JPS62245330A - メモリアクセス方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はメモリアクレス方式に関し、特に＝１ンピュー
クの二次記憶システムのメモリアクセス方式に関するも
のである。

側１亘韮 コンビ１−夕の二次記憶システムの１つとして、ＩＣ（
集積回路）メモリ内蔵型の磁気ディスク記憶装置があり
、これは磁気ディスクの低速アクセスという欠点を補う
ために高速のＩＣメモリを内蔵するものである。この場
合、磁気ディスクとＩＣメモリディスクとは独立した別
装置として扱われている。すなわち、これ等磁気ディス
クとＩＣメモリディスクとを制御する装置制御プログラ
ムは、上位装置からのコマンド（装置番号、動作種別、
装置内アドレス、転送バイト数、上位装置内メモリアド
レスを含むものとする）のうち装置番号でもって磁気デ
ィスクかＩＣメモリディスクかの識別を行っている。

かかる従来のＩＣメモリ内蔵型磁気ディスク装置では、
磁気ディスクどＩＣメモリディスクとが独立の装置とし
て扱われているので、ＩＣメモリディスクを利用するた
めにそれ専用のソフトウェアを必要とするという欠点が
ある。例えば、ＩＣメモリディスクは磁気デ、ｆスクの
容量に比べて極端に容量が小である（１００分の１程度
）ので、磁気ディスクとは異なるファイル構造が必要と
なり、専用のＩ１０ドライバが必要となる等の欠点を右
している。

発明の目的 本発明は上記従来のもの欠点を除去すべくなされたもの
であって、その目的とするところは、ＩＣメモリディス
ク専用のソフトウェアを特別に設けることなく高速性を
右づるＩＣメモリディスクを内蔵した磁気ディスク装置
のメモリアクセス方式を提供することにある。

発明の構成 本発明によれば、磁気ディスクメモリと集積回路メモリ
とを有する二次記憶システムにおけるメモリアクセス方
式であって、前記磁気ディスクメモリのアドレス空間と
重複しないアドレス空間を前記集積回路メモリに割当て
ておぎ、上位装置からのコマンドにおけるアドレスが前
記磁気ディスクメモリ及び前記集積回路メモリのいずれ
のアドレス空間に相当するかを判別するアドレス判別手
段を設け、このアドレス判別結果に応じて対応するメモ
リのアクセスを行うようにしたことを特徴とするメモリ
アクセス方式が得られる。

友１１ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の実施例のブロック図であり、磁気ディ
スク１は回転磁気ディスクによる通常の磁気ディスクメ
モリであり、例えば１００メガバイトの記憶容量と３０
ミリ秒の平均アクセス速度を有するものとする。磁気デ
ィスクコントローラ２はＣＰＬＩ　（プロセッサ）６か
らの指示により磁気ディスク１の動作を制御するための
ものである。

通常はＬＳＩ（大規模集積回路）化された専用コントロ
ーラが用いられる。

ＩＣメモリ３は通常の半導体メモリであり、例えば１メ
ガバイトの記憶古漬と１マイクロ秒のアクセス速度を右
するしのとする。バッテリ４は充電可能なバッテリであ
り、電源断時においてＩＣメモリ３の記憶内容を保持す
るものである。

インタフェース回路５は上位装置（図示Ｕず）からのコ
マンドや転送データを保持したり、外部バス９と内部バ
ス８とのタイミングの調整を行うものである。ＣＰｔＪ
６は制御プログラム７の制御手順に従って本磁気ディス
ク装冒全体を制御するものであり、制御プログラム７の
概要フローチャートが第２図に示されている。

磁気ディスク１とＩＣメモリ３とは同一装置番号が付与
されてＪ３す、この同一装置内アドレス空間において、
磁気ディスク１のメモリアドレス空間とＩＣメモリ３の
アドレス空間とはｎいに重複しない様にこれ等両メモリ
のアドレスが予め割当てられている。本実施例では、例
えば装置内アドレス空間のうちアドレスｉからｊまでを
ＩＣメモリ３のアドレス空間として割当て、他を磁気デ
ィスク１のアドレス空間に割当てるものとする。

第２図のフ【］−］サヤ−１を参照しつつ第１図の実施
例の＋ｈ作を説明する。ステップ２１にＪ３いて−１−
位装置からのコマンドチェックが行われ、当課磁気ディ
スク装置に対する：１マントが存在すれぼステップ２２
においてそれが判別される。ステップ２３において、当
該コマンドのうち装置内アドレスがｉ−ｊの範囲にある
か否かがプログラム７にて判定され、その範囲内であれ
ば、このコマンドはＩＣメモリ３へのアクセスであるの
で、ステップ２４にてＩＣメモリ３へのアクセス処理が
行われる。１〜ｊの範囲外であれば磁気ディスク１への
アクセスであるので、ステップ２５にて磁気ディスク１
へのメモリアクセス処理が行われるのである。

発明の効果 叙上の如く、本発明によれば、磁気ディスクメモリとＩ
Ｃメモリとを同一装置とみなして、これ等メモリに対し
てアドレスが互いに重複しない様に予め同一装置内アド
レス空間において互いのアドレスを定めておくことによ
り、上位装置からは磁気ディスクアドレス空間の特定範
囲（ｉ−ｊ）を高速アクセス処理可能となるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のブロック図、第２図は第１図
のブロックの動作フロー図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・磁気ディスク ３・・・・・・ＩＣメモリ ６・・・・・・ＣＰＵ ７・・・・・・制御プログラム

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気ディスクメモリと集積回路メモリとを有する二次記
   憶システムにおけるメモリアクセス方式であって、前記
   磁気ディスクメモリのアドレス空間と重複しないアドレ
   ス空間を前記集積回路メモリに割当てておき、上位装置
   からのコマンドにおけるアドレスが前記磁気ディスクメ
   モリ及び前記集積回路メモリのいずれのアドレス空間に
   相当するかを判別するアドレス判別手段を設け、このア
   ドレス判別結果に応じて対応するメモリのアクセスを行
   うようにしたことを特徴とするメモリアクセス方式。