JPS6264011A - 無ア−ク回路遮断器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の背景］ 本発明は無アーク回路遮断器に関する。

固体回路遮断装置には、被保護回路内の接点の開離時に
接点間に発生するアークの大きさを実質的に低減するこ
とができるものがある。この装置は、一般に接点開離時
に直ちに遮断電流を開離する接点から転移するように選
択された半導体素子の組合せ回路を有している。

このような装置の１つが１９８４年５月１６日に出願さ
れた米国特許出願第６１０９４７号に記載されている。

この装置は基本的には開離する接点間に接続された電圧
制御素子および電流制御素子の４１２列の組合せで構成
されている。接点が開離すると直ちに、電流は接点から
電流制御素子に転移し、次いで電圧制御素子に転移する
。接点開離の瞬間と電流が接点から転移する時点と間の
遅延時間は数マイクロ秒以内である。この短期間の間に
発生するアークは最新の接点材料に対して最小限の影響
しか与えない。これらの材料は一般に銀とタングステン
または炭化タングステンの組合せから構成される。銀は
接点が閉じている時に接点間に優れた導電性を与え、タ
ングステンは接点間にアークが発生している時に接点の
スパッタリングを防ぐ。

１９８４年１０月２９日に出願された米国特許出願第６
６５８４１号には、接点のアーク発生を実質的に減らす
ために開離する接点間に正の温度係数素子と電圧制御素
子との組合せを設けることが記載されている。また、１
９８４年１２月１４日に出願された米国特許出願第６８
１４７８号には、ツェナーダイオードおよびトライアッ
クを使用して、電流を開離する接点から電圧制御素子に
転移することが記載されている。」−述した特許出願の
全ては、参考の−ためここに記載しているものであるが
、接点開離時と電流を固体遮断回路に転移する時との間
に有限の遅延時間が生じる。ところで、アークの発生を
完全に無くして、有害なアークの影響を学けることなく
接点が開離できるようにすれば、接点の大きさおよび接
点材料の価格を実質的に低減することができる。したが
って、本発明の目的は、通常の回路条件下においても、
また過負荷状態が発生した場合においても、開離する接
点間におけるアークの発生を完全に無くす＝　　８　− 回路を提供することにある。

［発明の概要］ 無アーク（すなわち、アークを発生しない）回路遮断は
制御回路、インピーダンス回路および電流遮断装置の組
合せによって行なわれる。インピーダンス回路は、一対
の開離可能な接点を通過する電流を接点の開放を行う前
に電流遮断装置に転移させる。このため開離の瞬間に接
点を通る電流はアークを発生するのに不十分なものとな
る。

［好適実施例の説明］ 本発明の無アーク回路遮断器が、第１図に符号１０で全
体的に示されている。第１図において、制御回路１１が
制御線２０を介して、以下単に「インピーダンス回路」
と称する披制御直列インピーダンス回路１２に接続され
、制御線１８を介して電流遮断装置１３に接続され、ま
た制御線１９を介してスイッチ１４内の一対の固定接点
１５゜１６にに対するブリッジ接点１７に接続されてい
る。電気回路内の電力導体３５が直列に接続されたスイ
ッチ１４およびインピーダンス回路１２を介して導体３
１に接続されている。通常、電流は導体３５から接点１
５，１６．１７およびインピーダンス回路１２を通る回
路に流れる。このとき、インピーダンス回路１２はほぼ
接点の電気抵抗程度の低い回路インピーダンスを有して
いる。電流遮断装置１３は十分高インピーダンスを有し
ており、接点およびインピーダンス回路による電圧降下
が低いときには電流遮断装置を流れる電流は無視し得る
。回路電流を遮断することか望ましいときには、インピ
ーダンス回路１２のインピーダンスを増大して、回路電
流を電流遮断装置１３に転移させる。このとき、インピ
ーダンス回路１２のインピーダンスは電流遮断装置１３
のインピーダンスに対してかなり大きくなるようにしな
ければならず、好ましくは開放回路を生じるようにする
。

インピーダンス回路の両端間の電圧は電流遮断装置、イ
ンピーダンス回路および接点を通る通路のインダクタン
スのためにインピーダンス回路のインピーダンスにつれ
て増大する。インピーダンス回路１２を過大な電圧から
保護するためには、電圧を安全なレベルにクランプする
か、または電圧の変化速度を制限することによって電圧
の増大を制限することが必要である。

インピーダンス、従って電圧を変化させるために、イン
ピーダンス回路内に、ゲート・ターンオフ・サイリスタ
、正の温度係数を有する抵抗、バイポーラ・トランジス
タおよび電界効果トランジスタのような種々のスイッチ
ング素子を使用することができる。これらのスイッチン
グ素子については下記に詳細に説明する。この電圧の変
化速度の制御はコンデンサを設けることにより、または
制御回路１１によりスイッチング素子を制御することに
より行なうことができるし、またはスイッチング素子自
身の構造により行なうことができる。

電圧を制御するためにバリスタおよびツェナーダイオー
ドのような別の回路素子を単独で、または電圧の変化速
度の制限と組み合せて使用することができる。更に、イ
ンピーダンス回路内に用いられる特定のスイッチング素
子の特性によっては、インピーダンス回路と電気回路と
の間にインピー−１１＝ ダンス整合用変成器を挿入する。インピーダンス回路１
２は正常な回路電流、例えば１０ミリボルトの電圧降下
で５００アンペアのような回路電流を連続的に通さなけ
ればならず、これは５ワツトの連続的な電力消費を生じ
る。インピーダンス回路内のスイッチング素子が高電圧
状態に切換えられると、電圧降下がほぼ２０ボルトに増
大し、回路電流を電流遮断装置１３へ数マイクロ秒以内
で転移させる。スイッチング素子は半導体素子で構成さ
れるが、半導体素子は一般に導通時の電圧降下と電圧阻
止能力との間に相反する関係を有している。通常、電圧
降下の低い素子は阻止電圧が低い。しかしながら、多く
の入手可能なスイッチング素子は、インピーダンス整合
用変成器を用いることにより電気回路に対してこのスイ
ッチング素子を整合させることができるほどの十分に高
い電圧阻止能力および十分に高い電圧降下を有する。

電流遮断装置１３は切換えられた時の回路電流を直ちに
受入れなければならないが、連続的に回路電流が流れな
いので、数ボルト程度のより高い電圧降下を生じるもの
でよい。回路電流が接点１５乃至１７から導体３２を介
して電流遮断器１３へ転移した後、接点は制御回路１１
からスイッチ可能な操作機構への信号によって開く。こ
の操作機構は例えば米国特許第４００１７４２号に記載
されているものである。接点が絶縁破壊することなく開
放回路電圧に耐えるのに十分な距離、例えば０．００５
乃至０．０１０インチ程度離れた後、回路遮断装置１３
は回路電圧量」−の高電圧状態に上昇して、回路電流を
急速にゼロに減衰させ、回路電流を完全に遮断する。電
流遮断装置１３の特性が回路電流をゼロでないレベルに
到達させるようなものである場合には、補助スイッチ（
図示せず）を使用して遮断処理を完了してもよい。また
、所定期間後にスイッチ１４を自動的に再閉成すること
が望ましい場合には、補助スイッチを使用するべきであ
る。

電流遮断装置１３は上述した米国特許出願第６１０９４
７号に記載されているような固体スイッチ電流制限遮断
器、または上述した米国特許出願第６６５８４１号に記
載されているような固体回路遮断器で構成することがで
きる。

１９８４年１１月２６０に出願された米国特許出願！６
７４８１０号に記載されている、補助接点支持体として
磁気的に反発する並列に相隔たる接点アームを用いた電
気力学的回路遮断器を、本発明では電流遮断装置１３内
に使用することもできる。スイッチ１４およびインピー
ダンス回路１２の両端間に導体３２．３３を介して接続
されている電流遮断装置１３の機能は、スイッチ１４を
開放しようとする時に回路電流を迂回させる並列の抵抗
路を形成して、スイッチが開離した時にスイッチの接点
１５乃至１７を通る電流を実質的に低減することである
。前述したように、インピーダンス回路１２は、接点１
５乃至１７が開離されるまで、電流をスイッチ】４から
電流遮断装置１３に迂回させる。接点がアークの発生を
防止するのに十分な距離まで開離すると、回路電流は電
流遮断装置１３内で遮断される。回路遮断器の分野で知
られているように、接点が指令に応答して開離する速度
が速くなればなるほど、回路遮断器の部品によって処理
しなければならない電気エネルギーは低くなる。ブリッ
ジ接点１７を固定接点１５および１６から急速に開離さ
せる手段か、１９８４年１２月２０日に出願された米国
特許出願第６８４３０７号に記載されている。

簡単なインピーダンス回路１２が、第２図の無アーク回
路遮断器３６ではバイポ〜う拳トランジスタ２１および
ツェナーダイオード２２の組合せによって形成される。

このトランジスタは、ベース駆動信号が導体２５を介し
て制御回路１１から供給されているとき大電流低電圧素
子になり、ベース駆動信号が取り除かれたとき、より高
い高圧すなわちツェナーダイオード電圧に急速に切換わ
り、回路電流をスイッチ１４から電流遮断装置１３に転
移する。制御回路１１からの制御線２０はインピーダン
ス回路１２内の回路素子の数に応じた複数の導体を有す
る。第３図乃至第５図に示す導体２５．２６のような制
御線２０内の導体も同様である。制御回路１１およびイ
ンピーダンス回路１２間の導体２５による電気的接続は
導体２６によって完成する。回路電流が電流遮断装置１
３に転移されると、ブリッジ接点１７は制御線１９の作
用によって固定接点１５．１６から開離されて、回路電
流が電流遮断装置１３に転移した後のインピーダンス回
路１２およびスイッチ１４を通る残りの小さい電流を遮
断する。ツェナーダイオード２２は、バイポーラ争トラ
ンジスタのエミッタ・コレクタ間の電圧を安全な値に保
つようにする。用途によってはトランジスタのターンオ
フ時間を適当に制御することによってツェナーダイオー
ドを除去することができる。

第３図に示す無アーク回路遮断器３７は電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）２３およびそのドレインとソースとの
間に接続されたコンデンサＣがら成るインピーダンス回
路１２を利用している。導体２５を介してバイアス信号
が制御回路１１がらゲートに供給される。この制御回路
１１は導体２６を介してインピーダンス回路に電気的に
接続されている。ＦＥＴは、バイアス信号がゲートに供
＝　　１６　− 給されてない時には開放回路に近いメグオームの範囲の
非常に高いインピーダンスを有し、ゲートにバイアス信
号が供給されている時には短絡に近い非常に低いインピ
ーダンスを有する。これは効果的に導体３５から２つの
電流路を形成する。即ち、バイアス信号がゲートに供給
されている時にはスイッチ１４およびＦＥＴを通って導
体３１に至る電流路であり、電流を遮断するためバイア
ス信号がゲートから取り除かれている時には、導体３２
、電流遮断装置１３および導体３３を通る電流路である
。コンデンサはＦＥＴへの電圧を安全な値に制限する機
能を有するものであるが、このコンデンサはＦＥＴのタ
ーンオフ時間を適当に制御することによって除去するこ
とができる。

第４図の無アーク回路遮断器３８は第３図の回路に類似
しているものであるが、金属酸化物バリスタまたは炭化
シリコン中バリスタ２４がコンデンサＣの代りに同じ目
的で使用されている。回路用途によっては、バリスタは
必要とされない。制御回路１１が導体２５を介してＦＥ
Ｔのゲートに接続され、導体２６を介してインピーダン
ス回路１２に接続されている。スイッチ１４の開放前に
ＦＥＴの抵抗を増大させた時、電流は直ちに電流遮断装
置１３に転移する。上述したように、電流遮断装置は、
系統電圧より高いクランプ電圧を有する電圧依存性素子
を選択することによって（望ましい場合には補助スイッ
チを用いたその後の動作によって）１９８４年５ＪＪ１
６日に出願された特許出願第６１０９４７号に説明され
ているように電流を遮断することができる。

第５図に示す無アーク回路遮断器４２では、図示のイン
ピーダンス回路１２を使用することによって一層低いイ
ンピーダンスが得ることができる。

この実施例では、制御回路１１は、基本的には、第１の
トランジスタＱ１のベースに導体２５を介して接続され
、かつ第２のトランジスタＱ２のエミッタに導体２６を
介して接続されたトランジスタ・ベース制御回路で構成
されるものとして示されている。トランジスタＱ１およ
びＱ２はダーリントン電力トランジスタとして構成され
ている。

制御回路はベース駆動信号をＱｌに供給する。トランジ
スタＱ１は図示のように共通コレクタ接続およびエミッ
タ・ベース接続によってトランジスタＱ２に接続されて
いる。トランジスタＱ１およびＱ２の両方がオンの時に
は、導体２６および２７間に現われる電圧降下は数ボル
ト程度である。

金属酸化物バリスタ２４のような電圧制御素子が導体間
に接続され、またダイオードＤ１乃至Ｄ４から成るブリ
ッジ整流器を介して変成器２８の二次巻線間に接続され
ている。変成器はコア２９および一回巻きの一次巻線３
４を有し、この−次巻線は電力導体３５に直列に接続さ
れている。スイッチ１４はブリッジ接点１７を有し、こ
の接点は一対の固定接点１５．１６の間を接続して、電
力導体を流れる電流■１を通す。トランジスタＱ＋。

Ｑ２が導通状態にある時、二次巻線３０および金属酸化
物バリスタ２４の両端間の出力電圧は低い値にある。ト
ランジスタＱ１に対するベース駆動信号がオフになると
、ベース電流Ｉｓかゼロに低下し、トランジスタＱ１お
よびＱ２の両方はターンオフして、二次巻線３０の出力
電圧は金属酸化物バリスタ２４のクランプ電圧まで上昇
する。この実施例においては、変成器２８は１００対１
の巻線比を有し、金属酸化物バリスタ２４は５００ボル
トのクランプ電圧を有する。図では、変成器の一次巻線
を流れる電流Ｉ２として示されて、電力導体３５を流れ
る回路電流１１と区別されている。スイッチ１４の両端
間に並列に導体３２．３３を介して接続されている電流
遮断装置１３を流れる回路電流は１３として示されてい
る。接点を開離する時、接点１５．１６間でアークの発
生のない遮断を行なうために、接点開離が開始する前に
電流■１は電流遮断装置１３に転移される。この結果、
残りのほんの僅かな磁化電流が接点に流れ、この電流は
接点間にアークを発生させるには不十分である。トラン
ジスタＱｌ、Ｑ２がオンである間は、金属酸化物バリス
タ２４の両端間の電圧はクランプ電圧より実質的に低く
、金属酸化物バリスタには電流は流れない。トランジス
タ・ベース制御回路１１がトランジスタＱ１に対するベ
一ス電流をオフにすると、ベース電流ＩＢは急速にゼロ
に低下する。このため、二次巻線３０の出力の電圧ｖ２
は金属酸化物バリスタのクランプ電圧まで急速に増大し
、−次巻線３４の両端間に電圧ｖＩを形成する。−次巻
線の両端間の電圧は回路電流を接点１５．１６から導体
３２および電流遮断装置１３に転移させる。電流遮断装
置１３は例えば」二連した米国特許出願第６１０９４７
号に記載されている構成部品を有する固体スイッチであ
ってよい。

制御回路１１のトランジスタ・ベース制御機能２０は単
に変成器２８の出力電流Ｉ４を感知する要素に応答する
ものであってよく、または変成器は米国特許出願第４２
６６２５９号に記載されているトリップ・ユニット内に
設けることができる。

このトリップ・ユニットに等価なデジタル論理回路を使
用すること、および必要に応じてスイッチ１４、電流遮
断器１３およびインピーダンス回路１２を動作させるた
めにマイクロプロセッサを使用することは本発明の範囲
内である。本実施例における制御回路は被保護回路内の
電力故障電流の無アーク遮断用として説明しているが、
この制御回路は、過負荷保護以外の１」的のために接点
を開くことを必要とする時に無アーク遮断が望ましい爆
発性の環境内におけるような用途がある。

第５図の回路内での種々の電流間の関係が第６図に示さ
れており、第６図は電圧および電流の公称値をマイクロ
秒で表わした時間の関数として示す。変成器２８の巻線
比か１対１００の場合、ベース電流ＴＢが時刻ｔ１でタ
ーンオフされた時、回路電流１１は５０００アンペアの
値を有し、５０アンペアの二次電流１４がインピーダン
ス回路内に発生する。二次巻線３００両端間の電圧Ｖ２
が３ボルトから金属酸化物バリスタ２４の５００ボルト
のクランプ電圧まで」二昇し、−回巻きの一次巻線の両
端間の電圧Ｖ１は３０ミリボルトから５ボルトの電位に
」二昇する。この５ボルトの電位は、回路電流１１を１
３で示すように固体スイッチすなわち電流遮断装置１３
に転移させて、接点を通過する回路電流■２を時刻ｔ２
における低い値まで低減させるのに十分である。時刻ｔ
３において、接点１５．１６が開かれて、接点を通過す
る残りの磁化電流Ｉ２を遮断し、二次巻線の両端間の出
力電圧ｖ２および一次巻線の両端間の電圧ｖ１を急速に
ゼロに低減する。この時、電流Ｉ３は電流■１に等しく
なる。すなわち回路電流１１は（電流■３と比較するた
めに点線で示されているが）このとき固体スイッチすな
わち電流遮断装置１３を流れる。時刻ｔ３より少し後で
、スイッチ１４の接点ギャップが所要の電圧を支持する
ことができるようになった時に、固体スイッチすなわち
電流遮断装置１３が動作し、電流Ｉ３は固体スイッチ内
の電圧制御素子を流れる。系統電圧よりも電圧制御素子
のクランプ電圧が高いので、この高電圧により電流が急
速にゼロに下る。

以上のように、一対の開離可能な接点を流れる電流を遮
断する前に、電流を接点から迂回させて、その電流を適
当に設計された電流遮断装置に転移させることによって
、いかなるアークも発生させることなく接点を開離する
ことができることがわかるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による無アーク回路遮断器のブロック図
であり、 第２図はバイポーラ−トランジスタを使用した第１図の
無アーク回路遮断装置の１実施例の回路図であり、 第３図はコンデンサを並列に接続した電界効果トランジ
スタを使用した第１図の無アーク回路遮断器の第２の実
施例の回路図であり、 第４図は電界効果トランジスタの両端間に金属酸化物バ
リスタを設けた第２図の無アーク回路遮断器の別の実施
例の回路図であり、 第５図は電流を電流遮断器に切換えるために電流変成器
とダーリントン・バイポーラ・トランジスタとの組合せ
を使用した第１図の無アーク回路遮断器の別の実施例の
回路図であり、 第６図は共通時間軸に対して第５図の回路内での種々の
電流の波形および制御回路電圧波形を示すグラフである
。 （主な符号の説明） １０・・・無アーク回路遮断器、１１・・・制御回路、
１２・・・インピーダンス回路、１３・・・電流遮断装
置、１４・・・スイッチ、２１・・・バイポーラ・トラ
ンジスタ、２２・・・ツェナーダイオード、２３・・・
電界効果トランジスタ、２４・・・金属酸化物バリスタ
、２８・・・変成器、Ｃ・・・コンデンサ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電気回路内に直列に接続された一対の開離可能な接
   点と、 前記接点間に接続され、回路電流を所定期間の間前記接
   点から迂回させて導通して、該回路電流を遮断する第１
   の回路手段と、 前記接点に直列に接続され、前記接点を開離する前に、
   前記回路電流を前記第１の回路手段に転移させる第２の
   回路手段と、 前記第１の回路手段が前記回路電流を導通している間に
   、前記接点を開離させる操作手段と、を有する回路遮断
   器。 ２、特許請求の範囲第１項記載の回路遮断器において、
   前記第１の回路手段が前記回路電流を導通し、かつ遮断
   するトランジスタ手段を含んでいる回路遮断器。 ３、特許請求の範囲第２項記載の回路遮断器において、
   前記トランジスタを保護するために所定のクランプ電圧
   を有する電圧依存性素子が設けられている回路遮断器。 ４、特許請求の範囲第１項記載の回路遮断器において、
   前記第１の回路手段が前記回路電流を導通し、かつ遮断
   する正の温度係数を有する抵抗を含んでいる回路遮断器
   。 ５、特許請求の範囲第１項記載の回路遮断器において、
   前記第２の回路手段が、前記回路電流を前記接点を介し
   て通過させることができるように前記電気回路に対して
   第１の直列インピーダンスを形成し、また前記回路電流
   を前記第１の回路手段に転移させるために前記第１の直
   列インピーダンスより高い第２の直列インピーダンスを
   形成する可変インピーダンス素子で構成されている回路
   遮断器。 ６、特許請求の範囲第５項記載の回路遮断器において、
   前記第２の回路手段がバイポーラ・トランジスタを有し
   、該バイポーラ、トランジスタはターンオンしたとき前
   記第１の直列インピーダンスを形成し、ターンオフした
   とき前記第２の直列インピーダンスを形成する回路遮断
   器。 ７、特許請求の範囲第５項記載の回路遮断器において、
   前記第２の回路手段が電界効果トランジスタを有し、該
   電界効果トランジスタはターンオンしたとき前記第１の
   直列インピーダンスを形成し、ターンオフしたとき前記
   第２の直列インピーダンスを形成する回路遮断器。 ８、特許請求の範囲第５項記載の回路遮断器において、
   前記第２の回路手段がサイリスタを有し、該サイリスタ
   はターンオンしたとき前記第１の直列インピーダンスを
   形成し、ターンオフしたとき前記第２の直列インピーダ
   ンスを形成する回路遮断器。 ９、特許請求の範囲第３項記載の回路遮断器において、
   前記電圧依存性素子が金属酸化物バリスタまたは炭化シ
   リコン・バリスタで構成されている回路遮断器。 １０、特許請求の範囲第６項、第７項または第８項のい
   づれか１項に記載の回路遮断器において、前記第２の回
   路手段が変成器によって前記電気回路に接続されている
   回路遮断器。 １１、特許請求の範囲第１項記載の回路遮断器において
   、前記第１の回路手段、前記第２の回路手段および前記
   操作手段が制御回路手段によって作動される回路遮断器
   。 １２、特許請求の範囲第１０項記載の回路遮断器におい
   て、前記変成器の出力巻線間に電圧依存性素子が接続さ
   れている回路遮断器。 １３、特許請求の範囲第１２項記載の回路遮断器におい
   て、前記電圧依存性素子が整流器を介して前記変成器の
   出力巻線間に接続されている回路遮断器。 １４、特許請求の範囲第１０項記載の回路遮断器におい
   て、前記変成器が一回巻きの一次巻線を有する回路遮断
   器。 １５、特許請求の範囲第１項記載の回路遮断器において
   、前記電気回路を通る所定の電流が発生した時に、前記
   転移を開始させる手段を有する回路遮断器。 １６、回路遮断器であって、 被保護回路内に設けられて操作機構によって制御され、
   前記回路を通る所定の電流を遮断する一対の開離可能な
   接点と、 前記接点間に並列に接続され、前記電流を前記接点から
   迂回させて導通し、前記電流を電圧依存性素子に転移さ
   せて、前記電流を所定の低い値に低減する固体スイッチ
   と、 前記接点に直列に接続され、電力トランジスタに並列な
   出力巻線を有する変成器と、 前記接点が閉じている間、前記変成器の出力巻線を第１
   の電圧に維持するように前記電力トランジスタに駆動信
   号を供給し、前記接点を開離する直前に前記電力トラン
   ジスタへの駆動信号を除去して、前記変成器の出力巻線
   を前記第１の電圧より高い第２の電圧に増大させる手段
   と、 を有する回路遮断器。 １７、回路遮断を行う方法であって、 電気回路内に第１の回路手段と直列に一対の開離可能な
   接点を接続し、 第２の回路手段を前記接点および前記第１の回路手段の
   両端間に設け、 前記第１の回路手段を作動して、前記接点を開放する前
   に前記回路電流の一部分を前記第２の回路手段に転移さ
   せ、 接点を流れる残りの電流を遮断するために前記接点を開
   放し、 前記第２の回路電流手段を作動して前記転移された回路
   電流を所定の低い値に低減することからなる方法。 １８、特許請求の範囲第１７項記載の方法において、前
   記第２の回路手段内に第１の電圧依存性素子を設け、前
   記回路電流が前記第１の電圧依存性素子を通過させるよ
   うにして、前記転移された回路電流を前記所定の低い値
   に低減させる方法。 １９、特許請求の範囲第１８項記載の方法において、前
   記第１の回路手段を変成器を介して前記電気回路に接続
   する方法。 ２０、特許請求の範囲第１９項記載の方法において、前
   記変成器の二次巻線の両端間に電力トランジスタを接続
   する方法。 ２１、特許請求の範囲第２０項記載の方法において、ベ
   ース駆動電流を前記電力トランジスタのベースに供給し
   て該電力トランジスタをターンオンさせて、前記変成器
   の出力巻線を第１の所定電圧に維持する方法。 ２２、特許請求の範囲第２１項記載の方法において、第
   ２の電力トランジスタのコレクタを前記電力トランジス
   タのコレクタに接続し、前記第２の電力トランジスタの
   エミッタを前記電力トランジスタのベースに接続し、前
   記第２の電力トランジスタのベースをベース電流源にス
   イッチ可能に接続している方法。 ２３、特許請求の範囲第２２項記載の方法において、前
   記電流変成器の二次巻線と前記電力トランジスタとの間
   に整流器を接続する方法。