JPS62254393A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 主１よ皇■且立… 本発明は、文字、図形等の情報をドントマトリクス表示
する薄膜ＥＬ７トリクス型ディスプレイパネルの製造方
法に関するものである。

盗」Ｉ目り屯 例えば、薄膜ＥＬマトリクス型ディスプレイパネルの構
造例を第４図を参照しながら説明する。尚、第４図の左
半分はＸ方向の断面図、右半分はＸ方向と直交するＹ方
向の断面図である。

第４図に示すように透光性基板であるガラス基板（１）
上に、１．Ｔ、０等からなる透明電極（２）を、蒸着法
等によりＸ方向に定ピンチでストライプ状に被着形、成
する。この透明電極（２）及びガラス基板（１）上に、
Ａｌ２Ｏ３やＹ２Ｏ３等からなる透明な第１の絶縁層（
３）を蒸着法又はスパッタ法により形成し、更に上記第
１の絶縁層（３）上に、ＺｎＳ：Ｍｎ等からなる発光層
（４）を蒸着等で形成する。次に上記発光層（４）上に
、Ａｌ２Ｏ３やＹ２Ｏ３等からなる透明な第２の絶縁ｆ
ｆｉ　（５）を蒸着又はスパッタ法により被着形成し、
更にこの第２の絶縁層（５）上に、Ａ１等からなる背面
電極（６）を蒸着法によりＹ方向に定ピツチでストライ
プ状に被着形成する。

その後、上述のようにしてガラス基板（１）上に形成さ
れた薄膜ＥＬ素子（７）を囲繞するように、逆型状のカ
バーガラス（８）を上記ガラス基板（１）上に固着し、
このカバーガラス（８）とガラス基板（１）とからなる
外囲器内に、上記薄膜ＥＬ素子（７）の耐湿性を向上さ
せるため、シリコンオイル等の絶縁性保護流体を封入す
る（特開昭５７−７０８６号公報）。

このようにして製造された！ＩＩＩＬマトリクス型ディ
スプレイパネルでは、１本おきにガラス基板（１）の反
対側の周辺部上まで延設された透明電極（２）と背面電
極（６）の端部間に駆動電圧を選択的に印加すると、上
記両電極（２）（６）がマトリクス状に交差することに
より形成された発光層（４）の画素部分が選択的に発光
して所望の情報のドツトマトリクス表示が行われる。

ｌｌ慣°シ゛　　るい占 とこ為で、前記薄膜ＥＬ素子（７）の形成時ガラス基板
（１）上にストライブ状の透明電極（２）を形成した後
、この透明電極形成済みのガラス基板（１）上に、第１
の絶縁層（３）を蒸着又はスパッタ法で被着形成してい
る。この時、第４図に示すように上記透明電極形成済み
のガラス基板（１）の表面に、透明電極（２）による段
差が生じているため、このガラス基板（１）上に第１の
絶縁Ｍ（３）を形成すると、上記透明電極（２）のエツ
ジ部と対応する第１の絶縁層（３）の一部の膜厚が薄く
なる。これは、第１の絶縁層（３）上に順次形成される
発光層（４）、第２の絶縁層（５）及び背面電極（６）
についても同様に、上記各層（４）（５）（６）の一部
の膜厚が薄くなって薄Ｉ５！ＥＬ素子（７）の全体に段
差が生じていた。この結果、パネル駆動時、上記各層（
３）（４）（５）の膜厚が薄くなった箇所で電界が集中
して絶縁破壊が発生し易く、薄膜ＥＬ素子（７）の絶縁
耐圧が低下すると共に寿命も短くなるという問題点があ
った。

そこで、本発明の目的は、透明電極形成済みのガラス基
板（１）上に、段差のない第１の絶縁層を形成する方法
を提供することにある。

！題ζ　　゛　るた　の 本発明は前記問題点に鑑みて提供されたもので上記目的
を達成するための技術的手段は透光性基板上に、ストラ
イブ状の透明電極、第１の絶縁層、発光層、第２の絶縁
層及び背面電極を順次積層して薄膜ＥＬ素子を形成する
薄１１１ＥＬパネルの製造方法において、上記透明電極
形成済みの透光性基板上に第１の絶縁層を形成するに際
し、イオンプレーティング法で透光性基板に対するバイ
アス電圧を透明電極に印加することにより、透明電極間
の透光性基板上に第１の絶縁層を予め選択的に被着させ
て上記透光性基板上を平坦化することである。

昨月。

本発明方法によれば、イオンプレーティング法により透
明電極間の透光性基板上に第１の絶縁層を予め形成して
上記透光性基板表面を平坦化した上で、更に上記第１の
絶縁層を透光性基板上に形成するから、透明電極形成済
みの透光性基板上での段差をなくして成膜でき、平坦な
第１の絶縁層、延いては発光層、第２の絶１！層及び背
面電極を形成することが可能となる。

Ｈ 本発明に係る薄膜ＥＬパネルの製造方法の一実施装置例
を第１図及び第２図を参照しながら説明する。

本発明の特徴は、透明電極形成済みの透光性基板トに第
１の絶縁層を形成する方法にある。

第１図及び第２図に示す実施装置例は、熱電子を利用し
たイオンプレーティング装Ｒ（９）で、その内部空間は
不活性ガス雰囲気に設定される。このイオンプレーティ
ング装置（９）における（１０）は、下部空間に固定配
置された坩堝（１１）に収容された蒸発源で、後述の第
１の絶縁層の材質となる、＾１２０３やＹ２Ｏ３等の絶
縁材料である。　　（１２）は上記蒸発源（１０）の下
方に配置された電子銃等の電子ビーム発生源、（１３）
は上記蒸発源（１０）の上部側方近傍に配置されたタン
グステンフィラメントからなる熱電子放射電極で、電源
（１４）により蒸発源（１０）に対して所定の負電圧が
印加される。　　（１５）は上記熱電子放射電極（１３
）の若干上方に配置されたイオン化電極で、蒸発源（ｌ
Ｏ）からの蒸発粒子をイオン化させるため、電源（１６
）により前記蒸発源（１０）に対して所定の正電圧が印
加される。　　（１７）は蒸発源（１０）の上方に開閉
自在に配置されたシャッタ、（１日）は後述する透明電
極形成済みのガラス基板の近傍に配置された膜厚モニタ
で、上記ガラス基板及び透明電極上に形成される第１の
絶縁層の膜厚を監視する。

上記イオンプレーティング装置（９）で第１の絶縁層を
形成するに際して、第１図に示すようにまず透光性基板
であるガラス基板（１９）上に、１．Ｔ、０等からなる
透明電極（２０）を蒸着法等によりＸ方向に定ピツチで
ストライプ状に形成したものを用意する。この透明電極
形成済みのガラス基板（１９）を、透明電極側を蒸発源
（１０）に対向させた状態でイオンプレーティング装置
（９）の上部空間に配置する。この時、上記ガラス基板
（１９）には、電源（２１）により蒸発源（１０）に対
して正電圧を常時印加すると共に、ガラス基板（１９）
上の透明電極（２０）には、ガラス基板（１９）とは逆
に電源（２２）で蒸発？ｓ　（１０）に対して負のバイ
アス電圧を選択的に印加し、このバイアス電圧の選択的
印加は、スイッチ（２３）のＯＮ　−ＯＦＦによって随
時制御される。

この状態で蒸発源（１０）に電子ビーム発生源（１２）
から電子ビームＬを照射すると、上記蒸発源（ｌＯ）が
局部加熱されて前記絶縁材料の粒子が放出される。一方
、上記蒸発源（ｌＯ）の近傍に配置された熱電子放射電
極（１３）から放出された熱電子Ｌ゛は、正電圧が印加
されたイオン化電極（１５）に吸引され、この熱電子放
射電極（１３）とイオン化電極（１５）間で電子流が発
生する。この電子流により蒸発源（１０）から飛出した
蒸発粒子はイオン化されるが、この時、シャフタ（１７
）が閉状態にあるのでそのイオン化粒子は上記シャッタ
（１７）で遮断される。上記蒸発源（１０）からの粒子
の蒸発量が安定した時点で、シャフタ（１７）を開放し
、前記ガラス基板（１９）に正電圧を印加すると共にス
イッチ（２３）のＯＮにより透明電極（２０）に負のバ
イアス電圧を印加すると、高エネルギーを有するイオン
化粒子はガラス基板（１９）上に達し、透明電極（２０
）間のガラス基板（１９）上に被着する、この成膜状態
を膜厚モニタ（１８）にて監視しながら最終的に上記透
明電極（２０）間のガラス基板（１９）上にのみ、第１
の絶縁層（２４ａ）を形成して透明電極（２０）により
ガラス基板（１９）上に生じていた段差をなくして上記
ガラス基板（１９）の表面を平坦化する。

この第１の絶縁層（２４ａ）の形成後、第２図に示すよ
うに前記スイッチ（２３）を開放すればミ透明電極（２
０）にバイアス電圧が印加されないため、蒸発源（１０
）からのイオン化粒子は透明電極（２０）及び第１の絶
縁層（２４ａ）の全面に亘って被着する。そしてその成
膜状態を膜厚モニタ（１８）にて監視しながら、上記透
明電極（２０）及び第１の絶縁層（２４ａ　）上に第１
の絶縁層（２４ｂ　）を形成して、ガラス基板（１９）
及び透明電極（２０）上に最終的に平坦な第１の絶縁層
（２４）を形成する。

その後、第３図に示すように従来と同様に、上記第１の
絶縁層（２４）上に、ＺｎＳ：Ｍｎ等からなる発光層（
２５）　、Ａ７．　ｏ、、やＹ２Ｏ３等からなる第２の
絶縁層（２６）　、Ａ７等からなるＹ方向に定ピツチの
ストライプ状背面電極（２７）を蒸着法等により順次積
層して薄１５１ＥＬ素子（２８）をガラス基板（１９）
上に形成する。更に上記ガラス基板（１９）上にカバー
ガラス（２９）を固着すると共に、その内部にシリコン
オイル等の絶縁性保護流体を封入して薄膜ＥＬマトリク
ス型ディスプレイパネルが製造される。

尚、上記実施例では、ガラス基板（１９）上の透明電極
（２０）に印加されるバイアス電圧は、スイッチ（２３
）のＯＮ　−ＯＦＦにより選択的に制御されるが、本発
明方法ではこれに限定されることなく、上記バイアス電
圧の電ｍ　（２２）を連続的に可変するようにしてもよ
く、また第１の絶縁層（２４ａ　）の形成後、上記透明
電極（２０）にガラス基板（１９）と同極性の電圧を印
加することも可能である。

上記第１の絶縁＊（２４ａ）を形成して平坦化した後、
第１の絶縁層（２４ｂ　）の形成は、上記実施例で説明
したイオンプレーティング法以外に、従来と同様、蒸着
法やスパンタ法を使用することも可能である。

発皿坐蓋来 本発明方法によれば、透明電極形成済みの透光性基板表
面をイオンプレーティング法により第１の絶縁層で透明
電極による段差をなくして予め平坦化するようにしたか
ら、最終的に第１の絶縁層、発光層、第２の絶縁層及び
背面電極を平坦に成膜でき、上記各層における膜厚の薄
い箇所が皆無となる。これによりパネル駆動時、電界が
均等に加わって絶縁破壊も発生し難くなり、Ｉ！ｌ縁耐
圧が向上すると共に長寿命化が図れて、信頼度の高い薄
膜ＥＬパネルを提供することが実現容易となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係る薄膜ＥＬパネルの製造
方法の一実施装置例を示す概略構成図、第３図は本発明
方法により製造された薄膜ＥＬパネルを示す新面図で、
左半分はＸ方向の断面図、右半分はＹ方向の断面図であ
る。 第４図は従来方法により製造された薄１１ＪＥＬパネル
の構造例を示す断面図で、左半分はＸ方向の断面図、右
半分はＹ方向の断面図である。 第５図は第４図の部分拡大断面図である。 （１９）　−・・−透光性基板、（２０）　−・透明電
極、（２４ａ　）・・−第１の絶縁層、 （２５）　−発光層、（２６）・・−・第２の絶縁層、
（２７）・−・背面電極。 Ｙ　−”Ｉ’　　　　／ＱｉｔｆｋＫｇｌ　　　　　　
　　　Ｘ　−Ｘ第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　透光性基板上に、ストライプ状の透明電極、第
   １の絶縁層、発光層、第２の絶縁層及び背面電極を順次
   積層して薄膜ＥＬ素子を形成する薄膜ＥＬパネルの製造
   方法において、 上記透明電極形成済みの透光性基板上に第１の絶縁層を
   形成するに際し、イオンプレーティング法で透光性基板
   に対するバイアス電圧を透明電極に印加することにより
   、透明電極間の透光性基板上に第１の絶縁層を予め選択
   的に被着させて上記透光性基板上を平坦化することを特
   徴とする薄膜ＥＬパネルの製造方法。