JPS62286261A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62286261A JPS62286261A JP61130645A JP13064586A JPS62286261A JP S62286261 A JPS62286261 A JP S62286261A JP 61130645 A JP61130645 A JP 61130645A JP 13064586 A JP13064586 A JP 13064586A JP S62286261 A JPS62286261 A JP S62286261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor region
- electrodes
- conductor
- chip
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
３、発明の詳細な説明
本発明は、放熱用金属基板上に絶縁基板を介して固定さ
れる半導体素子片上の電極に外部端子が接続される半導
体装置に関する。
れる半導体素子片上の電極に外部端子が接続される半導
体装置に関する。
パワートランジスタなどの半導体装置では、電流容量が
大きくなるため断面の大きい外部端子を必要とする。一
方、パワートランジスタのエミッタ電極あるいはベース
を掻は小面積あるいは幅の狭い条状に形成され、チップ
面上に分散されることが多く、断面の大きい端子を直接
接続することは困難である。そこで第２図ｆａｌ、（ｂ
ｌに示すように、パワートランジスタチップ１のコレク
タ面を放熱用金属基板３に固着されたセラミック１ｖｉ
２の表面にメタライズして形成されたコレクタ導電領域
４にろう付けし、同様に絶縁基＋１７ｉ ２の表面に形
成されたエミッタ導ｔｅＭ域５．ベース導電領域６とチ
ップ１の表面上のエミッタを橿およびベース電橋とをｉ
線７で接続し、このエミッタ導線領域５゜ベース導電領
域６およびコレクタ導電領域４に蓋体９を貫通する外部
端子８をろう付けした構造のものが知られている。 ところが、この様な半導体装置では、第２図に示す様に
、絶縁基板２上にエミッタおよびベースの配線に用いる
導線７を接続しかつ外部端子８と接続するだめのエミッ
タ導電領域５．ベース導電領域６の面積および各Ｒ電部
分間同志の絶縁距離を適正にとるための面積を必要とし
、絶縁基板２および放熱用基板３が本来パワートランジ
スタチップ１を放熱するために必要充分な大きさよりも
大きくなってしまうばかりでなく、導線７を接続するた
めの工程を必要とする欠点を有する。
大きくなるため断面の大きい外部端子を必要とする。一
方、パワートランジスタのエミッタ電極あるいはベース
を掻は小面積あるいは幅の狭い条状に形成され、チップ
面上に分散されることが多く、断面の大きい端子を直接
接続することは困難である。そこで第２図ｆａｌ、（ｂ
ｌに示すように、パワートランジスタチップ１のコレク
タ面を放熱用金属基板３に固着されたセラミック１ｖｉ
２の表面にメタライズして形成されたコレクタ導電領域
４にろう付けし、同様に絶縁基＋１７ｉ ２の表面に形
成されたエミッタ導ｔｅＭ域５．ベース導電領域６とチ
ップ１の表面上のエミッタを橿およびベース電橋とをｉ
線７で接続し、このエミッタ導線領域５゜ベース導電領
域６およびコレクタ導電領域４に蓋体９を貫通する外部
端子８をろう付けした構造のものが知られている。 ところが、この様な半導体装置では、第２図に示す様に
、絶縁基板２上にエミッタおよびベースの配線に用いる
導線７を接続しかつ外部端子８と接続するだめのエミッ
タ導電領域５．ベース導電領域６の面積および各Ｒ電部
分間同志の絶縁距離を適正にとるための面積を必要とし
、絶縁基板２および放熱用基板３が本来パワートランジ
スタチップ１を放熱するために必要充分な大きさよりも
大きくなってしまうばかりでなく、導線７を接続するた
めの工程を必要とする欠点を有する。
本発明は、上記の欠点を除去して、小さい占を面積で半
導体素子と外部端子との接続が可能であり、しかも導線
による配線を用いないで組立て工程の簡素化が図れる半
導体装置を提供することを目的とする。
導体素子と外部端子との接続が可能であり、しかも導線
による配線を用いないで組立て工程の簡素化が図れる半
導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、半導体素子片の反絶縁基板側の表面の電極を
突起ｔｉとして形成し、その突起電極を素子片の前記表
面に対向する絶縁体上の導電領域の一部に固着し、その
導電領域の他部に外部端子を接続するもので、絶縁基板
上の導電領域も導線による接続も不要となるので上部の
目的が達成される。
突起ｔｉとして形成し、その突起電極を素子片の前記表
面に対向する絶縁体上の導電領域の一部に固着し、その
導電領域の他部に外部端子を接続するもので、絶縁基板
上の導電領域も導線による接続も不要となるので上部の
目的が達成される。
第１図ｉａｌ、１１は本発明の一実施例を示し、第２図
と共通の部分には同一の符号が付されている。 この場合も第２図と同様にパワートランジスタチップｌ
のコレクタ面が放熱用金属基ｖｉ３に固着された絶縁基
板２上のメタライズ導ｉ１１ Ｓｉ域４とろう付けされ
ているが、チップ１の自由表面に対向して同様にメタラ
イズにより導電領域を形成した絶縁板１０が配置されて
いる。絶縁板１０の導ｔ ｗＩ域には予め外部端子８が
接続されており、他の外部端子８１をコレクタ導電領域
４にろう付けすると共に、絶縁板１０の導電領域の一部
を突起電極１１として形成されたチップ１上のエミッタ
電極およびベース電極と融着させる。これにより第２図
における絶縁基板２の上のエミッタ導電領域５およびヘ
ース導電令買域６を省略でき、また接続のための導線７
も不要となる。
と共通の部分には同一の符号が付されている。 この場合も第２図と同様にパワートランジスタチップｌ
のコレクタ面が放熱用金属基ｖｉ３に固着された絶縁基
板２上のメタライズ導ｉ１１ Ｓｉ域４とろう付けされ
ているが、チップ１の自由表面に対向して同様にメタラ
イズにより導電領域を形成した絶縁板１０が配置されて
いる。絶縁板１０の導ｔ ｗＩ域には予め外部端子８が
接続されており、他の外部端子８１をコレクタ導電領域
４にろう付けすると共に、絶縁板１０の導電領域の一部
を突起電極１１として形成されたチップ１上のエミッタ
電極およびベース電極と融着させる。これにより第２図
における絶縁基板２の上のエミッタ導電領域５およびヘ
ース導電令買域６を省略でき、また接続のための導線７
も不要となる。
本発明によれば、半導体素子片上の電極を突起電極とし
て形成し、素子片と対向する絶縁体上の導電部分に直接
固着させることにより、放熱用金属基板に固着される絶
縁基板表面の半導体素子片上の電極と導線で接続される
導電領域を設ける必要がなくなり、絶ｍ基板および金属
基板を小形にでき、また導線による接続工程が不要とな
るので半導体装置を組立てるために要する時間が短縮で
きる効果が得られる。
て形成し、素子片と対向する絶縁体上の導電部分に直接
固着させることにより、放熱用金属基板に固着される絶
縁基板表面の半導体素子片上の電極と導線で接続される
導電領域を設ける必要がなくなり、絶ｍ基板および金属
基板を小形にでき、また導線による接続工程が不要とな
るので半導体装置を組立てるために要する時間が短縮で
きる効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の要部を示し、ｔａ＋にトラ
ンジスタチップを固着した基板の平面図、山１は外部端
子を接続した状態での側面図、第２図は従来の半導体装
置を示し、（ａ）はトランジスタチップを固着した基板
の平面図、（ｂｌは外部端子を接続した状態での側面図
である。 １：トランジスタチップ、２：ｗＡ縁縁板板３：放熱用
金属基板、４：コレクタ導電領域、８：外部端子、１０
：絶縁板、１１：突起型へ。 ＾ ｅ
ンジスタチップを固着した基板の平面図、山１は外部端
子を接続した状態での側面図、第２図は従来の半導体装
置を示し、（ａ）はトランジスタチップを固着した基板
の平面図、（ｂｌは外部端子を接続した状態での側面図
である。 １：トランジスタチップ、２：ｗＡ縁縁板板３：放熱用
金属基板、４：コレクタ導電領域、８：外部端子、１０
：絶縁板、１１：突起型へ。 ＾ ｅ
Claims (1)
- １）放熱用金属基板上に絶縁基板を介して固定される半
導体素子片上の電極に外部端子が電気的に接続されるも
のにおいて、半導体素子片の反絶縁基板側の表面の電極
が突起電極として形成され、該突起電極が素子片の前記
表面に対向する絶縁体上の導電領域の一部に固着され、
該導電領域の他部に外部端子が接続されたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130645A JPS62286261A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130645A JPS62286261A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286261A true JPS62286261A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15039206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61130645A Pending JPS62286261A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286261A (ja) |
-
1986
- 1986-06-05 JP JP61130645A patent/JPS62286261A/ja active Pending
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