JPS62205630A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62205630A JPS62205630A JP4886686A JP4886686A JPS62205630A JP S62205630 A JPS62205630 A JP S62205630A JP 4886686 A JP4886686 A JP 4886686A JP 4886686 A JP4886686 A JP 4886686A JP S62205630 A JPS62205630 A JP S62205630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- film
- silica
- layers
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
木ボ明は半導体装置に係り、特に半導体装置の表ＩＭ保
護樽（パッジベージ四ン噂）の噂浩に関する。
護樽（パッジベージ四ン噂）の噂浩に関する。
本発明は表面ＫＰ紛噂を有する半導体装置にかいて、倫
紀絶綬噂−をボ１の気相ぽ長１と、シｌｌ力１もしくけ
ポＩＩイミド樹ｌＩｌ？噂から鷹げれてなる塗布罐と、
筐２の気相放長嘩シ多層膚辱とすることにより、半導体
慢瞳の微細化に伴ｒｇｈ表呵俣護帽Ｖｒ発生する欠陥を
減少させ、半導体−夷責の信頼性を向トせしぬ几吃ので
ある。
紀絶綬噂−をボ１の気相ぽ長１と、シｌｌ力１もしくけ
ポＩＩイミド樹ｌＩｌ？噂から鷹げれてなる塗布罐と、
筐２の気相放長嘩シ多層膚辱とすることにより、半導体
慢瞳の微細化に伴ｒｇｈ表呵俣護帽Ｖｒ発生する欠陥を
減少させ、半導体−夷責の信頼性を向トせしぬ几吃ので
ある。
半導体装Ｉ＃にシいて１表面保護帽（バｔシベーシ１°
／傅）け、外部からのアルカリ金１４イオンの侵入によ
る半導体素子の劣化の防止及び、外部自振らの水分の侵
入による配線金属層の腐食（フロージ１ン）の防止等の
ために形成される。
／傅）け、外部からのアルカリ金１４イオンの侵入によ
る半導体素子の劣化の防止及び、外部自振らの水分の侵
入による配線金属層の腐食（フロージ１ン）の防止等の
ために形成される。
＃肇、この表面保護嗅としてば倒置ば、気剣１叡長法に
よるリンガラス（以下、Ｐ２Ｏと記す）帽の１１Ｍと、
この上に気泪膵長法ｆよる二酸住シ１１コン（以下、Ｎ
ＡＧと記す）ＩｌｌＩの竿２Ｖと９２層に重ねた糟、告
の４蓼＾；広（中いられてい声。この場合、耐アルカ＋
１ ′？：頃−イオン優入性・耐湿性等を確保する念め
に鎗記絶綬膜層と１．で積層するＰＳＧ＃及びＮＲ，Ｇ
［炉哨厚をそれぞれ０５〜１．５μｍとし５，２層全体
の噂厚と１２で１５〜５ａｍとなＡよう（τ＃定１７で
いた、 〔発明ｈ；解決しよ５とする間頭ｐ〕 しかｌ、 ｒ（ｈ’ｓち、＠Ｉ述の従来技術では半導体
素子の微細化ｈ′−進入配績ｆ轡の線幅（ライン）及び
線間＠（スペース）ｈ″−狭市っ之場合、１２図に示す
よ５に、気相１７！長法によるＰＲＧ・１＠４及びＮＳ
Ｇ噂６け、今頃配線１４３の段差乍１面部にシいてオー
バーハンゲして、隣と等１．でし士い、前記Ｐｌ’ｌＧ
帽も（（けＮＦＧ帽内に空洞７が生じ易ｂ６＃に、ｆＬ
ｆＩ記金頃配線層３の商面セ状＾；逆テーパ状である場
合は、さらに大佐ｆｚ ７Ｐ洞／１″−生じる。な替、
筆２１４にセいて、１は半導体置板、２け給縫１！ａで
ある、さちに、全１１間線材料を浸食するエツチング浴
液巾に前記＃導体装置を醍し界面保護帽の欠陥を１．．
１Ｍ査し斤とこす、前記空洞７上の絶＃Ｉ噂６ｃＬは薄
く弱いた。め、この部分からエツチング溶液ｈＳ侵入し
思〈、金部配線層の大部分ｈｚ腐食されることｈ″−判
った。
よるリンガラス（以下、Ｐ２Ｏと記す）帽の１１Ｍと、
この上に気泪膵長法ｆよる二酸住シ１１コン（以下、Ｎ
ＡＧと記す）ＩｌｌＩの竿２Ｖと９２層に重ねた糟、告
の４蓼＾；広（中いられてい声。この場合、耐アルカ＋
１ ′？：頃−イオン優入性・耐湿性等を確保する念め
に鎗記絶綬膜層と１．で積層するＰＳＧ＃及びＮＲ，Ｇ
［炉哨厚をそれぞれ０５〜１．５μｍとし５，２層全体
の噂厚と１２で１５〜５ａｍとなＡよう（τ＃定１７で
いた、 〔発明ｈ；解決しよ５とする間頭ｐ〕 しかｌ、 ｒ（ｈ’ｓち、＠Ｉ述の従来技術では半導体
素子の微細化ｈ′−進入配績ｆ轡の線幅（ライン）及び
線間＠（スペース）ｈ″−狭市っ之場合、１２図に示す
よ５に、気相１７！長法によるＰＲＧ・１＠４及びＮＳ
Ｇ噂６け、今頃配線１４３の段差乍１面部にシいてオー
バーハンゲして、隣と等１．でし士い、前記Ｐｌ’ｌＧ
帽も（（けＮＦＧ帽内に空洞７が生じ易ｂ６＃に、ｆＬ
ｆＩ記金頃配線層３の商面セ状＾；逆テーパ状である場
合は、さらに大佐ｆｚ ７Ｐ洞／１″−生じる。な替、
筆２１４にセいて、１は半導体置板、２け給縫１！ａで
ある、さちに、全１１間線材料を浸食するエツチング浴
液巾に前記＃導体装置を醍し界面保護帽の欠陥を１．．
１Ｍ査し斤とこす、前記空洞７上の絶＃Ｉ噂６ｃＬは薄
く弱いた。め、この部分からエツチング溶液ｈＳ侵入し
思〈、金部配線層の大部分ｈｚ腐食されることｈ″−判
った。
従って、従来の表面保吟噂の１壱によれば忠導体装電Ｉ
７′１償頼性低下な舞たすといへ問題廃を有す８゜ そこで本発明けこのよ５な間頭点を解決するもので、そ
の目的とするところは半導体慢臂の特性向上ｈ；擢実に
達ｂりし得る表鑵保樺傳ｆ、冑侍を提供するところにち
る。
７′１償頼性低下な舞たすといへ問題廃を有す８゜ そこで本発明けこのよ５な間頭点を解決するもので、そ
の目的とするところは半導体慢臂の特性向上ｈ；擢実に
達ｂりし得る表鑵保樺傳ｆ、冑侍を提供するところにち
る。
本発明は、野面に絶＃＠を有する半導体装置にシいて、
前記ｆｔＩ！ｋｈ庫層ｈ；准１の気相叙長嘩と、塗布嘩
と、筆２の気相す文長曙を多洲構侍と（てなることを特
徴とする。この場合、前記塗布１ＩＩＩｈ″−シリカ嗅
もｌ くけボ１）イミド樹晰１ｌｌＩがら選レイれてな
ることｈ′−好十ｊい。
前記ｆｔＩ！ｋｈ庫層ｈ；准１の気相叙長嘩と、塗布嘩
と、筆２の気相す文長曙を多洲構侍と（てなることを特
徴とする。この場合、前記塗布１ＩＩＩｈ″−シリカ嗅
もｌ くけボ１）イミド樹晰１ｌｌＩがら選レイれてな
ることｈ′−好十ｊい。
μノ下、木発明の一実施例１＋％−１辺俺について４Ｆ
、 Ｋ ｆる。竿１霞は本発明の半導体装置の虫要断函
図である。ｆｒ％−１・４中、１け半導体甚板、２けＰ
紳東３け金４配線１ｉ１（あるいは）嘩金曜層）、４け
第１層のｐＳａＵ＆、５１ｄｆｆｉ２ｒｆ４のシｌカ塗
布１１１．６は算３層のｎｐＧＱＩである。
、 Ｋ ｆる。竿１霞は本発明の半導体装置の虫要断函
図である。ｆｒ％−１・４中、１け半導体甚板、２けＰ
紳東３け金４配線１ｉ１（あるいは）嘩金曜層）、４け
第１層のｐＳａＵ＆、５１ｄｆｆｉ２ｒｆ４のシｌカ塗
布１１１．６は算３層のｎｐＧＱＩである。
この半導化寝首は次の工程により＠成される。
（１）＃来例の場合と同様に、半導体基板１トに絶掃鴫
２として、例１憂ばｐ ｐ ａ ａｆｌを：形成し１次
（八で、金１１ゲ線麻３として、例えばアルミニウム層
を老成する。
２として、例１憂ばｐ ｐ ａ ａｆｌを：形成し１次
（八で、金１１ゲ線麻３として、例えばアルミニウム層
を老成する。
（２） 次に、気相成長法によって第１層のＰＥｌＧ
４４９０２〜０５μｍ８度に形成する。この場合。
４４９０２〜０５μｍ８度に形成する。この場合。
ＰＳＧＩＩＩの１７８度は４モル係以下＾；ヤ申しい。
（３） 何軒塗布法により、ｌ！２＃の塗布陣として
シ１１力１！ｌ ５を老成する。シリカ噂としでは、シ
ラノ−ｋ （Ｓｓ（ＯＨ”ｋ ）系溶液を塗布し、３０
０℃８変テ１時間熔叙する。この場合、この溶液の粘度
およびスピン回転速度により、シリカｌｌｌ５の表面形
状は調整される６＄布溶液中の１％（ＯＨ）４号は、焼
成後に残留する固形分で示すと、残留固形分の塗布溶扮
に対する重肴比六−約６冬以下であることｈ″−好キし
い。さらに、スピン回虻速変ｎ ２０００〜５１１００
ｒＴｒｎ？ｌ”−好中しい。
シ１１力１！ｌ ５を老成する。シリカ噂としでは、シ
ラノ−ｋ （Ｓｓ（ＯＨ”ｋ ）系溶液を塗布し、３０
０℃８変テ１時間熔叙する。この場合、この溶液の粘度
およびスピン回転速度により、シリカｌｌｌ５の表面形
状は調整される６＄布溶液中の１％（ＯＨ）４号は、焼
成後に残留する固形分で示すと、残留固形分の塗布溶扮
に対する重肴比六−約６冬以下であることｈ″−好キし
い。さらに、スピン回虻速変ｎ ２０００〜５１１００
ｒＴｒｎ？ｌ”−好中しい。
（４）シかる後に、γ３＠のＮｌ’ｌＧ模６を気相成長
法により０．５〜１．５ｚ＋ｆｎ稈度竪成する。
法により０．５〜１．５ｚ＋ｆｎ稈度竪成する。
（５） 式らに、ポンディ・／グＭ極トの約記第１−
のＰＳＧ嗅４．前記筆２層のシリカ噂５繞び笛３層のＮ
Ｅ’ｌ ０１１６を選択的に除去する（ボ１１ヅに図
示せず）。
のＰＳＧ嗅４．前記筆２層のシリカ噂５繞び笛３層のＮ
Ｅ’ｌ ０１１６を選択的に除去する（ボ１１ヅに図
示せず）。
以上ｆより＊発明の半導体装置かち得られる。
本発明の本実流量においては、金属配線層３間で生イろ
濱１層のｐｓａｐａの表面段差（例えば４α）は、スピ
ン塗布（でよる筆２層の７リカ嘆５圧より押められ平坦
化されているたぬ、このトに開成される筆５層のＮ５Ｃ
）儂６にσ空洞ｈ；生じｒ（いＯ さらに＊発明によれば、シリカ嘩５はＰＳＧ幡４とＮＲ
Ｇ帽６とｌｅけさ亨れているため、シリカ噂／＋Ｓ！＠
械的歪に弱いといへ欠点を補い、シ１１力噂のり巧ヅク
を未然に防ｆトで般る６さらに、シリカ嘩５け今頃配線
Ｊｉｌｔ ３と百呻接していないｆｃめ、シリカ膜中に
含有する不純物等＾；金属配＃！層へ４六る不Ｔデ性を
防市できる。
濱１層のｐｓａｐａの表面段差（例えば４α）は、スピ
ン塗布（でよる筆２層の７リカ嘆５圧より押められ平坦
化されているたぬ、このトに開成される筆５層のＮ５Ｃ
）儂６にσ空洞ｈ；生じｒ（いＯ さらに＊発明によれば、シリカ嘩５はＰＳＧ幡４とＮＲ
Ｇ帽６とｌｅけさ亨れているため、シリカ噂／＋Ｓ！＠
械的歪に弱いといへ欠点を補い、シ１１力噂のり巧ヅク
を未然に防ｆトで般る６さらに、シリカ嘩５け今頃配線
Ｊｉｌｔ ３と百呻接していないｆｃめ、シリカ膜中に
含有する不純物等＾；金属配＃！層へ４六る不Ｔデ性を
防市できる。
とこ八で、木実流刑による半導体簿竹を、金属配線層間
を浸食−するエツチング液に浸し、衣面保呵噂の欠陥を
調査し之とこム１表面俣護′″＠の欠陥による全喧西１
線賽のり食と枦、められる琲象は観測されなかった。
を浸食−するエツチング液に浸し、衣面保呵噂の欠陥を
調査し之とこム１表面俣護′″＠の欠陥による全喧西１
線賽のり食と枦、められる琲象は観測されなかった。
な警、上Ｊ己−ｆｆ流刑１にか（八てけ、第１層及び濱
３層の気相＆Ｙ長噂と１．てＰＲＧ４及びＮ５（ｌｌｎ
場合ヤ例示１−１たｈ；、これらに変全てポロンリンガ
巧ス（ＢＰＦＩＧ）噂、プラズマ窒化（Ｐ−８ｉＮ）嘆
を用いてもよい。さらに、シリカ噂としては、ト？シリ
カ、尊に変えて、リンもしくけポロンの少ｒ「くともい
イれかシ含有し之シ→ノールＲｉ（ＯＨ）＊系溶液。
３層の気相＆Ｙ長噂と１．てＰＲＧ４及びＮ５（ｌｌｎ
場合ヤ例示１−１たｈ；、これらに変全てポロンリンガ
巧ス（ＢＰＦＩＧ）噂、プラズマ窒化（Ｐ−８ｉＮ）嘆
を用いてもよい。さらに、シリカ噂としては、ト？シリ
カ、尊に変えて、リンもしくけポロンの少ｒ「くともい
イれかシ含有し之シ→ノールＲｉ（ＯＨ）＊系溶液。
オルガノシ→ノール（Ｒ７＋、 ｓｉ （ＯＨ）番 ）
系溶液、士友はＦ、１（ＯＲ）４（ＲけＬ［ｓ士ｔはＣ
ｚＨｓ）系溶液め１ら選ぽｈてｒ（る塗布櫂でζつでも
問題はない。市斤。
系溶液、士友はＦ、１（ＯＲ）４（ＲけＬ［ｓ士ｔはＣ
ｚＨｓ）系溶液め１ら選ぽｈてｒ（る塗布櫂でζつでも
問題はない。市斤。
軍２層の塗布膜としてシリカ庫に変えて、ボ！ｌイミド
樹脂（例憂、ば２１９２士たけバイラリン）を中いても
、木債明の効果は充分発揮されるものである。
樹脂（例憂、ば２１９２士たけバイラリン）を中いても
、木債明の効果は充分発揮されるものである。
以ト述べたよ５に本発明によれば、金属配線層間で生ず
る軍１層の気相成長帽の表面段差は、筆２贅の塗布膜に
より平坦化される友ぬ、Ｙ３−の気絹成長噂には空洞＾
Ｓ生ぜず、半導体１１を微細化されても、耐アルカリ金
属イオン侵入性、耐湿性等に優れ之半導体装′１＃ｈＳ
得られる。
る軍１層の気相成長帽の表面段差は、筆２贅の塗布膜に
より平坦化される友ぬ、Ｙ３−の気絹成長噂には空洞＾
Ｓ生ぜず、半導体１１を微細化されても、耐アルカリ金
属イオン侵入性、耐湿性等に優れ之半導体装′１＃ｈＳ
得られる。
さらに本発明によれば、塗布膜めｔ気相成長噂ではさ中
れている構造である定め、塗布膜の欠点カー補われてか
り、半導体装置の高信頼性ｈ′−得られるという効果を
有する。
れている構造である定め、塗布膜の欠点カー補われてか
り、半導体装置の高信頼性ｈ′−得られるという効果を
有する。
ｌＥＩ図は本発明の半導体装置の一実施例を示す主要！
面図。 ８Ｉ２図は従乎の七導体装置を示す主＃ｌ！Ｉｉ面図で
もろ。 １・・・・・・半導体基板 ２・・・・・・絶縁嗅 ３・・・・・・金属配線層 ４・・・・・・気相成長噂 ５・・・・・・塗布膜 ６・・・・・・気相成長噂 以 ← 出頚人 セイコーエプソン按式会社 代叩人 弁理＋ 最上 務 他１名ｆ ；−′ 才２図
面図。 ８Ｉ２図は従乎の七導体装置を示す主＃ｌ！Ｉｉ面図で
もろ。 １・・・・・・半導体基板 ２・・・・・・絶縁嗅 ３・・・・・・金属配線層 ４・・・・・・気相成長噂 ５・・・・・・塗布膜 ６・・・・・・気相成長噂 以 ← 出頚人 セイコーエプソン按式会社 代叩人 弁理＋ 最上 務 他１名ｆ ；−′ 才２図
Claims (2)
- （１）表面に絶縁膜を有する半導体装置において、前記
絶縁膜層が第１の気相成長膜と、塗布膜と、第２の気相
成長膜を多層構造としてなることを特徴とする半導体装
置。 - （２）前記塗布膜がシリカ膜もしくはポリイミド樹脂膜
から選ばれてなる特許請求の範囲第１項に記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61048866A JPH0777215B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61048866A JPH0777215B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205630A true JPS62205630A (ja) | 1987-09-10 |
| JPH0777215B2 JPH0777215B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=12815203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61048866A Expired - Lifetime JPH0777215B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777215B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151032A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04316330A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5762535A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5956734A (ja) * | 1983-08-31 | 1984-04-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5974651A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS59205723A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 窒化シリコン膜を有する半導体装置 |
| JPS60224229A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61048866A patent/JPH0777215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5762535A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5974651A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS59205723A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 窒化シリコン膜を有する半導体装置 |
| JPS5956734A (ja) * | 1983-08-31 | 1984-04-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60224229A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151032A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04316330A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0777215B2 (ja) | 1995-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107369668B (zh) | 用于制造半导体封装元件的半导体结构 | |
| JPH07240460A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN105355647A (zh) | 一种封装结构、显示装置及其制作方法 | |
| JP2006344939A5 (ja) | ||
| JPH0235475B2 (ja) | ||
| JPS62205630A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6429117B1 (en) | Method to create copper traps by modifying treatment on the dielectrics surface | |
| JP2011233833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2024521742A (ja) | シリコンコーティングされた銅の製造方法、これを用いたシリコンコーティングされた酸化防止用銅及びこれを用いた半導体装置 | |
| CN104008787A (zh) | 一种耐高温镀锡铜线 | |
| JPH03133131A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62128128A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6214444A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW201834182A (zh) | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
| CN103177973A (zh) | 一种加厚压焊块的制作方法 | |
| JP4787462B2 (ja) | 絶縁性下地上の導電性被覆物の製造法およびこの種の被覆された下地 | |
| JPS6421943A (en) | Semiconductor device | |
| JPH035657B2 (ja) | ||
| JPS6337638A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS646543B2 (ja) | ||
| JP2019073437A (ja) | Ｃｕ／セラミック基板 | |
| TW202135177A (zh) | 電子元件封裝結構及其製作方法 | |
| KR940008375B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPH03153038A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5946047A (ja) | 半導体装置の多層配線形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |