JPS6241753A - ペロブスカイト系磁器とその製法 - Google Patents
ペロブスカイト系磁器とその製法Info
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- JPS6241753A JPS6241753A JP60175643A JP17564385A JPS6241753A JP S6241753 A JPS6241753 A JP S6241753A JP 60175643 A JP60175643 A JP 60175643A JP 17564385 A JP17564385 A JP 17564385A JP S6241753 A JPS6241753 A JP S6241753A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は誘電率が高く、その温度依存性、電界依存性の
小さいペロブスカイト系磁器およびその製法に関し、特
に結晶粒径とそのばらつきの小さなペロブスカイト系磁
器およびその製法に関する。
小さいペロブスカイト系磁器およびその製法に関し、特
に結晶粒径とそのばらつきの小さなペロブスカイト系磁
器およびその製法に関する。
［従来の技術］
磁器コンデンサ用誘電体材料には、誘電率が大きく、し
かもその温度依存性、電界依存性の小さいことが要求さ
れる。しかし、高誘電率とそれら依存性の低減は相反す
る要求であり、従来同時に満足させることは困難であっ
た。この解決方法として、本発明者らは高誘電率を示す
キュリー温度の異なる２種類以上のペロブスカイト系磁
器材料が混在した混合焼結磁器とその製法を提案した（
特願昭５９−１８２７０２号）、この磁器は第５図に示
す工程で作られる。すなわち、例えばＰｂ（Ｆｅｈ町／
３）、、 （Ｆｅｄ Ｎｂｙ、狛０３ とＰｂ（Ｆ
”Ｙｓ ”／） ）ｏ、ｒ；（Ｆｅｇ Ｎｂ Ｊ、、ｇ
０３とを独ケに秤凌、混合、仮焼成し、粉砕した後、
混合し、２種類のペロブスカイトが完全に固溶すること
がないように未焼成するものである。こうして得られた
磁器は■従来の磁器のように上記依存性改善のための副
成分を必要としない、■ｔｏ 、ｏｏｏ以上の高誘電率
を有しながらしかもその温度依存性、電界依存性を従来
の約１７２に低減できる。■混合する磁器材料の組み合
わせおよびその混合比により依存性の制御が自由に行え
る。といった特徴を有している。しかしながら混合する
ペロブスカイト系磁器材料は各々本焼成時の粒成長速度
が異っているため均一な結晶粒が畳にくく、しかも粒成
長速度の速いものは粒径が１０牌膠にも達するなど、改
善の余地があった。
かもその温度依存性、電界依存性の小さいことが要求さ
れる。しかし、高誘電率とそれら依存性の低減は相反す
る要求であり、従来同時に満足させることは困難であっ
た。この解決方法として、本発明者らは高誘電率を示す
キュリー温度の異なる２種類以上のペロブスカイト系磁
器材料が混在した混合焼結磁器とその製法を提案した（
特願昭５９−１８２７０２号）、この磁器は第５図に示
す工程で作られる。すなわち、例えばＰｂ（Ｆｅｈ町／
３）、、 （Ｆｅｄ Ｎｂｙ、狛０３ とＰｂ（Ｆ
”Ｙｓ ”／） ）ｏ、ｒ；（Ｆｅｇ Ｎｂ Ｊ、、ｇ
０３とを独ケに秤凌、混合、仮焼成し、粉砕した後、
混合し、２種類のペロブスカイトが完全に固溶すること
がないように未焼成するものである。こうして得られた
磁器は■従来の磁器のように上記依存性改善のための副
成分を必要としない、■ｔｏ 、ｏｏｏ以上の高誘電率
を有しながらしかもその温度依存性、電界依存性を従来
の約１７２に低減できる。■混合する磁器材料の組み合
わせおよびその混合比により依存性の制御が自由に行え
る。といった特徴を有している。しかしながら混合する
ペロブスカイト系磁器材料は各々本焼成時の粒成長速度
が異っているため均一な結晶粒が畳にくく、しかも粒成
長速度の速いものは粒径が１０牌膠にも達するなど、改
善の余地があった。
［発明が解決しようとする問題点１
本発明は上記の従来法を改善して、結晶粒径が小さく、
また粒径のばらつきの小さいペロブスカイト系磁器およ
びその製法を提供することを目的とする。
また粒径のばらつきの小さいペロブスカイト系磁器およ
びその製法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
ペロブスカイトは化学式ＡＢＯ３で表わされる複酸化物
で、Ａは単純立方格子を作り、Ｂはその体心位置に、Ｏ
は面心位置に位置する。
で、Ａは単純立方格子を作り、Ｂはその体心位置に、Ｏ
は面心位置に位置する。
−１−述の目的を達成するために、本発明においては、
ペロブスカイト系磁器材料のうちキュリー温度の５％な
る２種類の材料を完全に固溶させることなく混合焼成さ
せるに際レベロブス力イト系磁器Ａｌ３Ｏ３のＢ位置を
占めない元素の酸化物であって、しかもそのペロブスカ
イト系磁器より融点が高く、化学的に安定な金属酸化物
を添加することを特徴どする。
ペロブスカイト系磁器材料のうちキュリー温度の５％な
る２種類の材料を完全に固溶させることなく混合焼成さ
せるに際レベロブス力イト系磁器Ａｌ３Ｏ３のＢ位置を
占めない元素の酸化物であって、しかもそのペロブスカ
イト系磁器より融点が高く、化学的に安定な金属酸化物
を添加することを特徴どする。
「作 川］
−に述した酸化物は、焼成にさいしてベロジスカイｌ−
系磁器材料中にほとんど固溶されず、大部分結晶粒界に
存在し、ベロブスカイ！・の結晶粒１＆ｆｆｉを抑制し
、誘電特性にはほとんど変化をゲえない。
系磁器材料中にほとんど固溶されず、大部分結晶粒界に
存在し、ベロブスカイ！・の結晶粒１＆ｆｆｉを抑制し
、誘電特性にはほとんど変化をゲえない。
［実施例１
本発明の一実施例として、２種類のペロブスカイト系耐
器材料としてＰｂ（Ｆｅ、 Ｗｙ３）ｘ（Ｆｅ、 Ｎｂ
臨）１−％０５ （Ｏ≦Ｘ≦１）のうちｘ＝０．１の材
料とＸ＝０．５の材料を用い、粒成長を抑止する金属酸
化物にＤｙ、Ｏ，、を用いた場合の結果について説明す
る。
器材料としてＰｂ（Ｆｅ、 Ｗｙ３）ｘ（Ｆｅ、 Ｎｂ
臨）１−％０５ （Ｏ≦Ｘ≦１）のうちｘ＝０．１の材
料とＸ＝０．５の材料を用い、粒成長を抑止する金属酸
化物にＤｙ、Ｏ，、を用いた場合の結果について説明す
る。
第１図に製造工程を示す、原料粉末ｐｂｏ。
Ｆｅ２，０３ 、 ＷＯ：ｑ 、 Ｎｂｚ［１５奢
上述のＸがそれぞれ０．１および０．５となるように秤
場し、ボールミル中で純水と共に混合した。そして、脱
水乾燥後それぞれ１０５０℃および８５０℃で空気中で
１時仮焼成し、さらにボールミル中で粉砕した。仮焼成
後の組成物に対し、 ＣｕＫα線を用いて２０＝２０〜
９０″の範囲のＸ線回折パターンを測定し、所定のペロ
ブスカイト系磁器材料であることを確認した。これら２
種類のペロブスカイト系磁器材料を等モル混合し、Ｄｙ
２０．Ａを加え、ポリビニルアルコール溶液バインダを
用いて直径約１２１１履、厚さ約０．７１のベレフトに
加圧成形し、空気中１０００℃で１時間本焼成を行った
。焼成した磁器の焼成面を電子ｍ＊鏡（倍率１，０００
倍）で観察し、結晶粒の平均粒径（Ｍａｒｔｉｒ＋径）
を測定した。また焼成した磁器の両面にＡｇ電極を焼付
け、誘電特性の測定は誘電率εｒをｌ ｋＨｚで−４０
〜 １２０℃の温度範囲で行った。
上述のＸがそれぞれ０．１および０．５となるように秤
場し、ボールミル中で純水と共に混合した。そして、脱
水乾燥後それぞれ１０５０℃および８５０℃で空気中で
１時仮焼成し、さらにボールミル中で粉砕した。仮焼成
後の組成物に対し、 ＣｕＫα線を用いて２０＝２０〜
９０″の範囲のＸ線回折パターンを測定し、所定のペロ
ブスカイト系磁器材料であることを確認した。これら２
種類のペロブスカイト系磁器材料を等モル混合し、Ｄｙ
２０．Ａを加え、ポリビニルアルコール溶液バインダを
用いて直径約１２１１履、厚さ約０．７１のベレフトに
加圧成形し、空気中１０００℃で１時間本焼成を行った
。焼成した磁器の焼成面を電子ｍ＊鏡（倍率１，０００
倍）で観察し、結晶粒の平均粒径（Ｍａｒｔｉｒ＋径）
を測定した。また焼成した磁器の両面にＡｇ電極を焼付
け、誘電特性の測定は誘電率εｒをｌ ｋＨｚで−４０
〜 １２０℃の温度範囲で行った。
第２図はＤｙＬ０３添加量と磁器の平均粒径およびに対
するｍｏ１％で示しである。また、測定した結晶粒の個
数は２０であった０図より、ａｙλ０３の添加ψが０．
１ｍｏ１％まで増加すると、結晶粒径は無添加の場合の
５．０４ｍに比べて約１／２の２．６用■に減少し、ま
た粒径偏差も無添加の場合の１．５〜１０ｇｍ と比較
して１〜４ル謹と、かなり小さくなっている。しかしな
がら、０．２麿ＯＩ％を越えると逆にモ均粒径並びに粒
径偏差が大きくなっている。従ってＤｙ、０３は０．ｉ
ｏ１％ないし０．２ｍｏ１％添加した時に粒成長抑Ｉｔ
、の効果が著しくなることがわかる。
するｍｏ１％で示しである。また、測定した結晶粒の個
数は２０であった０図より、ａｙλ０３の添加ψが０．
１ｍｏ１％まで増加すると、結晶粒径は無添加の場合の
５．０４ｍに比べて約１／２の２．６用■に減少し、ま
た粒径偏差も無添加の場合の１．５〜１０ｇｍ と比較
して１〜４ル謹と、かなり小さくなっている。しかしな
がら、０．２麿ＯＩ％を越えると逆にモ均粒径並びに粒
径偏差が大きくなっている。従ってＤｙ、０３は０．ｉ
ｏ１％ないし０．２ｍｏ１％添加した時に粒成長抑Ｉｔ
、の効果が著しくなることがわかる。
ペロブスカイト系磁器材料（ＡＢＯ３）のＢ位置に他の
金属イオンが置換する場合は、キュリー温度が変化し、
温度依存性に見られる誘電率のピークが移動する。しか
し、第３図に示したａｙ、、ｏ３無添加の場合（図中（
ａ））と０．１ｍｏ１％添加した場合（図中（ｂ））の
ペロブスカイト系磁器の誘電率温度９存性を比較すると
、Ｄｙゆ０３を０．１層Ｏ】％添加しても無添加の場合
と同様に２０℃と８０℃に弱い誘電率のピークが生じ、
ピークの移動は見られない、しかもＤ！ｚ０３を添加し
ても誘電率およびその温度依存性の平坦化は損われない
、従って、添加したＤｙ２Ｏ３はペロブスカイト系磁器
材料のＸ＝Ｏ，ｌとｘ ＝ ０．５の結晶粒内に拡散さ
れるのではなく主に粒界に存在し、単に粒成長を抑制す
る効果のみ発揮するものと考えられる。
金属イオンが置換する場合は、キュリー温度が変化し、
温度依存性に見られる誘電率のピークが移動する。しか
し、第３図に示したａｙ、、ｏ３無添加の場合（図中（
ａ））と０．１ｍｏ１％添加した場合（図中（ｂ））の
ペロブスカイト系磁器の誘電率温度９存性を比較すると
、Ｄｙゆ０３を０．１層Ｏ】％添加しても無添加の場合
と同様に２０℃と８０℃に弱い誘電率のピークが生じ、
ピークの移動は見られない、しかもＤ！ｚ０３を添加し
ても誘電率およびその温度依存性の平坦化は損われない
、従って、添加したＤｙ２Ｏ３はペロブスカイト系磁器
材料のＸ＝Ｏ，ｌとｘ ＝ ０．５の結晶粒内に拡散さ
れるのではなく主に粒界に存在し、単に粒成長を抑制す
る効果のみ発揮するものと考えられる。
本実施例では混合する各磁器材料を仮焼成し、粉砕した
後、所望のモル比に混合する際に粒成長を抑１トする金
属酸化物（例えばＤｙ４Ｃｈ ）を同時に添加し、焼成
する方法について説明したが、第４図に示すように、原
料粉末を秤量する際に粒成長を抑１）−する金属酸化物
（例えばａｙ２ｏ３）を同時に添加し、仮焼成、粉砕を
行い所望のモル比に混合して焼成しても効果はかわらな
い。さらにこの場合には、本焼成時の粒成ｐ速度が速い
方のペロブスカイト（本例ではｘ ＝ ０．５）のみに
、粒！＆長を抑１１−する金属酸化物を添加するだけで
、同様の効果が得られる。
後、所望のモル比に混合する際に粒成長を抑１トする金
属酸化物（例えばＤｙ４Ｃｈ ）を同時に添加し、焼成
する方法について説明したが、第４図に示すように、原
料粉末を秤量する際に粒成長を抑１）−する金属酸化物
（例えばａｙ２ｏ３）を同時に添加し、仮焼成、粉砕を
行い所望のモル比に混合して焼成しても効果はかわらな
い。さらにこの場合には、本焼成時の粒成ｐ速度が速い
方のペロブスカイト（本例ではｘ ＝ ０．５）のみに
、粒！＆長を抑１１−する金属酸化物を添加するだけで
、同様の効果が得られる。
添加する酸化物は、焼成にさいしてペロブスカイト系磁
器に固溶しないこと、特にＡＢＯ３で表わされる一般式
のＢ位置（体心位置）の原子と置換しない金属元素の酸
化物であることが、磁器材料の誘電特性を損わないため
に必要である。また、酸化物がプロブスカイトにほとん
ど固溶せず、結晶粒界に存在することが結晶粒の成長抑
制のために効果的である。このためにペロブスカイト磁
器より高い融点をもち、化学的に安定な酸化物が有効で
ある。このような酸化物の一例としてＦｌｙ、０３（融
点２３７５℃）の例を示した、ＧｄＪ３ （融点２３９
５”Ｃ） 、 ＳｍｂＯ＊ （融点２２５０℃）も
同様な効果を示す。
器に固溶しないこと、特にＡＢＯ３で表わされる一般式
のＢ位置（体心位置）の原子と置換しない金属元素の酸
化物であることが、磁器材料の誘電特性を損わないため
に必要である。また、酸化物がプロブスカイトにほとん
ど固溶せず、結晶粒界に存在することが結晶粒の成長抑
制のために効果的である。このためにペロブスカイト磁
器より高い融点をもち、化学的に安定な酸化物が有効で
ある。このような酸化物の一例としてＦｌｙ、０３（融
点２３７５℃）の例を示した、ＧｄＪ３ （融点２３９
５”Ｃ） 、 ＳｍｂＯ＊ （融点２２５０℃）も
同様な効果を示す。
第１図の方法では第５図に示した従来の方法と仮焼成し
た磁器材料を混合する際に結晶粒の成長を抑Ｉトする金
属酸化物（例えばＤｙ１ｏ３ ）を添加することが異な
り、また第４図の方法では原料粉末の秤峨時に粒成長を
抑止する金属酸化物（例えばＤｆｆＪｈ ）を添加する
ことが異なっているだけで従来の方法と基本的には全く
変わらない、なお、これらの方法は３種類以上の異なる
ペロブスカイト系磁器材料を混合し、焼結する場合につ
いても適用できることは言うまでもない。
た磁器材料を混合する際に結晶粒の成長を抑Ｉトする金
属酸化物（例えばＤｙ１ｏ３ ）を添加することが異な
り、また第４図の方法では原料粉末の秤峨時に粒成長を
抑止する金属酸化物（例えばＤｆｆＪｈ ）を添加する
ことが異なっているだけで従来の方法と基本的には全く
変わらない、なお、これらの方法は３種類以上の異なる
ペロブスカイト系磁器材料を混合し、焼結する場合につ
いても適用できることは言うまでもない。
［発明の効果１
以北説明したように、ＤＹｚＱ３のような結晶粒成長を
抑Ｉ卜する金属酸化物の添加は２種類以上のペロブスカ
イト系磁器材料が混在した磁器の誘電特性を損なうこと
なく結晶粒を小さくし、しかも粒径偏差をも小さくする
ことができるという利点がある。このため積層磁器コン
デンサ用材料として用いた場合は誘電体である磁器層を
薄く、しかもピンホール等欠陥を少なくすることができ
るという利点がある。
抑Ｉ卜する金属酸化物の添加は２種類以上のペロブスカ
イト系磁器材料が混在した磁器の誘電特性を損なうこと
なく結晶粒を小さくし、しかも粒径偏差をも小さくする
ことができるという利点がある。このため積層磁器コン
デンサ用材料として用いた場合は誘電体である磁器層を
薄く、しかもピンホール等欠陥を少なくすることができ
るという利点がある。
第１図は本発明のペロブスカイト系磁器の製造方法の実
施例の工程を示す図、 第２図はＤｙル０３の添加場とＹ均粒系の関係を示す図
、 第３図はＤｙ２Ｏ３を添加した場合としない場合のペロ
ブスカイト系磁器の誘電率温度依存性を示す図、 第４図は本発明の他の実施例の製造玉梓を示す図、 第５図は従来のペロブスカイト系磁器の製造■：程を示
す図である。
施例の工程を示す図、 第２図はＤｙル０３の添加場とＹ均粒系の関係を示す図
、 第３図はＤｙ２Ｏ３を添加した場合としない場合のペロ
ブスカイト系磁器の誘電率温度依存性を示す図、 第４図は本発明の他の実施例の製造玉梓を示す図、 第５図は従来のペロブスカイト系磁器の製造■：程を示
す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）キュリー温度が異なる２種類以上の化学式ＡＢＯ＿
３で表わされるペロブスカイト系磁器材料が混在してい
るペロブスカイト系磁器において、前記ＡＢＯ＿３のＢ
位置を占めず、前記２種類のペロブスカイト系磁器材料
の融点より高い融点の金属酸化物を含むことを特徴とす
るペロブスカイト系磁器。 ２）キュリー温度の異なる２種類以上の化学式ＡＢＯ＿
３で表わされるペロブスカイト系磁器材料の原料粉末を
予め別々に仮焼してキュリー温度の異なる２種類以上の
ペロブスカイト系磁器材料とした後これらの材料を粉砕
して各々を零でない適当な比で混合する際に、前記ＡＢ
Ｏ＿３中のＢ位置を占めない金属元素の酸化物であって
、前記２種類以上のペロブスカイト系磁器材料の融点よ
り高い融点の金属酸化物を添加し、前記２種類以上のペ
ロブスカイト系磁器材料を完全に固溶させることなく焼
結させることを特徴とするペロブスカイト系混合焼結磁
器の製法。 ３）キュリー温度の異なる２種類以上の化学式ＡＢＯ＿
３で表わされるペロブスカイト系磁器材料の原料粉末の
少なくとも一種類に前記ＡＢＯ＿３のＢ位置を占めない
金属元素の酸化物であって、前記２種類以上のペロブス
カイト系磁器材料の融点より高い融点の金属酸化物を添
加した後、別々に仮焼成して、キュリー温度の異なる２
種類以上のペロブスカイト系磁器材料とした後、これら
を粉砕して各々を零でない適当な比で混合し、完全に固
溶させることなく焼結させることを特徴とするペロブス
カイト系磁器の製法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175643A JPS6241753A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | ペロブスカイト系磁器とその製法 |
| PCT/JP1985/000490 WO1986001497A1 (fr) | 1984-09-03 | 1985-09-02 | Materiau ceramique de type perovskite et son procede de production |
| DE8585904295T DE3584513D1 (de) | 1984-09-03 | 1985-09-02 | Keramisches material vom perowskite-typ und herstellung. |
| EP85904295A EP0192779B1 (en) | 1984-09-03 | 1985-09-02 | Perovskite-type ceramic material and a process for producing the same |
| US07/135,521 US4885267A (en) | 1984-09-03 | 1985-09-02 | Perovskite ceramic and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175643A JPS6241753A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | ペロブスカイト系磁器とその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6241753A true JPS6241753A (ja) | 1987-02-23 |
| JPH0323500B2 JPH0323500B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=15999671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175643A Granted JPS6241753A (ja) | 1984-09-03 | 1985-08-12 | ペロブスカイト系磁器とその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6241753A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257110A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | 日本電信電話株式会社 | 混合焼結磁器およびその製造方法 |
| JP2008093097A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Shigeaki Gunji | 物干し竿吊り用具 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347920A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-28 | Westinghouse Electric Corp | Electric induction unit |
| JPS5520616A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-14 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Manufacture of solid cationic high polymeric flocculant |
| JPS5768009A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-26 | Nippon Electric Co | Large capacity laminated ceramic condenser |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP60175643A patent/JPS6241753A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347920A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-28 | Westinghouse Electric Corp | Electric induction unit |
| JPS5520616A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-14 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Manufacture of solid cationic high polymeric flocculant |
| JPS5768009A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-26 | Nippon Electric Co | Large capacity laminated ceramic condenser |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257110A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | 日本電信電話株式会社 | 混合焼結磁器およびその製造方法 |
| JP2008093097A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Shigeaki Gunji | 物干し竿吊り用具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323500B2 (ja) | 1991-03-29 |
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