JPS63102552A - レ−ザ記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、画像信号に基づいて変調されたレーザビーム
を感光材料上に走査させて連続調画像を記録するレーザ
記録装置、特に詳細にはレーザビームの光強度をアナロ
グ的に変調して高階調の画像を記録できるようにしたレ
ーザ記録装置に関するものでおる。

（従来の技術） 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光材料
上に走査ざぜ、該感光材料に画像を記録する光走査記録
装置が広く実用に供されている。

このような光走査記録装置において光ビームを発生する
手段の１つとして、半導体レーザが従来がら用いられて
いる。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小
型、安価で消費電力も少なく、また駆動電流を変えるこ
とによって直接変調が可能である等、数々の長所を有し
ている。

しかしながら、その反面この半導体レーザは、第２図に
示すように駆動電流に対する光出力特性が、ＬＥＤ領域
（自然発光領域）とンーザ光振領域とで極端に変わるの
で、連続調画像の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流灯光出力特性が線形で市
るレーザ発振領域のみを利用して強度変調を行なうと、
光出力のダイナミックレンジかたかだが２桁程度しかと
れない。周知のように、この程宴のダイナミックレンジ
では高品位の連続調画像を得ることは不可能である。

そこで例えば特開昭５６−１１５０７７号、同５６−１
５２３７２号等に示されるように、半導体レーザの光出
力は一定とするとともに、該半導体レーザを連続的に０
Ｎ−ＯＦＦさせて走査ビームをパルス光とし、このパル
スの数あるいは幅を各画素毎に制御して走査光量を変化
させることにより連続調画像を記録する試みもなされて
いる。

ところが上記のようなパルス数変調あるいはパルス幅変
調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数がＩＭ
Ｈｚのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を
１０ｂｉｔ（約３桁）確保しようとすると、パルスの周
波数は少なくとも１ＧＨｚと極めて高く設定しなければ
ならない。半導体レーザ自体はこの程度の周波数で０Ｎ
−ＯＦＦ″ｇることも可能であるが、パルス数制御ある
いはパルス幅制御のためのパルスカウント回路等はこの
ような高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素クロ
ック周波数を上記の値よりも大幅に下げなければならな
い。したがって装置の記録速度を大幅に下げざるをえな
い。

さらに上記の方法にあっては、各画素の記録期間中に出
力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザ
チップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの駆
動電流対光出力特性か変化し、１パルス当りの露光量が
変動してしまうこともある。こうなると記録画像の階調
にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可能
となる。

一方、例えば特開昭５６−７１３７４号に示されるよう
に、上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述し
た光強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方
法も提案されている。しかしこの場合にも、上記のよう
にパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップ
の発熱量が変化し、その結果１パルス当りの露光量が変
動してしまうという問題が同様に生じる。

上記のことを鑑みると、例えば濃度スケール１Ｑｂｉｔ
つまり１０２４階調程度の高階調画像を記録するには、
前述の第２図に示したＬＥＤ領戚とレーザ発振領域とに
亘って光強度変調を行なって、光出力のダイナミックレ
ンジを３桁程度確保可能とすることが望まれる。しかし
上記２つの領域に亘ると、半導体レーザの駆動電流対光
出力特性は当然線形ではなくなるので、高階調画像を容
易かつ精度良く記録できるように画像信号の一定量変化
に対して等濃度間隔で画像濃度を制御可能とするために
は、上記の特性を何らかの方法で補償して半導体レーザ
の発光レベル指令信号と光出力との関係を線形に変える
必要がある。

上記半導体レーザの発光レベル指令信号と光出力との関
係を線形にする回路として従来より、レーザビームの光
強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還信
号を半導体レーザの発光レベル指令信号にフィードバッ
クさせる光出力安定化回路（以下、ＡＰＣ回路と称する
）が知られている。第３図はこのＡＰＣ回路の一例を示
すものでおり、以下、この第３図を参照してＡＰＣ回路
について説明する。半導体レーザ１の発光強度を指令す
る発光レベル指令信号Ｖｒｅｆは、加算点２を通して電
圧−電流変換アンプ３に入力され、該アンプ３はこの指
令信号ｒｅｆに比例した駆動電流を半導体レーザ１に供
給する。半導体レーザ１から前方に出射された光ビーム
４は、図示しない走査光学系を通して感光材料走査に利
用される。

−力学導体レーザ１の漬方側に出射された光ビーム５の
強度は、例えば半導体レーザのケース内に設置された光
量モニタ用のピンフォトダイオード６によって検出され
る。こうして検出される光ビーム５の強度は、実際に画
像記録に利用される上記光ビーム４の強度と比例関係に
ある。該光ビーム５の強度、すなわち光ビーム４の強度
を示すフォトダイオード６の出力電流は、電流−電圧変
換アンプ７によって帰還信号（電圧信号＞ｖｐｄに変換
され、該帰還信号ＶｐｄＧ、を前述の加算点２に入力さ
れる。このＤＯ算点点２らは、上記発光レベル指令信号
Ｖ　ｒｅｆと帰還信号Ｖｐｄとの偏差を示す偏差信号ｙ
ｅが出力され、該偏差信号ｙｅは前記電圧−電流変換ア
ンプ３によって電流に変換され、半導体レーザ１を駆動
する。

上記のＡ　Ｐ　Ｃ回路において、理想的な線形補償がな
されれば、光ビーム５の強度は発光レベル指令信号Ｖ　
Ｉ’ｅｆに比例する。つまり画像記録に利用される光ど
−ム４の強度（半導体レーザ１の光出力）Ｐｆが、発光
レベル指令信号ｙｒｅｒに比例することになる。第４図
の実線は、この理想的な関係を示している。

（発明が解決しようとする問題点） 上述のようなＡＰＣ回路を用いて、光強度Ｐｆが常に一
定レベルとなるように半導体レーザを駆動制御すること
は比較的容易であるが、前述のように連＠調画像を記録
するために発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅｆを高速でアナ
ログ的に変化させて半導体レーザを駆動する際に、第４
図の実線で示すような特性を得ることは困難である。特
に、先に述べたように画素クロック周波数を１ＭＨ２程
度に設定した上で、１０ｂ；を程度の濃度スケールの高
階調画像を記録する場合には、非常に困難である。

以下、その理由について説明する。第３図の系に挿入さ
れた半導体レーザ１の駆動電流対光出力特性は、第２図
に示すように極端に非線形なものとなっている。つまり
半導体レーザ単体のゲインとなる微分量子効率は、対数
で表わして第５図に示すように、ＬＥＤ領域とレーザ発
振領域とで大きく変化するので、第４図の実線のような
特性を得るためには、第３図の系のループゲインを非常
に大きくとる必要がある。第４図の破線で示す曲線は、
上記ループゲインに応じて変化する半導体レーザの発光
レベル指令信号対光出力特性の例を示しており、図示さ
れるように実線で示す理想特性に近い特性を得るために
は、６０ｄ８程度の高ゲインが必要となる。

また第４図に示した特性は、発光レベル指令信号Ｖ　ｒ
ｅｆが直流に近い非常に低周波の信号である場合のもの
であるが、該指令信号ｖｒｅｒが高周波信号でおる場合
には、ざらに別の問題が生じる。

以下、この点について説明する。第６図は、第２図に示
した半導体レーザの駆動電流対光出力特性のケース温度
依存性を示している。図示されるように半導体レーザの
光出力は、駆動電流が一定ならばケース温度が高い程低
下する。一般に半導体レーザをレーザ記録装置等に適用
する場合には、そのケース温度を一定に維持するための
制御がなされるが、半導体レーザに駆動電流を印加した
場合に生じるレーザダイオードチップの過渡的温度変化
までも抑ｔ７ＩＪすることは側底不可能である。すなわ
ち第７図の（１〉に示すように半導体レーザにステップ
状に駆動電流が印加された際、レーザダイオードチップ
の温度は第７図（２）に示すように、上記ケース温度−
走化制御により定常状態になるまで過渡的に変化し、そ
の結果第６図の特性に従って半導体レーザの光出力が第
７図（３）に示すように変動する。これは半導体レーザ
のドループ特性として知られている。第３図のＡＰＣ回
路において、このドループ特性によるレーザ駆動電流対
光出力特性の非線形性を補正するには、前述のループゲ
インが１０ｄＢ程度必要であることか分かつており、し
たがって、発光レベル指令信号Ｖｒｅｆとして低周波か
ら高周波（例えば１ＭＨ２）に至る信号か用いられる際
に、高い応答性を維持した上で第４図の実線に近い発光
レベル指令信号対光出力特性（直線性）を得るには、レ
ーザ発掘領域において前述の６０ｄＢと合わせて計７０
ｄＢ程度のループゲインが必要となる。現状では、この
ような高速、高ゲインのＡＰＣ回路を実現するのはほと
んど不可能である。

そごで本発明は、上記のような高ゲインのＡＰＣ回路を
用いなくても、半導体レーザの発光レベル指令信号対光
出力特性をそのＬＥＤ領域からレーザ弁壁領域に亘って
線形にすることができ、よって光強度変調により高階調
画像を高速で記録することができるレーザ記録装置を提
供することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明のレーザ記録装置は、半導体レーザと、該半導体
レーザから射出された光ビームを感光材料上に走査させ
るビーム走査系と、画像信号に対応した発光レベル指令
信号を生成し、該信号に基づいて前記半導体レーザの駆
動電流を制御してレーザビームの光強度を変調するレー
ザ動作制御回路とを備えたレーザ記録装置において、上
記レーザ動作制御回路が、前述したＡＰＣ回路を有する
とともに、半導体レーザの駆動Ｎ流対光出力特性の非線
形性を補償するように発光レベル指令信号を補正して、
該補正後の信号に基づく半導体レーザの光出力と、補正
前の発光レベル指令信号の関係を線形にする補正テーブ
ルを備えたことを特徴とするものである。

（作　用） 上記のような補正テーブルによって半導体レーザの発光
レベル指令信号を補正すれば、ＡＰＣ回路のゲインが低
くても、補正前の発光レベル指令信号と半導体レーザ光
出力に関しては、第４図の実線で示す理想特性に近い光
出力特性を得ることができる。

（実　施　例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

第１図は本発明の第１実施例によるレーザ記録装置を示
すものである。画像信号発生器１０は、連続調画像を担
持する画像信号Ｓ１を発生する。この画像信号Ｓ１は一
例として１ｏｂ＊ｔの濃度スケールの連続調画像を示す
デジタル信号である。

画像信号発生器１０は後述するラインクロックＳ２に基
づいて１主走査ライン分の信号を切り換え、また画素ク
ロックＳ３に基づいて各画素毎の画像信号Ｓ］を出力す
る。本例において画素クロック周波数は１ＭＨ２、換言
すれば１画素記録時間はコμｓｅｃ　　（秒）に設定さ
れる。

上述の画像信号＄１はマルチプレクサ１１を通し、ＲＡ
Ｍからなる補正テーブル４０において後述する補正を受
けて、例えば１６ｂｉｔの発光レベル指令信号Ｓ５に変
換される。この発光レベル指令信号Ｓ５はマルチプレク
サ１５を介してＤ／Ａ変換器１６に入力され、ここでア
ナログの電圧信号からなる発光レベル指令信号Ｖ　ｒｅ
ｆに変換される。この発光レベル指令信号Ｖｒｅｆは、
ＡＰＣ回路８の加算点２に入力される。ＡＰＣ回路８の
加算点２、電圧−電流変換アンプ３、半導体レーザ１、
フォトダイオード６、電流−電圧変換アンプ７は、先に
説明した第３図の回路にあけるものと同等のものであり
、したがって半導体レーザ１からは発光レベル指令信号
ｒｅｆに対応したくつまり画像信号Ｓ１に対応した）強
度の光ビーム４が発せられる。この光ビーム４はコリメ
ータレンズ１７に通されて平行ビームとされ、次に例え
ばポリゴンミラー等の光偏向器１８に大剣してそこで反
射偏向される。こうして偏向された光ビーム４は、通常
ｆθレンズからなる集束レンズ１９に通されて感光材料
２０上において微小なスポットに集束し、該感光材料２
０上をＸ方向（走査（主走査）ｇる。感光材料２０は図
示しない移送手段により、上記主走歪方向Ｘと略直角な
Ｙ方向に移送され、それによって光ビーム４の副走査か
なされる。こうして感光材料？０は光ビーム４によって
２次元的に走査され、感光する。前述したように光ビー
ム４は画像信号＄１に基づいて強度変調されているので
、この感光材料２０上には、画像信号Ｓ１が担持する連
続調画像か写真潜像として記録される。なお上記のよう
に光ビーム４が感光材Ｒ２０上を走査するとき、主走歪
の始点を該ビーム４か通過したことが光検出器２１によ
って検出され、該光検出器２１が出力する始点検出信号
Ｓ６がクロックジェネレータ３６に入力される。クロッ
クジェネレータ３６はこの始点検出信号Ｓ６の入力タイ
ミングに同期させて、前述のラインクロックＳ２および
画素クロックＳを出力する。

次に感光材料？Ｏは現像機２２に通されて、そこで現像
処理を受ける。それにより感光材料２０上には、上記連
続調画像か可視像として記録される。

ここで、前述の補正テーブル４０にあ警ブる画像信号Ｓ
１の補正について説明する。該補正テーブル４０は階調
補正テーブル１２、逆ｌｏｇ変換テーブル１３、および
半導体レーザ１の発光レベル指令信号対光出力特性を線
形に補正する補正テーブル（以下、Ｖ−Ｐ特性補正テー
ブルと称する）１４からなる。

上記階調補正テーブル１２は、感光材料２０およびその
現像処理系の階調特性を補正する公知のものである。こ
の階調補正テーブル１２は、補正特性が固定のものが用
いられてもよいが、本実施例においては、感光材料２０
の階調特性がロット毎に変化したり、あるいは現像機２
２中の現像液特性が経時変化すること等を考慮して、実
際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能に構成
されている。

すなわちテストパターン発生回路２６からは、感光材料
２０上にあける何段階か（例えば１６段階）の画像濃度
を担持するテストパターン信号Ｓ４が出力され、該信号
Ｓ４はマルチプレクサ１１に入力される。この際マルチ
プレクサ１１は、前述のように画像信号Ｓ１を補正テー
ブル４０に入力させる画像記録時の状態から切り換えら
れて、上記テストパターン信号Ｓ４を補正テーブル４０
に入力させる状態とされる。半導体レーザ１はこのテス
トパターン信号８４に：基づいて前述のように駆動され
、したがって光ビーム４が強度変調される。それにより
感光材料２０上には、段階的に濃度が変化する例えば１
６個のステップウェッジ（テストパターン）か写真潜像
として記録される。この感光材料２０は現像機２２に送
られ、上記ステップウェッジが現像される。現像後この
感光材料２０は濃度計２３にセットされ、上記ステップ
ウェッジの各々の光学濃度か測定される。こうして測定
された光学濃度は、各ステップウェッジと対応付けて濃
度値入力手段２４に入力され、該濃度値入力手段２４か
らは各ステップウェッジの光学濃度を示す濃度信号＄７
が出力される。この濃度信号Ｓ７はテーブル作成手段３
７に入力され、該テーブル作成手段３７はこの濃度信号
Ｓ７と前記テストパターン信号Ｓ４とに基づいて、所定
の画像信号Ｓ１の値によって所定の画像濃度が冑られる
階調補正テーブルを作成する。

この階調補正テーブルは前述のように１６段階程度の画
像信号）直をそれぞれ所定の画像′ａ度値に対応させる
ものである。この階調補正テーブルを示すデータＳ８は
データ補間手段３８に：入力され、ここで補間処理がな
されて、１０２４段階（＝１０ｂｉｔ）の画像信号Ｓ１
に対応できる階調補正テーブルが得られる。この階調補
正テーブルを示すデータＳ９に基づいて、前述の階調補
正テーブル１２が形成される。

画像信号８１に基づく画像記録時には、マルチプレクサ
１１を介して階調補正テーブル１２に入力された画像信
号Ｓ１が、この階調補正テーブル１２によって信号８１
′に変換され、次いで逆ｌｏｇ変換テーブル１３により
発光レベル指令信号８１″に変換される。

次にＶ−Ｐ特性補正テーブル１４について説明する。先
に述べた通り、ＡＰＣ回路８において帰還信号Ｄｄを加
譚点２にフィードバックざぜても、発光レベル指令信号
と光ビーム４の強度との関係を理想的なもの（第４図の
実線表示の関係）とすることは困難で必る。上記Ｖ−Ｐ
持性補性補正テーブルは、上記の理想的な関係を得るた
めに設けられている。すなわち、発光レベル指令信号ｙ
ｒｅｒと半導体レーザ１の光出力との理想的な関係を第
８図にａで示す直線とし、実際の関係を同じく第８図に
ｂで示す曲線とすると、Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４は
、発光レベル指令信号８１″がそのままＤ／Ａ変換され
た場合の電圧値がＶ団であったと仮定すると、この電圧
＋ａＶｉｎをＶなる値に変換するように形成されている
。つまり発光レベル指令信号Ｖｒｅｆの値がＶｉｎでめ
ったとすると、Ｐ′の光強度しか得られないが、上記の
変換がなされていれば、電圧値■ｉｎに対してＰｏの光
強度か得られる。すなわち発光レベル指令信号８１′′
に対応する電圧値Ｖｉｎと光出力Ｐｆとの関係は、線形
なものとなる。

このようになっていれば、画像信号Ｓ１＠所定量変化ざ
甘ることにより、感光材料２０にあける濃度を等間隔で
制御できる。また第８図の特性曲線すは、前述したよう
に半導体レーザ１をそのＬＥＤ領域とレーザ発蚤領域に
亘って駆動させた場合のものでおり、このようにすれば
３街程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるから
、前述のように１０２４段階程度の高階調画像を、容易
にかつ高精度で記録できるようになる。

以上述べたように、半導体レーザ１の駆動電流対光出力
特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信号
対レーザ光出力特性の非線形性を、Ｖ−Ｐ特性補正テー
ブル１４によって線形に補正すれば、ＡＰＣ回路８の加
算点２、電圧−電流変換アンプ３、半導体レーザ１、フ
ォトダイオード６、電流−電圧変換アンプ７から加算点
２に戻る系のループゲインには、上記非線形性を補正す
るのに必要なゲインを含まなくて済むようになる。すな
わちこのループゲインは、半導体レーザ１の動作中に生
じる過渡的温度変化、あるいは半導体レーザ１のケース
温度−電化制御の誤差による半導体レーザ］の駆動電流
対光出力特性からのズレを補正するため、ざらにはアン
プ等のドリフトを補正するために必要なだけ確保されて
いればよい。具体的には、例えば画素クロック周波数が
１ＭＨｚで、半導体レーザ１が光出力３ｍＷで作動して
いる状態において、上記ループゲインは３０ｄＢ程度確
保されていれば十分でのる。この程度のループゲインは
、現在の技術水準で容易に確保可能である。

次に上記ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４の作成について説
明する。第１図の装置には、テーブル作成装＠３５か適
宜接続されうるようになっている。このテーブル作成装
置３５は、テスト信号発生回路２７、テーブル作成回路
２８ｆ３よびメモリ２９からなる。■−Ｐ特性補正テー
ブル１４を作成する際には、上記テスト信号発生回路２
７からレベル可変のデジタルテスト信号８１０が出力さ
れ、マルチプレクサ１５に入力される。この際該マルチ
プレクサ１５は、前述のように発光レベル指令信号Ｓ５
をＤ／Ａ変換器１６に送る画像記録時の状態から切り換
えて、テスト信号３１０をＤ　、／　Ａ変換器１６に送
る状態とされる。

またテーブル作成回路２８は、ＡＰＣ回路８の電流−電
圧変換アンプ７が出力する帰還信号Ｖｔ）ｄが入力され
るように接続される。テスト信号３１０は、段階的にレ
ベルが増大めるいは減小するように出力される。そして
このときテーブル作成回路２８は、内蔵するレベル可変
信号発生器から、まず最低の光出力に対応する基準信号
を発生させ、該基準信号と帰還信号Ｖｔ）ｄとを比較す
る。この基準信号は、第８図における電圧値Ｖｉｎを有
するものである。

そしてテーブル作成回路２８は、これら両信号か一致し
たときのテスト信号ＳＩＯの値をラッチする。

このラッチされたテスト信号Ｓ１０が示す電圧１ａは、
第８図における電圧値■に相当するものでおるから、上
記電圧値ＶｉｎとＶとの関係が分かる。テーブル作成回
路２８は上記基準信号の値を１０２４通りに変えて、そ
れぞれの場合の電圧１ａＶｉｎとＶとの関係を求める。

それにより、先に述べたように１０２４段階の電圧値ｖ
ｉｎを■に変換する補正テーブルが作成される。こうし
て作成された補正テーブルはメモリ２９に−たん記憶さ
れた後、Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１４として設定される
。こうしてＶ−Ｐ特性補正テーブル１４を作成した後、
テーブル作成装置３５はＡＰＣ回路８から切り離される
。

なお以上説明したように、すべての画像濃度に対応する
電圧値■１ｎとＶとの関係を逐−求める他、先に説明し
た階調補正テーブル１２の作成の場合と同様に、電圧値
ＶｉｎとＶとの関係を主要ないくつかの場合のみについ
て求め、そのデータを補間してＶ−Ｐ特性補正テーブル
１４を作成するようにしてもよい。またＶ−Ｐ特性補正
テーブル１４は、半導体レーザのＶ−Ｐ特性から計算に
よって作成することも可能である。ざらに、階調補正テ
ーブル１２、逆ｌｏｇ変換テーブル１３、および上記Ｖ
−Ｐ特性補正テーブル１４はそれぞれの変換特性をすべ
て含ませて１１［！ｉｔの補正テーブルとして形成され
てもよいし、おるいはそれぞれ別個の形に構成されても
よい。

次に第９図を参照して本発明の第２実施例について説明
する。なおこの第９図において、前記第１図中の要素と
同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は
省略する（以下同様）。またこの第９図はレーザ動作制
御回路の部分のみを示しているが、本装置における光ビ
ーム走査系等の図示しない８１５分は、第１図の装置に
おけるのと同様に形成される。この第２実施例の装置に
おいては、逆ｌｏｇ変換テーブル１３から出力された発
光レベル指令信ｓｓｉ”がそのままマルチプレクサ１５
を通してＤ／Ａ変換器１６に入力される。その一方上記
画像信号Ｓ１”は分岐されてＶ−Ｐ特性補正テーブル４
４に入力される。このＶ−Ｐ特性補正テーブル４４は第
１図の装置のＶ−Ｐ特性補正テーブル１４とはヤヤ異な
り、第８図における電圧値Ｖと■１ｎとの差ΔＶを求め
るように形成されている。

この電圧差ΔＶを示すデジタル信号３５’はＤ／Ａ変換
器４５に通されてアナログ化され、加算点２において電
圧値ｙｅｎ（発光レベル指令信号８１″に対応するもの
である）と加算される。このようにすることにより結局
は、第１図の装置におけるように加算点２に発光レベル
指令信号■ｒｅｆとして電圧値■の信号を入力させるの
と同じこととなり、前述と同様の効果が得られる。

次に第１０図を参照して本発明の第３実施例について説
明する。この第１０図の装置においては、発光レベル指
令信号Ｓ１”を分岐させてＶ−Ｐ特性補正テーブル４４
に入力させ、そこで前述した通りの補正を行ない、得ら
れた信号Ｓ５’をり、／Ａ変換器４５においてアナログ
化するところまでは、第９図の装置と同様に形成されて
いる。しかし上記Ｄ／Ａ変換器４５から出力される電圧
信号Δ■は加算点２には入力されず、電圧−電流変換ア
ンプ４６に通されて電流Δ１とされる。この電流へ１は
、Ａ　Ｐ　Ｃ回路８の電圧−電流変換アンプ３の後段の
加算点４７において、偏差信号Ｖｅを変換した駆動電流
に加算されるようになっている。この第３実施例装置に
おいては、電圧信号ΔＶをそのままＡＰＣ回路８に入力
させず、電流Δ１に変換した上でＡＰＣ回路８に入力さ
せる点が第２実施例装置と異なるだけであり、したがっ
てこの場合も、第１実施例装置におけるのと同様の効果
が得られる。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り不発明のレーザ記録装置におい
ては、半導体レーザの駆動電流対光出力特性が非線形で
おることに起因する発光レベル指令信号対レーザ光出力
特性の非線形性を、半導体レーザ光出力安定化回路とは
別に設けた補正チー゛プルによって補正するようにして
いるので、上記光出力安定化回路により構成される閉ル
ープのループゲインを現在の技術水準で十分実現可能な
低い値に設定しても、高い応答性を維持した上で発光レ
ベル指令信号と半導体レーザ光出力との関係を、そのＬ
ＥＤ領域とレーザ発掘領域に亘って線形にすることがで
きる。したがって本発明装置によれば、画像信号を所定
量変化させることにより等濃度間隔で画像濃度を制御で
き、また半導体レーザの光出力ダイナミックレンジつま
り感光材料の露光量を３桁程度の広範囲に亘って確保で
きるので、例えばｍ度分解能が１Ｑｂｉｔ程度の極めて
高階調の連続調画像を高速かつ精密に記録可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例によるレーザ記録装置を示
す概略図、 第２図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性を示すグ
ラフ、 第３図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第４図は発光レベル指令信号と半導体レーザ光出力との
関係を示すグラフ、 第５図は半導体レーザの光出力と微分量子効率との関係
を示すグラフ、 第６図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性の温度依
存性を示すグラフ、 第７図は半導体レーザのドループ特性を説明するグラフ
、 第８図は本発明装置におけるＶ−Ｐ特性補正テーブルの
作用を説明するグラフ、 第９図は本発明の第２実施例によるレーザ記録装置の半
導体レーザ動作制御回路を示すブロック図、 第１０図は本発明の第３実施例によるレーザ記録装置の
半導体レーザ動作制御回路を示すブロック図である。 １・・・半導体レーザ　　　２．４７・・・７ＪＯ算点
３．４６・・・電圧−電流変換アンプ ４．５・・・光ビーム　　　６・・・フォトダイオード
７・・・電流−電圧変換アンプ ８・・・Ａ　Ｐ　Ｃ回路　　　　１０・・・画像信号光
土器１４．４４・・・Ｖ−Ｐ特性補正テーブル１６．４
５・・・Ｄ　、／　Ａ変換器　１７・・・コリメータレ
ンズ１８・・・光偏向器　　　　　１９・−・集束レン
ズ２０・・・感光材料　　　　　３５・・・テーブル作
成装置４０・・・補正テーブル　　　Ｓｌ・・・画像信
号８１″・・・補正前の発光レベル指令信号Ｖｒｅｆ・
・・発光レベル指令信号　Ｖｐｄ・・・帰還信号ｖｅ・
・・偏差信号 〜　　　　　　　　　　　　　　　ｎ　　　　　　　寸
法　　　　　　　　　　　　　　　鏝 ン） く； 第５図 ヅε　Ｊで、　力　　　　（ｍＷ） 第６図 用俣雫シＬ　　　　（ｍへ〕 第７図 一一一　時間 第８図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ビームを発する半導体レーザと、 前記光ビームを感光材料上に走査させるビーム走査系と
   、 画像信号に対応した発光レベル指令信号を生成し、該信
   号に基づいて前記半導体レーザの駆動電流を制御して前
   記光ビームの強度を変調するレーザ動作制御回路とを有
   するレーザ記録装置において、 前記レーザ動作制御回路が、前記光ビームの強度を検出
   し、この検出された光強度に対応する帰還信号を前記発
   光レベル指令信号にフィードバックさせる光出力安定化
   回路と、 前記半導体レーザの駆動電流対光出力特性の非線形性を
   補償するように前記発光レベル指令信号を補正して、該
   補正後の信号に基づく半導体レーザの光出力と、補正前
   の発光レベル指令信号の関係を線形にする補正テーブル
   とを有することを特徴とするレーザ記録装置。
2. （２）前記補正テーブルが、前記光出力安定化回路の前
   段に配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載のレーザ記録装置。
3. （３）前記補正テーブルが、前記発光レベル指令信号の
   経路を分岐した経路に配置されて、該発光レベル指令信
   号の補正量を求めるように構成され、該補正量を示す補
   正信号が発光レベル指令信号に加算されるようになつて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレー
   ザ記録装置。
4. （４）前記補正テーブルが、前記発光レベル指令信号の
   経路を分岐した経路に配置されて、該発光レベル指令信
   号の補正量を求めた上でこの補正量に対応する電流を出
   力するように構成され、該電流が前記半導体レーザ駆動
   電流に加算されるようになつていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のレーザ記録装置。