JPS62242919A - 光導電型液晶ライトバルブ - Google Patents
光導電型液晶ライトバルブInfo
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- JPS62242919A JPS62242919A JP8655986A JP8655986A JPS62242919A JP S62242919 A JPS62242919 A JP S62242919A JP 8655986 A JP8655986 A JP 8655986A JP 8655986 A JP8655986 A JP 8655986A JP S62242919 A JPS62242919 A JP S62242919A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔！乗上０８用分野〕
本発明は光導電体を光ビームでアドレスする液晶ライト
バルブの改良に関するものである。
バルブの改良に関するものである。
従来の光導電型液晶ライトバルブはニスアイデー１７２
ダイジエスト ７０頁、ニスアイデー１７２ダイジエス
トｎ頁、アブライドヒジツクスレターあ巻、１９７９
４５０頁、特開昭５９−２１６１２６ Ｋ示されるよ
うに、光導電体は液晶層に隣接する薄膜層であり、書き
込み用■光ビームが照射された光導電層部分に光電荷が
発生し、外部の電界により光導電効果が生じ、液晶■電
気光学効果を訪起するものであった。
ダイジエスト ７０頁、ニスアイデー１７２ダイジエス
トｎ頁、アブライドヒジツクスレターあ巻、１９７９
４５０頁、特開昭５９−２１６１２６ Ｋ示されるよ
うに、光導電体は液晶層に隣接する薄膜層であり、書き
込み用■光ビームが照射された光導電層部分に光電荷が
発生し、外部の電界により光導電効果が生じ、液晶■電
気光学効果を訪起するものであった。
しかるに表示情報置■増加に伴い、書き込み元ビームＯ
径が小さくなると、発生した光電荷が元ビームの周囲に
拡散し像のボケやにじみを生じる。
径が小さくなると、発生した光電荷が元ビームの周囲に
拡散し像のボケやにじみを生じる。
これは％に瞥き込み光導が過剰０場合、ｙｔ、４電体の
厚さが大きい場合、光導電体■易動度が大きい場合、さ
らに読み出し元を反射させる誘電体ミラーが液晶層、光
導電体Ｏ厚さ程反に厚い場合に生じ易かった。これは読
み出し元と光導電体を分離する遮光層は、画素の形成の
ため電気的に絶縁されている必要から、数μ以上Ｑ厚さ
の誘電体多層膜による反射膜を用いているためである。
厚さが大きい場合、光導電体■易動度が大きい場合、さ
らに読み出し元を反射させる誘電体ミラーが液晶層、光
導電体Ｏ厚さ程反に厚い場合に生じ易かった。これは読
み出し元と光導電体を分離する遮光層は、画素の形成の
ため電気的に絶縁されている必要から、数μ以上Ｑ厚さ
の誘電体多層膜による反射膜を用いているためである。
そこで本発明は上述の問題点を解決するも■でそＱ目的
とするところは、表示のボケやにじみをなくした表示性
能の高い、かつ誘電体多層膜によらない金属遮光１−を
使用できる、簡単な構造Ｑ光導電型液晶ライトバルブを
提供することにある。
とするところは、表示のボケやにじみをなくした表示性
能の高い、かつ誘電体多層膜によらない金属遮光１−を
使用できる、簡単な構造Ｑ光導電型液晶ライトバルブを
提供することにある。
本発明Ｏ光導電型液晶ライトバルブは、尤２！４電体が
島状に分離した構造を有することを特徴としている。ま
た２の分離した島構造は醤き込み元ビームよりも小さい
ことを特数としさらに光導電体とそＱ上に設けられた遮
光層は島状に分離した構＠を有することを特徴とする。
島状に分離した構造を有することを特徴としている。ま
た２の分離した島構造は醤き込み元ビームよりも小さい
ことを特数としさらに光導電体とそＱ上に設けられた遮
光層は島状に分離した構＠を有することを特徴とする。
また島状に分離した光４電本間に遮光１−が設置された
ことを特数としている。またこれらの遮ｙｔＩ−は企画
薄膜から成ることを％敵とし、さらに光導電体間■遮″
に、層は光吸収材料から成ることを特徴としている。ま
た分離した島構造の形状は、最密な矩形■集合、六角形
の集合、大きさの異なる図形の集合であることを特徴と
している。
ことを特数としている。またこれらの遮ｙｔＩ−は企画
薄膜から成ることを％敵とし、さらに光導電体間■遮″
に、層は光吸収材料から成ることを特徴としている。ま
た分離した島構造の形状は、最密な矩形■集合、六角形
の集合、大きさの異なる図形の集合であることを特徴と
している。
本発明の上記の構成によれば、書き込み光ビームで照射
された光導電体に生成した光電荷が液晶層の界面に分ｉ
ｔ誘起する際に、島状画素に分離されているため１画素
外に電荷が移動せず、表示のボケやにじみを防止する。
された光導電体に生成した光電荷が液晶層の界面に分ｉ
ｔ誘起する際に、島状画素に分離されているため１画素
外に電荷が移動せず、表示のボケやにじみを防止する。
また島状画素は曾き込み元ビームよりも小さ＾ため画素
構成による表示解像力の劣下を峡少眼に抑えることがで
きている０次に画素間に入射する読み出し光、あるいは
書き込み光のもれは、画素間に設置した遮光層により遮
断され、表示上Ｏ劣下を抑えるものである。
構成による表示解像力の劣下を峡少眼に抑えることがで
きている０次に画素間に入射する読み出し光、あるいは
書き込み光のもれは、画素間に設置した遮光層により遮
断され、表示上Ｏ劣下を抑えるものである。
実施例１
第１図は本発明の光導電型液晶ライトバルブの断面図で
ある。ここで１０１，１１１は光導電体。
ある。ここで１０１，１１１は光導電体。
１０２は光導電体上に形成された遮光層である。
１０７は１０７１外部電源１０８から電界を印加するた
めの透明導電膜であり、１０７は光導電体に接続されて
＾る。１０３は液晶層であり、書き込み光１０６により
照射された領域に相当する部分１０４が応答を示してい
る。これは透明基板１０５間に形成されている。
めの透明導電膜であり、１０７は光導電体に接続されて
＾る。１０３は液晶層であり、書き込み光１０６により
照射された領域に相当する部分１０４が応答を示してい
る。これは透明基板１０５間に形成されている。
さらに具体的には、本実施例にお−で、光導電体として
半絶縁性■アモルファスシリコン（以下α−８（と略称
する）遮光層にはアルミニウム蒸着膜透明導電膜にはイ
ンジウム、スズ酸化物（工ＴＯと略称する）を用いた。
半絶縁性■アモルファスシリコン（以下α−８（と略称
する）遮光層にはアルミニウム蒸着膜透明導電膜にはイ
ンジウム、スズ酸化物（工ＴＯと略称する）を用いた。
第１図において、特数的なのは光導電体１０１及び、遮
光層が島状に形成された点である。
光層が島状に形成された点である。
この構造により書き込みｙｆｉ１０６によって、光導電
体１０１中に生成した光電荷は、隣接する池Ｏ島に移行
することができなハ、この結果、液晶層１０３には島を
画素として電果が働き１元ビームの拡がりや光電荷の拡
散による表示のボケやにじみを防止することができる。
体１０１中に生成した光電荷は、隣接する池Ｏ島に移行
することができなハ、この結果、液晶層１０３には島を
画素として電果が働き１元ビームの拡がりや光電荷の拡
散による表示のボケやにじみを防止することができる。
またさらに、遮光層′Ｉｋ元導電体上に設置したことに
より、非常に強い読み出し光を照射した場合でも、光導
電体は読み出し光による光電荷の発生を防ぐことができ
る。
より、非常に強い読み出し光を照射した場合でも、光導
電体は読み出し光による光電荷の発生を防ぐことができ
る。
次に動作にり一て簡単に説明する。
液晶の使用するモードによって動作が異なるって、初め
に強誘電性液晶Ｑ双安定モードから説明する１強誘電性
液晶Ｑ双安定モードにり匹てはアプライドヒレツクスレ
ター３６巻１９８０．８９９頁を初めとして多くの報告
がある。
に強誘電性液晶Ｑ双安定モードから説明する１強誘電性
液晶Ｑ双安定モードにり匹てはアプライドヒレツクスレ
ター３６巻１９８０．８９９頁を初めとして多くの報告
がある。
外部電源１０８は透明軍属１０７，１０７’間に１画面
の誓き込みの間、直流電圧を加えている。こ０時、書き
込み光１０６が照射された光導電体１１１には光電荷が
生成され、第２図中の光導電体等価抵抗２０２′が低下
する。これに伴い、液晶層間に加わる電圧が上昇し、双
安定状態間の転移電圧を超え、安定状態間のスイッチン
グが可能となる。つまり、一方方向の直流電圧と誉き込
み光によって一方０安定状態へ転移し、書き込み光が照
射されない箇所は前回■安定状態′ｆｒ：保持し続ける
ことになる。
の誓き込みの間、直流電圧を加えている。こ０時、書き
込み光１０６が照射された光導電体１１１には光電荷が
生成され、第２図中の光導電体等価抵抗２０２′が低下
する。これに伴い、液晶層間に加わる電圧が上昇し、双
安定状態間の転移電圧を超え、安定状態間のスイッチン
グが可能となる。つまり、一方方向の直流電圧と誉き込
み光によって一方０安定状態へ転移し、書き込み光が照
射されない箇所は前回■安定状態′ｆｒ：保持し続ける
ことになる。
また逆方向Ｏ安定状態への転移は、前述と反対方向の直
流電圧と書き込み光によって同様に行なわれる。こ０時
Ｖ）表示０最少単位である画素を光導電体０島として分
離することによって、光電荷Ｏ拡散によるボケ、にじみ
を防止している。
流電圧と書き込み光によって同様に行なわれる。こ０時
Ｖ）表示０最少単位である画素を光導電体０島として分
離することによって、光電荷Ｏ拡散によるボケ、にじみ
を防止している。
次に、ねじれたネマチック液晶や、複屈折モードに代表
される牟安定モードＯ場合について説明する。外部電源
１０８は、工ＴＯ１０７，１０７’間に電圧を印加する
。書き込み光が照射された光導電体は等面抵抗が減少し
、液晶層間に加わる電圧が上昇する。誓き込み光が照射
された画素は、照射されない部分と光学的な性質が変化
し、偏光板によりこれを画家として検出する。さらにこ
のモードＯ場合、書き込みｔｏ照射が終了すると同時に
光導電体Ｑ抵抗が光電荷の１消滅により上昇し。
される牟安定モードＯ場合について説明する。外部電源
１０８は、工ＴＯ１０７，１０７’間に電圧を印加する
。書き込み光が照射された光導電体は等面抵抗が減少し
、液晶層間に加わる電圧が上昇する。誓き込み光が照射
された画素は、照射されない部分と光学的な性質が変化
し、偏光板によりこれを画家として検出する。さらにこ
のモードＯ場合、書き込みｔｏ照射が終了すると同時に
光導電体Ｑ抵抗が光電荷の１消滅により上昇し。
液晶印加電圧が低下してしまうタイプと、液晶層と光導
電体■等価容量に蓄電された電荷によって液晶印加電圧
が保持されるタイプがある。前者の場合は外部電源は＠
流、交流を問わないが、後者の場合は表示０均−ａを得
るために、一画面の書き込み琳位内では一方の直流とな
るようにしなければならなＶｈ、この巣安定液晶モード
の場合も、光導［体を島として分離することによって表
示のボケ、にじみを防止できた。
電体■等価容量に蓄電された電荷によって液晶印加電圧
が保持されるタイプがある。前者の場合は外部電源は＠
流、交流を問わないが、後者の場合は表示０均−ａを得
るために、一画面の書き込み琳位内では一方の直流とな
るようにしなければならなＶｈ、この巣安定液晶モード
の場合も、光導［体を島として分離することによって表
示のボケ、にじみを防止できた。
以上ＶＣおいて、書き込みｙｔ、は直接変調した半導体
レーザーｉｔポリゴンスキャナとガルバノスキャナによ
る走査を行なわれた。
レーザーｉｔポリゴンスキャナとガルバノスキャナによ
る走査を行なわれた。
次に本実施列Ｏパネルの製造法ｔ−簡単に説明する。透
明基板１０５上に工ＴＯ１０７ｉスパッタリングによっ
て得た。さらにその上にボロンを微最ドーグした半絶縁
性α−５ｚ１＆ニゲロー放亀Ｃ’ＶＤ法により約１μ■
デポジシヨンを行ない、サラにアルミニウム’ｔ２００
０Ａ蒸着し遮光ｌ−とした。
明基板１０５上に工ＴＯ１０７ｉスパッタリングによっ
て得た。さらにその上にボロンを微最ドーグした半絶縁
性α−５ｚ１＆ニゲロー放亀Ｃ’ＶＤ法により約１μ■
デポジシヨンを行ない、サラにアルミニウム’ｔ２００
０Ａ蒸着し遮光ｌ−とした。
次に第３図（α）ＩＣ示すようにアルミニウムを無数の
１μ×１μの正方形格子パターンに７オトエツチングを
行な＾、このアルミニウムをマスクにしてα−ｓ＜１エ
ツチングした。アルミニウムのパターンは、工Ｃプロセ
ス■ようなマスク精度は不要であり、かつ繰り返しのみ
のパターンであるので、レーザ光■干渉縞を利用したホ
ログラフィック露光法等を用いると嶽産註が向上する。
１μ×１μの正方形格子パターンに７オトエツチングを
行な＾、このアルミニウムをマスクにしてα−ｓ＜１エ
ツチングした。アルミニウムのパターンは、工Ｃプロセ
ス■ようなマスク精度は不要であり、かつ繰り返しのみ
のパターンであるので、レーザ光■干渉縞を利用したホ
ログラフィック露光法等を用いると嶽産註が向上する。
またα−ｓ７を、等方向なエツチング法により、アルミ
ニウムパターンよりも小さめにエツチングし、読み出し
光０遮光性をさらに向上させることができる。ｉた画素
の形状は通常のマトリクスタイプと異なり、矩形以外の
任意形状、大きさの異なる画素の配置などを採用するこ
とができるが、できるだけ画素部分が占める割合を増や
す必要がある。これらの列を訂３図（６） 、 （６）
に示す、厄３図（６）はハニカム形、（Ｃ）は大きさ０
異なる円形の組み合せである。″また解像力の低下を防
ぐ点からこれら■画素の大きさは書き込み用元ビームよ
りも小さい必要がある。
ニウムパターンよりも小さめにエツチングし、読み出し
光０遮光性をさらに向上させることができる。ｉた画素
の形状は通常のマトリクスタイプと異なり、矩形以外の
任意形状、大きさの異なる画素の配置などを採用するこ
とができるが、できるだけ画素部分が占める割合を増や
す必要がある。これらの列を訂３図（６） 、 （６）
に示す、厄３図（６）はハニカム形、（Ｃ）は大きさ０
異なる円形の組み合せである。″また解像力の低下を防
ぐ点からこれら■画素の大きさは書き込み用元ビームよ
りも小さい必要がある。
上記の実施列■場合、ビーム径は約１００μでありアル
ミニウムのパターンは１μ程度であるって解像力Ｉ：Ｄ
低下はまったく心配ない。
ミニウムのパターンは１μ程度であるって解像力Ｉ：Ｄ
低下はまったく心配ない。
実施列２
飢４図は本発明■もうひとつ０実施列における断面図で
ある。実施例１と基本的に等価である■で、異なるとこ
ろを説明する。先導電体１０１゜遮光層１０２の形成後
、再びアルミニウム■蒸着を行ない、島間遮光層４０１
を形成する。４０２は遮光＋ｔ１１０２上に同時に蒸着
されたアルミニウム層である。このようにして得られた
元導電型電気元学装置は、Ｗき込み５’ｅ１０６が読み
出し側に出射することを防止し、さらに読み出し光が光
導体側の透明基板内■繰り反し反射光による光電荷生成
をも防止することができる゛。
ある。実施例１と基本的に等価である■で、異なるとこ
ろを説明する。先導電体１０１゜遮光層１０２の形成後
、再びアルミニウム■蒸着を行ない、島間遮光層４０１
を形成する。４０２は遮光＋ｔ１１０２上に同時に蒸着
されたアルミニウム層である。このようにして得られた
元導電型電気元学装置は、Ｗき込み５’ｅ１０６が読み
出し側に出射することを防止し、さらに読み出し光が光
導体側の透明基板内■繰り反し反射光による光電荷生成
をも防止することができる゛。
嘉５図はもうひとつＯｆ形できり１画素間の遮尤啼？色
素の電着によって得たも０である。５０１は遮光用色着
層、５０２は溶出防止のためのコーティング層である。
素の電着によって得たも０である。５０１は遮光用色着
層、５０２は溶出防止のためのコーティング層である。
具体的には７タロシアニン系やペリレン系の色素とポリ
エステルレジンＯ水溶液中に島状θ光轡電体、遮光１−
を形成した基板を入れ、ＩＴＯ電臘をアノード分隠して
電＠を行なった０次にキュアを行ない、さらＶＣＢｉＯ
２Ｏコーティング１ｉｄ５０２ｔ−１吐温スパツタリン
グによって形成した。
エステルレジンＯ水溶液中に島状θ光轡電体、遮光１−
を形成した基板を入れ、ＩＴＯ電臘をアノード分隠して
電＠を行なった０次にキュアを行ない、さらＶＣＢｉＯ
２Ｏコーティング１ｉｄ５０２ｔ−１吐温スパツタリン
グによって形成した。
以と述べたように本発明によれば、光４一体を島状に分
離し、島状画素間に遮５１−を設置することにより、高
梢面表示における致命的な欠陥となるボケやにじみのな
い投射光に混入する誓き込み光の出射を抑えた優れた表
示を得ることができる。
離し、島状画素間に遮５１−を設置することにより、高
梢面表示における致命的な欠陥となるボケやにじみのな
い投射光に混入する誓き込み光の出射を抑えた優れた表
示を得ることができる。
さらには、遮光層として従来用いることかできなかった
金稿遮光層による簡単な構造の光導電型液晶ライトバル
ブを得ることができた。また島状画素は最密な集合体を
形成しているため投射光Ｏ利用率が高く、金属遮光層Ｏ
優れた反射特性と相まって、明るい表示を提供するもの
である。
金稿遮光層による簡単な構造の光導電型液晶ライトバル
ブを得ることができた。また島状画素は最密な集合体を
形成しているため投射光Ｏ利用率が高く、金属遮光層Ｏ
優れた反射特性と相まって、明るい表示を提供するもの
である。
第１図は本発明の光導電型ライトバルブの断面図。
飢２図は本発明の詳細な説明するため■等価回路図であ
る。 ＠３図（ａ） （６） （６）は本発明の画素形状の列
を示す図である。第３図（ａ）は矩形の集合、膨３図（
６）はハニカム様、第３図（ｃ） ｔｉサイズの異なる
画素の集合である。 窮４図は本発明による画素間を遮光層で埋めた列の断面
図。 哨５図は本発明による画素間を着色層で埋めた列の断面
図である。 １０１・・・光導電体 １０２・・・遮光層 １０３・・・液晶層 １０４・・・応答して＾る液晶層 １０５・・・透明基板 １０６・・・誓き込み光 １０７ 、１０７’＠・透明電膜 １０８・・・外部電源 １０９・・・読み出し光 ４０１・・・画素間遮光ｒ− ５０１＠・・光吸収材層 以 上 出願人 セイコーエプソン沫式会肚 四ロロ ！：ｓ３図（α） 第３図（ｂ） 第３図（Ｃ）
る。 ＠３図（ａ） （６） （６）は本発明の画素形状の列
を示す図である。第３図（ａ）は矩形の集合、膨３図（
６）はハニカム様、第３図（ｃ） ｔｉサイズの異なる
画素の集合である。 窮４図は本発明による画素間を遮光層で埋めた列の断面
図。 哨５図は本発明による画素間を着色層で埋めた列の断面
図である。 １０１・・・光導電体 １０２・・・遮光層 １０３・・・液晶層 １０４・・・応答して＾る液晶層 １０５・・・透明基板 １０６・・・誓き込み光 １０７ 、１０７’＠・透明電膜 １０８・・・外部電源 １０９・・・読み出し光 ４０１・・・画素間遮光ｒ− ５０１＠・・光吸収材層 以 上 出願人 セイコーエプソン沫式会肚 四ロロ ！：ｓ３図（α） 第３図（ｂ） 第３図（Ｃ）
Claims (9)
- （１）光導電体、液晶層、遮光層、電圧印加手段、及び
これらを封止する透明基板を主購成要素とする光導電型
液晶ライトバルブにおいて、前記光導電体は、島状に分
離されていることを特徴とする光導電型液晶ライトバル
ブ。 - （２）前記光導電体は書き込み光ビーム径よりも小い島
に分離されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光導電型液晶ライトバルブ。 - （３）前記光導電体上に設置された遮光層と光導電体は
、島状に分離されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光導電型液晶ライトバルブ。 - （４）前記島状光導電体間に遮光層が設置されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導電型液晶ラ
イトバルブ。 - （５）前記遮光層は金属薄膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光導電型液晶ライトバルブ。 - （６）前記島状光導電体間の遮光層は光吸収材料から成
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光導電
型液晶ライトバルブ。 - （７）前記島状光導電体の形状は、最密な矩形集合であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導電
型液晶ライトバルブ。 - （８）前記島状光導電体の形状は、最密な六角形集合で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導
電型液晶ライトバルブ。 - （９）前記島状光導電体の形状は、大きさの異なる図形
の最密な集合であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光導電型液晶ライトバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8655986A JPS62242919A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8655986A JPS62242919A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62242919A true JPS62242919A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13890368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8655986A Pending JPS62242919A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62242919A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0402944A3 (en) * | 1989-06-16 | 1992-05-27 | Seiko Instruments Inc. | Light addressed liquid crystal light valve |
| US5353139A (en) * | 1991-11-22 | 1994-10-04 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Spatial light modulator with photoconductor of hydrogenated amorphous silicon with 0.1-1.0 ppm boron |
| US5384649A (en) * | 1991-12-26 | 1995-01-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal spatial light modulator with electrically isolated reflecting films connected to electrically isolated pixel portions of photo conductor |
| US5444558A (en) * | 1991-11-22 | 1995-08-22 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Spatial light modulator with photoconductor of hydrogenated amorphous silicon with 0.1-1.0 ppm boron |
| US5612798A (en) * | 1994-05-31 | 1997-03-18 | Tuli; Raja S. | Optically addressed liquid crystal display device having a matrix array of photocells |
| JP2023553542A (ja) * | 2020-10-29 | 2023-12-22 | シューラット テクノロジーズ，インク． | 大面積アレイ化ライトバルブ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911149A (ja) * | 1972-05-29 | 1974-01-31 |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP8655986A patent/JPS62242919A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911149A (ja) * | 1972-05-29 | 1974-01-31 |
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| US5612798A (en) * | 1994-05-31 | 1997-03-18 | Tuli; Raja S. | Optically addressed liquid crystal display device having a matrix array of photocells |
| JP2023553542A (ja) * | 2020-10-29 | 2023-12-22 | シューラット テクノロジーズ，インク． | 大面積アレイ化ライトバルブ |
| EP4237745A4 (en) * | 2020-10-29 | 2024-10-16 | Seurat Technologies, Inc. | LARGE SURFACE ARRAY LIGHT MODULATORS |
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