室温での吸収係数をα７
１、としたとき、（３，０１Ｘ１０” Ｘ（Ｚ、、、）
ａｔｏｍｓ／Ｃｆｆ１３として得られるものである
。
（作用）
ＭＣＺ法によればＣ７法と同様大口径の基板を作ること
ができる。
ができる。
又ＭＣＺ法では、ＣＺ法と異なり静りｌ場により結晶引
上げ時の融液の熱対流が抑制されるので、融液内の温度
変動が少なく、固液界面が安定し、石英ルツボの溶解度
も減少する。 そのためシリコン結晶中の不純物１１Ｊ
Ｕも減少し、含有Ｍ素淵度も１，２Ｘ１０”ないし１５
Ｘ １０” ａｔｏｍｓ／ Ｃｍ’の範囲で制御する
ことができる。
上げ時の融液の熱対流が抑制されるので、融液内の温度
変動が少なく、固液界面が安定し、石英ルツボの溶解度
も減少する。 そのためシリコン結晶中の不純物１１Ｊ
Ｕも減少し、含有Ｍ素淵度も１，２Ｘ１０”ないし１５
Ｘ １０” ａｔｏｍｓ／ Ｃｍ’の範囲で制御する
ことができる。
しかしＭＣＺ法による基板であっても、高酸素濃度の基
板では高抵抗化が困難であり、又抵抗の均質性を向上す
るため中性子照射によりドーピングを行っても、その後
の熱処理によって熱ドナーが発生し抵抗が変化づる。
試行の結果、含有酸Ｈｉ Ｃｌ−（［が３．Ｏｘ １０
” ａｔｏｍｓ／ ａｍ３を越えない基板で１ま、中
性７照ｑ・１と熱処理を行っても熱ドナーの影響は出ず
、高均質のシリコン基板の作成が可能である。
板では高抵抗化が困難であり、又抵抗の均質性を向上す
るため中性子照射によりドーピングを行っても、その後
の熱処理によって熱ドナーが発生し抵抗が変化づる。
試行の結果、含有酸Ｈｉ Ｃｌ−（［が３．Ｏｘ １０
” ａｔｏｍｓ／ ａｍ３を越えない基板で１ま、中
性７照ｑ・１と熱処理を行っても熱ドナーの影響は出ず
、高均質のシリコン基板の作成が可能である。
基板に中性子照射を行うと、シリコン結晶中に約３％含
まれている同位元素３ｉ３０がＰ３１（燐）に変化しド
ナー不純物となる。 このドープ法は通常高抵抗基板を
均一な抵抗率分布を有する基板とするのに使用される方
法で、所望の抵抗率を得るためには照射量を変えるだけ
でよい。
まれている同位元素３ｉ３０がＰ３１（燐）に変化しド
ナー不純物となる。 このドープ法は通常高抵抗基板を
均一な抵抗率分布を有する基板とするのに使用される方
法で、所望の抵抗率を得るためには照射量を変えるだけ
でよい。
又中性子照射により生じ！ご結晶の損傷を回復するため
熱処理を行う。 熱処理温度は処理後の基板抵抗に影響
を与えるが７００℃ないし１２５０℃の処理温僚が望ま
しい。
熱処理を行う。 熱処理温度は処理後の基板抵抗に影響
を与えるが７００℃ないし１２５０℃の処理温僚が望ま
しい。
又置換型酸素に起因すると考えられている波数５１３
ｃ＋ａ−’の赤外光の吸収係数が０．１５ ａｍ−’以
上の基板は、試行結果によれば本発明の目的を達成づる
のにより望ましい。
ｃ＋ａ−’の赤外光の吸収係数が０．１５ ａｍ−’以
上の基板は、試行結果によれば本発明の目的を達成づる
のにより望ましい。
（実施例）
大口径で均一な高抵抗の基板を作るには、ＦＺ法或いは
ＣＺ法では１ｆｉｆｉである。 ＭＣＺ法により育成さ
れた基板は含有酸素濃度はＦＺ法よりも多いので、基板
の酸素濃度によっては中性子照射と熱処理により、酸素
の熱ドナーの影響で基板の抵抗を低下させ、均一性を悪
くする。 本発明はこれらの知見に基づいて完成された
ちのである。
ＣＺ法では１ｆｉｆｉである。 ＭＣＺ法により育成さ
れた基板は含有酸素濃度はＦＺ法よりも多いので、基板
の酸素濃度によっては中性子照射と熱処理により、酸素
の熱ドナーの影響で基板の抵抗を低下させ、均一性を悪
くする。 本発明はこれらの知見に基づいて完成された
ちのである。
以下その実施例について述べる。
実施例１． ＭＣＺ法で育成したシリコン単結晶イ
ンゴットから切り出された（ １，０．０＞面のシリ
コン基板で、酸素濃度の異なるものを数種用意する。
基板の比抵抗は３０００Ｃ１以上である。
ンゴットから切り出された（ １，０．０＞面のシリ
コン基板で、酸素濃度の異なるものを数種用意する。
基板の比抵抗は３０００Ｃ１以上である。
これら基板の酸素ａ度を赤外吸収法で測定すると第１表
のようになった。
のようになった。
第１表
ただし［Ｏｉ ］は中中性子照射面の初期の酸素濃度、
ｔ Ｔ Ｄ ］は熱処理後の熱ドナー１１１度である。
ｔ Ｔ Ｄ ］は熱処理後の熱ドナー１１１度である。
酸−Ａ濃度の測定は波数１１０６ｃｍ−’の赤外吸収光
の室温での吸収係数をα１□６として［０１］−α１１
い×３．０１ ｘｌＯ” ａｔｏｍｓ／ｃｍ３により
算出した。 これらの基板に重水炉で中性子照射を行い
５１３０（ｎ 、 ７ ） Ｓｉ ”→３ｉ ” （β
）ｒ〕”によりＰ（燐）をドーピングした。 又中性子
照射量は熱処理後の抵抗値が８０〜９００ｃｍになるよ
うに選択した。 これに７００℃で１０時間熱処理を施
し、基板の表面を拡がり抵抗法で測定して、抵抗の面内
均一性を調べた。 結果を第１図に示す。 横軸は基板
面内の位置を示し、縦軸はその位置の抵抗値を示す。
１ａないし１ｄは第１表に示す試料番号である。 同図
により明らかなように酸素濃度が３．Ｏｘ １０”
ａｔｏｍｓ／ ｃｍ３を越える試料ＩＣ。
の室温での吸収係数をα１□６として［０１］−α１１
い×３．０１ ｘｌＯ” ａｔｏｍｓ／ｃｍ３により
算出した。 これらの基板に重水炉で中性子照射を行い
５１３０（ｎ 、 ７ ） Ｓｉ ”→３ｉ ” （β
）ｒ〕”によりＰ（燐）をドーピングした。 又中性子
照射量は熱処理後の抵抗値が８０〜９００ｃｍになるよ
うに選択した。 これに７００℃で１０時間熱処理を施
し、基板の表面を拡がり抵抗法で測定して、抵抗の面内
均一性を調べた。 結果を第１図に示す。 横軸は基板
面内の位置を示し、縦軸はその位置の抵抗値を示す。
１ａないし１ｄは第１表に示す試料番号である。 同図
により明らかなように酸素濃度が３．Ｏｘ １０”
ａｔｏｍｓ／ ｃｍ３を越える試料ＩＣ。
１ｄでは面内の抵抗の均一性が悪く、又抵抗のねらい値
＜８０〜９０Ωｃｍ）からもずれている。 酸素濃度３
．Ｏｘ １０” ａｔｏｌｓ／ ａｍ３以下では抵抗
飴の均一性は良好であり、その値もねらい値どうりであ
る。
＜８０〜９０Ωｃｍ）からもずれている。 酸素濃度３
．Ｏｘ １０” ａｔｏｌｓ／ ａｍ３以下では抵抗
飴の均一性は良好であり、その値もねらい値どうりであ
る。
実施例２． 酸素濃度の異なるＭＣＺ法による基板と
ＦＺ法による基板とを用い中性子照射を行った後、パワ
ーｉ・ランジスタの製造工程に投入し、トランジスタ製
造工程で従来の所定の熱処理を行ってパワートランジス
タを製作した。 酸素濃度が３．Ｏｘ １０” ａｔ
ｏｍｓ／ ｃｍ’以下のＭＣＺ法による基板は、ＦＺ法
による基板を用いた時と同様の特性が得られ、高電圧の
耐圧特性も良好であつｌこ 。
ＦＺ法による基板とを用い中性子照射を行った後、パワ
ーｉ・ランジスタの製造工程に投入し、トランジスタ製
造工程で従来の所定の熱処理を行ってパワートランジス
タを製作した。 酸素濃度が３．Ｏｘ １０” ａｔ
ｏｍｓ／ ｃｍ’以下のＭＣＺ法による基板は、ＦＺ法
による基板を用いた時と同様の特性が得られ、高電圧の
耐圧特性も良好であつｌこ 。
実施例３． 酸素濃度が４．ＯＸ １０” ａｔ０
１１１ｓ／ｃｍ’及び２，８ｘ １０” ａｔｏｍｓ
／ ｃｍ３のＭＣＺ法による２種類の基板に中性子照射
を行った侵、それぞれについで６５０℃、１００℃及び
８００℃で乾燥酸素（ドライ酸素）雰囲気中で熱処理を
行い、熱処理経過時間と抵抗値との関係を測定した。
抵抗値は４端釘法で複数個所測定した平均値とづる。
１１１ｓ／ｃｍ’及び２，８ｘ １０” ａｔｏｍｓ
／ ｃｍ３のＭＣＺ法による２種類の基板に中性子照射
を行った侵、それぞれについで６５０℃、１００℃及び
８００℃で乾燥酸素（ドライ酸素）雰囲気中で熱処理を
行い、熱処理経過時間と抵抗値との関係を測定した。
抵抗値は４端釘法で複数個所測定した平均値とづる。
第２図は酸素濃度４．ＯＸ １０” ａｔｏｍｓ／Ｃ
１の場合を示１図ぐ、２ａ、２ｂ及び２Ｃはイれぞれ６
５０℃、７００℃及び８００℃で処理したものである。
１の場合を示１図ぐ、２ａ、２ｂ及び２Ｃはイれぞれ６
５０℃、７００℃及び８００℃で処理したものである。
６５０°Ｃで熱処理したものは抵抗変化が大ぎく、抵抗
が一定的に安定するまでの時間も長い。 ７００℃及
び８００℃で処理したものは短時間で抵抗が一定になる
がねらい値からははずれている。 第３図は酸素濃度２
．８Ｘ １０” ａｔｏｍｓ／ Ｃｍ”の場合で、３
ａ 、３ｂ及び３Ｃはそれぞれ６５０℃、７００℃及び
８００℃で処理したものである。 ６５０℃で熱処１
’ｌ！ Ｌ、たちのは抵抗が安定するまで時間がかかり
抵抗変化も大きいが、７００℃及び８００℃で熱処理し
たものは短時間で抵抗が一定になり、抵抗値もねらい値
どうりである。 以上の結果から熱処し！ｔ！温痘は７
００℃以上とすることが望ましい。
が一定的に安定するまでの時間も長い。 ７００℃及
び８００℃で処理したものは短時間で抵抗が一定になる
がねらい値からははずれている。 第３図は酸素濃度２
．８Ｘ １０” ａｔｏｍｓ／ Ｃｍ”の場合で、３
ａ 、３ｂ及び３Ｃはそれぞれ６５０℃、７００℃及び
８００℃で処理したものである。 ６５０℃で熱処１
’ｌ！ Ｌ、たちのは抵抗が安定するまで時間がかかり
抵抗変化も大きいが、７００℃及び８００℃で熱処理し
たものは短時間で抵抗が一定になり、抵抗値もねらい値
どうりである。 以上の結果から熱処し！ｔ！温痘は７
００℃以上とすることが望ましい。
実施例４． 波数１１０６ｃｍ−’の赤外光で測定し
た酸素ｉＦＪ度［Ｏｉ］が、（２，０〜３．０） ｘｌ
ｏ”ａｔｏｌｌｌｓ ７０ｍ３のシリコン基板であって
、ｎつ波数５１３ ａ「１の赤外光の吸収係数α、１３
がそれぞれ０．１゜０．１！＋及び０．２２ ｃｍ−’
である３種類のシリコン基板を用意し、中性子照射を行
った後、７００℃で１６時間熱処理を行った。 その結
果、［Ｏｉ ］の前記程度の範囲内では、抵抗と〔０１
］との強い依存性は認められず、置換型酸素の吸収によ
るα５．３と抵抗値とに相関があることが判明した。
α５１１が０．１５ ｃｍ−１及び０．２２ ｃｍ−’
の基板は共に抵抗値９０Ωｃｍで、ねらい値８０ないし
９０ΩＣ１１ｌどおりであるがα、１３が０．１ｃｒ’
の基板では抵抗値７２０ｃｍとなり目標値より若干ずれ
た。 原因は熱ドナーの発生と思われる。 試行を繰り
返した結果、α６，３は０．１５ ａｍ−’以上あるこ
とが望ましいことが確認された。
た酸素ｉＦＪ度［Ｏｉ］が、（２，０〜３．０） ｘｌ
ｏ”ａｔｏｌｌｌｓ ７０ｍ３のシリコン基板であって
、ｎつ波数５１３ ａ「１の赤外光の吸収係数α、１３
がそれぞれ０．１゜０．１！＋及び０．２２ ｃｍ−’
である３種類のシリコン基板を用意し、中性子照射を行
った後、７００℃で１６時間熱処理を行った。 その結
果、［Ｏｉ ］の前記程度の範囲内では、抵抗と〔０１
］との強い依存性は認められず、置換型酸素の吸収によ
るα５．３と抵抗値とに相関があることが判明した。
α５１１が０．１５ ｃｍ−１及び０．２２ ｃｍ−’
の基板は共に抵抗値９０Ωｃｍで、ねらい値８０ないし
９０ΩＣ１１ｌどおりであるがα、１３が０．１ｃｒ’
の基板では抵抗値７２０ｃｍとなり目標値より若干ずれ
た。 原因は熱ドナーの発生と思われる。 試行を繰り
返した結果、α６，３は０．１５ ａｍ−’以上あるこ
とが望ましいことが確認された。
（発明の効果）
本発明の製造方法によれば、ＭＣＺ法の酸素濃度が３．
ＯＸ １０” ａｔｏＩｌ’ｓ／ ｃｍ’を越えない
シリコン基板を用いるので、ＣＺ法では不可能な高抵抗
基板を作ることができ、これに中性子照射と熱処理を施
すことにより抵抗の均一性も向上する。 さらにＦＺ法
では困難な基板の大口径化も可能で、パワートランジス
タ等の’ＸＪ Ｊｍで大口径化が可能となり、素子の信
頼性及び生産性も向上し、その効果は非常に大きい。
ＯＸ １０” ａｔｏＩｌ’ｓ／ ｃｍ’を越えない
シリコン基板を用いるので、ＣＺ法では不可能な高抵抗
基板を作ることができ、これに中性子照射と熱処理を施
すことにより抵抗の均一性も向上する。 さらにＦＺ法
では困難な基板の大口径化も可能で、パワートランジス
タ等の’ＸＪ Ｊｍで大口径化が可能となり、素子の信
頼性及び生産性も向上し、その効果は非常に大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は酸素濃度を異にづる半導体基板の面内の位置と
その位置における抵抗値との関係を示す図、第２図及び
第３図はそれぞれ酸素濃度を異にする半導体基板の抵抗
値と熱処理時間との関係を示す図である。
その位置における抵抗値との関係を示す図、第２図及び
第３図はそれぞれ酸素濃度を異にする半導体基板の抵抗
値と熱処理時間との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁場応用引上法により育成されその含有酸素濃度が
３．０×１０＾１＾７ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３を越えない
シリコン基板に、中性子照射を行つた後、熱処理を施す
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。 ２ 熱処理の温度が７００℃ないし１２５０℃である特
許請求の範囲第１項記載の半導体基板の製造方法。 ３ シリコン基板の波数５１３ｃｍ＾−＾１の赤外光の
室温での吸収係数が０．１５ｃｍ＾−＾１以上である特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407986A JPS62202528A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407986A JPS62202528A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202528A true JPS62202528A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0523494B2 JPH0523494B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=12681614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4407986A Granted JPS62202528A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202528A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2002025717A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Silicon wafer and silicon epitaxial wafer and production methods therefor |
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-
1986
- 1986-03-03 JP JP4407986A patent/JPS62202528A/ja active Granted
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0523494B2 (ja) | 1993-04-02 |
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