JPS62298169A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62298169A JPS62298169A JP61141932A JP14193286A JPS62298169A JP S62298169 A JPS62298169 A JP S62298169A JP 61141932 A JP61141932 A JP 61141932A JP 14193286 A JP14193286 A JP 14193286A JP S62298169 A JPS62298169 A JP S62298169A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- molybdenum
- film
- heat treatment
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
である。
従来の技術
従来のコンタクト構造としては、例えばジャパニーズ、
ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス、 ＶＯ
ｌ、 ２２ （１９８３） Ｓｕｐｐｇｅｍｅｎｔ２２
−１ 。
ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス、 ＶＯ
ｌ、 ２２ （１９８３） Ｓｕｐｐｇｅｍｅｎｔ２２
−１ 。
ｐｐ、６０９−６１０ に示されている。
第２図はこの従来のコンタクト構造の断面概略図を示す
ものであり、シリコン基板１内に形成された高濃度不純
物拡散層（ｎ 又はｐ＋層）２上＋ に、選択的に開口された絶縁膜３を介してモリブデンあ
るいはモリブデンシリサイド配線４が形成されている。
ものであり、シリコン基板１内に形成された高濃度不純
物拡散層（ｎ 又はｐ＋層）２上＋ に、選択的に開口された絶縁膜３を介してモリブデンあ
るいはモリブデンシリサイド配線４が形成されている。
以上のように構成された従来のコンタクト構造において
は、コンタクト界面５を介してシリコン基板１とモリブ
デンあるいはモリブデンシリサイド配線との間に電流が
流れる。コンタクト界面５のシリコン基板側には高濃度
不純物拡散層が形成されているため、本構造でのコンタ
クト部の電気的特性はオーミック性となる。
は、コンタクト界面５を介してシリコン基板１とモリブ
デンあるいはモリブデンシリサイド配線との間に電流が
流れる。コンタクト界面５のシリコン基板側には高濃度
不純物拡散層が形成されているため、本構造でのコンタ
クト部の電気的特性はオーミック性となる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成のコンタクト構造におい
ては５００′Ｃ以上の温度で熱処理を行なった場合、前
記交戦にも記されているようにモリブデンあるいはモリ
ブデンシリサイド配線４中に含まれている不純物酸素あ
るいは高濃度不純物拡散層２の表面近傍に含まれている
不純物酸素がコンタクト界面５に集マシ、界面近傍にモ
リブデン。
ては５００′Ｃ以上の温度で熱処理を行なった場合、前
記交戦にも記されているようにモリブデンあるいはモリ
ブデンシリサイド配線４中に含まれている不純物酸素あ
るいは高濃度不純物拡散層２の表面近傍に含まれている
不純物酸素がコンタクト界面５に集マシ、界面近傍にモ
リブデン。
シリコンなどの酸化物６が形成される。したがって、コ
ンタクト界面５近傍は高抵抗層あるいは半絶縁層となり
、モリブデンあるいはモリブデンシリサイド配線４と高
濃度不純物拡散層２とのコンタクト抵抗が増大する、あ
るいはコンタクト電気特性がオーミックから非オーミツ
クに変化してしまうなどという問題点を有していた。
ンタクト界面５近傍は高抵抗層あるいは半絶縁層となり
、モリブデンあるいはモリブデンシリサイド配線４と高
濃度不純物拡散層２とのコンタクト抵抗が増大する、あ
るいはコンタクト電気特性がオーミックから非オーミツ
クに変化してしまうなどという問題点を有していた。
本発明はかかる点に鑑み、５００℃以上の熱処理を行な
っても導体配線と半導体基板とのコンタクト部の電気的
特性が、不純物酸素の存在によシ劣化することのないコ
ンタクト構造を提供することを目的としている。
っても導体配線と半導体基板とのコンタクト部の電気的
特性が、不純物酸素の存在によシ劣化することのないコ
ンタクト構造を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は半導体基板材料よυも酸化物生成エネルギーが
負の方向に大きい金属材料を混入させた金属シリサイド
膜を半導体基板と導体配線との間に有したコンタクト構
造である。
負の方向に大きい金属材料を混入させた金属シリサイド
膜を半導体基板と導体配線との間に有したコンタクト構
造である。
作用
本発明は前記した構成により、本コンタクト構造が５０
０℃以上の熱処理を受けた場合、導体配線、高濃度不純
物拡散層はもとより、それらの間に位置した金属シリサ
イド膜に含まれる微量な不純物酸素は、金属シリサイド
膜中に混入させた酸化物生成エネルギーが大きい金属と
化合物を形成し、したがってコンタクト界面に酸素が集
まることを防止できる。
０℃以上の熱処理を受けた場合、導体配線、高濃度不純
物拡散層はもとより、それらの間に位置した金属シリサ
イド膜に含まれる微量な不純物酸素は、金属シリサイド
膜中に混入させた酸化物生成エネルギーが大きい金属と
化合物を形成し、したがってコンタクト界面に酸素が集
まることを防止できる。
実施例
第１図は本発明の一実施例におけるコンタクト構造の断
面概略図を示す。高濃度不純物拡散層（ｎ＋又はｐ 層
）１１を形成したシリコ／基板１２上の、選択的に開口
された絶縁膜１３上にシリコンよりも酸化物生成エネル
ギーが負の方向に大きい金属材料、例えばチタン、タン
タルを０．１％〜１０％混入させた金属シリサイド膜１
４例えげタングステンシリサイド、モリブデンシリサイ
ドなどが開口部１５を選択的に被覆し、更にその上にタ
ングステン、モリブデンなどの導体配線１６が形成され
ている。
面概略図を示す。高濃度不純物拡散層（ｎ＋又はｐ 層
）１１を形成したシリコ／基板１２上の、選択的に開口
された絶縁膜１３上にシリコンよりも酸化物生成エネル
ギーが負の方向に大きい金属材料、例えばチタン、タン
タルを０．１％〜１０％混入させた金属シリサイド膜１
４例えげタングステンシリサイド、モリブデンシリサイ
ドなどが開口部１５を選択的に被覆し、更にその上にタ
ングステン、モリブデンなどの導体配線１６が形成され
ている。
以上のように構成された本実施例のコンタクト構造にお
いて、５ｏＯ°Ｃ以上の温度で熱処理された場合につい
て説明する。高濃度不純物拡散層１１゜金属シリサイド
膜 １４．導体配線１６に含まれる微量な不純物酸素は
熱処理により金属シリサイド膜１４に含まれるシリコン
よりも酸化物生成エネルギーが負の方向に大きい金属材
料と化合物を形成し、金属シリサイド膜１４と高濃度不
純物拡散層１１とのコンタクト界面での酸素の集中を防
止することができる。しだがって、本コンタクト構造に
おいてはｓｏｏ’Ｃ以上の熱処理によるコンタクト部の
電気的特性の劣化を防止することができる。
いて、５ｏＯ°Ｃ以上の温度で熱処理された場合につい
て説明する。高濃度不純物拡散層１１゜金属シリサイド
膜 １４．導体配線１６に含まれる微量な不純物酸素は
熱処理により金属シリサイド膜１４に含まれるシリコン
よりも酸化物生成エネルギーが負の方向に大きい金属材
料と化合物を形成し、金属シリサイド膜１４と高濃度不
純物拡散層１１とのコンタクト界面での酸素の集中を防
止することができる。しだがって、本コンタクト構造に
おいてはｓｏｏ’Ｃ以上の熱処理によるコンタクト部の
電気的特性の劣化を防止することができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば熱処理を行なっても
導体配線と酸化物が形成されることを防止でき、したが
ってコンタクト部の電気特性は劣化せず、その実用的効
果は大きい。
導体配線と酸化物が形成されることを防止でき、したが
ってコンタクト部の電気特性は劣化せず、その実用的効
果は大きい。
第１図は本発明における一実施例のコンタクト構造の断
面概略図、第２図は従来のコンタクト構造の断面概略図
である。 １２・・・・・・シリコン基板、１３・・・・・・絶縁
膜、１４・・・・・・シリコンよりも酸化物生成エネル
ギーが負の方向に大きい金属材料を混入させた金属シリ
サイド膜、１６・・・・・・導体配線。
面概略図、第２図は従来のコンタクト構造の断面概略図
である。 １２・・・・・・シリコン基板、１３・・・・・・絶縁
膜、１４・・・・・・シリコンよりも酸化物生成エネル
ギーが負の方向に大きい金属材料を混入させた金属シリ
サイド膜、１６・・・・・・導体配線。
Claims (3)
- （１）金属シリサイド膜を半導体基板と導体配線との間
に有し、前記金属シリサイド膜中に前記半導体基板材料
よりも酸化物生成エネルギーが負の方向に大きい金属材
料を混入させたことを特徴とする半導体装置。 - （２）金属が高融点金属であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）酸化物生成エネルギーが半導体基板材料よりも負
の方向に大きい金属材料の混入率が１０％以内であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141932A JPS62298169A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141932A JPS62298169A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298169A true JPS62298169A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15303503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61141932A Pending JPS62298169A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62298169A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132163A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60206022A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-17 | Fujitsu Ltd | 高融点金属シリサイドの生成方法 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61141932A patent/JPS62298169A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132163A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60206022A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-17 | Fujitsu Ltd | 高融点金属シリサイドの生成方法 |
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