JPS6221159A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ）等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材
料を使い分けている。

例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐摩耗性
が低く、寿命が短いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環として
、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。

このａ−３ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。

ところで、ａ−８ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
３ｉ腹中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−３ｉ１１
に浸入する水素の伍が多くなると、光学的バンドギャッ
プが大きくなり、ａ−８ｉの抵抗が高くなるが、それに
ともない、長波長光に対する光感度が低下してしまうの
で、例えば、半導体レーザを搭載したレーザご−ムプリ
ンタに使用することが困難である。また、ａ−８ｉ膜中
の水素の含有口が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓ
ｉＨ２）ル及びＳ、ｉＨ２等の結合構造を有するものが
膜中で大部分の領域を占める場合がある。そうすると、
ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増加す
るため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として使
用不能になる。逆に、ａ−３ｉ中に侵入する水素の量が
低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、その
抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加す
る。しかし、水素含有ωが少ないと、シリコンダングリ
ングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少な
くなる。このため、発生するキャリアの移動度が低下し
、寿命が短くなると共に、光′２４電特性が劣化してし
まい、電子写真感光体として使用し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧｅＨ＋とを混合し、グロー放雷分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い躾を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ＋
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した躾は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。

また、ＧｅＨ４の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、このような技
術は実用性がない。

［発明の目的］ この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。

［発明の概要］ この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、こ
の導電性支持体の上に形成された電荷移動層と、この電
荷移動層の上に形成された電荷発生層と、を有する電子
写真感光体において、前記電荷発生層は、炭素、窒素及
び酸素から選択された少なくとも一種の元素を含有する
マイクロクリスタリンシリコンで形成され１乃至１０μ
ｍの層厚を有し、前記電荷移動層は、炭素、窒素及び酸
素から選択された少なくとも一種の元素を含有するアモ
ルファスシリコンで形成され３乃至８０μｍの層厚を有
することを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μ
Ｃ−Ｓ　＋と略す）を電子写真感光体の少なくとも一部
に使用することにより、この目的を達成することができ
ることに想到して、この発明を完成させたものである。

［発明の実施例］ 以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−８ｉの替りにμＣ−Ｓ＋を使用した
ことにある。つまり、光導電層の全ての領域又は一部の
領域がマイクロクリスタリンシリコン（μＣ−８ｉ　）
で形成されているか、マイクロクリスタリンシリコンと
アモルファスシリコン（ａ−３ｉ　）との混合体で形成
されているか、又はマイクロクリスタリンシリコンとア
モルファスシリコンとの積層体で形成されている。また
、機能分離型の電子写真感光体においては、電荷発生層
にμＣ−８ｉを使用している。

μＣ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
８ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μＣ−Ｓ　ｉ
は、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パタ
ーンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗
が１０ＢΩ・ｃｍであるのに対し、μｃ−ｓ　ｒは１０
１１Ω・ｃｍ以上の暗抵抗を有する。このμｃ−ｓ　ｒ
は粒径が約数十オングストローム以上である微結晶が集
合して形成されている。

μＣ−８ｉとａ−３ｉとの混合体とは、μＣ−８ｉの結
晶領域がａ−３ｉ中に混在していて、μＣ−Ｓ　＋及び
ａ−３ｉが同程度の体積比で存在するものをいう。また
、μＣ−８ｉと８−３ｉとの積層体とは、大部分がａ−
３ｉからなる層と、μｃ−ｓ　ｒが充填された層とが積
層されているものをいう。

このようなμｃ−ｓ　ｒを有する光導電層は、ａ−３ｉ
と同様に、高周波グロー放電分解法により、シランガス
を原料として、導電性支持体上にμｃ−ｓ　ｒを堆積さ
せることにより製造することができる。この場合に、支
持体の温度をａ−３ｉを形成する場合よりも高く設定し
、高周波電力もａ−３ｉの場合よりも高く設定すると、
μＣ−Ｓ　ｉを形成しやすくなる。また、支持体温度及
び高周波電力を高くすることにより、シランガスなどの
原料ガスの流量を増大させることができ、その結果、成
膜速度を早くすることができる。

また、原料ガスのＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ等の高次のシ
ランガスを水素で希釈したガスを使用することにより、
μＣ−８ｉを一層高効率で形成することができる。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１，２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ＋、Ｂ２１−１ｓ。

Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらの
ガスボンベ１，２．３．４内のガスは、流日調整用のバ
ルブ６及び配管７を介して混合器８に供給されるように
なっている。各ボンベには、圧力計５が設置されており
、この圧力計５を監視しつつ、バルブ６を調整すること
により、混合器８に供給する各原料ガスの流量及び混合
比を調節することができる。混合器８にて混合されたガ
スは反応容器９に供給される。反応容器９の底部１１に
は、回転軸１０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけ
られており、この回転軸１０の上端に、円板状の支持台
１２がその面を回転軸１ｏに垂直にして固定されている
。反応容器９内には、円筒状の電極１３がその軸中心を
回転軸１０の軸中心と一致させて底部１１上に設置され
ている。感光体のドラム基体１４が支持台１２上にその
軸中心を回転軸１０の軸中心と一致させて載置されてお
り、このドラム基体１４の内側には、ドラム基体加熱用
のヒータ１５が配設されている。電極１３とドラム基体
１４との間には、高周波電源１６が接続されており、電
極１３及びドラム基体１４間に高周波電流が供給される
ようになっている。回転軸１０はモー々１８により回転
駆動される。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により
監視され、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真
空ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏ　ｒ　ｒ　）の圧力以下に排気する。次いで、ボ
ンベ１．２．３．４から所要の反応ガスを所定の混合比
で混合して反応容器９内に導入する。この場合に、反応
容器９内に導入するガス流台は、反応容器９内の圧力が
０．１乃至１トルになるように設定する。次いで、モー
タ１８を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ
１５によりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に
、高周波′Ｒｍ１６により電極１３とドラム基体１４と
の間に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形
成する。これにより、ドラム基体１４上にマイクロクリ
スタリンシリコン（μＣ−３ｉ　）が堆積する。なお、
原料ガス中にＮ２　０．　　Ｎ　　ト」　＋　　、　　
　ＮＯ２、Ｎ２　　、　　０Ｈ４。

Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、これらの
元素をμＣ−８ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返し
使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点がある
。さらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産
性が著しく高い。

μＣ−８ｉには、水素を０．１乃至３０原子％含有させ
ることが好ましい。これにより、暗抵抗と明抵抗とが調
和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μｃ−
ｓ　ｉの光学的エネルギギャップＥａは、ａ−８ｉの光
学的エネルギギャップＥａ　（１，６５乃至１．７０ｅ
Ｖ）に比較して小さい。つまり、μＣ−８ｉの光学的エ
ネルギギャップは、μＣ−８ｉ微結晶の結晶粒径及び結
晶化度により変化し、結晶粒径及び結晶化度の増加によ
り、その光学的エネルギギャップが低下して、結晶シリ
コンの光学的エネルギギャップ１．１ｅｖに近づく。と
ころで、μＣ−８ｉ！及びａ−８ｉ層は、この光学的エ
ネルギギャップよりも大きなエネルギの光を吸収し、小
さなエネルギの光は透過する。このため、ａ−８ｉは可
視光エネルギしか吸収しないが、ａ−８ｉより光学的エ
ネルギギャップが小さなμＣ−８ｉは、可視光より長波
長であってエネルギが小さな近赤外光までも吸収するこ
とができる。従って、μＣ−８ｉは広い波長領域に亘っ
て高い光感度を有する。

このような特性を有するμＣ−８ｉは、半導体レーザを
光源に使用したレーザプリンタ用の感光体材料として好
適である。このａ−３ｉをレーザプリンタ用の感光体に
使用すると、半導体レーザの光波長が７９０ｎｍとａ−
３ｉが高感度である波長領域より長いため、感光体感度
が不十分になり、このため、半導体レーザの能力以上の
レーザ強度を感光体に印加する必要があって、実用上問
題がある。一方、μＣ−８ｉで感光体を形成した場合に
は、その高感度領域が近赤外領域にまでのびているので
、光感度特性が極めて優れた半導体レーザプリンタ用の
感光体を得ることができる。

このような優れた光感度特性を有する μＣ−８ｉの光導電特性を一層向上させるために、μＣ
−８ｉに水素を含有させることが好ましい。

μＣ−８ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グロー
放電分解法による場合は、５ｉｔ−１４及びＳ！２Ｈｓ
等のシラン系の原料ガスと、水素等のキャリアガスとを
反応容器内に導入してグロー放電させるか、Ｓ　＋　Ｆ
４及び５ｉＣＩ＋等のハロゲン化ケイ素と、水素ガスと
の混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと
、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。

更に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の
物理的な方法によってもμＣ−８ｉｌｌを形成すること
ができる。なお、μＣ−３ｉを含む光導Ｎ層は、光導電
特性上、１乃至８０μｍの膜厚を有することが好ましく
、更に膜厚を５乃至５０μｍにすることが望ましい。

光導電層は、実質的に全ての領域をμｃ−ｓ　ｒで形成
してもよいし、ａ−３ｉとμＣ，−８ｉとの混合体又ｉ
よ積層体で形成してもよい。帯電能は、積層体の方が高
く、光感度は、その体積比にもよるが、赤外領域の長波
長領域では混合体の方が高く、可視光領域では両者はほ
とんど同一である。

このため、感光体の用途により、実質的に全ての領域を
μＣ−８ｉにするか、又は混合体若しくは積層体で構成
すればよい。

μＣ−８ｉに、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素Ｏから選択され
た少なくとも１種の元素をドーピングすることが好まし
い。これにより、μＣ−８ｉの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。

これらの元素はμＣ−８ｉの粒界に析出し、またシリコ
ンダングリングボンドのターミネータとして作用して、
バンド間の禁制帯中に存在する状態密度を減少させ、こ
れにより、暗抵抗が高くなると考えられる。

導電性支持体と光導電層との間に、障壁層を配設するこ
とが好ましい。この障壁層は、導電性支持体と、光導電
層との間の電荷の流れを抑制することにより、光導電性
部材の表面における電荷の保持機能を高め、光導電性部
材の帯電能を高める。

カールソン方式においては、感光体表面に正帯電させる
場合には、支持体側から光導電層へ電子が注入されるこ
とを防止するために、障壁層をｐ型にする。一方、感光
体表面に負帯電させる場合には、支持体側から光導電層
へ正孔が注入されることを防止するために、障壁層をｎ
型にする。また、障壁層として、絶縁性の膜を支持体の
上に形成することも可能である。障壁層はμＣ−８ｉを
使用して形成してもよいし、ａ−３ｆを使用して障壁層
を構成することも可能である。

μＣ−８ｉ及びａ−３ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニ
ウムＡ１、ガリウムＧａ、インジウム（ｎ、及びタリウ
ムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ−８ｉ
層をｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する元
素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素Ａｓ、アンチモンＳ
ｂ１及びビスマス３ｉ等をドーピングすることが好まし
い。

このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体鋼から光Ｓ電層へ電荷が移動することが防止される
。

光導電層の上に表面−を設けることが好ましい。

光導電層のμＣ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較
的大きいため、表面での光反射が起きやすい。このよう
な光反射が生じると、光導電層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、光導電層が損傷から保護される。さ
らに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、
表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材
料としては、５ｉａＮ＋、５ｉ０２、ＳｉＣ。

Ａｌ２Ｏ３、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈ。

及びａ−８ｉＣ；Ｈ等の無機化合物及びポリ塩化ビニル
及びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体に適用される光導電性部材としては、上
述のごとく、支持体上に障壁層を形成し、この障壁層上
に光導電層を形成し、この光導電層の上に表面層を形成
したものに限らず、支持体の上に電荷移動層（ＣＴＬ）
を形成し、電荷移動層の上に電荷発生層（ＣＧＬ）を形
成した機能分離型の形態に構成することもできる。この
場合に、電荷移動層と、支持体との間に、障壁層を設け
てもよい。電荷発生層は、光の照射によりキャリアを発
生する。この電荷発生層は、層の一部又は全部がマイク
ロクリスタリンシリコンμＣ−８ｉでできており、その
厚さは１乃至１０μｍにすることが好ましい。電荷移動
層は電荷発生層で発生したキャリアを高効率で支持体側
に到達させる層であり、このため、キャリアの寿命が長
く、移動度が大きく輸送性が高いことが必要である。電
荷移動層はａ−３ｉで形成することができる。暗抵抗を
高めて帯電能を向上させるために、周期律表の第■族又
は第Ｖ族のいずれか一方に属する元素をライトドーピン
グすることが好ましい。また、帯電能を一層向上させ、
電荷移動層と電荷発生層との両機能を持たせるために、
Ｃ，Ｎ、Ｏの元素のうち、いずれか１種以上を含有させ
てもよい。電荷移動層は、その膜厚が蒲過ぎる場合及び
厚過ぎる場合はその機能を充分に発揮しない。このため
、′Ｒ電荷移動層厚さは３乃至８０μｍであることが好
ましい。

障壁層を設けることにより、電荷移動層と電荷発生層と
を有する機能分離型の感光体においても、その電荷保持
機能を高め、帯電能を向上させることができる。なお、
障壁層をｎ型にするか、又はｎ型にするかは、その帯電
特性に応じて決定される。この障壁層は、ａ−８ｉで形
成してもよく、またμＣ−８ｉで形成してもよい。

この出願に係る発明の特徴は、電荷移動層が。

その層厚が３乃至８０μｍであって、Ｃ，Ｏ，Ｎから選
択された少なくとも一種の元素を含有するａ−８ｉで形
成されており、電荷発生層が、その層厚が１乃至１０μ
ｍであって、Ｃ，Ｏ，Ｎから選択された少なくとも一種
の元素を含有するμｃ−ｓ　ｉで形成されていることに
ある。第２図及び第３図は、この発明を具体化した電子
写真感光体の断面図であり、第２図においては、アルミ
ニウム製導電性支持体２１上に、電荷移動層２３が形成
され、電荷移動層２３の上に電荷発生層２４が形成され
ている。一方、第３図においては、電荷発生層２４の上
に更に表面層２５が形成されている。電荷発生！！２４
は、少なくともその一部が、μＣ−８ｉからなり、電荷
移動層２３はａ−３ｉで形成されている。

電荷発生層２４が、主としてμＣ−８ｉで形成されてい
ることにより、μＣ−８ｉが赤外領域にて高光吸収度を
有しているため、感光体を可視光領域から近赤外傾［（
例えば、半導体レーザの発振波長である７９０ｎｍ付近
）まで、高感度化することができる。つまり、μＣ−８
ｉは、その光学的エネルギギャップＥａがａ−８ｉの光
学的エネルギギャップ１．６５乃至１．７０ｅＶよりも
小さいため、近赤外光を吸収して電荷を発生する作用を
有する。このため、μＣ−８ｉを電荷発生層に使用する
ことにより、ＲＰＣ（普通紙複写機）及び半導体レーザ
を使用したレーザプリンタの双方にこの感光体を使用す
ることが可能になる。

μＣ−８ｉ自体は、若干、ｎ型であるが、主としてこの
μＣ−８ｉからなる電荷発生＠２４に周期律表の第■族
に属する元素をライトドープ（１０−７乃至１０−３原
子％）することにより、電荷発生層２４は、ｉ型（真性
）半導体になり、暗抵抗が高くなり、ＳＮ比と帯電能が
向上する。

また、電荷発生層２４に、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち少なくとも
一種の元素を光導電率が低下しない程度に含有させるこ
とにより、帯電能（電荷保持機能）を一層高めることが
できる。電荷発生層２４の層厚は、１乃至１０μｍであ
る。電荷発生層の層厚が１０μｍを超えると、成膜に長
時間を必要とし、また、層が剥離しやすくなる。一方、
電荷発生層２４の層厚が１μｍ未満であると、キャリア
の発生効率が低い。以上のような理由から、電荷発生層
２４の層厚を１乃至１０μｍにし、更に好ましくは、層
厚は４乃至８μｍである。

電荷移動層２３は、電荷発生層２４で発生した電荷を高
効率で支持体２１に輸送するために設けられた層であり
、ａ−３ｉで形成されている。この電荷移り層２３に周
期律表第■族に属する元素をライトドープすることによ
り、その暗抵抗°を高め、電荷保持機能を間接的に高め
ることができる。

また、電荷移動層２３に、電荷のημτ積が低下しない
程度にＣ，Ｏ，Ｎを含有させてもよい。電荷移動層は、
キャリアを捕獲するトラップ（状態密度）が存在しない
ことが理想的である。このため、トラップとなるシリコ
ンダンブリジグボンドを除去するために、微量のＣ，Ｏ
，Ｎを電荷移動層２３に含有させることが好ましい。こ
のＣ，Ｏ。

Ｎの量は、キャリアの走行性を考慮すると、２０原子％
以下であることが好ましい。電荷移動層の層厚は、３乃
至８０μｍである。電荷移動層の帯電能を高く維持する
ためには、層厚を厚くすることが必要である一方、電荷
移動層が厚すぎると、キャリアが走行しにくくなり、キ
ャリアが支持体まで到達することが困難になる。このよ
うな理由により、電荷移動層２３の層厚は、３乃至８０
μｍ、好ましくは、１０乃至５０μｍ１更に好、ましく
は、１５乃至３０μｍである。

第３図に示すように、電荷発生層２４の上に、表面層２
５を形成した光導電性部材においては、この表面層２４
が、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１種以上の元素を含
有するａ−３ｉ （ａ−８ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉＯ：ＨＳａ−８ｉＮ：Ｈ，
ａ−３ｉＣＮ：Ｈ等）で形成されている。これにより、
光導ｌ！層の表面が保護され、耐環境性及び帯電能が向
上する。このＣ，Ｏ，Ｎの含有量は、１０乃至５０原子
％であることが好ましい。

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例１ 導電性基板としてのＡＩ製トドラム直径８０ｍｍ、長さ
３５０ｍｍ）をトリクレンで脱脂し、洗浄し乾燥させた
後、反応容器内に装填した。このドラムは、必要に応じ
てその表面が酸処理、アルカリ処理又はサンドブラスト
処理され、その干渉防止が図られる。反応容器内を、図
示しない拡散ポンプにより、排気し、約１０ろの真空度
にする。その後、ドラム基体を加熱し、約３００℃に保
持する。次いで、５００８ＣＣＭの流量のＳｉＨ＋ガス
、このＳｉＨ４ガス流量に対する流量比が１０−６の８
２　Ｈ６ガス、及び１１００５ＣＣのＣＨ４ガスを混合
して反応容器に供給した。その後、メカニカルブースタ
ポンプ及びロータリポンプにより反応容器内を排気し、
その圧力を１トルに調整した。電極に１３．５６Ｍ）−
１２で３００ワツトの高周波電力を印加して、電極とド
ラム基体との間に、ＳｉＨ＋　、Ｂ２　Ｈ６及びＣＨ４
のプラズマを生起させ、支持体２１上にアモルファス炭
化シリコン層である電荷輸送層２３を２０μｍ形成した
。その後、ＳｉＨ＋ガスの流ｆｉを２００８ｃｃＭ１８
２　Ｈ６（７）Ｓ　ｉ　Ｈ４ＧＣ対する流量比を１０−
’　、ＣＨ４ガスの流はを２０８ＣＣＭ、Ｈ２ガスの流
量を２８ＬＭに設定してこれらのガスを反応容器内に導
入した。反応圧力が１．２トルの状態で２ＫＷの電力を
投入して成膜し、１０μｍの電荷発生層（μｃ−ｓ　ｒ
層）を形成した。次いで、同様の操作により、Ｃ，Ｏ。

Ｎを含有するａ−５ｉを成膜し、表面層を形成した。こ
のようにして成膜した感光体を７９０ｎｍの発振波長の
半導体レーザを搭載したレーザプリンタに搭載して画像
を形成したところ、感光体表面における露光ｌが２５　
ｅ　ｒ　Ｑ／ｃｉであっても、解像度が高い鮮明な画像
を形成することができた。

また、複写を繰返して転写プロセスの再現性及ｑ安定性
を調査したところ、転写画像は極めて良好であり、　耐
コロナ性、耐湿性及び耐摩耗性等が優れていることが実
証された。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い光導電性部材を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る光導電性部材の製造装置を示す
図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る光導電
性部材を示す断面図である。 １．２．３．４：ボンベ、５；圧力計、６；パルプ、７
；配管、８：混合器、９；反応容器、１０：回転軸、１
３：電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６；高
周波電源、１９；ゲートバルブ、２１；支持体、２３；
電荷移動層、２４；電荷発生層、２５；表面層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、この導電性支持体の上に形成さ
   れた電荷移動層と、この電荷移動層の上に形成された電
   荷発生層と、を有する電子写真感光体において、前記電
   荷発生層は、炭素、窒素及び酸素から選択された少なく
   とも一種の元素を含有するマイクロクリスタリンシリコ
   ンで形成され１乃至１０μｍの層厚を有し、前記電荷移
   動層は、炭素、窒素及び酸素から選択された少なくとも
   一種の元素を含有するアモルファスシリコンで形成され
   ３乃至８０μｍの層厚を有することを特徴とする電子写
   真感光体。
2. （２）前記電荷発生層は、水素を含有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
3. （３）前記電荷発生層は、周期律表の第III族又は第Ｖ
   族に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
   ２項に記載の電子写真感光体。
4. （４）前記電荷移動層は、水素を含有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
5. （５）前記電荷移動層は、周期律表の第III族又は第Ｖ
   族に属する元素から選択された少なくとも一種の元素を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
   ５項に記載の電子写真感光体。
6. （６）前記電荷移動層は、炭素、窒素及び酸素から選択
   された少なくとも一種の元素を含有することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項、第４項又は第５項のいずれか
   １項に記載の電子写真感光体。
7. （７）前記電荷発生層の上には、表面層が形成されてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子
   写真感光体。