JPS63122167A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents

固体撮像素子の製造方法

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Publication number
JPS63122167A
JPS63122167A JP61266537A JP26653786A JPS63122167A JP S63122167 A JPS63122167 A JP S63122167A JP 61266537 A JP61266537 A JP 61266537A JP 26653786 A JP26653786 A JP 26653786A JP S63122167 A JPS63122167 A JP S63122167A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent glass
color
glass substrate
solid
filters
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61266537A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Yokota
横田 利雄
Hajime Yamamoto
肇 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP61266537A priority Critical patent/JPS63122167A/ja
Publication of JPS63122167A publication Critical patent/JPS63122167A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026Wafer-level processing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • H10F77/306Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、固体カメラおよびファクシミリ用の2次元
および1次元の固体撮像素子の製造方法に関するもであ
る。
〔従来の技術〕
現在、固体カメラは小型化、高解像度化に対する開発が
急速に検討され、撮像素子およびカラーフィルタともに
画素サイズの微細化が進められているが、感度低下を防
ぐため、撮像素子の受光ダイオード部の面精をできるだ
け減少させないことが必要となる。
したがって、受光部外の配線部の寸法が微細化し、撮像
素子およびカラーフィルタの各々のトータルピッチおよ
び接着精度の向上が必要となる。
このため、両者の誤差は合計して±0.5〜±11Lm
以下のレベルが必要とされている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、・従来の固体撮像素子の製造方法は、接着精
度が現在一般的に撮像素子、カラーフィルタともに切断
チップ化された状態で接着されているため、接着アライ
メントのずれおよび接着層の厚みのチップ内ばらつきに
よる撮像特性上、フリッカ、シェーディングが発生し、
また、チップ状態での取り扱いによるごみ、異物等の混
入による不良が発生し、このような接着工程では、作業
性9歩留りの点、高解像度へのきわめて大きな障害とな
ってきているという問題点があった。
一方、現状のカラーフィルタは厚さ約0.5mm〜1.
0mmのガラス基板上に形成されているが、撮像時に固
体撮像素子面での反射光がカラーフィルタの反射面のガ
ラス面で反射するため、フレア現象が発生し、高品質化
上問題がある。
このため、現在、撮像素子上に直接カラーフィルタ形成
を行うオンチップ化の検討も進められているが、撮像素
子とカラーフィルタの両者の歩留りの点、従来のカラー
フィルタではクロム膜等で形成した光学濃度4.0以上
のオプティカルブラック形成寸法に対する検討課題、染
色加工上での色特性の管理面の問題、また、カラーフィ
ルタ形成時の撮像素子へのダメージ等、種々の問題点が
あった。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で、接着アライメントの精度を向上させるとともに接着
層分布を均一化した固体撮像素子の製造方法を得ること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる固体撮像素子の製造方法は、モノクロ
フィルタあるいは色分離フィルタを所定ピッチで形成し
た透明ガラス基板上に保護膜層を形成し、次いで、接着
樹脂層を介して固体撮像素子ウェハをその各受光部をそ
れぞれモノクロフィルタあるいは色分離フィルタに一致
させて接着固定し、次いで、透明ガラス基板を薄板化し
た後、切断加工を施して固体撮像素子を得るものである
〔作用〕
この発明においては、モノクロフィルタあるいは色分離
フィルタを固体撮像素子に一致させて固定した後に、ガ
ラス裏面側を薄板化加工する事が可能となりオンチップ
状態とほぼ同じレベルになる。
〔実施例〕
第1図(a)〜(e)はこの発明の一実施例を示す製造
工程図である。第1図(a)において、1は例えば直径
3インチ(75mm)  +厚さ0.5mmのシート状
態の透明ガラス基板で、この透明ガラス基板]の表面上
にチップ状の色分離フィルタ2を所定のピッチで形成し
、さらに透明ガラス基板1と色分離フィルタ2上に保護
膜層3を形成する。
次いで、各色分離ブイルタ2の間にグイシングツ−を使
用して第1図(a)に二点鎖線で示すように深さO,1
mmで第1図(e)に示すポンディングパット部8を形
成する部分がかからないようにして溝1′の加工を行う
次に、第1図(b)に示すように、透明ガラス基板1と
保護膜層3の上に接着樹脂層4となる接着樹脂材4′を
介し、直径3インチ(75IIIm)の固体撮像素子ウ
ェハ5の各受光部6をそれぞれ色分離フィルタ2に一致
させてアライナを用いて接着固定し、第1図(c)の状
態とする。次いで、第1図(C)の二点鎖線で示すよう
に透明ガラス基板1の裏面を平面研削盤でダイヤモンド
砥石を用い少−なくとも溝1′の底部に至るまで片面研
削を行って第1図(d)に示す形状とし、透明ガラス基
板1の厚さを801Lmにする。さらに透明ガラス基板
1の研削ひずみ層約301Lmを除去するため酸化セリ
ウムを使用して片面量50pmの片面研磨を行い光学的
鏡面状態にする。この研磨で透明ガラス基板1は厚さ約
30uLmとなる。
次いで、保護膜層3および接着樹脂層4を02プラズマ
溶剤により除去し、第1図(e)に示す形状にする。
その後、第1図(e)に示す二点鎖線間の斜線で示す部
分をグイシングツ−で切断加工を施して個々の固体撮像
素子7を得る。
第2図は第1図(&)の溝加工部分と第1図(e)の切
断加工部分を平面で示す説明図で、第1図(a)〜(e
)と同一符号は同一部分を示し、斜線部分は切断加工を
施す部分である。色分離フィルタ2は、周囲がオプティ
カルブラックと称されるクロム蒸着膜等による遮光領域
2′が形成されている。この実施例では透明ガラス基板
1に溝1′を加工するだけで、あとは研削、切断加工等
で作製できる。
第3図(a)〜(g)はこの発明の他の実施例を示す製
造工程図である。第3図(a)において、1は例えば直
径4インチ(100!1111)、厚さ1mmの透明ガ
ラス基板である。この透明ガラス基板1の表面上にチッ
プ状の色分離フィルタ2を所定のピッチで形成し、次い
で、第3図(b)に示すように保護膜層3を形成し、さ
らに接着樹脂層4を形成し、この接着樹脂層4の上に固
体撮像素子ウェハ5の各受光部6をそれぞれ色分離フィ
ルタ2上に一致させてアライナを用いて接着固定する。
次いで、第3図(C)に示すように透明ガラス基板1の
裏面を研削して透明ガラス基板1の厚さを70μmにし
た後、さらに片面研磨を行って20μmの厚さの光学的
鏡面に仕上げる。
次に、透明ガラス基板1上に感光性樹脂を塗布した後、
パターン露光と現像を行い、第3図(d)に示すように
受光部6にポンディングバット部8を形成する部分を開
口できるようにした幅の保護膜9を形成する。
次いで、フッ酸等により保護膜9で被覆されていない部
分の透明ガラス基板1を第3図(e)に示すようにエツ
チングする。
次いで、第3図(f)に示すように保護膜3.接着樹脂
層4を02プラズマで除去し、受光部6のポンディング
バット部8を露出させ、透明ガラス基板1上の保護膜9
をトリクレン等の溶剤により洗浄を行って除去する。
次いで、第3図(g)に示すように、二点鎖線間の斜線
で示す部分を切断加工してチップ状にして固体撮像素子
7を得る。
第4図は第3図(g)の切断加工部分を平面で示す説明
図で、第2図および第3図と同一符号は同一部分を示し
、斜線部分は切断加工を施す部分である。
このように、この発明においては、多数の色分離フィル
タを形成した透明ガラス基板1と多数の固体撮像素子を
形成した固体撮像素子ウェハ5とを接着した後、透明ガ
ラス基板を研磨するので厚さ1101L以下、フラット
ネス1μmの以下の薄板化が可能となってオンチップ状
態とほぼ同じレベルになる。
なお、上記各実施例ではフィルタとして色分離フィルタ
2を用いた場合を示したが、この他、モノクロフィルタ
の場合にもこの発明を適用できる。また、上記各実施例
にける数値は一例であって、他の数値であってもよいこ
とはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、モノクロフィルタある
いは色分離フィルタを所定のピッチで形成した透明ガラ
ス基板上に保護膜層を形成し、次いで、接着樹脂層を介
して固体撮像素子ウェハの各受光部をそれぞれモノクロ
フィルタあるいは色分離フィルタに一致させて接着固定
し、次いで、透明ガラス基板を薄板化した後、切断加工
を施して固体撮像素子を得るようにしたので、接着アラ
イメントの精度が向上し、接着分布が均一化される。ま
た、平板状態で接着された後、加工や切断が行われるた
め、従来のように個々のチップでの取り扱いと異なり、
加工や洗浄処理がきわめて容易となり、ごみ、異物の混
入、付着およびホトダイオード、カラーフィルタ層に対
するダメージの発生がない。さらに平板状態での処理の
ため接着工程の能率の向上がはかれる等の利点を有する
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す製造工程図、第2図
は第1図の溝加工部分と切断加工部分を平面で示す製造
工程図、第3図はこの発明の他の実施例を示す製造工程
図、第4図は第3図の切断加工部分を平面で示す説明図
である。 図中、1は透明ガラス基板、1′は溝、2は色分離フィ
ルタ、3は保護膜層、4は接着樹脂層、5は固体撮像素
子ウニハ、6は受光部、7は固体撮像素子、8はポンデ
ィングバット部である。 第1図 4s層#rIII1層 第2図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. モノクロフィルタあるいは色分離フィルタを所定のピッ
    チで形成した透明ガラス基板上に保護膜層を形成し、次
    いで、接着樹脂層を介して固体撮像素子ウェハをその各
    受光部をそれぞれ前記モノクロフィルタあるいは色分離
    フィルタに一致させて接着固定し、次いで、前記透明ガ
    ラス基板を薄板化した後、切断加工を施して固体撮像素
    子を得ることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
JP61266537A 1986-11-11 1986-11-11 固体撮像素子の製造方法 Pending JPS63122167A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476558B1 (ko) * 2002-05-27 2005-03-17 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정
US7615397B2 (en) 2006-03-08 2009-11-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro-element package and manufacturing method thereof
CN104691123A (zh) * 2015-03-18 2015-06-10 苏州五方光电科技有限公司 一种蓝玻璃加工工艺

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