JPS62219281A - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS62219281A JPS62219281A JP61059148A JP5914886A JPS62219281A JP S62219281 A JPS62219281 A JP S62219281A JP 61059148 A JP61059148 A JP 61059148A JP 5914886 A JP5914886 A JP 5914886A JP S62219281 A JPS62219281 A JP S62219281A
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- JP
- Japan
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- magnetic bubble
- transfer path
- pattern
- manufacturing
- memory element
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種機能駆動部を構成する磁気バブル転送路の
プロセスを監視するモニタパターンを有する磁気バブル
メモリ素子の製造方法に関するものである。
プロセスを監視するモニタパターンを有する磁気バブル
メモリ素子の製造方法に関するものである。
一般に磁気バブルメモリ素子において、その動作特性と
最も深く直接的に関係するのは磁気バブル転送路である
。一方、磁気バブルメモリ素子の製造プロセスにおいて
、磁気バブル転送路の出来。
最も深く直接的に関係するのは磁気バブル転送路である
。一方、磁気バブルメモリ素子の製造プロセスにおいて
、磁気バブル転送路の出来。
不出来が素子の動作特性を大きく左右し、素子の選別歩
留シを左右していた。
留シを左右していた。
なお、パーマロイ等の転送パターン層と同層のダミーパ
ターンを設けることは実開昭５６−６０９７号明細書に
記載されている。この明Ｍ書では膜厚をモニターするこ
とが記載されているが、保磁力Ｈｅをモニターするとと
は記載されていない。
ターンを設けることは実開昭５６−６０９７号明細書に
記載されている。この明Ｍ書では膜厚をモニターするこ
とが記載されているが、保磁力Ｈｅをモニターするとと
は記載されていない。
従来では磁気バブルメモリ素子の製造プロセスが完了し
た後、その素子の動作特性の評価あるいは選別試験を行
なうととによシ、初めて動作特性あるいは歩留りが明ら
かとなシ、製造プロセス完７前ではこれらの情報が得ら
れなかった。しかしながら、磁気バブルメモリ素子を大
量に安定して生産する上でこれらの情報を素子製造プロ
セスの途中段階で推定できれば、極めて重要であシ、有
効である。
た後、その素子の動作特性の評価あるいは選別試験を行
なうととによシ、初めて動作特性あるいは歩留りが明ら
かとなシ、製造プロセス完７前ではこれらの情報が得ら
れなかった。しかしながら、磁気バブルメモリ素子を大
量に安定して生産する上でこれらの情報を素子製造プロ
セスの途中段階で推定できれば、極めて重要であシ、有
効である。
本発明は、動作特性あるいは選別歩留シ等の推定が、素
子の製造プロセスの途中段階で監視、確認することがで
きる磁気バブルメモリ素子の製造方法を提供することを
目的としている。
子の製造プロセスの途中段階で監視、確認することがで
きる磁気バブルメモリ素子の製造方法を提供することを
目的としている。
本発明の一実施例によれば、各種の機能駆動部の空間部
分で磁気バブル転送路の形成と同時に同一層に同一材質
のモニタパターンを形成し、このモニタパターンを計測
することによシ、製造プロセスの途中段階で磁気バブル
転送路の出来、不出来を監視、確認することができる磁
気バブルメモリ素子の製造方法が提供される。
分で磁気バブル転送路の形成と同時に同一層に同一材質
のモニタパターンを形成し、このモニタパターンを計測
することによシ、製造プロセスの途中段階で磁気バブル
転送路の出来、不出来を監視、確認することができる磁
気バブルメモリ素子の製造方法が提供される。
本発明におけるモニタパターンは、磁気パズル転送路と
同時に形成されるので、 （ａ）パターン寸法幅の大小（寸法加工精度）。
同時に形成されるので、 （ａ）パターン寸法幅の大小（寸法加工精度）。
（ｂ）パターン周辺エツジ部の凹凸、滑らかさくパター
ン切れ）。
ン切れ）。
（ｃ）転送路層の膜厚。
（ｄ）転送路層の磁気的性質（膜質）。
（、）上下層の影響（ストレス）。
等が確認でき、これによって磁気バブル転送路の出来、
不出来の総合結果として素子の動作特性が総合的に評価
できる。
不出来の総合結果として素子の動作特性が総合的に評価
できる。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造方法
の一実施例を説明するための拡大平面図である。同図に
おいて、ｍは情報を貯えるマイナルーブ、飄は読み出し
情報を転送するリードメジャーライン、ＷＮＬは書き込
み情報を転送するライトメジャーラインである。また、
Ｄは磁気バブルを電気信号に変換するバブル検出器、Ｇ
は磁気バブルを発生するバブル発生器、Ｒはマイナルー
プｍの情報をリードメジャーラインシ１に複写または移
すレプリケートゲートである。Ｔはライトメジャーライ
ンＷＭＬの情報をマイナループｍへ移すトランスファゲ
ートまたはそのトランスファと同時にマイナループｍの
情報をメジャーラインＷＭＬに掃き出す、いわゆる両者
の間で情報の交換を行うスワップゲートである。また、
これらの外周を囲んでいるＧＲは外周からの磁気バブル
の侵入を防止するガードレール、′ＢＰはこれらの転送
回路を外部回路と接続するためのボンディングパラ）”
、ＭＰはモニタパターンでああ。また、レプリケートゲ
ートＲ，スワップゲートＴおよびバブル発生器Ｇはパー
マロイの転送パターンと特殊な関係で配置された別層の
導体に一定方向の電流を流すか否かによって制御され、
図中、その導体部分は太い実線で示されている。また、
マイナループｍはイオン打ち込み方式の磁気バブル転送
路で形成され、リードメジャーラインＲＭＬおよびライ
トメジャーラインＷＭＬ等はパーマロイ方式の磁気バブ
ル転送路で形成されてこれらの面に垂直方向に加えられ
るバイアス磁界ＨＢおよび面内に加えられる回転磁界Ｈ
Ｒによシ磁気バブルは矢印で示す方向にそれぞれ転送さ
れる。
の一実施例を説明するための拡大平面図である。同図に
おいて、ｍは情報を貯えるマイナルーブ、飄は読み出し
情報を転送するリードメジャーライン、ＷＮＬは書き込
み情報を転送するライトメジャーラインである。また、
Ｄは磁気バブルを電気信号に変換するバブル検出器、Ｇ
は磁気バブルを発生するバブル発生器、Ｒはマイナルー
プｍの情報をリードメジャーラインシ１に複写または移
すレプリケートゲートである。Ｔはライトメジャーライ
ンＷＭＬの情報をマイナループｍへ移すトランスファゲ
ートまたはそのトランスファと同時にマイナループｍの
情報をメジャーラインＷＭＬに掃き出す、いわゆる両者
の間で情報の交換を行うスワップゲートである。また、
これらの外周を囲んでいるＧＲは外周からの磁気バブル
の侵入を防止するガードレール、′ＢＰはこれらの転送
回路を外部回路と接続するためのボンディングパラ）”
、ＭＰはモニタパターンでああ。また、レプリケートゲ
ートＲ，スワップゲートＴおよびバブル発生器Ｇはパー
マロイの転送パターンと特殊な関係で配置された別層の
導体に一定方向の電流を流すか否かによって制御され、
図中、その導体部分は太い実線で示されている。また、
マイナループｍはイオン打ち込み方式の磁気バブル転送
路で形成され、リードメジャーラインＲＭＬおよびライ
トメジャーラインＷＭＬ等はパーマロイ方式の磁気バブ
ル転送路で形成されてこれらの面に垂直方向に加えられ
るバイアス磁界ＨＢおよび面内に加えられる回転磁界Ｈ
Ｒによシ磁気バブルは矢印で示す方向にそれぞれ転送さ
れる。
前述したモニタパターンＭＰは、第２図に示すようにパ
ターン幅Ｗ、パターン長りを有する棒状パターンＢＰＴ
を一定の間隔Ｓで横方向に複数個配列し、さらに横方向
に繰シ返し幅Ｍで複数ブロック配列して形成したモニタ
パターンＭＰ１．第３図に示すように同様に縦方向に配
列して形成したモニタパターンＭＰ２および第４図に示
すように約４５度傾斜させて配列して形成したモニタバ
ター７ＭＰ３が好適であシ、これらのモニタパターンＭ
Ｐ１〜ＭＰ３は第１図に示すリードメジャーライン飄。
ターン幅Ｗ、パターン長りを有する棒状パターンＢＰＴ
を一定の間隔Ｓで横方向に複数個配列し、さらに横方向
に繰シ返し幅Ｍで複数ブロック配列して形成したモニタ
パターンＭＰ１．第３図に示すように同様に縦方向に配
列して形成したモニタパターンＭＰ２および第４図に示
すように約４５度傾斜させて配列して形成したモニタバ
ター７ＭＰ３が好適であシ、これらのモニタパターンＭ
Ｐ１〜ＭＰ３は第１図に示すリードメジャーライン飄。
ライトメジャーラインａ等の各種の機能駆動部が形成さ
れるパーマロイ転送路と同一層に同一工程で同時に一括
形成される。
れるパーマロイ転送路と同一層に同一工程で同時に一括
形成される。
このような方法によシ形成されたモニタパターンＭＰは
、モニタパターンＭＰ１〜ＭＰ３を形成した後、これら
のモニタパターンＭＰ１〜ＭＰ３を例えばＢ−Ｈルーパ
ーを用いて測定することによシ、その保磁力Ｈｅが該素
子を破壊することなく、簡単かつ製造プロセスの途中段
階で監視、確認でき、これによって各種の機能駆動部を
構成するパーマロイ転送路の出来、不出来が容易に推定
できる。
、モニタパターンＭＰ１〜ＭＰ３を形成した後、これら
のモニタパターンＭＰ１〜ＭＰ３を例えばＢ−Ｈルーパ
ーを用いて測定することによシ、その保磁力Ｈｅが該素
子を破壊することなく、簡単かつ製造プロセスの途中段
階で監視、確認でき、これによって各種の機能駆動部を
構成するパーマロイ転送路の出来、不出来が容易に推定
できる。
第５図は前述したモニタパターンＭＰ１〜ＭＰ３の保磁
力Ｈｅが素子の動作特性および選別歩留夛と極めて密接
に関係している状態を実験的に求めたデータを示したも
のである。同図において、モニタバターｙ ＭＰ １〜
ＭＰ ３の保磁力Ｈｅが約４１０６よシも小さい場合に
は特性不良率の発生は全くなく、極めて良好な結果が得
られるのに対し、保磁力Ｈｅが４２０ｅよシも大きくな
るほど素子特性が劣化し、悪い結果が得られた。なお、
保磁力Ｈｅは、第２図〜第４図に示したモニタパターン
ＭＰＩ〜ＭＰ３のパターン全体をマクロ的に測定した結
果である。
力Ｈｅが素子の動作特性および選別歩留夛と極めて密接
に関係している状態を実験的に求めたデータを示したも
のである。同図において、モニタバターｙ ＭＰ １〜
ＭＰ ３の保磁力Ｈｅが約４１０６よシも小さい場合に
は特性不良率の発生は全くなく、極めて良好な結果が得
られるのに対し、保磁力Ｈｅが４２０ｅよシも大きくな
るほど素子特性が劣化し、悪い結果が得られた。なお、
保磁力Ｈｅは、第２図〜第４図に示したモニタパターン
ＭＰＩ〜ＭＰ３のパターン全体をマクロ的に測定した結
果である。
また、Ｂ −Ｈルーパから大きな測定出力を精度良く得
るためには第２図〜第４図に示したモニタパターンＭＰ
１〜ＭＰ３において、棒状パターンＢＰＴの幅Ｗおよび
間隔Ｓは約１μｍ程度が良く、さらにその長さＬおよび
繰シ返し幅Ｍはともに１１程度が良い。
るためには第２図〜第４図に示したモニタパターンＭＰ
１〜ＭＰ３において、棒状パターンＢＰＴの幅Ｗおよび
間隔Ｓは約１μｍ程度が良く、さらにその長さＬおよび
繰シ返し幅Ｍはともに１１程度が良い。
また、このように形成されるモニタパターン野は、約１
１ＬＩＩ角の大きな寸法を必要とする場合、このモニタ
パターンＭＰを素子の内部に形成するのは効率を低下さ
せ得策でないときにはこのモニタパターンＭＰを素子の
外側、つまシウエハの周辺部に設けても良い。すなわち
、第６図に示すようにウェハＷＨ上に縦、横方向に多数
個配列した磁気バブルメモリ素子ＣＨＩが形成される。
１ＬＩＩ角の大きな寸法を必要とする場合、このモニタ
パターンＭＰを素子の内部に形成するのは効率を低下さ
せ得策でないときにはこのモニタパターンＭＰを素子の
外側、つまシウエハの周辺部に設けても良い。すなわち
、第６図に示すようにウェハＷＨ上に縦、横方向に多数
個配列した磁気バブルメモリ素子ＣＨＩが形成される。
このようなウェハＷＨ上での素子ＣＨＩの配列構成にお
いて、ウェハＷＨの四隅あるいは周辺部には必らず空き
スペースが形成され、この空きスペースにモニタパター
ンＭＰを、パーマロイ転送路と同一層に同一工程で同時
に一括形成しても前述と全く同様の効果が得られる。
いて、ウェハＷＨの四隅あるいは周辺部には必らず空き
スペースが形成され、この空きスペースにモニタパター
ンＭＰを、パーマロイ転送路と同一層に同一工程で同時
に一括形成しても前述と全く同様の効果が得られる。
なお、磁気バブル転送路として、第７図に示すようにパ
ーマロイ方式によるパーマロイ転送路Ｐが実用化されて
おシ、今後、第８図に示すようなイオン打ち込み方式に
よるイオン打ち込み転送路ＩＰが実用化されつつある。
ーマロイ方式によるパーマロイ転送路Ｐが実用化されて
おシ、今後、第８図に示すようなイオン打ち込み方式に
よるイオン打ち込み転送路ＩＰが実用化されつつある。
本発明に係わるモニタパターンＭＰはこれら２種類の転
送路Ｐ 、 ＩＰに対して全く同様に適用できる。さら
に近年ではパーマロイ方式とイオン打ち込み方式とを組
合せて用いるハイブリッド形素子が提案されているが、
この種の素子に対してはパーマロイ方式とイオン打ち込
み方式との２種類のモニタパターンを用いることによシ
、全く同様に適用できることは言うまでもない。
送路Ｐ 、 ＩＰに対して全く同様に適用できる。さら
に近年ではパーマロイ方式とイオン打ち込み方式とを組
合せて用いるハイブリッド形素子が提案されているが、
この種の素子に対してはパーマロイ方式とイオン打ち込
み方式との２種類のモニタパターンを用いることによシ
、全く同様に適用できることは言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブル転送路
と同層にプロセスを監視するモニタパターンを形成する
ので、素子の製造プロセスの途中段階で動作特性および
選別歩留シ等の推定が容易に監視、確認できるので、素
子を大量に安定して生産することができる等の極めて優
れた効果が得られる。
と同層にプロセスを監視するモニタパターンを形成する
ので、素子の製造プロセスの途中段階で動作特性および
選別歩留シ等の推定が容易に監視、確認できるので、素
子を大量に安定して生産することができる等の極めて優
れた効果が得られる。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造方法
を説明するための磁気パブルメそり素子の平面図、第２
図〜第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造
方法の一実施例を説明するためのモニタパターンの要部
拡大平面図、第５図は本発明に係わるモニタパターンの
保磁力Ｈｅに対する素子の特性合格率を示すデータ、第
６図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造方法の
他の実施例を説明するためのウェハの平面図、第７図お
よび第８図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造
方法のさらに他の実施例を説明するためのパーマロイ転
送路およびイオン打ち込み転送路の平面図である。 野、ＭＰｌ 、 ＭＰ２ 、 ＭＰ３ ・・・・モニタ
パターン、ＢＰＴ−−−−棒状パターン、ＣＨＩ −−
−−磁気バブルメモリ素子、ＷＨｅ・・優ウェハ。 ＼こ〜、・ 第１図 ＭＰｊ ｔニブ１ずター゛ノ 第２図 第３図 第４図 Ｐ３ 第５図 ｉ＝Ｚノぐ７−’ｚ、、、信Ｉ寺力 Ｈｃ （Ｏｅ）第
６図 第７図
を説明するための磁気パブルメそり素子の平面図、第２
図〜第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造
方法の一実施例を説明するためのモニタパターンの要部
拡大平面図、第５図は本発明に係わるモニタパターンの
保磁力Ｈｅに対する素子の特性合格率を示すデータ、第
６図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造方法の
他の実施例を説明するためのウェハの平面図、第７図お
よび第８図は本発明による磁気バブルメモリ素子の製造
方法のさらに他の実施例を説明するためのパーマロイ転
送路およびイオン打ち込み転送路の平面図である。 野、ＭＰｌ 、 ＭＰ２ 、 ＭＰ３ ・・・・モニタ
パターン、ＢＰＴ−−−−棒状パターン、ＣＨＩ −−
−−磁気バブルメモリ素子、ＷＨｅ・・優ウェハ。 ＼こ〜、・ 第１図 ＭＰｊ ｔニブ１ずター゛ノ 第２図 第３図 第４図 Ｐ３ 第５図 ｉ＝Ｚノぐ７−’ｚ、、、信Ｉ寺力 Ｈｃ （Ｏｅ）第
６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも各種機能駆動部を構成する磁気バブル転
送路を形成する際、前記磁気バブル転送路と同層にプロ
セスを監視するモニタパターンを形成することを特徴と
した磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ２、前記磁気バブル転送路を、パーマロイ方式転送路、
イオン打ち込み方式転送路または両者の組合せとしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バブル
メモリ素子の製造方法。 ３、前記モニタパターンを、素子を配列したウエハ上の
周辺部の空きスペースに形成することを特徴とした特許
請求の範囲第１項または第２項記載の磁気バブルメモリ
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059148A JPS62219281A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059148A JPS62219281A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219281A true JPS62219281A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=13104963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61059148A Pending JPS62219281A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219281A (ja) |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP61059148A patent/JPS62219281A/ja active Pending
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