JPS62255446A - 3−置換ビフエニル化合物 - Google Patents

3−置換ビフエニル化合物

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JPS62255446A
JPS62255446A JP61096018A JP9601886A JPS62255446A JP S62255446 A JPS62255446 A JP S62255446A JP 61096018 A JP61096018 A JP 61096018A JP 9601886 A JP9601886 A JP 9601886A JP S62255446 A JPS62255446 A JP S62255446A
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Hiromichi Inoue
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Koji Ono
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は新規な有機化合物及び該化合物を含有する液晶
組成物に関し、更に詳しくは強誘電性液晶を利用する光
スイツチング素子用に有用なカイラルスメクチック液晶
組成物の成分として有用なビフェニル系化合物に関する
〔従来の技術〕
現在、液晶表示素子としてはT N (Twisted
Nemattc ) 聾表示方式が最も広く用いられて
いるが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレクト
ロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等)と比較し
て劣っておシ、この点に於ける改善は種々試みられてい
るにも拘らず、大巾な改善の可能性はあまり残っていな
いようである。
そのためTN型表示素子に代わる別の原理による液晶表
示装置が種々試みられているが、その一つに強誘電性液
晶を利用する表示方式がある(N、 A、 C1ark
ら; Applied Ph3’s、 Iett、 。
36.899(1980))、この方式は強誘電性液晶
のカイラルスメクチックC相(以下SC*相と略称する
ンあるいはカイラルスメクチックH相(以下SR*相と
略称する)を利用するもので、それらの相が室温付近く
ある液晶材料が望まれている。
ところでSC*相を利用する強誘電性表示素子はTN表
示方式にくらべて3つのすぐれた特徴を有している。第
1の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は通常の
TN表示方式の素子と比較すると、応答時間は1/10
0以下である。第2の特徴はメモリー効果があることで
あり、上記の高速応答性とあいまって、時分割駆動が容
易である。第3の特徴はTN表示方式で濃淡の階調をと
るには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧の
温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問がある。
しかしSC*相の光スイツチング効果を応用する場合に
は極性の反転時間を調節することによシ、容易に階調を
得ることができ、グラフィック表示に非常に適している
しかしながらこのような優れた特性があるにもかかわら
ず、現在知られているカイラルスメクチック組成物のS
C*相領域が、特に低温部に於いてはまだ不充分であシ
、実用面からもその低温領域をカバーする液晶物質が待
望されてきた。そこで本発明者らは比較的低温に液晶領
域を持つビフェニル系化合物に注目した。しかし、一般
に知られているビフェニル系液晶物質は下記のようにS
C相以外のスメクチック相を持つことが多く、カイラル
スメクチック組成物用の成分としては問題があった( 
Demus、 D et allJ、Pb)’s Co
1136.349 (1975) )。
CaH1s色X)oCaH+s そこで本発明者らは、3位をハロゲン置換したビフェニ
ル系化合物について鋭意研究した結果、それらがカイラ
ルスメクチック液晶組成物の成分としてずぐれ九特性を
有することを見出し、本発明に到達した。
〔発明の構成−問題を解決する手段〕
即ち、本発明は一般式 %式%() (上式に於て、R1,R2のいずれか一方がメチル分岐
を有する炭素数4〜18のアルキル基、他方が炭素数2
〜18のアルキル基でおり、XはF又はCtのハロゲン
原子又はシアノ基を示す) で表わされる3−[換ビフェニル化合物及び少くともそ
の1種を含有するカイラルスメクチック液晶組成物であ
る。
(1)式の化合物にはメチル分岐に基づく光学活性体と
そのラセミ体が存在するが、いずれもカイラルスメクチ
ック組成物用の成分としては共通の利点含有する。又後
に示す様に、それ自体がスメクチック液晶相を示すもの
と示さないものかめるが、いずれもカイラルスメクチッ
クの成分として同様の効果金有する。
(1)式の化合物の代表的なものの物性値(相転移点)
?第1表に示す。
〔発明の作用、効果〕
本発明の(I)式の化合物tカイラルスメクチック液晶
組成物の成分として使用すると、その組成物のSA相、
SC*相以外の秩序度の高い他の液晶摺が形成しにくく
なる傾向があり、カイラルスメクチック液晶組成物の低
温領域をカバーするすぐれた特性をもつ化合物である。
また、ビフェニル系化合物のもう一つの大きな特性とし
て粘性が低い点をあげることができる。前述の通りカイ
ラルスメクチック液晶組成物を利用した表示素子の大き
な利点はその応答速度、すなわち電界ICよって分子が
反転する時間が短いことであり、粘性が低いことはその
反転を阻害しないという点からも、他の液晶化合物、例
えばエステル系液晶化合物など(で比べ、本発明のビフ
ェニル系化合物がカイ2ルスメクチソク成品組成物用の
成分に用いられる化合物としてより秀れ比特性を持って
いるといえる。
本発明の化合物金カイラルスメクチック組成物として使
用する場合、必ず他のカイラルスメクチック化合物を必
要とするが、その種類は特に限定されない。
尚、(1)式の化合物のうち光学活性体のものは光学活
性炭素原子全有するため、これをネマチック液晶に添加
することによって捩れた構造を誘起する能力を有する捩
れた構造を有するネマチック液晶、即ちカイラルネマチ
ック液晶はTN型表示素子のいわゆるリバース・ドメイ
ン(reverse domain 、  Lま模様)
を生成することがないので(1)式の化合物はリバース
・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
〔化合物の製法〕
(1)式の化合物のうち、Xがハロゲン原子のものは下
記の如くの経路により製造することができる。
(8)中 即ち、公知の2−ハロゲノ−4−ブロモフェノール(1
) (X −CLのものは市販品もある)をメチルエー
テル化したのちマグネシウムを作用させグリニャル試薬
(3)とし、これにシクロヘキサノンを反応させ(4)
の化合物とする。さらに脱水素化を行ない(5)の化合
物としたのち、熱水塩化アルミニウム触媒下、フリーデ
ルクラフッアシル化反応を行ない、生成しん化合物(6
)を還元することによりアルキルM f:導入すること
ができる。このものはさらに臭化水素rl−;r作用さ
せ化合物(8)としたのち、既知の方法でエーテル化を
行ない目的物である(1)式の化合物を得ることができ
る。
又、(1)式でXがCN基のものは次の経路で好適に製
造される。
ここで第1段の臭素化はp−ジオキサン中桁なうのが好
ましく、又第2段のエーテル化と第3段のシアン置換反
応はその順序を逆にすることもできる。
尚、いずれの場合に於てもR1、R2導大の原料となる
R”Br 、 R”C0Ct又は■工0−@@r−R2
のいずれか1つが光学活性体の場合は生成する(1)式
の化合物も光学活性体となり、又原料にラセミ体を使用
した場合は最終目的物もラセミ体となる。そして光学活
性体とそれに対応するラセミ体ではラセミ体がカイラル
性を示さないだけでほぼ同じ相転移点を示す。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明の化合物及び液晶組成物につ
き更に詳細に説明する。
実施例1 〔光学活性G)−3−フルオロ−4−(7“−メチルノ
ニルオキシ) −4’−デシルビフェニルCH。
量 ((I)式に於いてR1” CtHsCH+CHr3y
 、 R” −* C1゜Hゎ、X−Fのもの(化合物凪9))の製造〕 (+)3−フルオロ−4−メトキシビフェニルの製造 2−フルオロ−4−ブロモフェノール(1)382.0
y(2,0モル)をエタノール1000yxlに溶解し
、水酸化カリウム118.0y(2,0モル)を加え十
分攪拌したのち、ここにヨウ化メチル312.3f(2
,2モル)を滴下し、4時間還流した。エタノールの大
部分を留去し、残置全減圧蒸留し65〜66°c (4
,5B)(g )  の留分全集め2−フルオロ−4−
プロモアニンール(2)328.Of’を得た。これを
ジエチルエーテル中でマグネシウム38.91−作用し
2−フルオロ−4−アニシルマグネシウムブロマイド(
3)としたのち、7°C以下でシクロヘキサノン157
゜Ofl:1.6モル)に滴下し、室温でさらに約30
分攪拌した。ここに6N−HCt350 *tを加え、
1時間還流したのち、有機層を水洗しさらにジエチルエ
ーテルを留去し、残置全エタノールから再結晶して、3
−フルオロ−4−アニシルシクロヘキセン−1(4)1
 s O,4fk得fc、。
このものの融点は49.0〜50.0 ’Cであった。
この3−フルオロ−4−アニシルシクロヘキセン−11
12,010,55モル)?キシレン700flに溶解
し、p−クロラニル267− Of(1,1モル)を加
え4時間還流した。生成したテトラクロロハイドロキノ
ンは戸別し、炉液を2N−水酸化ナトリウム水溶液で水
洗したのち溶媒を留去し、残置を活性アルミナ金充填し
たカラムクロマトにかけたのちエタノールから再結晶す
ることにより融点84.5〜86.0 ’Cの3−フル
オロ−4−メトキシビフェニル(5) 69.2ノを得
た。
(II) 3−フルオロ−4−ヒドロキシ−4′−デシ
ルビフェニルの製造 (1)で得られた3−フルオロ−4−メトキシビフェニ
ル60.0 ! (0,3モル)とデカン酸塩化物60
.0y(0,3モル)全二硫化炭素420震lに溶解し
、これを二硫化炭素中の無水塩化アルミニウム42.O
f中KIO″C以下で滴下し、1時間程加熱した。次に
6 N−HC260mlを加えたのち二硫化炭素を留去
し、析出した結晶全戸別し、酢酸エチルから再結晶した
ところ3−フルオロ−4−メトキシ−4′−ノニルカル
ボニルビフェニル(6)87.99を得た。このものの
86.7V(0,24モル)ヲイングロビルアルコール
900 mlに加乏−置拌しながら水素化ホウ素ナトリ
ウム6.91 (0,18モル)を−気に加え30分還
流ののち6N−HCt 360 dを加えさらに1時間
還流した。イソプロピルアルコールを留去したのちトル
エンに溶解し十分に水洗したのちトルエンを留去した。
残置はこのままパラジウム−炭素存在下、水素添加を行
ない58.8Fの3−フルオロ−4−メトキシ−4′−
デシルビフェニル(7) を得た。この3−フルオロ−
4−メトキシ−4′−デシルビフェニル58.8投入し
析出した結晶を戸別したのち、酢酸から再結晶して39
.3 fの3−フルオロ−4−ヒドロキシ−4′−デシ
ルビフェニル(8)’を得た。このものの融点は101
.6〜102.3℃であった。
;110標題化合物の製造 (+1)で得うした3−フルオロ−4−ヒドロキシ−4
′−デシルピフエニル8.01 (0,024モル)を
メタノール50dに溶解し、水酸化カリウム0.57I
C0,026モル)全戸えしばらく交拌したのち既知の
方法で製造した光学活性々(S)−7−メチルノニルブ
ロマイド5.751 (0,026モA/)e加え5時
間還流する。溶媒留去ののち残有をエタノールから再結
晶し、目的物である7、2gの[F])−3−フルオロ
−(7“−メチルノニルオキシ)−4′−デシルビフェ
ニルヲ得た。このものの相転移点はC−3A点32.5
℃、SA−1点:(9,5℃、S A −SC*点30
.1℃であつfcoまた、このものの元素分析値は、次
の如く計算値とよく一致した。
実測値 計算値 (C5tL。OFとして)C81,9
0% 82.00% H10,40% 10.54% F  4.10% 4.05% 同様にして得られた他の(1)式の化合物の物性呟を第
1表に示す。
実施例2(使用例) 第1表中の本発明の化合物を用いて、下記の如き組成の
液晶組成物を調製した。
化合物−940重量% 化合物NIIL8   30]it% 化合物磁5   303[量% 上記液晶組成物の融点は20.6℃であシ、その高温側
でSC*相となり、26.7°CでSA相、37.3°
Cで等方性液体となる。
上記液晶組成物60重t%に、下記の本発明外のカイ2
ルスメクチック液晶化合物を各々20重量%添加し、カ
イラルスメクチック液晶組成物を調製した。
不 得られた組成物を、配向処理剤としてPVA(ポリビニ
ルアルコール)を塗布し、表面に平行配向処理を施した
透明電極を備えたセル厚2μmのセルに圧入し、この液
晶素子2枚の直交する偏光子の間に設置し、電圧を15
v印加すると透過光強度の変化が観察された。
この透過光強度の変化より応答時間を求めると、25°
Cで約150 μ86Cであった。
上記液晶組成物の融点は−4,0℃であり、それより高
温側でSC*相を示し、40.2 ”CでSA相、44
.8℃で等方性液体となる。過冷却状態は、−9,0°
Cまで確認され、この温度までSC*相を示し、他のス
メクチック相は認められなかった。
なお、自発分極の大きさは、25℃にて14n C/d
 、チルト角の大きさは25℃にて22゜であった。
以上のように、本発明の一般式(1)で示される化合物
と光学活性な液晶化合物を混合することにより、応答性
に優れた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が得
られることが判る。
以上 特許出j人 チッソ株式会社

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上式に於てR^1、R^2のいずれか一方がメチル分
    岐を有する炭素数4〜18のアルキル基、他方が炭素数
    2〜18のアルキル基であり、XはF又はClのハロゲ
    ン原子又はシアノ基を示す) で表わされる3−置換ビフェニル化合物。
  2. (2)( I )式に於けるメチル分岐を有するアルキル
    基に基づく光学活性体である特許請求の範囲第1項記載
    の化合物。
  3. (3)ラセミ体である特許請求の範囲第1項記載の化合
    物。
  4. (4)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上式に於てR^1、R^2のいずれか一方がメチル分
    岐を有する炭素数4〜18のアルキル基、他方が炭素数
    2〜18のアルキル基であり、XはF又はClのハロゲ
    ン原子又はシアノ基を示す) で表わされる3−置換ビフェニル化合物の少くとも1種
    を含有することを特徴とするカイラルスメクチック液晶
    組成物。
  5. (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上式に於てR^1、R^2のいずれか一方がメチル分
    岐を有する炭素数4〜18のアルキル基、他方が炭素数
    2〜18のアルキル基であり、XはF又はClのハロゲ
    ン原子又はシアノ基を示す) で表わされる3−置換ビフェニル化合物の少くとも1種
    を含有するカイラルスメクチック液晶組成物が呈するカ
    イラルスメクチックC相を利用してなる光スイッチング
    素子。
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