JPS6312303A - 複合分離膜 - Google Patents
複合分離膜Info
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- JPS6312303A JPS6312303A JP61246773A JP24677386A JPS6312303A JP S6312303 A JPS6312303 A JP S6312303A JP 61246773 A JP61246773 A JP 61246773A JP 24677386 A JP24677386 A JP 24677386A JP S6312303 A JPS6312303 A JP S6312303A
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- polyimide
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り粟二塁五且立■
本発明は多孔質膜の表面に均質なポリイミド薄膜を有す
る複合分離膜に関する。さらに多孔質の表面にラングミ
ュア・ブロジェット法により両性ポリアミック酸塩を累
積し、それに続くイミド化反応により製造された多孔質
の表面にポリイミドの均質な薄膜を有する複合分離膜の
製造方法に関する。
る複合分離膜に関する。さらに多孔質の表面にラングミ
ュア・ブロジェット法により両性ポリアミック酸塩を累
積し、それに続くイミド化反応により製造された多孔質
の表面にポリイミドの均質な薄膜を有する複合分離膜の
製造方法に関する。
′ の ′と。 占
複合分離膜特にポリイミド複合分離膜はポリイミドで形
成されているので、耐熱性と機械的強度を有し、水素、
−酸化炭素などのガス成分の通過速度が優れており、し
かも、各ガス成分の分離性能が非常に高い分離膜であり
注目されている。
成されているので、耐熱性と機械的強度を有し、水素、
−酸化炭素などのガス成分の通過速度が優れており、し
かも、各ガス成分の分離性能が非常に高い分離膜であり
注目されている。
従来、ポリイミド複合分離膜の製造法としては、特開昭
57−209608に提案されているように、芳香族ポ
リイミド多孔質膜の表面に芳香族ポリアミック酸の有機
極性溶媒に均一に溶解している溶液を塗布し、塗布層を
150°C以上に加熱し、イミド化させてポリイミド多
孔質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成する方法
あるいは特開昭58−8513に提案されているように
芳香族ポリイミド微多孔質膜に可溶性芳香族ポリイミド
希薄溶液を塗布し、その塗布層を乾燥し、溶媒を徐々に
除去する方法がある。
57−209608に提案されているように、芳香族ポ
リイミド多孔質膜の表面に芳香族ポリアミック酸の有機
極性溶媒に均一に溶解している溶液を塗布し、塗布層を
150°C以上に加熱し、イミド化させてポリイミド多
孔質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成する方法
あるいは特開昭58−8513に提案されているように
芳香族ポリイミド微多孔質膜に可溶性芳香族ポリイミド
希薄溶液を塗布し、その塗布層を乾燥し、溶媒を徐々に
除去する方法がある。
しかしながら、これら従来法は、芳香族ポリイミド多孔
質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成するための
溶液を塗布する工程を含んでいる。
質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成するための
溶液を塗布する工程を含んでいる。
一般的塗布法や精度の高いスピンコード法においても、
IP以下の厚み特に数千への厚みの薄膜を均一に塗布す
るのは非常に難しい。一般的塗布法では、大面積化は可
能であるが、膜厚精度がよくない。一方スピンコート法
では、膜厚精度はよいが大きな面積に均一に塗布するの
は困難であり、安定したガス分離性能をもち大面積の複
合分離膜を得るうえで問題があった。
IP以下の厚み特に数千への厚みの薄膜を均一に塗布す
るのは非常に難しい。一般的塗布法では、大面積化は可
能であるが、膜厚精度がよくない。一方スピンコート法
では、膜厚精度はよいが大きな面積に均一に塗布するの
は困難であり、安定したガス分離性能をもち大面積の複
合分離膜を得るうえで問題があった。
本発明の目的は、大面積にわたって安定したガス分離性
能をもつ複合分離膜を提供することである。
能をもつ複合分離膜を提供することである。
1 占 ° るための
我々は、鋭意検討した結果、多孔質膜好ましくは芳香族
ポリイミド多孔質膜の表面にラングミュア・ブロジェッ
ト法により両性ポリアミック酸塩を累積し、それに続く
イミド化反応により、多孔質膜の表面にポリイミドの均
質な薄膜を形成することによって安定したガス分離性能
をもつ、大面積の複合分離膜となることが明らかになっ
た。
ポリイミド多孔質膜の表面にラングミュア・ブロジェッ
ト法により両性ポリアミック酸塩を累積し、それに続く
イミド化反応により、多孔質膜の表面にポリイミドの均
質な薄膜を形成することによって安定したガス分離性能
をもつ、大面積の複合分離膜となることが明らかになっ
た。
ラングミュア・ブロジェット法は、膜厚制御が容易で均
質なピンホールのない薄膜を得ることのできる方法であ
り、大きな面積の基板の表面に均一な厚さの薄膜を形成
できる特徴をもつ。また本発明に適したIPxn以下、
好ましくは数千への厚さの薄膜を作成することができる
。従って、本発明になる多孔質膜の表面に膜厚が高度に
制御された均質なピンホールのないポリイミド薄膜を有
する複合分m膜は、優れた耐熱性と機械的強度をもつと
ともに水素、−酸化炭素などのガス成分の透過速度が速
く、しかも各ガス成分の分離性能が非常に高い、即ち水
素の透過度と一酸化炭素の透過度の比(Poz/Pco
)が25以上、好ましくは50以上という性能をもって
おり、大面積の複合分離膜を容易に製造できるという特
徴をもっているのである。
質なピンホールのない薄膜を得ることのできる方法であ
り、大きな面積の基板の表面に均一な厚さの薄膜を形成
できる特徴をもつ。また本発明に適したIPxn以下、
好ましくは数千への厚さの薄膜を作成することができる
。従って、本発明になる多孔質膜の表面に膜厚が高度に
制御された均質なピンホールのないポリイミド薄膜を有
する複合分m膜は、優れた耐熱性と機械的強度をもつと
ともに水素、−酸化炭素などのガス成分の透過速度が速
く、しかも各ガス成分の分離性能が非常に高い、即ち水
素の透過度と一酸化炭素の透過度の比(Poz/Pco
)が25以上、好ましくは50以上という性能をもって
おり、大面積の複合分離膜を容易に製造できるという特
徴をもっているのである。
以下本発明の複合分離膜について詳しく述べる。
本発明はポリアミック酸単位に疏水性を付与された一般
式(1): (式中、R1は少なくとも2個の炭素原子を含有する4
価の基、R2は少なくとも2個の炭素原子を含有する2
価の基、Rrl、R”、 R”、 R41,R12、R
4s、I?5t−iよびR6はいずれも炭素原子数1〜
30の1価の脂肪族の基、1価の環状脂肪族の基、芳香
族の基と脂肪族の基との結合した1価の基、それらの基
がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メト
キシ基、アセトキシ基で置換された基または水素原子で
あり、ド、−1−1だ、だ、炉、R5およびR6の少な
くとも2個は炭素原子数1〜11の前記の基または水素
原子ではない)で表される繰返し単位を有する両性ポリ
アミック酸塩をラングミュアプロジェット法によって多
孔質膜の表面に累積し、それに続いてイミド化反応を行
うことによってなされる。
式(1): (式中、R1は少なくとも2個の炭素原子を含有する4
価の基、R2は少なくとも2個の炭素原子を含有する2
価の基、Rrl、R”、 R”、 R41,R12、R
4s、I?5t−iよびR6はいずれも炭素原子数1〜
30の1価の脂肪族の基、1価の環状脂肪族の基、芳香
族の基と脂肪族の基との結合した1価の基、それらの基
がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メト
キシ基、アセトキシ基で置換された基または水素原子で
あり、ド、−1−1だ、だ、炉、R5およびR6の少な
くとも2個は炭素原子数1〜11の前記の基または水素
原子ではない)で表される繰返し単位を有する両性ポリ
アミック酸塩をラングミュアプロジェット法によって多
孔質膜の表面に累積し、それに続いてイミド化反応を行
うことによってなされる。
本発明のポリイミド薄膜を形成するための両性ポリアミ
ック酸塩は、一般式(1): で表される繰返し単位を有する数平均分子量が、2.0
00〜300.000のものである。数平均分子量が2
,000〜300,000の範囲をはずれると、膜を作
成したときの強度が低すぎたり、粘度が高すぎて膜の作
成がうま(いかないなどの傾向が生ずる。
ック酸塩は、一般式(1): で表される繰返し単位を有する数平均分子量が、2.0
00〜300.000のものである。数平均分子量が2
,000〜300,000の範囲をはずれると、膜を作
成したときの強度が低すぎたり、粘度が高すぎて膜の作
成がうま(いかないなどの傾向が生ずる。
一般式(1)におけるR1は少なくとも2個の炭素原子
を含有する、好ましくは5〜20個の炭素原子を含有す
る4°価の基であり、芳香族の基であってもよく、環状
脂肪族の基であってもよく、芳香族の基と脂肪族の基と
の結合した基であってもよく、さらにはこれらの基が炭
素数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳
香族の基と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハ
ロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ
基、アセトキシ基などの1価の基で、あるい;よ咳1価
の基が、−0+、 −coo +、 −NHCO−、
−Co−。
を含有する、好ましくは5〜20個の炭素原子を含有す
る4°価の基であり、芳香族の基であってもよく、環状
脂肪族の基であってもよく、芳香族の基と脂肪族の基と
の結合した基であってもよく、さらにはこれらの基が炭
素数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳
香族の基と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハ
ロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ
基、アセトキシ基などの1価の基で、あるい;よ咳1価
の基が、−0+、 −coo +、 −NHCO−、
−Co−。
−3+、 −css +、 −JiP、C5−、−
CS−などに結合じた基でT換され誘導体となった基で
あってもよい。しかし、R】が少なくとも6個の炭素厘
子数を有するベンゼノイド不飽和によって特徴づけられ
た基である場合には、耐熱性、耐薬品性や機械的特性な
どの点から好ましい。
CS−などに結合じた基でT換され誘導体となった基で
あってもよい。しかし、R】が少なくとも6個の炭素厘
子数を有するベンゼノイド不飽和によって特徴づけられ
た基である場合には、耐熱性、耐薬品性や機械的特性な
どの点から好ましい。
前記のごときR1の具体例としては、例えば、(以下余
白) (n−1〜3)。
白) (n−1〜3)。
などが挙げられる。
本明細書にいう永ンゼノイド不飽和とは、炭素環式化合
物の構造に関−てキノイド構造と対比して用いられる術
語で、普通の芳香族化合物に含まれる炭素環と同じ形の
構造をいう。
物の構造に関−てキノイド構造と対比して用いられる術
語で、普通の芳香族化合物に含まれる炭素環と同じ形の
構造をいう。
p−キノイド構造 ベンゼノイド不飽和R1の4個
の結合手、すなわち一般式(1)で表される繰返し単位
において が結合する手の位置には特に限定はないが、4個の結合
手の各2個づつがplを構成する隣接する2個の炭素原
子に存在する場合には、両性ポリイミド前駆体を用いて
形成した膜などをポリイミド化する際に5員環を形成し
めすくイミド化しやすいため好ましい。
の結合手、すなわち一般式(1)で表される繰返し単位
において が結合する手の位置には特に限定はないが、4個の結合
手の各2個づつがplを構成する隣接する2個の炭素原
子に存在する場合には、両性ポリイミド前駆体を用いて
形成した膜などをポリイミド化する際に5員環を形成し
めすくイミド化しやすいため好ましい。
前記のごときR1の好まじい具体例としては、例えば、
などが挙げられる。また
も好ましい。
一般式(1)におけるR2::、少なくとも2個の炭素
原子を含有する2価の基であり、芳香族の基であっても
よく、脂肪族の基であってもよ(、環状脂肪族の基であ
ってもよく、芳香族の基と脂肪族の基との結合した基で
あってもよく、さらにはこれらの2価の基が炭素数1〜
30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳香族の基
と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセ
トキシ基などの1価の基で、あるいはこれらの1価の基
が、−0+、 −coo +、 −NHCO−、−Co
−。
原子を含有する2価の基であり、芳香族の基であっても
よく、脂肪族の基であってもよ(、環状脂肪族の基であ
ってもよく、芳香族の基と脂肪族の基との結合した基で
あってもよく、さらにはこれらの2価の基が炭素数1〜
30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳香族の基
と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセ
トキシ基などの1価の基で、あるいはこれらの1価の基
が、−0+、 −coo +、 −NHCO−、−Co
−。
−5+、 −css +、 −NHCS−、−CS−
などに結合した基で置換された基であってもよい、しか
し、R2が少なくとも6個の炭素原子数を有するベンゼ
ノイド不飽和によって特徴づけられた基である場合には
、耐熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好ましい
。
などに結合した基で置換された基であってもよい、しか
し、R2が少なくとも6個の炭素原子数を有するベンゼ
ノイド不飽和によって特徴づけられた基である場合には
、耐熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好ましい
。
前記のごときR2の具体例としては、
ここでR9は
F3
−C−9−〇−,−Co +、 −s +、 −5
Oz +。
Oz +。
F3
(F?IOおよび21はいずれも炭素原子数1〜3oの
アルキルまたはアリール基) CH= + L、+13 Li2 CI(3 −(CH2)p (p 寓 2〜10) 、 −
(CHz)+ −C−(CH2)2 +。
アルキルまたはアリール基) CH= + L、+13 Li2 CI(3 −(CH2)p (p 寓 2〜10) 、 −
(CHz)+ −C−(CH2)2 +。
CH30
−(CHz)xocH−CH3、−(口Hz)3− C
−(CHz)z −。
−(CHz)z −。
−(CHz)a −0−(CHz)z −0−(CH2
)3− 。
)3− 。
(以下余白)
前記のごときR2の好ましい具体例としては、例′式中
、H)9 := C)13 − (CH:) m −(m −1〜3の整数)、−C
−。
、H)9 := C)13 − (CH:) m −(m −1〜3の整数)、−C
−。
CH3
F3
(R”およびpl!はいずれも炭素原子数1〜30のア
ルキルまたはアリール基)等があげられる。
ルキルまたはアリール基)等があげられる。
(以下金目)
一般式(1)における♂、評、R3き、−1R41、R
43、R5およびRf+はいずれも炭=i子数1〜30
、好ましくは1〜22の1価の脂肪族の基、1価の環状
脂肪族の基、芳簀族の基と脂肪族の基との結合した1価
の基、それらの基カーハロゲン原子、ニトロ基、アミノ
基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などで置換さ
れそれらC基の誘導体となった基または水素原子である
。;お一般式(1)においてR3+、RJSR33、R
41、R”、 R’、:””a ヨヒR’ >’:h
イf h :t) −般式(8): (式中・R1、R2は前記と同じ)で表されるポリアミ
ック酸単位に疎水性を付与し、安定な凝縮膜を得るため
に導入される基であり、炉1、R1、RfJ・R4トド
、2代25% 28のうちの少なくとも1個、好ましく
は2個が炭素原子数1〜11.好ましくは1〜15の前
記の基あるいに水素原子でないことが・水面上に安定な
凝1!IIが形成され、それがLB法により基板上に累
積されるために必要である。
43、R5およびRf+はいずれも炭=i子数1〜30
、好ましくは1〜22の1価の脂肪族の基、1価の環状
脂肪族の基、芳簀族の基と脂肪族の基との結合した1価
の基、それらの基カーハロゲン原子、ニトロ基、アミノ
基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などで置換さ
れそれらC基の誘導体となった基または水素原子である
。;お一般式(1)においてR3+、RJSR33、R
41、R”、 R’、:””a ヨヒR’ >’:h
イf h :t) −般式(8): (式中・R1、R2は前記と同じ)で表されるポリアミ
ック酸単位に疎水性を付与し、安定な凝縮膜を得るため
に導入される基であり、炉1、R1、RfJ・R4トド
、2代25% 28のうちの少なくとも1個、好ましく
は2個が炭素原子数1〜11.好ましくは1〜15の前
記の基あるいに水素原子でないことが・水面上に安定な
凝1!IIが形成され、それがLB法により基板上に累
積されるために必要である。
前記のごトキR”、Ru、R13、%、 R(1、R4
3、!?5,166の水素原子以外の具体例としては、
例えばC)is(COx冗−s + (Ia)z
cH(COx71−3 。
3、!?5,166の水素原子以外の具体例としては、
例えばC)is(COx冗−s + (Ia)z
cH(COx71−3 。
(以上のnはいずれも12〜30、好ましくは16〜2
2)などがあげられる、ただ本発明の目的を達成するた
めには、CHa(COx麿で表される直鎖アルキル基を
利用するのが、性能的にもコスト的にも最も望ましい、
前述したようなハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シ
アノ基、メトキシ基、アセトキシ基などは必須ではない
、しかしフッ素原子により疎水性は水素原子と比べ飛躍
的に改善されるので、フッ素原子を含むものを使用する
のが好ましい。
2)などがあげられる、ただ本発明の目的を達成するた
めには、CHa(COx麿で表される直鎖アルキル基を
利用するのが、性能的にもコスト的にも最も望ましい、
前述したようなハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シ
アノ基、メトキシ基、アセトキシ基などは必須ではない
、しかしフッ素原子により疎水性は水素原子と比べ飛躍
的に改善されるので、フッ素原子を含むものを使用する
のが好ましい。
R”、 R”、 R”、 R”、ド FP、 R5,R
6のうちR6およびR6が水素原子の場合の本発明の両
性ポリアミック酸塩の繰返し単位の具体例としては、(
式中、R’* R2t P + R”、 P + R”
、だ、炉は前記と同じ、ただし炉、 R”、 R”、
R”、 R’、−のうちの2つは炭素原子数1〜110
基または水素原子ではない、好ましくは評、 R”、
R”から選ばれた1つとだ、 R”、 R”から選ばれ
た1つが炭素原子数1〜11の基または水素原子ではな
い)で表される繰返し単位などがあげられる0本発明の
両性ポリアミック酸塩の繰返し単位が一般式(2)で表
されるものである場合には、製造が容易である、コスト
的にも安価であるなどの点から好ましい。
6のうちR6およびR6が水素原子の場合の本発明の両
性ポリアミック酸塩の繰返し単位の具体例としては、(
式中、R’* R2t P + R”、 P + R”
、だ、炉は前記と同じ、ただし炉、 R”、 R”、
R”、 R’、−のうちの2つは炭素原子数1〜110
基または水素原子ではない、好ましくは評、 R”、
R”から選ばれた1つとだ、 R”、 R”から選ばれ
た1つが炭素原子数1〜11の基または水素原子ではな
い)で表される繰返し単位などがあげられる0本発明の
両性ポリアミック酸塩の繰返し単位が一般式(2)で表
されるものである場合には、製造が容易である、コスト
的にも安価であるなどの点から好ましい。
一般式(1)〜(2)で示される繰返し単位を有する本
発明の両性ポリアミック酸塩の具体例としては、例えば (式中のIF、 R”、 R”、 12”、 R”−、
’ IN3の具体例としては、 H−1CR3−1Cz
Hs −、C3HT −、CI’13(CH2)u
−1C)!3(CHz)ロー、CH3(CH2) !!
−1CH3(CHz) !?−1CH3(CH2) 1
s−1CH3(CH2) n−1CF3(CH2) !
5−など)、 (式中(7)R”、 R”、 R”、 ?l、 R”、
”R”(7)具体例としては、H−1C)!3−1C2
H5−1C:Ht−1CHa(CHz) !! −1C
H3(CH2) !3−1CHs(CHz) m−5C
Hs(CHz) ry −1CHz(CHz)ツー、C
H3(CH2) 2l−1CF3(CHz) !! −
など、BS、 Hfhの具体例としては、CHz−1C
Hs(CHz)CHs(CHz) 5−1CH3(CH
2) 5−なり、(式中の岬 p、 R3ff、で1.
R42,−の具体例としては、 H−1CH3−2C2
H5−、C3HT −、CH3(Ci(z) u
−、C)+3(CI+2) ts−1C)I*(CHz
) 15−1C)+3(CH2) +y−5CH3(C
1lz) 1s−1CH3(CH2) 2l−5CF3
(CH2) 1s −など)tどの繰返し単位を含むも
のがあげられる。
発明の両性ポリアミック酸塩の具体例としては、例えば (式中のIF、 R”、 R”、 12”、 R”−、
’ IN3の具体例としては、 H−1CR3−1Cz
Hs −、C3HT −、CI’13(CH2)u
−1C)!3(CHz)ロー、CH3(CH2) !!
−1CH3(CHz) !?−1CH3(CH2) 1
s−1CH3(CH2) n−1CF3(CH2) !
5−など)、 (式中(7)R”、 R”、 R”、 ?l、 R”、
”R”(7)具体例としては、H−1C)!3−1C2
H5−1C:Ht−1CHa(CHz) !! −1C
H3(CH2) !3−1CHs(CHz) m−5C
Hs(CHz) ry −1CHz(CHz)ツー、C
H3(CH2) 2l−1CF3(CHz) !! −
など、BS、 Hfhの具体例としては、CHz−1C
Hs(CHz)CHs(CHz) 5−1CH3(CH
2) 5−なり、(式中の岬 p、 R3ff、で1.
R42,−の具体例としては、 H−1CH3−2C2
H5−、C3HT −、CH3(Ci(z) u
−、C)+3(CI+2) ts−1C)I*(CHz
) 15−1C)+3(CH2) +y−5CH3(C
1lz) 1s−1CH3(CH2) 2l−5CF3
(CH2) 1s −など)tどの繰返し単位を含むも
のがあげられる。
(以下余白)
!−%
式中−は異性を表す0例を次式
で説明すれば
】)
および
コ)
を表す。
本発明は(a)、 (b)が単独である場合、(a)、
(b)が共存する場合を含んでいる。
(b)が共存する場合を含んでいる。
前記のごとき本発明の両性ポリアミック酸塩は、一般に
N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N、N−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチ
ルホスホルアミドなどの有機極性溶剤に易溶、上記有機
種性溶剤とクロロホルムなどの通常の有機溶剤などの混
合溶剤に溶、通常の有機溶剤、たとえばベンゼン、エー
テル、クロロホルム、アセトン、メタノールなどに難7
容〜不)容で、赤外線吸収スペクトル分析でアミド、カ
ルボキシレートおよび長鎖アルキル基の特徴的な吸収が
存在する。熱的にイミド化反応は進行しないが、無水酢
酸、ピリジンのようなイミド化試剤に浸漬することによ
ってイミド化が完結する。完結したのちには、アミド、
カルボキシレートおよび長鎖アルキル基の吸収が消失し
、イミド環の吸収が表れる。
N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N、N−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチ
ルホスホルアミドなどの有機極性溶剤に易溶、上記有機
種性溶剤とクロロホルムなどの通常の有機溶剤などの混
合溶剤に溶、通常の有機溶剤、たとえばベンゼン、エー
テル、クロロホルム、アセトン、メタノールなどに難7
容〜不)容で、赤外線吸収スペクトル分析でアミド、カ
ルボキシレートおよび長鎖アルキル基の特徴的な吸収が
存在する。熱的にイミド化反応は進行しないが、無水酢
酸、ピリジンのようなイミド化試剤に浸漬することによ
ってイミド化が完結する。完結したのちには、アミド、
カルボキシレートおよび長鎖アルキル基の吸収が消失し
、イミド環の吸収が表れる。
これまでの説明は一般式(1)で表される繰返し単位を
もつ両性ポリアミック酸塩についてであるが、これらか
ら容易に類推されるように穏々の共重合体が存在する。
もつ両性ポリアミック酸塩についてであるが、これらか
ら容易に類推されるように穏々の共重合体が存在する。
まず第1に一般式+1)におけるR1゜F!”、 F、
F、 R”、 R”、 F?、 R”、 R”、 R
”(D少fZ < トも一つが先に挙げられた具体例か
ら還ばれた少なくとも2種からなることによって実現さ
れる。
F、 R”、 R”、 F?、 R”、 R”、 R
”(D少fZ < トも一つが先に挙げられた具体例か
ら還ばれた少なくとも2種からなることによって実現さ
れる。
例えばR]として2種通ばれたとき
X+ yは比率を表し、O<x<1.0<y<I!+7
〒1である。 (以下同じ) さらにR2として2種選ばれたとき などで、以上の例はほんの一例であり、またR3゜R4
,R6,R@についてはこれま+の説明でいくつもの例
が書けるが などである。
〒1である。 (以下同じ) さらにR2として2種選ばれたとき などで、以上の例はほんの一例であり、またR3゜R4
,R6,R@についてはこれま+の説明でいくつもの例
が書けるが などである。
第2にさらに重要な共重合体は、R5,R2の少なくと
も−1あるいは両方の一部を価数の異なる基で置き換え
ることによって実現される。
も−1あるいは両方の一部を価数の異なる基で置き換え
ることによって実現される。
まずR1の一部を置換する基は少なくとも2個の炭素原
子を含有する4価以外の基から選ばれ、2゜3価が使え
るが、好ましい具体例は3価であり、この場合の一般式
は次のようになる。
子を含有する4価以外の基から選ばれ、2゜3価が使え
るが、好ましい具体例は3価であり、この場合の一般式
は次のようになる。
Pi(()X内) 、 F!2. FF、 R”、 R
”、 P、 I’F、 R”。
”、 P、 I’F、 R”。
p’5. R6は前記に同じ。F!1((:ly内)は
少なくとも2個の炭素原子を含有するそれぞれ2価、3
価の基である。
少なくとも2個の炭素原子を含有するそれぞれ2価、3
価の基である。
次にR2の一部を1摸する基は少なくとも2個の炭素原
子を含有する2価以外の基から選ばれ3価。
子を含有する2価以外の基から選ばれ3価。
4価の基が好ましい。
これらの場合の一般式は次のようになる。
R】、R2(()x内) 、 色R”、 R”、 R’
1. R42,R”。
1. R42,R”。
R5,R6は前記に同じ。F!2(()y内)は少なく
とも2個の炭素原子を有するそれぞれ3価、4価の基で
ある。XはR2に対する五換基で−NHR。
とも2個の炭素原子を有するそれぞれ3価、4価の基で
ある。XはR2に対する五換基で−NHR。
−CONHR(Rはアルキル基または水素原子)等が好
ましい例である。
ましい例である。
(以下余白)
これら共重合による両性ポリアミック酸塩の修飾は、該
前駆体のラングミュア・ブロジェット法による累積特性
や、基板上に累積したあとイミド化して得られるポリイ
ミド薄膜の物性改善のために重要であり、本発明の好ま
しい実施態様の1つである。
前駆体のラングミュア・ブロジェット法による累積特性
や、基板上に累積したあとイミド化して得られるポリイ
ミド薄膜の物性改善のために重要であり、本発明の好ま
しい実施態様の1つである。
R1,R2の少なくとも1方あるいは両方の1部を置換
する基の具体例は、以下のとおりである。
する基の具体例は、以下のとおりである。
(ここでR9は前出に同じ)
CH3
菖
CH3
鷹
−(CH2)P −(p = 2〜10) 、 −
(CH2)4−C−(C)12)z=(R’は前出に同
じ) (R9は前出に同じ) 以上の中からRt、R2のさらに好ましい例をあげれば (R9は前出に同じ)である。
(CH2)4−C−(C)12)z=(R’は前出に同
じ) (R9は前出に同じ) 以上の中からRt、R2のさらに好ましい例をあげれば (R9は前出に同じ)である。
さらに詳しく共重合体について説明するため己こ具体的
な例を挙げれば、 また、これまでの説明においては、前駆体の繰返し単位
において、ド p、 P、 R4!、 R42,胛、R
5゜R6の少なくとも2個は炭素数1〜11の前記の基
または水素原子ではない場合であったが、繰返し単位の
うちの30%以下の範囲であれば、−i式(式中、R1
,122は前記と同じ、Rは炭素原子数1〜11の1価
の脂肪族の基、1価の環状脂肪族の基、芳香族の基と脂
肪族の基が結合した1価の基、これらの基がハロゲン原
子、ニド四基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセ
トキシ基などで置換された基または水素原子であり、4
個のRは間じでもよく、異なっていてもよい)で表され
る繰返し単位が含まれていてもよい。
な例を挙げれば、 また、これまでの説明においては、前駆体の繰返し単位
において、ド p、 P、 R4!、 R42,胛、R
5゜R6の少なくとも2個は炭素数1〜11の前記の基
または水素原子ではない場合であったが、繰返し単位の
うちの30%以下の範囲であれば、−i式(式中、R1
,122は前記と同じ、Rは炭素原子数1〜11の1価
の脂肪族の基、1価の環状脂肪族の基、芳香族の基と脂
肪族の基が結合した1価の基、これらの基がハロゲン原
子、ニド四基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセ
トキシ基などで置換された基または水素原子であり、4
個のRは間じでもよく、異なっていてもよい)で表され
る繰返し単位が含まれていてもよい。
次に本発明の両性ポリアミック酸の塩の製法について説
明する。
明する。
一般式(4):
(式中、R1は少なくとも2個の炭素原子を含有する4
価の基である)で表されるテトラカルボン酸ジ無水物に
、 一般式(6): %式% (式中、R2は少なくとも2個の炭素原子を含有する2
価の基であり、R5およびR6はいずれもR3およびR
4で定義された基に同じ)で表される化合物を一10℃
以上で反応させて得られる一般式(8):(式中・R1
・R2・R5+ R’は前記と同じであり、R5および
R6の少なくとも2つは炭素原子数1〜11の基または
水素原子ではない)で表される繰返し単位を有するポリ
アミック酸に (式中、♂、 R”、 R”、閤、 R42,R”はい
ずれも炭素原子数1〜30の1価の脂肪族の基、1価の
環状脂肪族の基・芳香族の基と脂肪族の基との結合した
1価の基、それらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミ
ノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基で:換され
た基また:=水素原子である)を反応させて得られる。
価の基である)で表されるテトラカルボン酸ジ無水物に
、 一般式(6): %式% (式中、R2は少なくとも2個の炭素原子を含有する2
価の基であり、R5およびR6はいずれもR3およびR
4で定義された基に同じ)で表される化合物を一10℃
以上で反応させて得られる一般式(8):(式中・R1
・R2・R5+ R’は前記と同じであり、R5および
R6の少なくとも2つは炭素原子数1〜11の基または
水素原子ではない)で表される繰返し単位を有するポリ
アミック酸に (式中、♂、 R”、 R”、閤、 R42,R”はい
ずれも炭素原子数1〜30の1価の脂肪族の基、1価の
環状脂肪族の基・芳香族の基と脂肪族の基との結合した
1価の基、それらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミ
ノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基で:換され
た基また:=水素原子である)を反応させて得られる。
通常一般式(4)のテトラカルボン酸二無水物と一般式
(6)の化合物の反応は一10℃以上、好ましくはO〜
40℃程度で実質的に無水の極性溶媒中で行われる。
(6)の化合物の反応は一10℃以上、好ましくはO〜
40℃程度で実質的に無水の極性溶媒中で行われる。
採用される反応条件、部ち反応温度、反応試薬、溶媒の
純度、楕裂度舎や水分量、一般式(4)と(6)の比率
や添加順序などによっても得られるポリアミツク酸の分
子量は大きく変わる。
純度、楕裂度舎や水分量、一般式(4)と(6)の比率
や添加順序などによっても得られるポリアミツク酸の分
子量は大きく変わる。
高分子量体を得ようとするときには、低温で高純度の水
分の少ない試菓?;媒を使用して、一般式(4)と(6
)の比率をできるだけ1にすることが望まれる。
分の少ない試菓?;媒を使用して、一般式(4)と(6
)の比率をできるだけ1にすることが望まれる。
このように得られたポリアミック酸(8)にを反応させ
る方法については特に限定はないが、LB法の展開液と
して望ましいようにポリアミック酸(8)の有機極性溶
媒とベンゼンあるいはクロロホルム溶液に の同じ溶媒にとかした溶液を混合することによって得ら
れる。
る方法については特に限定はないが、LB法の展開液と
して望ましいようにポリアミック酸(8)の有機極性溶
媒とベンゼンあるいはクロロホルム溶液に の同じ溶媒にとかした溶液を混合することによって得ら
れる。
一般式(4)で表される化合物の具体例としては、例え
ば (以下余白) U υ
、などがあげられる。
ば (以下余白) U υ
、などがあげられる。
前記一般式(6)で表される化合物の具体例としては例
えば NH2、 では、 CH3(C,Hz) uNHz 、 CHa(CIl
z) LINH2,C)Is(CHz) 15MHz
。
えば NH2、 では、 CH3(C,Hz) uNHz 、 CHa(CIl
z) LINH2,C)Is(CHz) 15MHz
。
CH3(CHz) 17NH2、CH3(CEP)市N
T42 、 C)13(C)12) 21MHz 1
CH3(CH2) 23MHz 、 CF3(CE
z) 15N)Iz +H(CF2)2(CH2)
tsNHz 、 H(CF2)4(CH2) 13
NH2。
T42 、 C)13(C)12) 21MHz 1
CH3(CH2) 23MHz 、 CF3(CE
z) 15N)Iz +H(CF2)2(CH2)
tsNHz 、 H(CF2)4(CH2) 13
NH2。
F(CF2)s(CHz)zNHz 、 F(CF
2)If(CH2)4N)12 。
2)If(CH2)4N)12 。
CHa(CHz) uNH(CHs) 、 CHs
(CHz) 13NH(CH3) 。
(CHz) 13NH(CH3) 。
CH3(CB、) 15NH(C)Is) 、 C
H3(CH2) 17NH(C)13) 。
H3(CH2) 17NH(C)13) 。
CHa(CHz) uNH(CHa) 、 CHs
(CHz) 21NH(CH3) 。
(CHz) 21NH(CH3) 。
CHs(CHz) u NH(CHs) 。
H(CF、) 4(CH2) !3 NH(CH3)
。
。
F(CF2)II(CHz)zNB(CHz)。
(CEz)a C(CHz) t+NH(CHz)
。
。
CHs(CHz)uN (CHs)z、 CB3(
CH2) 13N (CH3)!。
CH2) 13N (CH3)!。
CH3(CH2)!5N (CH3)z、 CBコ
(CHz)17N (CH3)z。
(CHz)17N (CH3)z。
CH3(CH2)xsN (CH3)z、 CFi
コ(CHz)21 N (C)13)2 。
コ(CHz)21 N (C)13)2 。
CH3(CH2) 23N (CH3)2゜H(CF
Z)+(CH2) 13N (CEz)z。
Z)+(CH2) 13N (CEz)z。
F(CF2)8 (CH2)2N (CHs)z。
(CH3)3C(CH2) 14N (CEz)z。
また、先に説明された共重合体については、両性ポリア
ミック酸塩の製法と同様の方法によって作ることができ
る。
ミック酸塩の製法と同様の方法によって作ることができ
る。
次にこれまで述べたポリアミック竣塩を用い、ラングミ
ュア・ブロジェット法によって基板上に累積し、それに
続いてイミド化反応を行う方法について述べる0本発明
では基板は多孔質膜が使われる。
ュア・ブロジェット法によって基板上に累積し、それに
続いてイミド化反応を行う方法について述べる0本発明
では基板は多孔質膜が使われる。
本発明の前駆体を用いたLBliの製法としては、該前
駆体を水面上に展開し、一定の表面圧で圧縮して単分子
膜を形成し、その膜を基板上にうつしとる方法であるL
B法のほか、水平付着法、回転円筒法などの方法(新実
験化学講座第13巻、界面とコロイド、498〜508
頁)などがあげられ、通常行われている方法であれば特
に限定されることなく使用し得る。
駆体を水面上に展開し、一定の表面圧で圧縮して単分子
膜を形成し、その膜を基板上にうつしとる方法であるL
B法のほか、水平付着法、回転円筒法などの方法(新実
験化学講座第13巻、界面とコロイド、498〜508
頁)などがあげられ、通常行われている方法であれば特
に限定されることなく使用し得る。
一般にLB膜を形成させる物質を水面上に展開する際に
、水には解けないで気相中に蒸発してしまうベンゼン、
クロロホルムなどの溶媒が使用されるが、本発明のポリ
アミック酸塩の場合には、溶解炭をあげるために有機極
性溶媒を併用することが望ましい。このような有機極性
溶媒としては、たとえばN、N−ジメチルホルムアミド
、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエチルホ
ルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミド、N、N−
ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、N−メチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、ジメチルテトラメチレンスルホンなどがあげ
られる。
、水には解けないで気相中に蒸発してしまうベンゼン、
クロロホルムなどの溶媒が使用されるが、本発明のポリ
アミック酸塩の場合には、溶解炭をあげるために有機極
性溶媒を併用することが望ましい。このような有機極性
溶媒としては、たとえばN、N−ジメチルホルムアミド
、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエチルホ
ルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミド、N、N−
ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、N−メチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、ジメチルテトラメチレンスルホンなどがあげ
られる。
ベンゼン、クロロホルムなどと有機極性溶媒とを併用す
る場合には、水面上へ展開するとベンゼン、クロロホル
ムなどは気相中に蒸発し、有機極性溶媒は大量の水に溶
解すると考えられる。
る場合には、水面上へ展開するとベンゼン、クロロホル
ムなどは気相中に蒸発し、有機極性溶媒は大量の水に溶
解すると考えられる。
本発明のポリアミ7り酸の塩を水面上に展開する際に使
用する溶液の濃度には特に限定はないが、通常2〜5X
10−3M程度が用いられ、良好な製膜性を得るために
金属イオンの添加やpHm整は必ずしも必要ではなく、
金属イオンの排除はエレクトロニクス分野等で使う際に
有利な点となると考えられる。
用する溶液の濃度には特に限定はないが、通常2〜5X
10−3M程度が用いられ、良好な製膜性を得るために
金属イオンの添加やpHm整は必ずしも必要ではなく、
金属イオンの排除はエレクトロニクス分野等で使う際に
有利な点となると考えられる。
また、本発明のポリアミック酸の塩を基板上に累積する
際に、我々が先に提案したように公知のラングミュア・
ブロジェット膜化合物との混合物を使用すると製膜性能
が向上し、本発明の望ましい実施態様である。
際に、我々が先に提案したように公知のラングミュア・
ブロジェット膜化合物との混合物を使用すると製膜性能
が向上し、本発明の望ましい実施態様である。
公知のラングミュア・ブロジェット膜化合物とは、先に
引用された文献などにも記載され、当業界で公知の化合
物である。特に炭素数が16から22ぐらいの炭化水素
基と親水基とからなる下式の化合物が好ましい。
引用された文献などにも記載され、当業界で公知の化合
物である。特に炭素数が16から22ぐらいの炭化水素
基と親水基とからなる下式の化合物が好ましい。
CH3(CHz)n−t Z
CHz−CH(CHz)n−42
CH3(CH2) ttc = C−Ca C(CHz
) ta Zここで、n−16〜22. 1+m−n−
5,2−OH,NOx 、 NHR,NRR,GOOR
,C0N)It 、 C0OR’ (R’は低級脂肪
族炭化水素基)である。
) ta Zここで、n−16〜22. 1+m−n−
5,2−OH,NOx 、 NHR,NRR,GOOR
,C0N)It 、 C0OR’ (R’は低級脂肪
族炭化水素基)である。
製膜性の改善のためにはCHs(Cm)n−I Zの式
で表されるものがコスト面ですぐれているが、不飽和結
合を含むものは光や放射線などを照射することによって
重合させることができる特徴を有する。
で表されるものがコスト面ですぐれているが、不飽和結
合を含むものは光や放射線などを照射することによって
重合させることができる特徴を有する。
これらから選ばれた少なくとも1つの化合物と高分子化
合物との混合比率については特に限定はない、また先に
挙げたポリアミック酸塩あるいは共重合体から選ばれた
2ri以上混合してM膜することもできる。
合物との混合比率については特に限定はない、また先に
挙げたポリアミック酸塩あるいは共重合体から選ばれた
2ri以上混合してM膜することもできる。
次に本発明の多孔質膜について説明する。多孔質膜とし
ては、ポリプロピレン、ポリエステル。
ては、ポリプロピレン、ポリエステル。
ポリアミド、ポリサルホン、ポリイミドなどの高分子多
孔質膜が公知であり、いずれも本発明の多孔質膜として
使用可能である。これらの多孔質膜は高分子の溶液をト
ープ液としてトープ液の薄膜(平膜状、中空糸状)を形
成し、乾式法あるいは湿式法で作成することができる。
孔質膜が公知であり、いずれも本発明の多孔質膜として
使用可能である。これらの多孔質膜は高分子の溶液をト
ープ液としてトープ液の薄膜(平膜状、中空糸状)を形
成し、乾式法あるいは湿式法で作成することができる。
本発明の望ましい実施態様である芳香族ポリイミド多孔
質膜について説明すれば 一般式 %式%) (ただしR1,Rzは両性ポリアミック酸塩での定義に
同じで、同様に共重合体も含む。)で示される繰返し単
位からなるポリイミドで形成されている多孔質膜であり
、ガス透過テスト(後述する)において、例えば、水素
ガスの透過度(P Hz )が約5 X 10’ 〜5
X 10−1cfj/cI+!・sec−an)Ig
、好ましくは5 X 10−4〜I X 10−”cs
i/ci−sec −ant(gであって、水素と一酸
化炭素との透過度の比(P Hz/ P co)が2〜
10.好ましくは2.5〜5程度であればよい。
質膜について説明すれば 一般式 %式%) (ただしR1,Rzは両性ポリアミック酸塩での定義に
同じで、同様に共重合体も含む。)で示される繰返し単
位からなるポリイミドで形成されている多孔質膜であり
、ガス透過テスト(後述する)において、例えば、水素
ガスの透過度(P Hz )が約5 X 10’ 〜5
X 10−1cfj/cI+!・sec−an)Ig
、好ましくは5 X 10−4〜I X 10−”cs
i/ci−sec −ant(gであって、水素と一酸
化炭素との透過度の比(P Hz/ P co)が2〜
10.好ましくは2.5〜5程度であればよい。
該ポリイミド多孔質膜は、テトラカルボン酸無水物とジ
アミンとを重合して得られるポリアミック酸、あるいは
ポリイミドを有機極性溶媒に均一に熔解した溶液を使用
して、乾式法、あるいは湿式法によって製造することが
できる。
アミンとを重合して得られるポリアミック酸、あるいは
ポリイミドを有機極性溶媒に均一に熔解した溶液を使用
して、乾式法、あるいは湿式法によって製造することが
できる。
例えば特願昭55−59472.特願昭56−5496
5、特願昭56−54966および特願昭56−549
67に提案された方法を使用することができ、ポリイミ
ド多孔質膜が平膜状であっても中空子状であってもよい
。
5、特願昭56−54966および特願昭56−549
67に提案された方法を使用することができ、ポリイミ
ド多孔質膜が平膜状であっても中空子状であってもよい
。
本発明で使用するボリイミ、ド多孔質膜は、少なくとも
200°Cの温度においてガス成分の透過性能が悪化す
ることがなく、しかも約100kg/c己程度までの圧
力でガス透過性能が悪化することがないものであること
が好ましい。
200°Cの温度においてガス成分の透過性能が悪化す
ることがなく、しかも約100kg/c己程度までの圧
力でガス透過性能が悪化することがないものであること
が好ましい。
またポリイミド多孔質膜は、充分に使用に耐え得る機械
的強度を示すような膜厚であればどのような膜厚のもの
であってもよいが、特に、2〜500μ、さらに好まし
くは5〜300μ程度であることが好ましい。
的強度を示すような膜厚であればどのような膜厚のもの
であってもよいが、特に、2〜500μ、さらに好まし
くは5〜300μ程度であることが好ましい。
このポリイミド多孔質膜など多孔質膜の表面にLB法で
累積されるポリアミック酸の塩の厚さは5戸以下、好ま
しくは1pm程度以下であることが生産性の面から望ま
しい。
累積されるポリアミック酸の塩の厚さは5戸以下、好ま
しくは1pm程度以下であることが生産性の面から望ま
しい。
イミド化反応は熱的には進まないのでポリアミック酸の
イミド化の際に使用される無水酢酸やピリジンのような
化学キュア剤を使うのが好ましIj)、またはそれらと
熱反応とを併用してもよい。この方法の場合には低温で
行えるので望ましい。例えば一般式(2)で表される繰
返し単位の場合には、なる反応が起こってポリイミド化
物となる。もちろん一般式(8)で表されるポリアミッ
ク酸単位の場合にもR20が生成してポリイミド化物と
なるが、この場合にはLBI[用としての材料とはなり
得ない。
イミド化の際に使用される無水酢酸やピリジンのような
化学キュア剤を使うのが好ましIj)、またはそれらと
熱反応とを併用してもよい。この方法の場合には低温で
行えるので望ましい。例えば一般式(2)で表される繰
返し単位の場合には、なる反応が起こってポリイミド化
物となる。もちろん一般式(8)で表されるポリアミッ
ク酸単位の場合にもR20が生成してポリイミド化物と
なるが、この場合にはLBI[用としての材料とはなり
得ない。
また、R1,R2の少なくとも一方あるいは両方の一部
を価数の異なる基で置き換えた場合にもイミド価反応と
同様の条件で次のような反応が起こる。
を価数の異なる基で置き換えた場合にもイミド価反応と
同様の条件で次のような反応が起こる。
(X −C0NHz)
(X = C0NH2)
特に後半の2例では耐熱性の高い骨格が導入されるので
、耐熱性の改善のために好ましい。
、耐熱性の改善のために好ましい。
以上のイミド化や閉環反応がおこるときに疎水性のため
に導入した基が脱離するが、この脱離した基はイミド化
試剤を溶かす溶剤、例えばベンゼンの中に溶解してしま
うので、非常に耐熱性のよいポリイミド薄膜を得ること
ができる。
に導入した基が脱離するが、この脱離した基はイミド化
試剤を溶かす溶剤、例えばベンゼンの中に溶解してしま
うので、非常に耐熱性のよいポリイミド薄膜を得ること
ができる。
また、製膜性を改善させるために使用された公知のラン
グミュア・ブロジェット膜化合物も、イミド化や他の閉
環反応の条件化、溶解させることができるものを先に挙
げた例の中から選ぶことによって非常に耐熱性の良いポ
リイミド薄膜を得ることができる。
グミュア・ブロジェット膜化合物も、イミド化や他の閉
環反応の条件化、溶解させることができるものを先に挙
げた例の中から選ぶことによって非常に耐熱性の良いポ
リイミド薄膜を得ることができる。
本発明の複合分離膜は、多孔質膜とその表面にラングミ
ュア・ブロジェット法により累積し、それに続(イミド
化により形成されたポリイミドの均質な薄膜とからなる
複合分離膜であり、耐熱性の多孔質膜を選ぶことにより
常温から200℃程度の範囲で使用可能なものを製造す
ることができる。
ュア・ブロジェット法により累積し、それに続(イミド
化により形成されたポリイミドの均質な薄膜とからなる
複合分離膜であり、耐熱性の多孔質膜を選ぶことにより
常温から200℃程度の範囲で使用可能なものを製造す
ることができる。
本発明の複合骨薄膜は、ガス透過テストにおいて、優れ
たガス透過速度とガス分離性能とを同時に有しており、
例えば、水素ガス透過度(PH1)がI X 10’a
d−caLsec −an)1g以上であって、水素と
一酸化炭素との分離性能(P市/Pc0)で示す)が2
5以上、好ましくは50以上と高く大面積にわたって安
定したガス分離性能をもつのである。
たガス透過速度とガス分離性能とを同時に有しており、
例えば、水素ガス透過度(PH1)がI X 10’a
d−caLsec −an)1g以上であって、水素と
一酸化炭素との分離性能(P市/Pc0)で示す)が2
5以上、好ましくは50以上と高く大面積にわたって安
定したガス分離性能をもつのである。
以下、参考例、実施例でさらに詳しく説明する。
参考例1
とロメリフト酸二無水物0.04 mole、4,4゛
−ジアミノジフェニルエーテル0.04 moleおよ
びジメチルアセタミド(DMAc) 178 gを攪
拌機と窒素ガス導入管とが付設されたセパラブルフラス
コに入れて、窒素ガスを流通しながら、20℃の温度で
8時間重合して、芳香族ポリアミック酸を生成させた。
−ジアミノジフェニルエーテル0.04 moleおよ
びジメチルアセタミド(DMAc) 178 gを攪
拌機と窒素ガス導入管とが付設されたセパラブルフラス
コに入れて、窒素ガスを流通しながら、20℃の温度で
8時間重合して、芳香族ポリアミック酸を生成させた。
そのポリアミック酸の対数粘度(30℃。
0、5 g /d! DMAc )は1.95であった
。
。
前述のようにして製造したポリイミド溶液を、ガラス板
上に25℃で流延し厚さ0.2 tmの液状の薄膜を形
成し、その液状の薄膜を室温(25℃)でメタノール凝
固液に約20時間浸漬し、凝固させて凝固膜を形成し、
その凝固膜をメタノール凝固液から取り出し、100℃
で1時間乾燥し、さらに200℃で2時間熱処理して、
ポリイミド多孔質膜を得た。
上に25℃で流延し厚さ0.2 tmの液状の薄膜を形
成し、その液状の薄膜を室温(25℃)でメタノール凝
固液に約20時間浸漬し、凝固させて凝固膜を形成し、
その凝固膜をメタノール凝固液から取り出し、100℃
で1時間乾燥し、さらに200℃で2時間熱処理して、
ポリイミド多孔質膜を得た。
そのポリイミド多孔質膜は、膜厚が約25μであり、ガ
ス透過テストによる水素の透過度(P H,)が約8
X 10’ crA/crA−sec −cffll
(gであり、水素と一酸化炭素との透過度の比(P+z
/Pco)が約3であった。
ス透過テストによる水素の透過度(P H,)が約8
X 10’ crA/crA−sec −cffll
(gであり、水素と一酸化炭素との透過度の比(P+z
/Pco)が約3であった。
ガス透過テストは、面積5dのステンレス製セルに30
℃で分離膜を設宣し、水素、−酸化炭素を各々0.5〜
1 kg/cdに加圧して、分離膜を透過してくるガス
量を流量計で測定した。
℃で分離膜を設宣し、水素、−酸化炭素を各々0.5〜
1 kg/cdに加圧して、分離膜を透過してくるガス
量を流量計で測定した。
各ガスの透過度は、次の式で算出した。
(cj / ci ・sec ・am)Ig)なお、
分離膜の分離性能は、水素の透過度(PHよ)と−酸化
炭素の透過度(Pω)との比(pHz/Pω)で示す。
分離膜の分離性能は、水素の透過度(PHよ)と−酸化
炭素の透過度(Pω)との比(pHz/Pω)で示す。
参考例2
参考例1と同様にして作成したポリアミック酸を、ジメ
チルアセトアミドとベンゼン(1: 1)で希釈してl
Xl0−3Mの溶液を作成し、これにN−n−オクタデ
シルジメチルアミンが2X10−3Mとなるように作成
したジメチルアセトアミドとベンゼン(1: 1)の溶
液を混合して両性ポリアミック酸の塩の溶液を作成し、
LB膜用展開液とした。
チルアセトアミドとベンゼン(1: 1)で希釈してl
Xl0−3Mの溶液を作成し、これにN−n−オクタデ
シルジメチルアミンが2X10−3Mとなるように作成
したジメチルアセトアミドとベンゼン(1: 1)の溶
液を混合して両性ポリアミック酸の塩の溶液を作成し、
LB膜用展開液とした。
実施例1
参考例1で製造した芳香族ポリイミド多孔質膜上に参考
例2で調製した両性ポリアミック酸の塩を使用してLB
法で200層累積した。
例2で調製した両性ポリアミック酸の塩を使用してLB
法で200層累積した。
20℃の再蒸溜水上、25dyne/a11の表面圧に
保ってlQn+/@inの累積速度の条件で累積すると
多孔質膜上に2タイプで累積された。
保ってlQn+/@inの累積速度の条件で累積すると
多孔質膜上に2タイプで累積された。
次いでピリジン、無水酢酸(1: 1)のベンゼン溶液
中でイミド化を行ってポリイミド複合分離膜を作成した
。
中でイミド化を行ってポリイミド複合分離膜を作成した
。
ガス透過テストによる結果は
水素の透過度 8. OX 10’c!l!/cd ・
sec −am)!g分離性能(P hz/ P c
o) 60であり、作成した分離膜10aaX10c
mの全面において安定した性能をもっていた。
sec −am)!g分離性能(P hz/ P c
o) 60であり、作成した分離膜10aaX10c
mの全面において安定した性能をもっていた。
Claims (3)
- (1)多孔質膜の表面にポリイミドの単分子膜または単
分子累積膜を積層した複合分離膜。 - (2)多孔質膜が芳香族ポリイミドの多孔質膜である特
許請求の範囲第1項記載の複合分離膜。 - (3)多孔質膜の表面にラングミュア・ブロジェット法
によりポリアミック酸塩を単積層または累積層しこれを
イミド化してポリイミドの単分子膜または単分子累積膜
の層を形成することを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の複合分離膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5325986 | 1986-03-10 | ||
| JP61-53259 | 1986-03-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312303A true JPS6312303A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=12937782
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221216A Pending JPS6312302A (ja) | 1986-03-10 | 1986-09-18 | 分離膜 |
| JP61246773A Pending JPS6312303A (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 複合分離膜 |
| JP61246774A Expired - Lifetime JPH0626704B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 基板との接着性が改良された超薄膜とその製法 |
| JP61246772A Pending JPS6323131A (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 液晶配向用ポリイミド薄膜 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221216A Pending JPS6312302A (ja) | 1986-03-10 | 1986-09-18 | 分離膜 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246774A Expired - Lifetime JPH0626704B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 基板との接着性が改良された超薄膜とその製法 |
| JP61246772A Pending JPS6323131A (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 液晶配向用ポリイミド薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (4) | JPS6312302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02293030A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Ube Ind Ltd | 無機物水溶液の浸透気化分離法 |
| JPH06269650A (ja) * | 1992-12-31 | 1994-09-27 | Hoechst Celanese Corp | 複合ガス分離膜とその製造法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648338B2 (ja) * | 1987-04-16 | 1994-06-22 | 日産化学工業株式会社 | 液晶表示素子用配向処理剤 |
| JPH06100756B2 (ja) * | 1988-01-07 | 1994-12-12 | 日産化学工業株式会社 | 液晶セル用配向処理剤 |
| JPH0648339B2 (ja) * | 1988-01-12 | 1994-06-22 | 日産化学工業株式会社 | 液晶表示セル用配向処理剤 |
| JPH0299926A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子 |
| JPH0299925A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子 |
| JP2760022B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1998-05-28 | ジェイエスアール株式会社 | 液晶配向膜用材料 |
| FR2650756B1 (fr) * | 1989-08-11 | 1991-10-31 | Inst Francais Du Petrole | Membrane de separation de gaz |
| FR2650755B1 (fr) * | 1989-08-14 | 1991-10-31 | Inst Francais Du Petrole | Membrane de separation de gaz |
| JPH052169A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Casio Comput Co Ltd | 液晶配向膜の製造方法 |
| JP3024297U (ja) * | 1995-11-01 | 1996-05-17 | 株式会社アートアンドクラフト | 髪束ね止具 |
| JP5050190B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2012-10-17 | 国立大学法人 香川大学 | 微粒子とその製造方法 |
| JP4331256B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | 有機分子膜構造体の形成方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168794A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-30 | Hitachi Ltd | 熱交換器 |
| JPS62144141A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2573824B2 (ja) * | 1986-03-10 | 1997-01-22 | 株式会社リコー | 液晶セルおよびその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61221216A patent/JPS6312302A/ja active Pending
- 1986-10-16 JP JP61246773A patent/JPS6312303A/ja active Pending
- 1986-10-16 JP JP61246774A patent/JPH0626704B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-16 JP JP61246772A patent/JPS6323131A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02293030A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Ube Ind Ltd | 無機物水溶液の浸透気化分離法 |
| JPH06269650A (ja) * | 1992-12-31 | 1994-09-27 | Hoechst Celanese Corp | 複合ガス分離膜とその製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0626704B2 (ja) | 1994-04-13 |
| JPS6312302A (ja) | 1988-01-19 |
| JPS6323131A (ja) | 1988-01-30 |
| JPS63141673A (ja) | 1988-06-14 |
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