JPS63197025A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63197025A JPS63197025A JP62028849A JP2884987A JPS63197025A JP S63197025 A JPS63197025 A JP S63197025A JP 62028849 A JP62028849 A JP 62028849A JP 2884987 A JP2884987 A JP 2884987A JP S63197025 A JPS63197025 A JP S63197025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- coating layer
- back coating
- layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体に関するものである。
記録層とする磁気記録媒体に関するものである。
従来の技術
近年磁気記録の高密度化の進歩は目覚しく、短波長信号
化と狭トラツク化の両面から磁気記録媒体に求められる
対応も技術的にみて、従来の磁性粉末を結合剤で基板上
に固定したいわゆる塗布型の磁気記録層から結合剤を持
たない強磁性金属薄膜を磁気記録層とするいわゆる薄膜
型の蒸着テープ(特公昭56−23208号公報参照)
へとの切換えが必要となってきている。短波長信号のや
りとりをするに必要な磁気記録層の表面性はより平滑化
する傾向にあり、走行性、耐久性をいかにして確保する
かは実用化にとって重要な課題で数多くの提案がなされ
ている。第2図は薄膜型の蒸着テープの拡大断面図の一
例である。第2図に於て、1は中心線平均粗さくRa)
が0.001〜o、01μmと平滑なポリエチレンテレ
フタレートフィルム等の高分子フィルムで、必要に応じ
て高分子をミミズ状に配したり、微粒子を高分子で固定
した下塗り層を高分子フィルムの片面又は両面に配した
ものが用いられる。2は酸素雰囲気中でGo −Niを
斜め蒸着して得た部分酸化されたGo−Ni膜(特開昭
53−42010号公報参照)や、スパッタ法で形成し
たGo−Cr−Nb(特開昭61−77128号公報参
照)、Go−Or垂直磁化膜(%公昭61−53770
号公報参照)等の強磁性金属薄膜で、3は保護潤滑層で
、アモルファス・カーボン膜とフルオロカーボン系の潤
滑層の積層(特開昭61−142525号公報5照)、
プラズマ重合膜と有機物蒸着膜の積層(特開昭61−1
51837号公報膠照1等が用いられている。4は走行
性を改善するだめのバックコート層で、結合剤の中にG
aCO3,カーボア 、 J203等の微粒子、必要に
応じて脂肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を含捷せて成
るものでカーボンは適量含壕せることか一般的である(
特公昭53−37001号公報、特公昭5B−1397
5号公報、特開昭60−59528号公報、特開昭6Q
−63712号公報等)。
化と狭トラツク化の両面から磁気記録媒体に求められる
対応も技術的にみて、従来の磁性粉末を結合剤で基板上
に固定したいわゆる塗布型の磁気記録層から結合剤を持
たない強磁性金属薄膜を磁気記録層とするいわゆる薄膜
型の蒸着テープ(特公昭56−23208号公報参照)
へとの切換えが必要となってきている。短波長信号のや
りとりをするに必要な磁気記録層の表面性はより平滑化
する傾向にあり、走行性、耐久性をいかにして確保する
かは実用化にとって重要な課題で数多くの提案がなされ
ている。第2図は薄膜型の蒸着テープの拡大断面図の一
例である。第2図に於て、1は中心線平均粗さくRa)
が0.001〜o、01μmと平滑なポリエチレンテレ
フタレートフィルム等の高分子フィルムで、必要に応じ
て高分子をミミズ状に配したり、微粒子を高分子で固定
した下塗り層を高分子フィルムの片面又は両面に配した
ものが用いられる。2は酸素雰囲気中でGo −Niを
斜め蒸着して得た部分酸化されたGo−Ni膜(特開昭
53−42010号公報参照)や、スパッタ法で形成し
たGo−Cr−Nb(特開昭61−77128号公報参
照)、Go−Or垂直磁化膜(%公昭61−53770
号公報参照)等の強磁性金属薄膜で、3は保護潤滑層で
、アモルファス・カーボン膜とフルオロカーボン系の潤
滑層の積層(特開昭61−142525号公報5照)、
プラズマ重合膜と有機物蒸着膜の積層(特開昭61−1
51837号公報膠照1等が用いられている。4は走行
性を改善するだめのバックコート層で、結合剤の中にG
aCO3,カーボア 、 J203等の微粒子、必要に
応じて脂肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を含捷せて成
るものでカーボンは適量含壕せることか一般的である(
特公昭53−37001号公報、特公昭5B−1397
5号公報、特開昭60−59528号公報、特開昭6Q
−63712号公報等)。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、記録波長が8ミリビデオの領域以下にな
ると、蒸着テープの優れたG/Nを各種の条件下で保つ
には、バックコート層の粗さにも制約が生じ、走行性の
確保との両立が上記した構成では困難で、改善が望まれ
ていた。
ると、蒸着テープの優れたG/Nを各種の条件下で保つ
には、バックコート層の粗さにも制約が生じ、走行性の
確保との両立が上記した構成では困難で、改善が望まれ
ていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、C/Nを
広範な条件下で保つことの出来る磁気記録媒体を提供す
るものである。
広範な条件下で保つことの出来る磁気記録媒体を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体は上記した問題点を解決するため
に、高分子フィルノ、上に強磁性金属薄膜を配し、もう
−力にカーボンを含1ずにイオン注入層を有するバック
コート層を配するようにしたものである。
に、高分子フィルノ、上に強磁性金属薄膜を配し、もう
−力にカーボンを含1ずにイオン注入層を有するバック
コート層を配するようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、バックコ
ート層の平滑性が良好であっても走行性が保てるために
C/Nが良好に保てるのと、・・ツクコート層が映〈で
きるので、欠落が少くなくなるので、短波長になる程大
きな損失となるスペーシング損失につ々がるヘッド汚れ
も少なくできるので、広い条件下で良好なC/Nが維持
できることになるのである。
ート層の平滑性が良好であっても走行性が保てるために
C/Nが良好に保てるのと、・・ツクコート層が映〈で
きるので、欠落が少くなくなるので、短波長になる程大
きな損失となるスペーシング損失につ々がるヘッド汚れ
も少なくできるので、広い条件下で良好なC/Nが維持
できることになるのである。
実施例
以下、図面をご照しなから本発明の磁気記録媒体の一実
施例について詳しく説明する。
施例について詳しく説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断
面図で、第1図で5はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルフフイド
、ポリエーテルサルフオン。
面図で、第1図で5はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルフフイド
、ポリエーテルサルフオン。
ポリアミドイミド、ポリイミド等の高分子フィルムで、
6は下塗り層で、5i02 、 Ti0z等の無機微粒
子、ポリエステル球、ポリエチレン球等の有機微粒子を
高分子物質で固定したもので、必要に応じ、フィルム5
の下塗り層6と反対側に同種のものを配してもよい。
6は下塗り層で、5i02 、 Ti0z等の無機微粒
子、ポリエステル球、ポリエチレン球等の有機微粒子を
高分子物質で固定したもので、必要に応じ、フィルム5
の下塗り層6と反対側に同種のものを配してもよい。
7は電子ビーム蒸着法、高周波スパッタリング法等によ
り形成されるGo 、 Go−Au 、 Go−B 。
り形成されるGo 、 Go−Au 、 Go−B 。
co −Or 、 Co−Ge 、 Co−Mo 、
Go−Nb 、 Go −Pr 、 Go−Pt 、
Co−Ru 、 Co−3m 、 Co −Ta 。
Go−Nb 、 Go −Pr 、 Go−Pt 、
Co−Ru 、 Co−3m 、 Co −Ta 。
co −Tl 、 co−v 、 co−w 、 co
−Fe 、 Fe−*g。
−Fe 、 Fe−*g。
Go −Ni 、 Go−Ni −0、Co−Ni−0
s 、 Go −0r−Nb等の強磁性金属薄膜で、8
は脂肪酸、脂肪酸アミド、リン酸エステル、パーフルオ
ロアルキルカルボン酸、バーフルオロアルキルスルフォ
ン酸、パーフルオロ脂肪族エステル、 MoS2膜。
s 、 Go −0r−Nb等の強磁性金属薄膜で、8
は脂肪酸、脂肪酸アミド、リン酸エステル、パーフルオ
ロアルキルカルボン酸、バーフルオロアルキルスルフォ
ン酸、パーフルオロ脂肪族エステル、 MoS2膜。
5i02膜、プラズマ重合膜、硬質カーボン膜等の保護
潤滑層である。
潤滑層である。
9はバックコート層で、グラビアコート法、リバースロ
ールコート法、ドクターブレード法等の方法で形成した
のち、イオン注入を行って得られるものである。バック
コート層のバインダとして使用されるものは特に限定さ
れるものではなく、塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、
ブタジェン・アクリロニトリル共重合体、ポリエステル
樹脂。
ールコート法、ドクターブレード法等の方法で形成した
のち、イオン注入を行って得られるものである。バック
コート層のバインダとして使用されるものは特に限定さ
れるものではなく、塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、
ブタジェン・アクリロニトリル共重合体、ポリエステル
樹脂。
フェノール樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリウレタン
樹脂や、電子ビーム硬化樹脂等で、添加するフィラーと
してはカーボンを含1ないようにする以外は特に制約は
なく、5b205 、 A4203 、 ZrO2。
樹脂や、電子ビーム硬化樹脂等で、添加するフィラーと
してはカーボンを含1ないようにする以外は特に制約は
なく、5b205 、 A4203 、 ZrO2。
TiO2、Cr2O3、MnO2、GaF2 、5i0
2 、 cacos 。
2 、 cacos 。
Ga3(PO4)2 、 CaHPO4、ZnO等から
適宜選ぶものとする。
適宜選ぶものとする。
バークコート層としては中心線平均粗さを0.01μm
から0.11IIn の間にするのがG/Nの面で好ま
しく、この粗さで走行性が不十分なところは、イオン注
入層1oを形成することで補うことができ、イオン注入
に用いられる元素は特に制約はなく、Or 、 Zr
、 Ni 、 Ta 、 Ajg等から選択すれはよく
、エネルギーは30 KeVから300 xev、電流
密度は0.1〜300μA/c4の範囲で最適化すれば
よい。
から0.11IIn の間にするのがG/Nの面で好ま
しく、この粗さで走行性が不十分なところは、イオン注
入層1oを形成することで補うことができ、イオン注入
に用いられる元素は特に制約はなく、Or 、 Zr
、 Ni 、 Ta 、 Ajg等から選択すれはよく
、エネルギーは30 KeVから300 xev、電流
密度は0.1〜300μA/c4の範囲で最適化すれば
よい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で詳しく説明する。
対比で詳しく説明する。
厚み10μm、中心線平均粗さ0.004μmのポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に、直径100人の5
i02微粒子を平均密度15ケ/(μm)2でポリエス
テル樹脂で固定し、もう一方に、フェノキシ樹脂(商品
名f:PKHJ :ユニオンカーバイド社製)70重量
部、熱可塑性ポリウレタン樹脂(商品名「N−5033
」日本ポリウレタン工業製)30重量部、ポリインシア
ネート(商品名「コロネートL」日本ポリウレタン工業
製)20重量部及びTiO2105重量部から成る混合
物を固形分が20%になるようにメチルエチルケトンで
溶解し、この塗料を乾燥厚みがO−5μmとなるように
塗布、乾燥した。得られた表面粗さは中心線平均粗さで
0.03μmである。この状態のフィルムを用いて、直
径1mの円筒キャンに沿わせて、4 X 10−5(T
orr)ノ酸素中で、最小入射角が4゜度となる条件で
Go−Ni(Ni:2owt%)を電子ビーム蒸着し、
0.15 μmのGo−Ni−0膜を形成し、引き続き
、上記したバックコート層に、50KeVのOrイオン
を54μA/−で注入し、もう一方の面にパーフルオロ
イン吉草酸を約55人真空蓋着し、8ミリ幅の磁気テー
プを製造した。一方比較例として、実施例のバックコー
ト部を、TiO2のかわシにカーボンブラックを150
重量部入れ、かつイオン注入を行わないバックコート層
を形成した以外は実施例と同じ構成の8ミリ幅の磁気テ
ープを製造した。両者のテープのC/Nを市販の8ミリ
ビデオデツキ〔EV−A80.ンニー■製〕を部分改造
してLPモードで比較した。25°C60%RHでの初
期のG/Nをo(dB)として相対比較した〔この条件
では実施例、比較例共に○(dB)で差はない〕。40
°C85%RHの環境でくり返し記録再生し、200回
目の記録再生では、実施例はC/Nが−0,6〜−1,
2(dB)であったが、比較例は−0,9(dB )
〜−3,7(dB )であった。5°C85%RHの環
境での200回目の記録再生では、実91、 流側が−o、s 〜−o、9(dB)、比較例が−1,
5(dB)〜−4,5(dB)であった。60’CB5
%RHに1ケ月保存後のC/Nが実施例では−0,5〜
−0,9(dB)であったが比較例では−0,9〜−2
,8(dB)であった。
チレンテレフタレートフィルム上に、直径100人の5
i02微粒子を平均密度15ケ/(μm)2でポリエス
テル樹脂で固定し、もう一方に、フェノキシ樹脂(商品
名f:PKHJ :ユニオンカーバイド社製)70重量
部、熱可塑性ポリウレタン樹脂(商品名「N−5033
」日本ポリウレタン工業製)30重量部、ポリインシア
ネート(商品名「コロネートL」日本ポリウレタン工業
製)20重量部及びTiO2105重量部から成る混合
物を固形分が20%になるようにメチルエチルケトンで
溶解し、この塗料を乾燥厚みがO−5μmとなるように
塗布、乾燥した。得られた表面粗さは中心線平均粗さで
0.03μmである。この状態のフィルムを用いて、直
径1mの円筒キャンに沿わせて、4 X 10−5(T
orr)ノ酸素中で、最小入射角が4゜度となる条件で
Go−Ni(Ni:2owt%)を電子ビーム蒸着し、
0.15 μmのGo−Ni−0膜を形成し、引き続き
、上記したバックコート層に、50KeVのOrイオン
を54μA/−で注入し、もう一方の面にパーフルオロ
イン吉草酸を約55人真空蓋着し、8ミリ幅の磁気テー
プを製造した。一方比較例として、実施例のバックコー
ト部を、TiO2のかわシにカーボンブラックを150
重量部入れ、かつイオン注入を行わないバックコート層
を形成した以外は実施例と同じ構成の8ミリ幅の磁気テ
ープを製造した。両者のテープのC/Nを市販の8ミリ
ビデオデツキ〔EV−A80.ンニー■製〕を部分改造
してLPモードで比較した。25°C60%RHでの初
期のG/Nをo(dB)として相対比較した〔この条件
では実施例、比較例共に○(dB)で差はない〕。40
°C85%RHの環境でくり返し記録再生し、200回
目の記録再生では、実施例はC/Nが−0,6〜−1,
2(dB)であったが、比較例は−0,9(dB )
〜−3,7(dB )であった。5°C85%RHの環
境での200回目の記録再生では、実91、 流側が−o、s 〜−o、9(dB)、比較例が−1,
5(dB)〜−4,5(dB)であった。60’CB5
%RHに1ケ月保存後のC/Nが実施例では−0,5〜
−0,9(dB)であったが比較例では−0,9〜−2
,8(dB)であった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、各種の条件下でC/Hの
変化の殆んどみられない優れた磁気記録媒体が得られる
といったすぐれた効果がある。
変化の殆んどみられない優れた磁気記録媒体が得られる
といったすぐれた効果がある。
第1図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断
面図、第2図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である
。 5・・・・・・高分子フィルム、7・・印・強磁性金属
薄膜、9・・・・・・バックコート層、1o・川・・イ
オン注入層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名5−
−一部分87.(ルム 7−強強磁/金金属薄 膜2図 、3
面図、第2図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である
。 5・・・・・・高分子フィルム、7・・印・強磁性金属
薄膜、9・・・・・・バックコート層、1o・川・・イ
オン注入層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名5−
−一部分87.(ルム 7−強強磁/金金属薄 膜2図 、3
Claims (1)
- 高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配し、もう一方に
バックコート層を配した磁気記録媒体であって、バック
コート層がカーボンを含まず、イオン注入層を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028849A JPS63197025A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028849A JPS63197025A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63197025A true JPS63197025A (ja) | 1988-08-15 |
Family
ID=12259820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62028849A Pending JPS63197025A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63197025A (ja) |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP62028849A patent/JPS63197025A/ja active Pending
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