JPS62293713A - エピタキシヤル成長装置用サセプタ− - Google Patents
エピタキシヤル成長装置用サセプタ−Info
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- JPS62293713A JPS62293713A JP13797786A JP13797786A JPS62293713A JP S62293713 A JPS62293713 A JP S62293713A JP 13797786 A JP13797786 A JP 13797786A JP 13797786 A JP13797786 A JP 13797786A JP S62293713 A JPS62293713 A JP S62293713A
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〈産業上の利用分野）
本発明は半導体製造におけるエピタキシャル気相成長装
置に使用されるサセプターに関する。
置に使用されるサセプターに関する。
（従来の技術）
従来、エピタキシャル気相成長装置用サセプターとして
は、有害ガスの放出がなく、化学的、熱的に安定な黒鉛
基材に炭化珪素を被覆したものが用いられている。
は、有害ガスの放出がなく、化学的、熱的に安定な黒鉛
基材に炭化珪素を被覆したものが用いられている。
（発明が解決しようとする問題点）
通常、半導体のエピタキシャル層を得るためには、石英
ガラス製の反応管内にサセプターを置き、この上に半導
体Ｍｍを載せた後、まず、反応管内にＨ２ガスを流し、
反応管の外部に配設された高周波コイルによってサセプ
ターを高温（約１１００〜１２００℃）に加熱する。次
に、基板をこの温度に保持しながら、１」２にＨＣｌ）
を加えた混合ガスを流して基板の表面を数ミクロン気相
エツチングした後、ト（２及びＨＣＩを止め、Ｓ ｉ
Ｃ１ｌ ４とト１２の混合ガス等の反応ガスを流して基
板上に半導体（例えばＳｔ）をエピタキシャル成長させ
ている。
ガラス製の反応管内にサセプターを置き、この上に半導
体Ｍｍを載せた後、まず、反応管内にＨ２ガスを流し、
反応管の外部に配設された高周波コイルによってサセプ
ターを高温（約１１００〜１２００℃）に加熱する。次
に、基板をこの温度に保持しながら、１」２にＨＣｌ）
を加えた混合ガスを流して基板の表面を数ミクロン気相
エツチングした後、ト（２及びＨＣＩを止め、Ｓ ｉ
Ｃ１ｌ ４とト１２の混合ガス等の反応ガスを流して基
板上に半導体（例えばＳｔ）をエピタキシャル成長させ
ている。
この時、サセプター表面にもＳｉが蒸着されてしまうの
で、エピタキシャル成長工程が終了するごとにサセプタ
ーの表面に蒸着生成されたＳｌを１−１２とＨＣｌ）の
８合ガスを使った気相エツチングにより取除く必要があ
る。
で、エピタキシャル成長工程が終了するごとにサセプタ
ーの表面に蒸着生成されたＳｌを１−１２とＨＣｌ）の
８合ガスを使った気相エツチングにより取除く必要があ
る。
しかしながら、このＨ２とＨＣｌの混合ガスによる気相
エツチングによってサセプター表面のＳｉを除去する時
に、被覆された炭化珪素膜までエツチングされてしまい
、サセプターのか命を縮めるという問題がある。
エツチングによってサセプター表面のＳｉを除去する時
に、被覆された炭化珪素膜までエツチングされてしまい
、サセプターのか命を縮めるという問題がある。
本発明は、従来のエピタキシ１フル成長装置用サセプタ
ーがもつ、以上の欠点を取り除き、気相エツチング用の
Ｈ２及びＨＣｊの混合ガスに対する耐食性を向上させ、
かつ耐用使用回数を延長化し得るサセプターを提供する
ことを目的とする。
ーがもつ、以上の欠点を取り除き、気相エツチング用の
Ｈ２及びＨＣｊの混合ガスに対する耐食性を向上させ、
かつ耐用使用回数を延長化し得るサセプターを提供する
ことを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明の前記目的は、次の構成によって達成ｚト９る。
即ち、本発明は、炭素基材の表面を炭化珪素膜で被覆し
、前記炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成したエピ
タキシャル成長装置用サセプターによって構成される。
、前記炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成したエピ
タキシャル成長装置用サセプターによって構成される。
（作用）
本発明のサセプターは、炭化珪素膜の表面に珪素の酸化
膜が形成されているが気相エツチング用混合ガスに対す
るサセプターの耐食性が向上し、サセプターの耐用使用
回数を延長化し得る。
膜が形成されているが気相エツチング用混合ガスに対す
るサセプターの耐食性が向上し、サセプターの耐用使用
回数を延長化し得る。
本発明のサセプターの酸化膜は、従来の炭化珪素膜を酸
化処理し、炭化珪素膜の表面にＳ ｉ Ｏ２の酸化膜を
形成してもよい。
化処理し、炭化珪素膜の表面にＳ ｉ Ｏ２の酸化膜を
形成してもよい。
本発明のサセプターの酸化膜の厚さは５〜１０００人で
あるのが好ましく、酸化膜の厚さが５Å以下では耐食性
についてその効果が小さく、１０００Å以上ではサセプ
ターからの熱、４４性が小さくなって、ウェーハの温度
コントロールが困難となる上、炭化珪素と酸化膜との熱
膨張係数の相異から炭化珪素膜又は酸化膜に亀裂又は剥
離が生じ易くなる。
あるのが好ましく、酸化膜の厚さが５Å以下では耐食性
についてその効果が小さく、１０００Å以上ではサセプ
ターからの熱、４４性が小さくなって、ウェーハの温度
コントロールが困難となる上、炭化珪素と酸化膜との熱
膨張係数の相異から炭化珪素膜又は酸化膜に亀裂又は剥
離が生じ易くなる。
（具体例）
本発明の具体例を、図を参照しながら説明する。
礼生■ユ
炭素基材１の表面に炭化珪素膜２を６０μ被覆し、酸素
雰囲気下で前記膜の炭化珪素を酸化し、厚さ５００人の
酸化膜３を有するサセプターを得、ウェーハ４のエピタ
キシャル成長工程に使用したところ、このサセプターの
耐用使用回数は加熱回数で７６０回であった。
雰囲気下で前記膜の炭化珪素を酸化し、厚さ５００人の
酸化膜３を有するサセプターを得、ウェーハ４のエピタ
キシャル成長工程に使用したところ、このサセプターの
耐用使用回数は加熱回数で７６０回であった。
具体例２
具体例１と同様にして９００人の酸化膜３を有するサセ
プターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使
用したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート
数で７４５回であった。
プターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使
用したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート
数で７４５回であった。
尚、具体例１．２において、酸化膜３の厚さを変化させ
たことによっては、ウェーハ４に品質上の悲い影響は与
えなかった。
たことによっては、ウェーハ４に品質上の悲い影響は与
えなかった。
因みに、酸化膜３を形成しない従来のりセブターの耐用
使用回数は加熱回数で３２０回である。
使用回数は加熱回数で３２０回である。
以上の結果を表にまとめると下表のようになる。
表
（本発明の効果）
本発明のエピタキシャル成員装置用サセプターによれば
、炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成するが故に、
気相エツチング用混合ガスに対するサセプターの耐食性
が向上し、サセプターの耐用使用回数を延長化し得る。
、炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成するが故に、
気相エツチング用混合ガスに対するサセプターの耐食性
が向上し、サセプターの耐用使用回数を延長化し得る。
図は、本発明のサセプターの部分断面斜視図である。
１・・・・・・炭素基材、２・・・・・・炭化珪素膜、
３・・・・・・酸化膜、 ４・・・・・・ウェーハロ
３・・・・・・酸化膜、 ４・・・・・・ウェーハロ
Claims (2)
- （１）炭素基材の表面を炭化珪素膜で被覆し、前記炭化
珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成したエピタキシャル
成長装置用サセプター。 - （２）前記酸化膜の厚さが５〜１０００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のサセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137977A JPH0732131B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エピタキシヤル成長装置用サセプタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137977A JPH0732131B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エピタキシヤル成長装置用サセプタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293713A true JPS62293713A (ja) | 1987-12-21 |
| JPH0732131B2 JPH0732131B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15211164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61137977A Expired - Fee Related JPH0732131B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エピタキシヤル成長装置用サセプタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732131B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100605097B1 (ko) * | 1999-04-15 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치의 서셉터 |
| JP2022534777A (ja) * | 2019-05-27 | 2022-08-03 | シュンク サイカーブ テクノロジー ビー． ブイ． | 化学蒸着チャンバー物品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5284964A (en) * | 1976-01-07 | 1977-07-14 | Hitachi Ltd | Vapor phase growth method for semiconductors |
| JPS54139466A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Toshiba Corp | Vapor growth device for semiconductor substrate |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61137977A patent/JPH0732131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5284964A (en) * | 1976-01-07 | 1977-07-14 | Hitachi Ltd | Vapor phase growth method for semiconductors |
| JPS54139466A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Toshiba Corp | Vapor growth device for semiconductor substrate |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100605097B1 (ko) * | 1999-04-15 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치의 서셉터 |
| JP2022534777A (ja) * | 2019-05-27 | 2022-08-03 | シュンク サイカーブ テクノロジー ビー． ブイ． | 化学蒸着チャンバー物品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732131B2 (ja) | 1995-04-10 |
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