JPS6319747A - ウエハ−の帯電防止方法 - Google Patents
ウエハ−の帯電防止方法Info
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- JPS6319747A JPS6319747A JP61163727A JP16372786A JPS6319747A JP S6319747 A JPS6319747 A JP S6319747A JP 61163727 A JP61163727 A JP 61163727A JP 16372786 A JP16372786 A JP 16372786A JP S6319747 A JPS6319747 A JP S6319747A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体製造ラインのイオン打ち込み装置に
おけるウェハーの帯電防止方法に関するものである。
おけるウェハーの帯電防止方法に関するものである。
（従来技術）
従来から、イオン打ち込み装置において９表面にレジス
ト膜や酸化膜等の極薄の絶縁膜を塗布または生成したウ
ェハーに正イオンを打ち込む際、ウェハー上に打ち込ま
れた正イオンがウェハー表面の絶縁膜上に多数堆積する
ため電位差が生じ絶縁破壊まで至る場合がある。この絶
縁破壊はＬＳＩ回路パターンに損傷を与え、ＬＳＩ製造
の歩留り低下を招く。
ト膜や酸化膜等の極薄の絶縁膜を塗布または生成したウ
ェハーに正イオンを打ち込む際、ウェハー上に打ち込ま
れた正イオンがウェハー表面の絶縁膜上に多数堆積する
ため電位差が生じ絶縁破壊まで至る場合がある。この絶
縁破壊はＬＳＩ回路パターンに損傷を与え、ＬＳＩ製造
の歩留り低下を招く。
二の対策として多結晶シリコンなどの導電性パターンを
ウェハー中心からウェハー周辺まで延在させ、ウェハー
ホールド機構を介しウェハー周辺部を接地させろ方法が
知られている（特開昭５９−１０１７５２号公報参照）
。しかしながら、このような場合でも通常単にシリコン
基板のウェハー中心部をパターンで接地するだけでは、
ウェハー表面における帯電量は減少することがないこと
が判明した。ウェハーの酸化膜上に多結晶シリコン薄膜
を置きイオン注入した場合の注入分布を第１図（ａ）に
示すが、注入均一性の高いウェハー（第１図（（ｂ））
参照）に比較して明らかに注入の均一性が阻害されてい
る。これは、高帯電に起因するビーム照射径の変動が生
じるためである。
ウェハー中心からウェハー周辺まで延在させ、ウェハー
ホールド機構を介しウェハー周辺部を接地させろ方法が
知られている（特開昭５９−１０１７５２号公報参照）
。しかしながら、このような場合でも通常単にシリコン
基板のウェハー中心部をパターンで接地するだけでは、
ウェハー表面における帯電量は減少することがないこと
が判明した。ウェハーの酸化膜上に多結晶シリコン薄膜
を置きイオン注入した場合の注入分布を第１図（ａ）に
示すが、注入均一性の高いウェハー（第１図（（ｂ））
参照）に比較して明らかに注入の均一性が阻害されてい
る。これは、高帯電に起因するビーム照射径の変動が生
じるためである。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のようなウェハー表面における絶縁破壊を防止し、
ウェハーの歩留りを改良する。
ウェハーの歩留りを改良する。
（問題点を解決するための手段）
この発明のウェハー帯電防止方法は、イオンをウェハー
表面に打ち込むに際して、ウェハーの全表面上を、注入
されるイオンビームの大きさに比べ十分稠密で、従って
、ウェハーの高速スキャン中。
表面に打ち込むに際して、ウェハーの全表面上を、注入
されるイオンビームの大きさに比べ十分稠密で、従って
、ウェハーの高速スキャン中。
常にイオンビームで照射されるような導電パターンで覆
い、この導電パターンを接地することを特徴とするもの
である。
い、この導電パターンを接地することを特徴とするもの
である。
（実施例）
第２図（ａ）に本発明の１実施例を示す。１はウェハー
廣き台で、第６図に示すごとくディスク３０面の円周上
に多数設けられている。ディスク３０は高速度で回転す
るとともに低速度で上下方向に移動し、ウェハー置き゛
台ｌ上のウェハーにイオンビーム１０をスキャニングす
るようになっている。ウェハー置き台１は９台本体２と
、この台本体２の一例にて軸４により開閉自在に取り付
けられたクランプレバ−３と９台本体２上に固定された
突起５とから構成されている。クランクレバー３には２
個所押え部１１が突設されている。ウェハー置き台１に
クランプ保持されているのがウェハー８である。ウェハ
ー８にはイオンを打ち込むべき製品となるチップ部６が
形成されており、そのチップ部６を避けるように微細な
アルミニウムパターン７がウェハー８表面を端から端ま
でウェハーの高速スキャン方向に覆っている。イオン発
生装置（図示せず）より引き出された正イオンビーム１
０はウェハー８上に照射され、チップ部６にイオンを打
ち込むが、その際、アルミニウムのパターン７もイオン
ビームｌＯに比べ十分小さく。
廣き台で、第６図に示すごとくディスク３０面の円周上
に多数設けられている。ディスク３０は高速度で回転す
るとともに低速度で上下方向に移動し、ウェハー置き゛
台ｌ上のウェハーにイオンビーム１０をスキャニングす
るようになっている。ウェハー置き台１は９台本体２と
、この台本体２の一例にて軸４により開閉自在に取り付
けられたクランプレバ−３と９台本体２上に固定された
突起５とから構成されている。クランクレバー３には２
個所押え部１１が突設されている。ウェハー置き台１に
クランプ保持されているのがウェハー８である。ウェハ
ー８にはイオンを打ち込むべき製品となるチップ部６が
形成されており、そのチップ部６を避けるように微細な
アルミニウムパターン７がウェハー８表面を端から端ま
でウェハーの高速スキャン方向に覆っている。イオン発
生装置（図示せず）より引き出された正イオンビーム１
０はウェハー８上に照射され、チップ部６にイオンを打
ち込むが、その際、アルミニウムのパターン７もイオン
ビームｌＯに比べ十分小さく。
高速スキャン方向に連続しているため、常に照射され、
多量の２次電子が放出され、照射部９の正電荷の大部分
を中和する。さらには残りの正電荷はアルミニウムのパ
ターン７、クランプレバ−３の押え部１１を通って接地
通電される。クランプレバ−３は通常アルミニウム製で
あり、押え部１１とアルミニウムパターン７どの間で接
触抵抗の小なる金属−金属接触がもたらされ、接地効率
が極めて高い。
多量の２次電子が放出され、照射部９の正電荷の大部分
を中和する。さらには残りの正電荷はアルミニウムのパ
ターン７、クランプレバ−３の押え部１１を通って接地
通電される。クランプレバ−３は通常アルミニウム製で
あり、押え部１１とアルミニウムパターン７どの間で接
触抵抗の小なる金属−金属接触がもたらされ、接地効率
が極めて高い。
又、第２図（ｂ）に本発明の他の実施例を示す。
これは、第２図（ａ）の実施例と、アルミニウムパター
ン７の接地方法が異なる。アルミニウムパターン７は、
各々、ウェハー基板８に蒸着やスパッタリングで電気的
に低抵抗で接続されている。
ン７の接地方法が異なる。アルミニウムパターン７は、
各々、ウェハー基板８に蒸着やスパッタリングで電気的
に低抵抗で接続されている。
一方、ウェハー置き台に取り付けた金属製のピン１５を
このウェハー基板８の裏面に接触させ、ウェハー基板８
を介してアルミニウムパターン７を接地する。単結晶シ
リコンのウェハー基板は、十分低抵抗であり、ウェハー
基板８を介しても、アルミニウムパターン７は、十分接
地される。
このウェハー基板８の裏面に接触させ、ウェハー基板８
を介してアルミニウムパターン７を接地する。単結晶シ
リコンのウェハー基板は、十分低抵抗であり、ウェハー
基板８を介しても、アルミニウムパターン７は、十分接
地される。
アルミニウムパターンを接地した場合の帯電におよぼす
効果を確認するため第３図および第４図に示すテスト装
置を使って実験を行った。すなわち。
効果を確認するため第３図および第４図に示すテスト装
置を使って実験を行った。すなわち。
アルミニウム製円盤１２上をシリコンゴム製の絶縁物１
３で覆い、その上に所定巾のアルミニウム線輪１４を１
２本、同心状に載せ、線輪間に間隙をもたせ互いに絶縁
する。円盤１２の中心より外側に順番に（１）−（１２
）の番地をつける。番地（１） −（１２）の各線輪と
もに所定の大きさの抵抗を介して円盤１２と電気的に接
続する。ここでアルゴンの正イオンビーム（１０ミリア
ンペア、８０キロボルト）を線輪群の中央部分に照射す
る。この照射による円盤１２部分の帯電電圧は第５図（
Ａ）のごとくなる。ここで２番地６の線輪のみを接地さ
せた場合、第５図（Ｂ）のごとく他の線輪の帯電電圧の
降下にも著しい効果があることが判明した。
３で覆い、その上に所定巾のアルミニウム線輪１４を１
２本、同心状に載せ、線輪間に間隙をもたせ互いに絶縁
する。円盤１２の中心より外側に順番に（１）−（１２
）の番地をつける。番地（１） −（１２）の各線輪と
もに所定の大きさの抵抗を介して円盤１２と電気的に接
続する。ここでアルゴンの正イオンビーム（１０ミリア
ンペア、８０キロボルト）を線輪群の中央部分に照射す
る。この照射による円盤１２部分の帯電電圧は第５図（
Ａ）のごとくなる。ここで２番地６の線輪のみを接地さ
せた場合、第５図（Ｂ）のごとく他の線輪の帯電電圧の
降下にも著しい効果があることが判明した。
尚、上記実施例では導電パターンとしてクランプレバ−
との接触抵抗の小さいアルミニウムのパターンを使用し
ているが他の例えば金属シリサイドを使用することも可
能である。
との接触抵抗の小さいアルミニウムのパターンを使用し
ているが他の例えば金属シリサイドを使用することも可
能である。
（効果）
本発明によりイオン注入時におけるウェハーの帯電を減
少せしめその破損を防止することにより歩留りを向上さ
せることができる。
少せしめその破損を防止することにより歩留りを向上さ
せることができる。
第１図（ａ）は従来方法を使用した場合のウェハー面に
おける帯電による注入状態を示す分布図。 第１図（ｂ）は良好な注入状態を示す分布図、第２図（
ａ）（ｂ）は本発明の実施形態を示す概略図、第３図は
本発明の効果確認のために使用するテスト装置の四分の
−を示す平面概略図、第４図は第３図のＴＶ−ＴＶ線に
沿う断面を示す概略図。 第５図はテスト装置における帯電分布を示すグラフ、第
６図は本発明を適用するディスク部分の概略図である。 １・・・ウェハー置き台 ２・・・台本体 ３・・・クランプレバ− ４・・・軸 ５・・・突起 ６・・・チップ部 ７・・・アルミニウムパターン ８嘲１ウエハー ９・・・ビーム照射部 １０・・イオンビーム １１・・押え部 １２・・円盤 １３・・絶静物 １４・・アルミニウム線輪 １５◆◆ビン ３０・・ディスク 第１図（ａ） 第１図（ｂ）
おける帯電による注入状態を示す分布図。 第１図（ｂ）は良好な注入状態を示す分布図、第２図（
ａ）（ｂ）は本発明の実施形態を示す概略図、第３図は
本発明の効果確認のために使用するテスト装置の四分の
−を示す平面概略図、第４図は第３図のＴＶ−ＴＶ線に
沿う断面を示す概略図。 第５図はテスト装置における帯電分布を示すグラフ、第
６図は本発明を適用するディスク部分の概略図である。 １・・・ウェハー置き台 ２・・・台本体 ３・・・クランプレバ− ４・・・軸 ５・・・突起 ６・・・チップ部 ７・・・アルミニウムパターン ８嘲１ウエハー ９・・・ビーム照射部 １０・・イオンビーム １１・・押え部 １２・・円盤 １３・・絶静物 １４・・アルミニウム線輪 １５◆◆ビン ３０・・ディスク 第１図（ａ） 第１図（ｂ）
Claims (3)
- （１）ディスクと、ディスク面の円周上に設けられたウ
ェハー置き台と、該ウェハー置き台に置かれたウェハー
にイオンビームを照射するためのイオン源とからなるイ
オン打ち込み装置において、ディスク回転方向の高速ス
キャニングと上下方向の低速スキャニングとを組合せて
イオンをウェハー表面に打ち込むに際して、ウェハーの
全表面上を、注入されるイオンビームの大きさに比べ十
分稠密で、従って、高速スキャン中、常にイオンビーム
で照射されるような導電パターンで覆い、該導電パター
ンを接地することを特徴とするウェハーの帯電防止方法 - （２）前記接地はウェハー置き台におけるウェハークラ
ンプのレバーを介して実現することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のウェハーの帯電防止方法 - （３）前記接地は、該導電パターンをウェハー基板に電
気的に接続し、ウェハー置き台における金属製のピンを
ウェハー基板の裏面に接触して実現することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のウェハーの帯電防止方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163727A JPS6319747A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ウエハ−の帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163727A JPS6319747A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ウエハ−の帯電防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319747A true JPS6319747A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15779516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163727A Pending JPS6319747A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ウエハ−の帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6319747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395320B1 (en) * | 1997-01-30 | 2002-05-28 | Masterfoods, C.V. | Two-component packaged food products |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61163727A patent/JPS6319747A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395320B1 (en) * | 1997-01-30 | 2002-05-28 | Masterfoods, C.V. | Two-component packaged food products |
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