JPS6242452A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、トランジスタなどの回路素子間を分離酸化
膜で分離する構造を有する集積回路などの半導体装置の
製造方法に関するものである。

一般に、集積回路は、一枚の半導体本体板上に複数の回
路素子が互に電気的に絶縁分離して形成されている。こ
の分離方法としては種々の方法があり、バイポーラ型巣
積回路においては、従来、ＰＮ接合分離法が主に用いら
れていた。近年、高集積化及び各種寄生容量の低減等が
可能であることから、分離酸化膜による方法が用いられ
るようになって来た。

第１図は、分離酸化膜法における従来の半導体装置の断
面図である。第１図において、例えば、比抵抗２０Ω・
個のＰ型基板１０１と、層抵抗約２０Ω力の埋込みＮ＋
領域１０２と、比抵抗的１０・口、厚さ約１．　Ｏｔｔ
ｍのＮｍエピタキシャル層１０３と、層抵抗的３にΩ／
口、接合の深さ約０．２５μｍのＰｍベース領域１０４
と接合の深さ約０．１μｍのＮエミッタ領域１０５と、
コレクタ電極コンタクト領域１０６と、選択酸化によっ
て作られた厚さ１．０μｍの分ｌ！＋１酸化［１０Ｂと
、酸化膜１０８の下に形成されているＰ＋？ヤンネルス
トッパ１０７とを含む。なお、ｌ、４．１５．１６、お
よび１１　はそれぞれベース電極、エミッタ電極、コレ
クタ電極、および最低電位配線を示す。

第２図はＰＮ接合分離法により形成された半導体装置の
断面図である。第２図において、Ｐ型基板２０１゜＋ Ｎ埋込み領域２０２．Ｆエピタキシャル層２０３．Ｐ型
ベース領域２０４．Ｎｍエミッタ領域２０５は、第１図
の例とほぼ同じ構成をもっているが、Ｎ−エビタΦシャ
ル層２０３０表面から基板２０１に達するように素子形
成領域を囲むように環状に形成されたＰ＋分離領域２０
８によって、各素子は隣接素子とＰＮ接合分離されてい
る。

通常、集積回路などの半導体装置は、各製造工程を経て
装置を完成させるために、電極配線を施すが、この際、
半導体基板と最低電位の電極配線とオーム接続されてい
なければ、半導体装置の使用時に素子相互間に寄生ＰＮ
ＰＮ効果などの発生がある。この為、半導体本体の一主
面と反対の下層側を占める基板は最低電位配線とオーム
接続する必要がある。

このため、第２図に示した従来のＰＮ接合分離法におい
ては、素子間を電気的に絶縁分離するために形成された
Ｐ＋分離領域２０８上面の酸化膜２１０に電気的取出し
口を設け、取出し電極２０９を半導体装置の最低電位配
線１１１Ｃ接続することにより、半導体基板２０１を最
低電位とすることができる。

しかし、第１図に示す分離酸化膜法においては、Ｎ型エ
ミッタ１０５．Ｐｆｆｌベース１０４．Ｎ凰コレクタ１
０３を含むＮＰＮ）う／ジスタ素子が形成されている領
域、すなわち島領域１０を取囲む厚い分離酸化膜１０８
の下に、基板１０１と同じ導電型のＰ＋チャンネルスト
ッパ１０７があるため、第２図に示すＰＮ接合分離法と
同様々電極取出し電極を設けることは困難である。

本発明の目的は、このような分離酸化膜法において、半
導体本体の素子形成面と反対側にある半導体基板を、最
低電位配線に接続するための困難が解決された半導体装
置の製造方法を提供するにある。

本発明の半導体装置は、表面に一導電型のチャンネルス
ト、バ領域を有する一導電凰の半導体本体の表面上に分
離絶縁膜で囲まれた他の導電型の素子形成用島領域と側
面にチャンネルストッパー領域の延長領域を有する他の
導電型の電位供給用島領域とを形成し、素子形成用島領
域にトランジスタ形成のためのペース領域形成と同時に
電位供給用島領域表面に一導電型の表面領域を形成し、
この表面領域に固定電位が与えられる配線を接続せしめ
る半導体装置の製造方法を得る。

つぎに本発明を実施例によシ説明する。

−第３図は本発明の一実施例の断面図である。図におい
て、半導体本体の素子形成面である半導体本体の一主面
側で、分離酸化膜１０８に囲まれた島領域のうちの一つ
の島領域２００表面側のＰチャンネルストッパ１０７に
、他の島領域１０のＰ型ベース領域１０４の形成と同時
に形成され九戸半導体領域１０９が形成され、とのＰ　
領域１０９０表面に薄い酸化膜にあけられた電極取出し
開口を通して設けられた、最低電位配線１１につながる
接続電極１２と、島領域２０の裏面側の半導体基板１０
１とは、Ｐ＋領域１０７．１０９を通して接続されてい
る。

以上述べたように、本発明によれば、半導体本体の下層
側の半導体基板が低抵抗で最低電位配線に接続され、こ
れにより寄生ＰＮＰＮ効釆の発生はなくなり、安定な動
作をする半導体装置を極めて少い工程で容易に形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は分離酸化膜法により素子間分離されている従来
の半導体装置の１ｔｆｒ面図、３ｇ２図はＰＮ接合分子
ｉ＆ζよる半導体装｛ｌの断面図、第３図は本発明の詳
細な説明する半導体装ｎのＩＩ／ｉ面図である。 １０．２０・・・島領域、１１・・・最低′１を位記線
、１４・・・ペースｆｉｉ、１５・・・工２ツタｔＺｍ
、１６・・・コレクタ電極、１０１・・・Ｐ型半導体基
板、１０２・・・Ｎ＋埋込み領域、１０３・・・Ｎエピ
タキシャル層またはコレクタ領域、１０４・・・Ｐｍベ
ース領域、１０５・・・Ｎ型エミッタ領域、１０６・・
・Ｎ　コレクタコンタクト領域、　１０７・・・Ｐチャ
ンネルストッパ、１０８・・・分子ｆｌ＋Ｍｌ化＋ｇ、
ｉｏ９・・・Ｐ＋接続半導体領域

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 表面に一導電型のチャンネルストッパー層を有する前記
   一導電型の半導体本体の前記表面に分離絶縁膜で囲まれ
   た他の導電型の素子形成用島領域と側面に前記チャンネ
   ルストッパー層の延長部を有する前記他の導電型の電位
   供給用島領域とを設け、前記素子形成用島領域にトラン
   ジスタのベース領域を形成すると同時に前記電位供給用
   島領域の表面に前記一導電型の表面領域を設け、該電位
   供給用島領域の前記表面領域に固定電位が与えられる配
   線を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。