JPS63161667A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS63161667A JPS63161667A JP61310876A JP31087686A JPS63161667A JP S63161667 A JPS63161667 A JP S63161667A JP 61310876 A JP61310876 A JP 61310876A JP 31087686 A JP31087686 A JP 31087686A JP S63161667 A JPS63161667 A JP S63161667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- light
- shading
- reference signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し特に光学的黒レベル基準信
号発生部における遮光膜の構造に関する。
号発生部における遮光膜の構造に関する。
固体撮像素子の受光部における出力信号電荷は光電変換
により発生した入射光量に比例する電荷と、通常暗電流
と呼ばれる光電変換によらない対生成電荷とから成る。
により発生した入射光量に比例する電荷と、通常暗電流
と呼ばれる光電変換によらない対生成電荷とから成る。
従って、一般に固体撮像素子では、受光部における同一
構造の受光素子に遮光膜を被覆して成る光学的黒レベル
基準信号発生領域を受光部に隣接して設は受光部からの
出力信号からこの光学的黒レベル基準信号を常に差引い
て出力せしめるように構成される。
構造の受光素子に遮光膜を被覆して成る光学的黒レベル
基準信号発生領域を受光部に隣接して設は受光部からの
出力信号からこの光学的黒レベル基準信号を常に差引い
て出力せしめるように構成される。
第３図は固体撮像素子の基本構成を示す平面図で上記撮
像信号変換面の構造を概略的に説明するものである。す
なわち、固体撮像素子の撮像信号変換面は、半導体基板
上１と、受光部１０および光学的黒レベル基準信号発生
部２０と、これら２つの領域１０および２０からの出力
信号の差をカウントし入射光量に比例した撮像信号を出
力部３０に出力する水平シフトレジスタ４０とを３む。
像信号変換面の構造を概略的に説明するものである。す
なわち、固体撮像素子の撮像信号変換面は、半導体基板
上１と、受光部１０および光学的黒レベル基準信号発生
部２０と、これら２つの領域１０および２０からの出力
信号の差をカウントし入射光量に比例した撮像信号を出
力部３０に出力する水平シフトレジスタ４０とを３む。
通常、この光学的黒レベル基準信号発生部２０の遮光膜
はアルミニウムの薄膜から成り、受光部１０に隣接配置
される受光素子上にバターニング形成される。
はアルミニウムの薄膜から成り、受光部１０に隣接配置
される受光素子上にバターニング形成される。
第４図は従来固体撮像素子の撮像信号変換部の断面図で
、遮光膜が上述の通り受光素子２上にバターニング形成
された第２層目のアルミニウム３膜５により形成されて
いる様子を示したものである。ここで、１．１０および
２０は前述の通り半導体基板、受光部および光字的黒レ
ベル基準信号発生部をそれぞれ示し、また、３および４
はそれぞれ層間膜および信号電荷の読出し手段を遮光す
る第１層目のアルミニウム薄膜を表わしている。
、遮光膜が上述の通り受光素子２上にバターニング形成
された第２層目のアルミニウム３膜５により形成されて
いる様子を示したものである。ここで、１．１０および
２０は前述の通り半導体基板、受光部および光字的黒レ
ベル基準信号発生部をそれぞれ示し、また、３および４
はそれぞれ層間膜および信号電荷の読出し手段を遮光す
る第１層目のアルミニウム薄膜を表わしている。
Ｉ発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、この従来の固体撮像素子はアルミニウム
薄膜の成長時におけるダメージを回復させることを目的
としてアニール処理を行なうと、光学的黒レベル基準信
号発生部のアルミニウム遮光膜にピンホールを発生させ
て光の洩れを生ぜしぬるので生産歩留りの低ｒをひき起
こす問題点を有する。
薄膜の成長時におけるダメージを回復させることを目的
としてアニール処理を行なうと、光学的黒レベル基準信
号発生部のアルミニウム遮光膜にピンホールを発生させ
て光の洩れを生ぜしぬるので生産歩留りの低ｒをひき起
こす問題点を有する。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、アルミニウム遮光
膜のピンホールによる光学的黒レベル基準信号発生部の
光の洩れ問題を解決した固体撮像素子を提供することで
ある。、 〔問題点を解決するための手段〕 本発明によれば、固体撮像素子は、半導体基板と前記半
導体基板上に配設される複数個の受光素子と前記受光素
子の配列上に互いに隣接して形成される受光部と光学的
黒レベル基準信号発生部とを含んで成り、前記光学的黒
レベル基準信号発生部における前記受光素子の受光面を
それぞれ遮蔽被覆する遮光膜がアルミニウム薄膜と染色
された黒色有機薄膜とからなる複数膜により形成されて
いることを含む。
膜のピンホールによる光学的黒レベル基準信号発生部の
光の洩れ問題を解決した固体撮像素子を提供することで
ある。、 〔問題点を解決するための手段〕 本発明によれば、固体撮像素子は、半導体基板と前記半
導体基板上に配設される複数個の受光素子と前記受光素
子の配列上に互いに隣接して形成される受光部と光学的
黒レベル基準信号発生部とを含んで成り、前記光学的黒
レベル基準信号発生部における前記受光素子の受光面を
それぞれ遮蔽被覆する遮光膜がアルミニウム薄膜と染色
された黒色有機薄膜とからなる複数膜により形成されて
いることを含む。
すなわち本発明によれば遮光膜がアルミニウム薄膜と染
色された黒色有機膜による複合膜で形成されているので
、入射光はアルミニウム薄膜に到達する前に黒色有機膜
で大幅に減衰される。従って、アニール熱処理により成
金アルミニウム薄膜にビンポールが発生していたとして
も歩留り低下を来たす程の光洩れ不良の発生はきわめて
有効に抑止される。
色された黒色有機膜による複合膜で形成されているので
、入射光はアルミニウム薄膜に到達する前に黒色有機膜
で大幅に減衰される。従って、アニール熱処理により成
金アルミニウム薄膜にビンポールが発生していたとして
も歩留り低下を来たす程の光洩れ不良の発生はきわめて
有効に抑止される。
し実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す撮像信号変換部の断面
図である。本実施例によれば、本発明の固体撮像素子の
撮像信号変換部は半導体基板１と、半導体基板１に設け
られた受光素子２と、層間膜３と、信号電荷の読み出し
手段（図示しない）を遮光する第１層目のアルミニウム
薄膜４と、光学的黒レベル基準信号発生部２０において
受光部１０と同じ構造の受光素子２上にパターニング形
１反された第２層目のアルミニウム薄膜５および光遮蔽
効果を有する染色された黒色有機薄膜から成る複き横道
の遮光膜とを含む。ここで、光遮蔽効果を有する染色さ
れた黒色有機薄膜６は、例えばゼラチンあるいはガセ、
インといった有機物の溶液と重クロム酸アンモニウム等
の感光性材料の混合液を均一に塗布した後にフォトリソ
グラフィーによりパターニングし、更に黒色染料〔例え
ば、カラー・インテ・ソクス酸性黒色染料５２：１（Ｃ
。
図である。本実施例によれば、本発明の固体撮像素子の
撮像信号変換部は半導体基板１と、半導体基板１に設け
られた受光素子２と、層間膜３と、信号電荷の読み出し
手段（図示しない）を遮光する第１層目のアルミニウム
薄膜４と、光学的黒レベル基準信号発生部２０において
受光部１０と同じ構造の受光素子２上にパターニング形
１反された第２層目のアルミニウム薄膜５および光遮蔽
効果を有する染色された黒色有機薄膜から成る複き横道
の遮光膜とを含む。ここで、光遮蔽効果を有する染色さ
れた黒色有機薄膜６は、例えばゼラチンあるいはガセ、
インといった有機物の溶液と重クロム酸アンモニウム等
の感光性材料の混合液を均一に塗布した後にフォトリソ
グラフィーによりパターニングし、更に黒色染料〔例え
ば、カラー・インテ・ソクス酸性黒色染料５２：１（Ｃ
。
！、Ａｃ１ｄ Ｂｌａｃｋ ５２：１）］で染色し
て形成する。このように光学的黒レベル基準信号発生部
２０における遮光膜が複合膜で形成されると、下層のア
ルミニウム薄膜５にピンホールが存在したとしてもこれ
による光学パスは上層の染色された黒色有ｆｉｌＢＩ６
で塞がれまた相互に補完するよう作用し合うので遮光効
果に確実性を付与することができる。従って遮光膜の遮
光特性は安定し光の洩れに因る製造歩留りの低下を大幅
に改善し得る。
て形成する。このように光学的黒レベル基準信号発生部
２０における遮光膜が複合膜で形成されると、下層のア
ルミニウム薄膜５にピンホールが存在したとしてもこれ
による光学パスは上層の染色された黒色有ｆｉｌＢＩ６
で塞がれまた相互に補完するよう作用し合うので遮光効
果に確実性を付与することができる。従って遮光膜の遮
光特性は安定し光の洩れに因る製造歩留りの低下を大幅
に改善し得る。
第２図は本発明の他の実施例を示す撮像信号変換部の断
面図である。本実施例では、光学的黒レベル基準信号発
生部における第１層アルミニウム薄膜４はこの領域の受
光素子１の全て？遮光するように連続した単一膜とされ
、前実施例におけろ第２層目のアルミニウム薄膜５の作
用を兼用する上う形成される。この構造によると第２層
目のアルミニウム薄膜６の形成を省くことができ製造を
容易にすることが可能である。
面図である。本実施例では、光学的黒レベル基準信号発
生部における第１層アルミニウム薄膜４はこの領域の受
光素子１の全て？遮光するように連続した単一膜とされ
、前実施例におけろ第２層目のアルミニウム薄膜５の作
用を兼用する上う形成される。この構造によると第２層
目のアルミニウム薄膜６の形成を省くことができ製造を
容易にすることが可能である。
以上説明したように本発明によれば、光学的黒レベル基
準信号発生部における遮光膜はアルミニウム薄膜と光遮
蔽効果を有する染色された黒色有機薄膜の複数層によっ
て形成されるので、アルミニウム薄膜の単一層で形成さ
れた場合従来問題とされたアルミニウム薄膜のピンホー
ルに因る製造歩留り低下を大幅に低減することができる
。
準信号発生部における遮光膜はアルミニウム薄膜と光遮
蔽効果を有する染色された黒色有機薄膜の複数層によっ
て形成されるので、アルミニウム薄膜の単一層で形成さ
れた場合従来問題とされたアルミニウム薄膜のピンホー
ルに因る製造歩留り低下を大幅に低減することができる
。
第１図は本発明の一実施例を示す撮像信号変換部の断面
図、第２図は本発明の他の実施例を示す撮像信号変換部
の断面図、第３図は従来の固体撮像素子の基本構成を示
す平面図、第４図は従来固体撮像素子の撮像信号変換部
の断面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・受光素子、３・・・層間
膜、４・・・第１層目のアルミニウム薄膜、５・・・第
２層目のアルミニウム薄膜、６・・・染色された黒色有
機膜、１０・・・受光部、２０・・・光学的黒レベル基
準信号発生部、３０・・・出力部、４０・・・水平シフ
トレジスタ。 第１ Ｖ 手 ２ ｖ ３０“′秤 手３図 牛４ Ｖ
図、第２図は本発明の他の実施例を示す撮像信号変換部
の断面図、第３図は従来の固体撮像素子の基本構成を示
す平面図、第４図は従来固体撮像素子の撮像信号変換部
の断面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・受光素子、３・・・層間
膜、４・・・第１層目のアルミニウム薄膜、５・・・第
２層目のアルミニウム薄膜、６・・・染色された黒色有
機膜、１０・・・受光部、２０・・・光学的黒レベル基
準信号発生部、３０・・・出力部、４０・・・水平シフ
トレジスタ。 第１ Ｖ 手 ２ ｖ ３０“′秤 手３図 牛４ Ｖ
Claims (1)
- 半導体基板と前記半導体基板上に配設される複数個の受
光素子と前記受光素子の配列上に互いに隣接して形成さ
れる受光部と光学的黒レベル基準信号発生部とを含んで
成り、前記光学的黒レベル基準信号発生部において前記
受光素子の受光面をそれぞれ遮蔽被覆する遮光膜はアル
ミニウム薄膜と染色された黒色有機薄膜とからなる複数
膜により形成されることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310876A JPS63161667A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310876A JPS63161667A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63161667A true JPS63161667A (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=18010446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61310876A Pending JPS63161667A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63161667A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289367A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH02285675A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH02308568A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH09166877A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体素子の製造方法 |
| EP1021914A4 (en) * | 1997-10-06 | 2006-12-06 | Photobit Corp | Quantum efficiency improvements in active pixel sensors |
| WO2007019073A3 (en) * | 2005-08-03 | 2008-01-03 | Micron Technology Inc | Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation |
| JP2015128187A (ja) * | 2015-03-24 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| US9613997B2 (en) | 2010-09-15 | 2017-04-04 | Sony Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61310876A patent/JPS63161667A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289367A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH02285675A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH02308568A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH09166877A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体素子の製造方法 |
| EP1021914A4 (en) * | 1997-10-06 | 2006-12-06 | Photobit Corp | Quantum efficiency improvements in active pixel sensors |
| WO2007019073A3 (en) * | 2005-08-03 | 2008-01-03 | Micron Technology Inc | Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation |
| US7576361B2 (en) | 2005-08-03 | 2009-08-18 | Aptina Imaging Corporation | Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation |
| US9613997B2 (en) | 2010-09-15 | 2017-04-04 | Sony Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
| US9647024B2 (en) | 2010-09-15 | 2017-05-09 | Sony Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
| US11863898B2 (en) | 2010-09-15 | 2024-01-02 | Sony Group Corporation | Solid state imaging device and electronic apparatus |
| JP2015128187A (ja) * | 2015-03-24 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
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