JPS62240956A - ポジ型レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
ポジ型レジストパタ−ン形成方法Info
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- JPS62240956A JPS62240956A JP30770286A JP30770286A JPS62240956A JP S62240956 A JPS62240956 A JP S62240956A JP 30770286 A JP30770286 A JP 30770286A JP 30770286 A JP30770286 A JP 30770286A JP S62240956 A JPS62240956 A JP S62240956A
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/22—Esters containing halogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子線，Ｘ線等の高エネルギー線に対し、高
感度，高解像性、かつ、ドライエツチング耐性を有する
ポジ型レジストパターンの形成方法に関する。
感度，高解像性、かつ、ドライエツチング耐性を有する
ポジ型レジストパターンの形成方法に関する。
近年、半導体集積回路の高密度化，高集積化が進み、集
積度１Ｍビット以上の時代となル、１μｍルール、さも
Ｋはそれ以下のパターン形成が必要になっている。それ
に伴い、電子線，Ｘ線等を用いたり．ソグラフィー技術
が注目され、実用化されつつある。その際に使用される
レジスト材の性能としては、電子線，Ｘ線に対して高感
度であること、形成されたパターンの解像性が優れてい
る．こと及び微細加工のためにはドライプロセスが有利
であることから、ドライエツチング耐性を有しているこ
とが必要である。高解像性を満足するには、ネガ型よシ
ポジ型が有利であシ、優れたポジ型レジスト材の開発が
盛んである。
積度１Ｍビット以上の時代となル、１μｍルール、さも
Ｋはそれ以下のパターン形成が必要になっている。それ
に伴い、電子線，Ｘ線等を用いたり．ソグラフィー技術
が注目され、実用化されつつある。その際に使用される
レジスト材の性能としては、電子線，Ｘ線に対して高感
度であること、形成されたパターンの解像性が優れてい
る．こと及び微細加工のためにはドライプロセスが有利
であることから、ドライエツチング耐性を有しているこ
とが必要である。高解像性を満足するには、ネガ型よシ
ポジ型が有利であシ、優れたポジ型レジスト材の開発が
盛んである。
ポジ型レジスト材としては、ポリメチルメタクリレート
（以下、ＰＭＭＡと略す）がよく知゛られている。ＰＭ
ＭＡは高解像性を有しているが、感度が低く、ドライエ
ツチング耐性に乏しい。また、感度を改良するために、
２ＭＭ人のメチルエステル部分を含フツ素アルキルエス
テルに変えた重合体やＰＭＭＡの主鎖に直結したメチル
基をハロゲン等の電子吸引基に変えた重合体が合成され
ているが、１ＭＭ人と同様、ドライエツチング耐性が不
充分である。ポリフェニルメタクリレートは、ドライエ
ツチング耐性はアＭＭＡに比べ改良されているものの、
電子線，Ｘ線に対する感度はＰＭＭＡと同様に低い。
（以下、ＰＭＭＡと略す）がよく知゛られている。ＰＭ
ＭＡは高解像性を有しているが、感度が低く、ドライエ
ツチング耐性に乏しい。また、感度を改良するために、
２ＭＭ人のメチルエステル部分を含フツ素アルキルエス
テルに変えた重合体やＰＭＭＡの主鎖に直結したメチル
基をハロゲン等の電子吸引基に変えた重合体が合成され
ているが、１ＭＭ人と同様、ドライエツチング耐性が不
充分である。ポリフェニルメタクリレートは、ドライエ
ツチング耐性はアＭＭＡに比べ改良されているものの、
電子線，Ｘ線に対する感度はＰＭＭＡと同様に低い。
従って、サブミクロンレベルの微細加工に用いる実用的
なポジタイプのレジスト材として、電子線，Ｘ線に対し
て感度及び解像度が高く、かつ、ドライエツチング耐性
を有する材料の提供が求められている。
なポジタイプのレジスト材として、電子線，Ｘ線に対し
て感度及び解像度が高く、かつ、ドライエツチング耐性
を有する材料の提供が求められている。
（発明の構成］
本発明者らは、高感度、高解像性を有し、かつ、ドライ
エツチング耐性に優れたポジ型レジスト材を求めて鋭意
検討した。その結果、α位に電子吸引基を有し、エステ
ル部分にフッ素原子を含むベンゼン環を有する化学構造
を持つ重合体が優れた性能を有することを見い出し本発
明に至った。
エツチング耐性に優れたポジ型レジスト材を求めて鋭意
検討した。その結果、α位に電子吸引基を有し、エステ
ル部分にフッ素原子を含むベンゼン環を有する化学構造
を持つ重合体が優れた性能を有することを見い出し本発
明に至った。
即ち、本発明は一般式（Ｉ）
一ＣＨ２−Ｃ−
」
Ｃ＝Ｑ （ Ｉ ）
で示される繰返し単位からなる重合体をレジスト材とし
て用いることを特徴とするパターン形成方法に関する。
て用いることを特徴とするパターン形成方法に関する。
本発明のレジスト材である前記一般式（Ｉ）で示される
繰返し単位からなる重合体は、一般式（ＩＩ） ＲＩ Ｃ″’Ｈ２”＝ Ｃ Ｃ＝Ｏ（ＩＩ） ［Ｒ及びＲ２は前記に同じ］ で示されるα−置換アクリル酸エステルを単独重合する
ことにより得られる。
繰返し単位からなる重合体は、一般式（ＩＩ） ＲＩ Ｃ″’Ｈ２”＝ Ｃ Ｃ＝Ｏ（ＩＩ） ［Ｒ及びＲ２は前記に同じ］ で示されるα−置換アクリル酸エステルを単独重合する
ことにより得られる。
α−置換アクリル酸エステルは、例えば、次の方法で製
造することができる。
造することができる。
α−メチルあるいはα−トリフルオロメチル等のフッ素
置換メチルアクリル酸エステルの場合には、α−置換ア
クリル酸をチオニルクロライド、五塩化リン、オキザリ
ルクロライド、オキシ塩化リンとジメチルホルムアミド
の混合物等の塩素化剤と反応させてα−置換アクリル酸
クロライドを合成し、更に該化合物を塩基の存在下にベ
ンゼン環とフッ素原子を含むアルコール°と反応するこ
とにより、目的とするα−Ｉｈアクリル酸エステルを合
成することができる。
置換メチルアクリル酸エステルの場合には、α−置換ア
クリル酸をチオニルクロライド、五塩化リン、オキザリ
ルクロライド、オキシ塩化リンとジメチルホルムアミド
の混合物等の塩素化剤と反応させてα−置換アクリル酸
クロライドを合成し、更に該化合物を塩基の存在下にベ
ンゼン環とフッ素原子を含むアルコール°と反応するこ
とにより、目的とするα−Ｉｈアクリル酸エステルを合
成することができる。
α−クロロアクリル酸エステルの場合には、上記の方法
と同様にアクリル酸からアクリル酸クロライドを紐出し
てアクリル酸エステルを合成し、次に塩素ガスと反応さ
せてα、β−ジクロロプロピオン酸エステルとし、更に
キノリンあるいはピリジンを岩モル添加して、減圧蒸留
あるいは還流後、濾過、抽出、カラム分離することによ
り、目的とするα−クロロアクリル酸エステルを合成す
ることができる。
と同様にアクリル酸からアクリル酸クロライドを紐出し
てアクリル酸エステルを合成し、次に塩素ガスと反応さ
せてα、β−ジクロロプロピオン酸エステルとし、更に
キノリンあるいはピリジンを岩モル添加して、減圧蒸留
あるいは還流後、濾過、抽出、カラム分離することによ
り、目的とするα−クロロアクリル酸エステルを合成す
ることができる。
α−フルオロアクリル酸エステルは、Ｕ、Ｓ、Ｐ。
３．２６２．９６８（１９６６）、あるいはＣ！ｏｌｌ
ｅｃｔ。
ｅｃｔ。
Ｃｚｅｃｈ Ｃｈｅｗ、 ＯｏｍＯＬｌ、 、 ２９．
２３４ （１９６４）等に示されているように、フルオ
ロオキザロエステルをホルマリンと反応させることによ
り合成することかで鎗る。
２３４ （１９６４）等に示されているように、フルオ
ロオキザロエステルをホルマリンと反応させることによ
り合成することかで鎗る。
α−シアノアクリル酸エステルは、シアノ酢酸エステル
をホルマリンと反応させるとα−シアノアクリル酸エス
テルの重合体が得られ、その後、解重合することにより
、該単量体を合成することができる。
をホルマリンと反応させるとα−シアノアクリル酸エス
テルの重合体が得られ、その後、解重合することにより
、該単量体を合成することができる。
α−置換アクリル酸エステルの単独重合は、ラジカル重
合あるいはアニオン重合により行うことができる。例え
ば、α−メチル、α−クロロおよびα−シアノアクリル
酸エステルはラジカルあるいはアニオン重合法のいずれ
を選択してもよい。
合あるいはアニオン重合により行うことができる。例え
ば、α−メチル、α−クロロおよびα−シアノアクリル
酸エステルはラジカルあるいはアニオン重合法のいずれ
を選択してもよい。
また、α−フルオロアクリル酸エステルはラジカル重合
法、α−トリフルオロメチルアクリル酸エステルはアニ
オン重合法が有効である。
法、α−トリフルオロメチルアクリル酸エステルはアニ
オン重合法が有効である。
本発明によるレジスト材は分子量が数千から数百下の範
５にあることが好ましい。分子量が数千以下であると、
形成された皮膜の機械的強度及び耐熱性が劣る。また、
数百下以上であるとレジス難となったり、取扱いにくく
なったりする。
５にあることが好ましい。分子量が数千以下であると、
形成された皮膜の機械的強度及び耐熱性が劣る。また、
数百下以上であるとレジス難となったり、取扱いにくく
なったりする。
本発明によるレジスト材の塗布溶媒としては、ポリマー
を溶解し、均一な皮膜を形成しうる溶媒であれば特に限
定されず、例えば、キシレン、トルエン、ベンゼン、テ
トラヒドロフラン、エチルセーソルブ等が挙：げられる
。現像液としては、−例として、上記溶媒とアルコール
との混合溶媒。
を溶解し、均一な皮膜を形成しうる溶媒であれば特に限
定されず、例えば、キシレン、トルエン、ベンゼン、テ
トラヒドロフラン、エチルセーソルブ等が挙：げられる
。現像液としては、−例として、上記溶媒とアルコール
との混合溶媒。
エステル系あるいはケトン系溶媒とアルコールとの混合
溶媒を用いることができる。塗布、プレベーク、露光、
現像等その他の手法は常法に従うことができる。
溶媒を用いることができる。塗布、プレベーク、露光、
現像等その他の手法は常法に従うことができる。
［発明の効果］
本発明のレジスト材は電子線、 ｘ ｐ等の照射に上り
主鎖崩壊反応が起こるとともにカルボン酸が生起し、被
照射部は照射されていない部分に比べて溶剤に対する溶
解性が大きく変化、向上する。
主鎖崩壊反応が起こるとともにカルボン酸が生起し、被
照射部は照射されていない部分に比べて溶剤に対する溶
解性が大きく変化、向上する。
また、本発明のレジスト材は、ドライエツチング耐性に
優れている。これらの効果は、重合体のン環とフッ素原
子を含有するという特殊な構造である所から発現したも
のと推定される。
優れている。これらの効果は、重合体のン環とフッ素原
子を含有するという特殊な構造である所から発現したも
のと推定される。
以上のことから、本発明のレジスト材は、光応用部品、
磁気バルブ素子、半導体製造等の微細パターン形成用レ
ジスト材として有効であ゛ることがわかる。
磁気バルブ素子、半導体製造等の微細パターン形成用レ
ジスト材として有効であ゛ることがわかる。
以下に実施例により本発明を更に詳しく説明する。ただ
し、本発明はこれらに限定されるものではない。
し、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、実施例における電子線感応性試験は以下の方法に
て行った。
て行った。
レジスト材のキシレン溶液をシリ；ンウェハ上にスピン
コードし、１μｍの塗膜を得た。１２５℃にて２５分間
プレベークを行い、該塗膜の所望部分に加速電圧２０
ＫＶの電子線を種々のドーズ量で照射した。次いで、キ
シレン／イソプロピルアルコール混合溶媒にて現像を行
い、照射部を選択的に除去した。線量と現像後の残膜厚
との関係を描いた感度曲線図よシ、感度及び解像度を評
価した。
コードし、１μｍの塗膜を得た。１２５℃にて２５分間
プレベークを行い、該塗膜の所望部分に加速電圧２０
ＫＶの電子線を種々のドーズ量で照射した。次いで、キ
シレン／イソプロピルアルコール混合溶媒にて現像を行
い、照射部を選択的に除去した。線量と現像後の残膜厚
との関係を描いた感度曲線図よシ、感度及び解像度を評
価した。
ここで、感度（以下、ε値という）とは、残膜厚がゼロ
となる照射量の値で示される。また、解像度（以下、γ
値という）とは、感度曲線のε値に対応する＝＝上で膜
箪が減少しはじめる点に対〔詳細は「フッ素化合物の最
先端応用技術」■シーニムシー、詔和５６年４月２４日
発行、１３９〜１４０頁を参照〕 ドライエツチング耐性試、執：ｄ１ ドライエラチン“
グ装置Ｄ Ｚ Ｍ −４５１里（Ｅ電アネルバ社製）を
用い、ＣＦ′４ガス：（：る反ｒ：性スパン・タリング
に対する耐性を観察した。
となる照射量の値で示される。また、解像度（以下、γ
値という）とは、感度曲線のε値に対応する＝＝上で膜
箪が減少しはじめる点に対〔詳細は「フッ素化合物の最
先端応用技術」■シーニムシー、詔和５６年４月２４日
発行、１３９〜１４０頁を参照〕 ドライエツチング耐性試、執：ｄ１ ドライエラチン“
グ装置Ｄ Ｚ Ｍ −４５１里（Ｅ電アネルバ社製）を
用い、ＣＦ′４ガス：（：る反ｒ：性スパン・タリング
に対する耐性を観察した。
実施例１
メタクリル酸３．５−ジフルオロフェニルエステル５．
Ｑｆ、アゾビスイソブチ−ニトリルのベンゼン溶液Ｑ、
４ｍ１（アゾビスイソブチロニトリルを１ｗｔ％含む）
及びベンゼン５．３ ａｔ：をフラスコにとシ、常法に
従い真空脱気した。該フラスコを７０’Ｃにて７時間攪
拌した後、反応生成物をメタノール中にそそぎ込み、重
合物を沈でんさせ、濾過、乾燥し、ポリメタクリル酸４
５−ジフルオロフェニルエステルを得た。重量平均分子
量は、Ｃ−ＰＣ測定の結果、ポリスチレン換算で２．１
ｘ１０’であった。
Ｑｆ、アゾビスイソブチ−ニトリルのベンゼン溶液Ｑ、
４ｍ１（アゾビスイソブチロニトリルを１ｗｔ％含む）
及びベンゼン５．３ ａｔ：をフラスコにとシ、常法に
従い真空脱気した。該フラスコを７０’Ｃにて７時間攪
拌した後、反応生成物をメタノール中にそそぎ込み、重
合物を沈でんさせ、濾過、乾燥し、ポリメタクリル酸４
５−ジフルオロフェニルエステルを得た。重量平均分子
量は、Ｃ−ＰＣ測定の結果、ポリスチレン換算で２．１
ｘ１０’であった。
次に、電子線感応性試験を行ったところ、ε値及びγ値
がそれぞれε０μＣ／ｃ＝ｒ” 、 ４． Ｏであるポ
ジタイプのパターンが形成された。
がそれぞれε０μＣ／ｃ＝ｒ” 、 ４． Ｏであるポ
ジタイプのパターンが形成された。
また、０丁４ガスによる反応性スパッタリングに対する
ドライエツチング耐性試験を行ったところ、エツチング
退室ば６５ ［１）、ｔ＝ａ二であＳた。比較としての
シリコン基板のエツチング速度ば１５００Ａ／ｍｉｎで
らった。また、ポリメチルメタクリレートの場合には、
エツチング速度は１７００ Ａ／ｍｉｎであった。
ドライエツチング耐性試験を行ったところ、エツチング
退室ば６５ ［１）、ｔ＝ａ二であＳた。比較としての
シリコン基板のエツチング速度ば１５００Ａ／ｍｉｎで
らった。また、ポリメチルメタクリレートの場合には、
エツチング速度は１７００ Ａ／ｍｉｎであった。
実施例２
実施例１と同様の方法にで、ポリメタクリル酸２、 ！
、 ５．６−チトラフルオロフエニルエステルヲ得た。
、 ５．６−チトラフルオロフエニルエステルヲ得た。
重量平均分子量は、Ｇ：ＰＣ測定の結果、ポリスチレン
換算で１．５Ｘ１０５であった。
換算で１．５Ｘ１０５であった。
次に、電子線感応性試験を行ったところ、Ｓ値及びγ値
はそれぞれ４５μＣ／”” ｒ乙２であるポジタイプの
パターンが形成された。
はそれぞれ４５μＣ／”” ｒ乙２であるポジタイプの
パターンが形成された。
実施例３
実施例１と同様の手法にて、ポリα−クロロアクリル肢
五５−ジフルオーフニニルエステルヲ得た。重量平均分
子量は、Ｇ″ＰＣＰＣ測定、ポリスチレン換算てミロ５
１０’であった。
五５−ジフルオーフニニルエステルヲ得た。重量平均分
子量は、Ｇ″ＰＣＰＣ測定、ポリスチレン換算てミロ５
１０’であった。
次：Ｃ１π子線感応性試験を行ったところ、Ｓ値及びγ
値はそれぞれ１２μ（／ｃコニ、３．５でおるポジタイ
プのパターンが形成された。
値はそれぞれ１２μ（／ｃコニ、３．５でおるポジタイ
プのパターンが形成された。
比較例１
実施例１と同様の方法にて、重量平均分子量２．７ｘ１
０５のポリメタクリル酸フェニルエステルを得た。
０５のポリメタクリル酸フェニルエステルを得た。
電子線感応性試験を行ったところ、ε値及びγ値はそれ
ぞれ３００μＣ／ｃｍ２．１．６であるポジタイプのパ
ターンが形成された。
ぞれ３００μＣ／ｃｍ２．１．６であるポジタイプのパ
ターンが形成された。
実施例４
真！脱気されたフラス；内に、α−トリフルオロメチル
アクリル酸３，５−ジフルオロフェニルエステル５．Ｏ
ｆをとシ、ドライアイス−メタノールによシ冷却した。
アクリル酸３，５−ジフルオロフェニルエステル５．Ｏ
ｆをとシ、ドライアイス−メタノールによシ冷却した。
これＫｔ−ブトキシカリウムの無水ＴＥＦ溶ｇ、ａｏｍ
ｌ！（ｔ−ブトキー７カリウムを６．４ｘ１０−’モル
含む）を加えた後、該フラスコを一２０℃、７日間攪拌
し、反応後、メタノールを５． ＯｒＬｌ添加した。反
応生成物をベンゼンに溶かした後、メタノール中に重合
体を沈でんさせ、濾過、乾燥を行い、ポリα−トリフル
オロメチル３゜５−ジフルオロフェニルエステルを得だ
。重量平均分子量は、ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン
換算で７．２ｘ１０！であった。
ｌ！（ｔ−ブトキー７カリウムを６．４ｘ１０−’モル
含む）を加えた後、該フラスコを一２０℃、７日間攪拌
し、反応後、メタノールを５． ＯｒＬｌ添加した。反
応生成物をベンゼンに溶かした後、メタノール中に重合
体を沈でんさせ、濾過、乾燥を行い、ポリα−トリフル
オロメチル３゜５−ジフルオロフェニルエステルを得だ
。重量平均分子量は、ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン
換算で７．２ｘ１０！であった。
次に、電子線感応性試験を行ったところ、Ｓ値及びγ値
はそれぞれ８μＱ／ｃｍ２．３．２であるポジタイプの
パターンが形成された。
はそれぞれ８μＱ／ｃｍ２．３．２であるポジタイプの
パターンが形成された。
また、ＣＦ、ガスによる反応性スパッタリングに対する
ドライエツチング耐性試験を行ったところ、モッチング
速度は７００ Ａ／ｍｉｎであった。
ドライエツチング耐性試験を行ったところ、モッチング
速度は７００ Ａ／ｍｉｎであった。
実施例５
実施例４と同様の方法にて、ポリα−） ＩＪフルオー
メチルアクリル酸２，４５６−チトラフルオロフエニル
エステルを得た。重量平均分子量は、ＧＰＣ測定の結果
、ポリスチレン換算で４，８ｘ１０’でおった。
メチルアクリル酸２，４５６−チトラフルオロフエニル
エステルを得た。重量平均分子量は、ＧＰＣ測定の結果
、ポリスチレン換算で４，８ｘ１０’でおった。
次ＩＣ、電子線感応性試験を行ったところ、ε値及びγ
値：亡それぞれ５μＣ７Ｃが、乙５であるポジタイプの
パターンが形成された。
値：亡それぞれ５μＣ７Ｃが、乙５であるポジタイプの
パターンが形成された。
実施例６
メタクリル酸ペンタフルオロベンジルエステルｓ、ｏ９
．アゾビスイソブチロニトリルのベンゼン溶液０．２ｍ
［アゾビゑインブチロニ） ＩＪ ルヲ１ ｖｒ＝、％
含む）及びベンゼン５．５１ｎ！をフラスコにとり、常
法ニ従い、真空脱気した。該フラスコを７０℃にて１０
時間攪拌した後、反応生成物をメタノール中にそそぎ込
み、重合物を沈でんさせ、濾過、乾燥し、ポリメタクリ
ル酸ペンタフルオーベンジルエステルを得た。重量平均
分子量は、ａＰＣＥ定の結果、ポリスチレン換算で４．
５ＸｉＯ！であった。
．アゾビスイソブチロニトリルのベンゼン溶液０．２ｍ
［アゾビゑインブチロニ） ＩＪ ルヲ１ ｖｒ＝、％
含む）及びベンゼン５．５１ｎ！をフラスコにとり、常
法ニ従い、真空脱気した。該フラスコを７０℃にて１０
時間攪拌した後、反応生成物をメタノール中にそそぎ込
み、重合物を沈でんさせ、濾過、乾燥し、ポリメタクリ
ル酸ペンタフルオーベンジルエステルを得た。重量平均
分子量は、ａＰＣＥ定の結果、ポリスチレン換算で４．
５ＸｉＯ！であった。
次に、電子線感応性試験を行ったところ、現像液として
キシレン／イソプロピルアルニールを用いた場合、Ｓ値
及びγ値がそれぞれ６５μｃ／ｌ＝；Ｉ。
キシレン／イソプロピルアルニールを用いた場合、Ｓ値
及びγ値がそれぞれ６５μｃ／ｌ＝；Ｉ。
ミ４であるポジタイプのパターンが形成された。
実施例７
実施例１と同様の方法にて、ポリα−クーロアクリル酸
ペンタフルオ；ベンジルエステルを得た。
ペンタフルオ；ベンジルエステルを得た。
重量平均分子量は、ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン換
算で５．２ Ｘ １０５であっ７．二。
算で５．２ Ｘ １０５であっ７．二。
次に、電子線感応性試験を行ったところ、現像液として
キシレン／イソプロピルアルコールを用いた場合、Ｓ値
及びγ値はそれぞれ１０μｃ／ｃｄ。
キシレン／イソプロピルアルコールを用いた場合、Ｓ値
及びγ値はそれぞれ１０μｃ／ｃｄ。
２．８であるポジタイプのパターンが形成された。
また、ＣＦ、ガスによる反応性スパッタリングに対する
ドライエツチング耐性試験を行ったところ、エツチング
速度は７００Ａ／ｍｉ！ｌであった。比較としてのシリ
コン基板のエツチング速度は１５００Ａ ／ ｍ：！ｌ
であった。また、ポリメチルメタクリレートの場合には
、エツチング速度は１７００Ａ／ｗｉｎであった。
ドライエツチング耐性試験を行ったところ、エツチング
速度は７００Ａ／ｍｉ！ｌであった。比較としてのシリ
コン基板のエツチング速度は１５００Ａ ／ ｍ：！ｌ
であった。また、ポリメチルメタクリレートの場合には
、エツチング速度は１７００Ａ／ｗｉｎであった。
実施ｆＦＪ８
真空脱気されたフラス＝内に、α−トリフルオＨメｔ−
ルアクリル証ペンタフルオロベンジルエステル５．１９
をとり、ドライアイス／メタノ−ｈｆより冷却した。こ
れにｔ−ブトキシカリウムの無水’１’ＨＰ溶液ＢＯｍ
＋！（ｔ−ブトキシカリウムを６、４ Ｘ Ｉ ｌ１ｒ
４モル含む）を加えた後、該フラスコを一２０℃、７日
間攪拌し、反応後、メタノールを５、Ｏｄ添加した。反
応生成物をベンゼンに溶かした後、メタノール中に重合
体を沈でんさせ、濾過。
ルアクリル証ペンタフルオロベンジルエステル５．１９
をとり、ドライアイス／メタノ−ｈｆより冷却した。こ
れにｔ−ブトキシカリウムの無水’１’ＨＰ溶液ＢＯｍ
＋！（ｔ−ブトキシカリウムを６、４ Ｘ Ｉ ｌ１ｒ
４モル含む）を加えた後、該フラスコを一２０℃、７日
間攪拌し、反応後、メタノールを５、Ｏｄ添加した。反
応生成物をベンゼンに溶かした後、メタノール中に重合
体を沈でんさせ、濾過。
乾燥を行い、ポリα−トリフルオロメチルアクリル酸ペ
ンタフルオロベンジルエヌテルヲ得り。重量平均分子量
は、ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン換算で５．６ Ｘ
１０’であった。
ンタフルオロベンジルエヌテルヲ得り。重量平均分子量
は、ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン換算で５．６ Ｘ
１０’であった。
次に、電子線感応性試験を行ったところ、現像液として
キシレン／インプロピルアルニールを用゛いた場合、Ｓ
値及びγ値がそれぞだ７μｃ ／ａｔｌ。
キシレン／インプロピルアルニールを用゛いた場合、Ｓ
値及びγ値がそれぞだ７μｃ ／ａｔｌ。
２．８であるポジタイプのパターンが形成された。
Claims (1)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿１はメチル基、フッ素置換メチル基、ハロゲン、
シアノ基を示し、Ｒ＿２は３，５−ジフルオロフェニル
基、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル基、 又は▲数式、化学式、表等があります▼基を示す。ここ
でＲ＿３及び Ｒ＿４は水素、アルキル基、フッ素置換アルキル基であ
り、Ｒ＿５はフェニル基、フッ素置換フェニル基である
。但し、Ｒ＿１が塩素、 Ｒ＿２が▲数式、化学式、表等があります▼に同時にな
る場合を除く。〕で示される繰返し単位からなる重合体
をレジスト材として用いることを特徴とするパターン形
成方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29082385 | 1985-12-25 | ||
| JP60-290823 | 1985-12-25 | ||
| JP60-291918 | 1985-12-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240956A true JPS62240956A (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=17760941
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30770186A Pending JPS63234006A (ja) | 1985-12-25 | 1986-12-25 | ハロゲン含有ポリアクリル酸エステル誘導体 |
| JP30770286A Pending JPS62240956A (ja) | 1985-12-25 | 1986-12-25 | ポジ型レジストパタ−ン形成方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30770186A Pending JPS63234006A (ja) | 1985-12-25 | 1986-12-25 | ハロゲン含有ポリアクリル酸エステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS63234006A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01273039A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JPH02197846A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | Toray Ind Inc | 感放射線ポジ型レジスト |
| JPH0398051A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 可視光記録材料 |
| JP2020052144A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP2021107912A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | インテル・コーポレーション | Ｅｕｖリソグラフィ用途のための鎖切断レジスト組成物 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100767938B1 (ko) | 2002-12-11 | 2007-10-18 | 삼성전자주식회사 | 컨쥬게이티드 고분자 패턴 형성용 조성물 및 이를 이용한패턴형성방법 |
| US8435610B2 (en) | 2006-05-05 | 2013-05-07 | Japan Science And Technology Agency | Copolymer of (meth)acrylic ester, composition, optical element and electric member |
| JP2018154754A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体およびポジ型レジスト組成物 |
| US20230063003A1 (en) * | 2020-01-17 | 2023-03-02 | Zeon Corporation | Copolymer, positive resist composition, and method of forming resist pattern |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP30770186A patent/JPS63234006A/ja active Pending
- 1986-12-25 JP JP30770286A patent/JPS62240956A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01273039A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JPH02197846A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | Toray Ind Inc | 感放射線ポジ型レジスト |
| JPH0398051A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 可視光記録材料 |
| JP2020052144A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63234006A (ja) | 1988-09-29 |
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