JPS63140477A - ブロツホラインメモリ駆動回路 - Google Patents
ブロツホラインメモリ駆動回路Info
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- JPS63140477A JPS63140477A JP28660986A JP28660986A JPS63140477A JP S63140477 A JPS63140477 A JP S63140477A JP 28660986 A JP28660986 A JP 28660986A JP 28660986 A JP28660986 A JP 28660986A JP S63140477 A JPS63140477 A JP S63140477A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は、ブロッホラインメモリに係り、特にブロッホ
ラインメモリ素子のＭ動に必要なバイアス磁界パルスを
低消費電力で供給する駆動回路に関する。
ラインメモリ素子のＭ動に必要なバイアス磁界パルスを
低消費電力で供給する駆動回路に関する。
ブロッホラインメモリ素子における、磁壁内のプロッホ
ラインをバイアス磁界パルスにより駆動する方法につい
ては、たとえば第８回１日本応用磁気学会学術講演概要
集、ｐ、９４ （１９８４年１１月）において論じられ
ている。プロッホラインを駆動するのには、立上り５０
〜１００ｎｓ。
ラインをバイアス磁界パルスにより駆動する方法につい
ては、たとえば第８回１日本応用磁気学会学術講演概要
集、ｐ、９４ （１９８４年１１月）において論じられ
ている。プロッホラインを駆動するのには、立上り５０
〜１００ｎｓ。
立下り３００ｎｓ〜２μＳ程度、振幅５〜１００ｅ程度
のバイアス磁界パルスを必要とする。
のバイアス磁界パルスを必要とする。
バイアス磁界パルスは、第３図に示すような断面形状を
有する磁気回路を用いて発生する。すなわち、同図にお
いて、ブロッホラインメモリ素子１３の上下に磁性体の
板１１−１．２を置き、その周囲をシールドケース１０
でとり囲む、磁性体板１１−１．２の周囲にバイアス磁
界コイル９−１．２をそれぞれ巻く、バイアス磁界コイ
ル９−１．２に、第２図に示した波形１４の電流パルス
（振幅０．２〜２Ａ程度、立上り５０〜１ＯＯｎｓ。
有する磁気回路を用いて発生する。すなわち、同図にお
いて、ブロッホラインメモリ素子１３の上下に磁性体の
板１１−１．２を置き、その周囲をシールドケース１０
でとり囲む、磁性体板１１−１．２の周囲にバイアス磁
界コイル９−１．２をそれぞれ巻く、バイアス磁界コイ
ル９−１．２に、第２図に示した波形１４の電流パルス
（振幅０．２〜２Ａ程度、立上り５０〜１ＯＯｎｓ。
立下り２００ｎｓ＝１１μｓ）を流すことにより。
上記のバイアス磁界パルスを発生する。
現在までにこのようなメモリモジュールのバイアス磁界
パルスの実用的な駆動回路についての公表論文、公開発
明はない、メモリ素子の動作実験では、小型のへルムホ
ルツコイルを巻いて、市販のパルスジュネレータなどで
駆動している。駆動における問題点は以下のとおりであ
る。
パルスの実用的な駆動回路についての公表論文、公開発
明はない、メモリ素子の動作実験では、小型のへルムホ
ルツコイルを巻いて、市販のパルスジュネレータなどで
駆動している。駆動における問題点は以下のとおりであ
る。
ブロッホラインメモリ素子に必要なバイアス磁界パルス
駆動における問題点は、駆動回路の消費電力にある。１
５ＩＩＩＩ１１角のメモリ素子を駆動する場合には、第
３図に示す構成のメモリモジュールでは磁界を印加する
部分の大きさＶは、２０ｍｍＸ２０ｍｍＸ３＋ｍｍ＝１
．２Ｘ１０−’ｍ”となる。この領域に振幅Ｈｔｌ＝１
００ｅ、立上り５０ｎｓ。
駆動における問題点は、駆動回路の消費電力にある。１
５ＩＩＩＩ１１角のメモリ素子を駆動する場合には、第
３図に示す構成のメモリモジュールでは磁界を印加する
部分の大きさＶは、２０ｍｍＸ２０ｍｍＸ３＋ｍｍ＝１
．２Ｘ１０−’ｍ”となる。この領域に振幅Ｈｔｌ＝１
００ｅ、立上り５０ｎｓ。
立下り５００ｎｓのバイアス磁界パルスを印加する場合
に、磁気エネルギーＥ＋ｔ（Ｊ）は式（１）％式％ 立上りでｒ ＝５０ ｎ ｓでこのエネルギーを供給す
るには、駆動電圧ｖＬと駆動電流■、は式（２）を満た
す必要がある。なお、μ０は真空中の透磁率である。
に、磁気エネルギーＥ＋ｔ（Ｊ）は式（１）％式％ 立上りでｒ ＝５０ ｎ ｓでこのエネルギーを供給す
るには、駆動電圧ｖＬと駆動電流■、は式（２）を満た
す必要がある。なお、μ０は真空中の透磁率である。
従って。
ＶＬ［Ｌ＝ ｔ ９．２ （ｖ−Ａ） −
（３）これより、コイル電流振幅を０．５Ａとすると、
３８．４Ｖの駆動電圧でよいことになる。
（３）これより、コイル電流振幅を０．５Ａとすると、
３８．４Ｖの駆動電圧でよいことになる。
第１２図に示す定電流駆動回路でこの電流を供給する場
合には、ｆａ ’ａ ｆ＆圧４５Ｖとすると、駆動回路
の最終段のトランジスター４の消費電力は６、ＩＷとな
る。すなわち、電流パルス立上り時にはトランジスタ１
４のコレクタ＝エミッタ間の電圧は０．５■であり、こ
の期間の駆動回路の消費電力は平均０．１３Ｗと小さい
、これに対して電流の立下り時には、バイアス磁界コイ
ルに−３，８Ｖの電圧が生じるため、コレクタ＝エミッ
タ間の電圧は４８．８Ｖとなる。従ってこの期間の消費
電力の平均値はｌ ２．２Ｗと大きい、くり返し周波数
ＩＭＨｚで駆動すると、平均？ｌ”ｌ費電力は６．ＩＷ
となる。このように消費電力が大きいと、ブロッホライ
ンメモリ素子を実用化する上で問題となる。
合には、ｆａ ’ａ ｆ＆圧４５Ｖとすると、駆動回路
の最終段のトランジスター４の消費電力は６、ＩＷとな
る。すなわち、電流パルス立上り時にはトランジスタ１
４のコレクタ＝エミッタ間の電圧は０．５■であり、こ
の期間の駆動回路の消費電力は平均０．１３Ｗと小さい
、これに対して電流の立下り時には、バイアス磁界コイ
ルに−３，８Ｖの電圧が生じるため、コレクタ＝エミッ
タ間の電圧は４８．８Ｖとなる。従ってこの期間の消費
電力の平均値はｌ ２．２Ｗと大きい、くり返し周波数
ＩＭＨｚで駆動すると、平均？ｌ”ｌ費電力は６．ＩＷ
となる。このように消費電力が大きいと、ブロッホライ
ンメモリ素子を実用化する上で問題となる。
本発明の目的は、低消費電力でバイアス磁界パルスの駆
動ができる駆動回路を提供することにある。
動ができる駆動回路を提供することにある。
上記目的は、複数個のスイッチング素子を用いることに
より、電流パルスの立上り時に電圧の高い電源からバイ
アス磁界コイルにエネルギーを供給し、電流パルスの立
下り時に、バイアスコイルから電圧の低い電源にエネル
ギーを戻す駆動方式により実現できる。
より、電流パルスの立上り時に電圧の高い電源からバイ
アス磁界コイルにエネルギーを供給し、電流パルスの立
下り時に、バイアスコイルから電圧の低い電源にエネル
ギーを戻す駆動方式により実現できる。
第１および第２のスイッチングを導通させることにより
、電圧の高い方の第１の電源からバイアス磁界コイルに
電流を流し始める。この状態では。
、電圧の高い方の第１の電源からバイアス磁界コイルに
電流を流し始める。この状態では。
第１の電源からバイアス磁界コイルにエネルギーが供給
される。コイルのエネルギーは電流とともに増加する。
される。コイルのエネルギーは電流とともに増加する。
第１および第２のスイッチの導通後。
所定の時間後に、第１および第２のスイッチを遮断し、
同時に第３および第４のスイッチを導通させる。第３お
よび第４のスイッチの導通により、バイアス磁界コイル
は、電圧の低い方の第２の電源に接続される。コイル電
流は第２の電源に向かって流れるため、バイアス磁界コ
イルの持つエネルギーが電源に戻り、コイル電流は減少
する。コイル電流が０になった時点でスイッチ３，４を
遮断する。この駆動により、第１の電源からバイアス磁
界コイルに与えたエネルギーのほとんどを、第２の電源
に戻すことができるため、駆動回路の消費電力を小さく
することができる。
同時に第３および第４のスイッチを導通させる。第３お
よび第４のスイッチの導通により、バイアス磁界コイル
は、電圧の低い方の第２の電源に接続される。コイル電
流は第２の電源に向かって流れるため、バイアス磁界コ
イルの持つエネルギーが電源に戻り、コイル電流は減少
する。コイル電流が０になった時点でスイッチ３，４を
遮断する。この駆動により、第１の電源からバイアス磁
界コイルに与えたエネルギーのほとんどを、第２の電源
に戻すことができるため、駆動回路の消費電力を小さく
することができる。
実施例１゜
本発明の第１の実施例を第１図および第２図を用いて説
明する。第１図において、バイアス磁界コイル５の両端
に４個のスイッチ１〜４を接続する。第１および第２の
スイッチ１，２は、ｆｔＥｉｌｉＸ電圧が高い方の第１
の直流定電圧電源６からバイアス磁界コイルに電流パル
スを流す電流通路を形成する。一方、第３および第４の
スイッチ３，４は。
明する。第１図において、バイアス磁界コイル５の両端
に４個のスイッチ１〜４を接続する。第１および第２の
スイッチ１，２は、ｆｔＥｉｌｉＸ電圧が高い方の第１
の直流定電圧電源６からバイアス磁界コイルに電流パル
スを流す電流通路を形成する。一方、第３および第４の
スイッチ３，４は。
バイアス磁界コイル５から直流定電圧電源７に電流パル
スを流す電流通路を形成する。第２図に記載した様に、
まず第１および第２のスイッチ１゜２をＯＮにすること
により、第１の電源６から第１のスイッチｌ、バイアス
磁界コイル５．第２のスイッチ２を通して電流が流れ始
める。スイッチ１．２をＯＮにしてからの時間をｔ、コ
イル５の時間電流を１（ｔ）、第の電源６の電圧をＥｌ
、スイッチ１の電圧降下をｖｌ、スイッチ２の電圧降下
をｖ２とすると、 ｉ （ｔ）は式（１）で与えら
れる。
スを流す電流通路を形成する。第２図に記載した様に、
まず第１および第２のスイッチ１゜２をＯＮにすること
により、第１の電源６から第１のスイッチｌ、バイアス
磁界コイル５．第２のスイッチ２を通して電流が流れ始
める。スイッチ１．２をＯＮにしてからの時間をｔ、コ
イル５の時間電流を１（ｔ）、第の電源６の電圧をＥｌ
、スイッチ１の電圧降下をｖｌ、スイッチ２の電圧降下
をｖ２とすると、 ｉ （ｔ）は式（１）で与えら
れる。
し
ｔ＝τ１においてスイッチ１，２をＯＦＦにし。
スイッチ３，４をＯＮにする。ただし、この実施例にお
いて、スイッチ３，４はダイオード３−１゜４−１によ
り＋１９成しており、スイッチ１，２がＯＦＦになるの
と同時に自動的にスイッチ３，４はＯＮになり、スイッ
チ３→コイル５→スイツチ４→電源７に至る電流通路が
形成される。スイッチ３，４がＯＮになった後のコイル
電流は式（２）で与えられる。ただし、スイッチ３，４
の電圧降下はＶ３．Ｖ４であり、電源７の電源電圧はＥ
２である。
いて、スイッチ３，４はダイオード３−１゜４−１によ
り＋１９成しており、スイッチ１，２がＯＦＦになるの
と同時に自動的にスイッチ３，４はＯＮになり、スイッ
チ３→コイル５→スイツチ４→電源７に至る電流通路が
形成される。スイッチ３，４がＯＮになった後のコイル
電流は式（２）で与えられる。ただし、スイッチ３，４
の電圧降下はＶ３．Ｖ４であり、電源７の電源電圧はＥ
２である。
ム２↑■３士■４
おいてＯになる。従ってＥ工＋ Ｅ ２およびτ、の設
定により、第２図に示した波形、たとえばτ１ ＝ ５
０ ｎ ｓ 、振幅Ｉ １＝０．５Ａ、ｘ ２＝５００
ｎｓとすルＬ：ハ、 Ｖ １＝Ｖ ２ ＝ １ 、３
Ｖ。
定により、第２図に示した波形、たとえばτ１ ＝ ５
０ ｎ ｓ 、振幅Ｉ １＝０．５Ａ、ｘ ２＝５００
ｎｓとすルＬ：ハ、 Ｖ １＝Ｖ ２ ＝ １ 、３
Ｖ。
Ｖ ３ ＝ Ｖ ４＝ ０ 、８ Ｖ 、コイルのイン
ダクタンスが３．８４μＨの場合には、Ｅｌは４ＬＶ、
Ｅ。
ダクタンスが３．８４μＨの場合には、Ｅｌは４ＬＶ、
Ｅ。
は２．２ｖとなる。この波形は第１３図に記載した従来
例における定電流回路の場合と同じである。
例における定電流回路の場合と同じである。
この駆動回路での消費電力は、電流パルスの繰り返し周
波数をＩＭＨｚとすると、スイッチ１，２のそれぞれに
ついてｏ、ｏ ｉ ９Ｗ、スイッチ３゜４がＯＮの時に
、スイッチ３，４についてそれぞれ０．ＩＷである。駆
動回路の平均消費電力は０．２４Ｗと小さい。
波数をＩＭＨｚとすると、スイッチ１，２のそれぞれに
ついてｏ、ｏ ｉ ９Ｗ、スイッチ３゜４がＯＮの時に
、スイッチ３，４についてそれぞれ０．ＩＷである。駆
動回路の平均消費電力は０．２４Ｗと小さい。
実施例２゜
上記の実施例１において、バイアス磁界コイル５の駆動
時に、電源６から駆動用のエネルギーを供給するが、供
給したエネルギーの大半が電源７に戻ることになる。す
なわち、第１図、第２図において、スイッチ１，２がＯ
Ｎの期間には、電源６からコイル５へのエネルギーの供
給、スイッチ３．４がＯＮの期間にはコイル５から電源
７へのエネルギーを戻す動作となる。従って電源７に蓄
積されたエネルギーを他に使わないと、駆動系全体の消
費電力が大きくなる問題がある。第４図に示した駆動回
路では、ｆｆｉ源７と電源６との間にＤＣ−ＤＣコンバ
ータ８を挿入し、電源７に蓄積するエネルギーを電源６
に戻すことにより、上記の問題を解決する。電源７に戻
るエネルギーは。
時に、電源６から駆動用のエネルギーを供給するが、供
給したエネルギーの大半が電源７に戻ることになる。す
なわち、第１図、第２図において、スイッチ１，２がＯ
Ｎの期間には、電源６からコイル５へのエネルギーの供
給、スイッチ３．４がＯＮの期間にはコイル５から電源
７へのエネルギーを戻す動作となる。従って電源７に蓄
積されたエネルギーを他に使わないと、駆動系全体の消
費電力が大きくなる問題がある。第４図に示した駆動回
路では、ｆｆｉ源７と電源６との間にＤＣ−ＤＣコンバ
ータ８を挿入し、電源７に蓄積するエネルギーを電源６
に戻すことにより、上記の問題を解決する。電源７に戻
るエネルギーは。
実施例１に示した駆動の場合には、０．２８Ｗとｆ、Ａ
ル、 Ｄ Ｃ−Ｄ Ｃコンバータの変換効率を８０％
とすれば、この消費電力を０．０７Ｗ程度にすることが
できる。
ル、 Ｄ Ｃ−Ｄ Ｃコンバータの変換効率を８０％
とすれば、この消費電力を０．０７Ｗ程度にすることが
できる。
実施例３６
第５図に本発明の第３の実施例を示す。第１の実施例と
比較して、スイッチの数を低減し、しかも、さらに消費
電力を低減している。この駆動回路の動作を第７図を用
いて以下に説明する。スイッチ１をＯＮにして電源６か
らコイル５にコイル電流を流し始め、所定の振幅（たと
えば０．５Ａ）になった時（１＝τ１）に、スイッチ１
をＯＦＦにしてスイッチ３をＯＮにする。スイッチ３は
実施例１と同様にダイオード３−１だけで結成できる。
比較して、スイッチの数を低減し、しかも、さらに消費
電力を低減している。この駆動回路の動作を第７図を用
いて以下に説明する。スイッチ１をＯＮにして電源６か
らコイル５にコイル電流を流し始め、所定の振幅（たと
えば０．５Ａ）になった時（１＝τ１）に、スイッチ１
をＯＦＦにしてスイッチ３をＯＮにする。スイッチ３は
実施例１と同様にダイオード３−１だけで結成できる。
スイッチ３がＯＮの期間には？ｌＸ７からスイッチ３を
通してコイル５に電流が流れる。電源７の電圧を負の値
とすることにより、電流振幅は減少して０に戻る。この
時点でスイッチ３をＯＦＦにする。スイッチ３がダイオ
ード３−１の場合には自動的にＯＦＦになる。
通してコイル５に電流が流れる。電源７の電圧を負の値
とすることにより、電流振幅は減少して０に戻る。この
時点でスイッチ３をＯＦＦにする。スイッチ３がダイオ
ード３−１の場合には自動的にＯＦＦになる。
この駆動回路により実施例１と同じ駆動をする場合に、
電源６の電圧Ｅ□は３９．７Ｖ、電源７の電圧Ｅ２は一
３ｖとなるにの駆動回路の消費電力は、０．１２Ｗとな
る。ただし、スイッチ１の消費電力は０．０１９Ｗ、ス
イッチ３の消費電力は０．ＩＷである。従って駆動回路
の消費電力を実施例１の５０％にできた。
電源６の電圧Ｅ□は３９．７Ｖ、電源７の電圧Ｅ２は一
３ｖとなるにの駆動回路の消費電力は、０．１２Ｗとな
る。ただし、スイッチ１の消費電力は０．０１９Ｗ、ス
イッチ３の消費電力は０．ＩＷである。従って駆動回路
の消費電力を実施例１の５０％にできた。
電ｗＸ７の消費電力は０．３８Ｗとなる。実施例２と同
様にＤＣ−ＤＣコンバータ８を使えば、この消費電力は
ｏ、ｏｓｗ程度にできる。
様にＤＣ−ＤＣコンバータ８を使えば、この消費電力は
ｏ、ｏｓｗ程度にできる。
実施例４゜
第６図に示すように、実施例３と同様に、スイッチ２個
とした構成であるが、電源６の電圧を負。
とした構成であるが、電源６の電圧を負。
ｆｌｉｌｆｉ７の電圧を正とした。ＤＣ−ＤＣコンバー
タ８による消費電力の低減も同様にできる。
タ８による消費電力の低減も同様にできる。
実施例５゜
実施例１の第１図または、実施例２の第４図の駆動回路
において、コイル電流波形を三角波ではなく、台形波に
近い四角形の波形とする駆動が可能である。第８図に示
すように、スイッチ１，２をＯＮにし、コイル電流ｉ
（ｔ）が振幅工、となった時点（１＝τ、）において
、スイッチ１だけをＯＦＦにする。コイル電流はスイッ
チ３→コイル５→スイツチ２の径路で流れる。この時に
コイルの両端の電圧はスイッチ２とスイッチ３の電圧降
下の和（〜２．３Ｖ）だけとなるので、この状態を保持
しているτ１≦ｔくτ１＋τ３の期間では、コイル電流
の時間変化の絶対値は、これに続くτ１＋τ３≦ｔくτ
１＋τ２＋τ３の期間における時間変化の絶対値より小
さい、ｊ＝τ１＋で３において、スイッチ２をＯＦＦに
し、スイッチ４をＯＮにすると、コイル両端に加わる電
圧は、実施例１と同様に３．７ｖとなるので、実施例１
と同様な時間変化をとる。この制御方法により。
において、コイル電流波形を三角波ではなく、台形波に
近い四角形の波形とする駆動が可能である。第８図に示
すように、スイッチ１，２をＯＮにし、コイル電流ｉ
（ｔ）が振幅工、となった時点（１＝τ、）において
、スイッチ１だけをＯＦＦにする。コイル電流はスイッ
チ３→コイル５→スイツチ２の径路で流れる。この時に
コイルの両端の電圧はスイッチ２とスイッチ３の電圧降
下の和（〜２．３Ｖ）だけとなるので、この状態を保持
しているτ１≦ｔくτ１＋τ３の期間では、コイル電流
の時間変化の絶対値は、これに続くτ１＋τ３≦ｔくτ
１＋τ２＋τ３の期間における時間変化の絶対値より小
さい、ｊ＝τ１＋で３において、スイッチ２をＯＦＦに
し、スイッチ４をＯＮにすると、コイル両端に加わる電
圧は、実施例１と同様に３．７ｖとなるので、実施例１
と同様な時間変化をとる。この制御方法により。
ブロッホラインメモリの設計（特に転送路）によっては
より動作特性を改善できる。この駆動方法での消費電力
は、実施例１．２の場合とほとんど同じである。
より動作特性を改善できる。この駆動方法での消費電力
は、実施例１．２の場合とほとんど同じである。
実施例６゜
実施例５と同様なコイル電流波形を、実施例３および実
施例４における、第５図および第６図に示した駆動回路
に、スイッチ１８を付加することにより得られろ。第９
図は第５図に示した駆動回路において、コイル５と並列
にスイッチ１８を接続している。第１１に示す動作にお
いては、第８図と同様に、スイッチ１をＯＦＦにした後
にスイッチ１８をＯＮにしてコイル電源を流す。第１０
図の場合も第９図の場合と同様に制御する。スイッチ１
８をｔ＝τ１＋τ３においてＯＦＦとし、スイッチ３を
ＯＮにする。この駆動方法で、スイッチ１８がＯＮにな
った時に、コイル両端の電圧は１．５ｖとなるので、ス
イッチ３がＯＮの時のコイル両端の電圧３．７ｖの約４
０％と小さい。
施例４における、第５図および第６図に示した駆動回路
に、スイッチ１８を付加することにより得られろ。第９
図は第５図に示した駆動回路において、コイル５と並列
にスイッチ１８を接続している。第１１に示す動作にお
いては、第８図と同様に、スイッチ１をＯＦＦにした後
にスイッチ１８をＯＮにしてコイル電源を流す。第１０
図の場合も第９図の場合と同様に制御する。スイッチ１
８をｔ＝τ１＋τ３においてＯＦＦとし、スイッチ３を
ＯＮにする。この駆動方法で、スイッチ１８がＯＮにな
った時に、コイル両端の電圧は１．５ｖとなるので、ス
イッチ３がＯＮの時のコイル両端の電圧３．７ｖの約４
０％と小さい。
従って、τ１≦ｔ≦τ、＋τ３における電流の時間変化
は、実施例５の場合よりも小さくできる。
は、実施例５の場合よりも小さくできる。
この駆動方法における消費電力の値は実施例３゜４と同
程度である。
程度である。
なお、本発明において、ＤＣ−ＤＣコンバータは直流電
圧変圧手段、直流電圧変換手段、電圧変圧手段、電圧変
換手段の一種として取扱うことができる。
圧変圧手段、直流電圧変換手段、電圧変圧手段、電圧変
換手段の一種として取扱うことができる。
本発明によれば、複数個のスイッチング素子と２つの異
る電源電圧とを組み合わせた駆動回路を用いることによ
り、駆動回路の消費電力を０．２〜０．３ｍ来の定電流
リニア駆動回路と比較して１／２０〜１／３０と大幅に
低減することかできた。
る電源電圧とを組み合わせた駆動回路を用いることによ
り、駆動回路の消費電力を０．２〜０．３ｍ来の定電流
リニア駆動回路と比較して１／２０〜１／３０と大幅に
低減することかできた。
第１図は本発明の第一の実施例を示す図、第２図は本発
明の第一の実施例の動作を示す図、第３図はブロッホラ
インメモリモジュールの断面構造を示す図、第４図は本
発明の第二の実施例を示す図、第５図は本発明の第三の
実施例を示す図、第６図は本発明の第四の実施例を示す
図、第７図は本発明の第三および第四の実施例の動作を
示す図。 第８図は本発明の第五の実施例の動作を示す図。 第９図、１０図は本発明の第六の実施例を示す図。 第１１図は本発明の第六の実施例の動作を示す図、第１
２図は定電流リニア駆動回路を示す図、第１３図は第１
２図の回路の動作を示す図である。 １〜１４．１８・・・スイッチ、 １−１．２−１．１８−１・・・スイッチングトランジ
スタ、 １−２．２−２．３−１．４−１．１８−２・・・ダイ
オード、５・・・コイル、６・・・高電圧電源、７・・
・低電圧電源、８・・・ＤＣ−ＤＣコンバータ。
明の第一の実施例の動作を示す図、第３図はブロッホラ
インメモリモジュールの断面構造を示す図、第４図は本
発明の第二の実施例を示す図、第５図は本発明の第三の
実施例を示す図、第６図は本発明の第四の実施例を示す
図、第７図は本発明の第三および第四の実施例の動作を
示す図。 第８図は本発明の第五の実施例の動作を示す図。 第９図、１０図は本発明の第六の実施例を示す図。 第１１図は本発明の第六の実施例の動作を示す図、第１
２図は定電流リニア駆動回路を示す図、第１３図は第１
２図の回路の動作を示す図である。 １〜１４．１８・・・スイッチ、 １−１．２−１．１８−１・・・スイッチングトランジ
スタ、 １−２．２−２．３−１．４−１．１８−２・・・ダイ
オード、５・・・コイル、６・・・高電圧電源、７・・
・低電圧電源、８・・・ＤＣ−ＤＣコンバータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２個の異る直流定電圧源と、複数個のスイッチング
素子と、バイアス磁界コイルで構成したバイアス磁界パ
ルス発生装置であって、電圧の高い方の直流定電圧源か
らバイアス磁界コイルに電流が流れる電流を制御するス
イッチング素子と、バイアス磁界コイルから電圧の低い
方の直流定電圧源に電流を流すスイッチング素子とを含
むことを特徴とするブロッホラインメモリ駆動回路。 ２、前記電圧の低い方の直流定電圧源を入力に接続し、
前記電圧の高い方の直流電圧源を出力に接続するＤＣ−
ＤＣコンバータを含む、特許請求の範囲第１項記載のブ
ロッホラインメモリ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28660986A JPS63140477A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ブロツホラインメモリ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28660986A JPS63140477A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ブロツホラインメモリ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140477A true JPS63140477A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17706628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28660986A Pending JPS63140477A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ブロツホラインメモリ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63140477A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100553144C (zh) | 2005-07-22 | 2009-10-21 | 友达光电股份有限公司 | 移位缓存器驱动电路及其电平移位器 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28660986A patent/JPS63140477A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100553144C (zh) | 2005-07-22 | 2009-10-21 | 友达光电股份有限公司 | 移位缓存器驱动电路及其电平移位器 |
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