JPS63202941A - 半導体装置の配線路 - Google Patents
半導体装置の配線路Info
- Publication number
- JPS63202941A JPS63202941A JP3645387A JP3645387A JPS63202941A JP S63202941 A JPS63202941 A JP S63202941A JP 3645387 A JP3645387 A JP 3645387A JP 3645387 A JP3645387 A JP 3645387A JP S63202941 A JPS63202941 A JP S63202941A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type semiconductor
- electromagnetic waves
- wiring path
- signal transmission
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の配線路の構造に関する。
従来、半導体装置の配線路は、アルミ金属などの電導膜
または不純物をドーピングし活性化した多結晶シリコン
膜或いはそれらの合金から成る単一膜によって構成され
る。
または不純物をドーピングし活性化した多結晶シリコン
膜或いはそれらの合金から成る単一膜によって構成され
る。
しかし、この単一膜からなる従来の配線路は、外部から
到達する電磁波または隣接する他の内部配線路に流れる
スイッチング電流の影響を受は誘導電圧を発生して回路
装置を誤動作せしめる要因を作る。特に回路動作が高速
になると配線路自身のスイッチング動作による電磁誘導
効果も無視できなくなり、配線路に対して分布定数系の
考慮をしなければなれなくなる。
到達する電磁波または隣接する他の内部配線路に流れる
スイッチング電流の影響を受は誘導電圧を発生して回路
装置を誤動作せしめる要因を作る。特に回路動作が高速
になると配線路自身のスイッチング動作による電磁誘導
効果も無視できなくなり、配線路に対して分布定数系の
考慮をしなければなれなくなる。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、それ自身が電磁波
の発生源となることは勿論他からの電極誘導効果の影響
を受けることなき半導体装置の配線路を提供することで
ある。
の発生源となることは勿論他からの電極誘導効果の影響
を受けることなき半導体装置の配線路を提供することで
ある。
本発明によれば、半導体装置の配線路は、信号伝路層と
、前記信号伝送路を絶縁体層を介し静電遮蔽する接地導
体層とを含む積層体から構成される。
、前記信号伝送路を絶縁体層を介し静電遮蔽する接地導
体層とを含む積層体から構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す一部断面を含む斜視図
である。本実施例によればＰ型半導体基板１と、この基
板上にドーピングされたｎ型半導体層２と、ｎ型半導体
層２上に載置された絶縁体層３．信号伝路層４．絶絶縁
層５および接地導体層６の積層体からなる配線路１０を
含む。さらにここで、Ｉ！、およびｅ２はｎ型半導体層
２と接地電導体層６とをそれぞれ接地する導体を示す。
である。本実施例によればＰ型半導体基板１と、この基
板上にドーピングされたｎ型半導体層２と、ｎ型半導体
層２上に載置された絶縁体層３．信号伝路層４．絶絶縁
層５および接地導体層６の積層体からなる配線路１０を
含む。さらにここで、Ｉ！、およびｅ２はｎ型半導体層
２と接地電導体層６とをそれぞれ接地する導体を示す。
かかる構造の配線路−１０によれば、外部の発生源から
到来する電磁波は接地されたｎ型半導体層２と接地導体
層６の表皮効果により減衰されるので信号伝路層４に誘
導される誘導電圧は微弱である。
到来する電磁波は接地されたｎ型半導体層２と接地導体
層６の表皮効果により減衰されるので信号伝路層４に誘
導される誘導電圧は微弱である。
また、信号伝路層４の電圧が高速にスイッチングしたと
きに発生ずる電磁波も同様にｎ型半導体層２と接地導体
層６との表面効果によって減衰され、他への影響を微弱
にし、更に信号伝路層４自身に対する分布定数系の効果
も減少させることか可能となる。
きに発生ずる電磁波も同様にｎ型半導体層２と接地導体
層６との表面効果によって減衰され、他への影響を微弱
にし、更に信号伝路層４自身に対する分布定数系の効果
も減少させることか可能となる。
第２図は本発明の他の実施例を示す一部断面を含む斜視
図である。本実施例によれば、Ｐ型半導体基板１と、フ
ィールド絶縁膜７と、フィールド絶縁膜７上に載置され
た信号伝路層４．絶絶縁層５および接地導体層６の積層
体から成る配線路−λ曳を含む。ここで、ａ２は接地導
体層２を接地する導体である。本実施例によれば、配線
路２０は配線路上面からの到来電磁波を接地導体層６に
よって減衰させ、また、下面からの電磁波は接地された
半導体基板１の裏面によって減衰される。
図である。本実施例によれば、Ｐ型半導体基板１と、フ
ィールド絶縁膜７と、フィールド絶縁膜７上に載置され
た信号伝路層４．絶絶縁層５および接地導体層６の積層
体から成る配線路−λ曳を含む。ここで、ａ２は接地導
体層２を接地する導体である。本実施例によれば、配線
路２０は配線路上面からの到来電磁波を接地導体層６に
よって減衰させ、また、下面からの電磁波は接地された
半導体基板１の裏面によって減衰される。
本実施例によれば配線構造を簡略化し得る利点がある。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体装
置の配線路は信号伝路層を静電遮蔽する接地導体を備え
るので、外部からの到来電磁波によって誘導電圧を誘起
して回路装置を誤動作せしめなり、或いは配線自身が電
磁波の発生源となる問題点が解決される。特に高集積化
、高速化が要求される今日の半導体装置では内部配線相
互の各信号間による電磁波の相互影響の度合がまずます
大きくなりつつあるので、これを防ぎ得る本発明の効果
はきわめて顕著である。
置の配線路は信号伝路層を静電遮蔽する接地導体を備え
るので、外部からの到来電磁波によって誘導電圧を誘起
して回路装置を誤動作せしめなり、或いは配線自身が電
磁波の発生源となる問題点が解決される。特に高集積化
、高速化が要求される今日の半導体装置では内部配線相
互の各信号間による電磁波の相互影響の度合がまずます
大きくなりつつあるので、これを防ぎ得る本発明の効果
はきわめて顕著である。
第１図は本発明の一実施例を示す一部断面を含む斜視図
、第２図は本発明の他の実施例を示す一部断面を含む斜
視図である。 １０．２０・・・配線路、１・・・Ｐ型半導体基板、２
・・・ｎ型半導体層、３．５・・・絶縁体層、４・・・
信号伝路層、６・・・接地導体層、７・・・フィールド
絶縁膜、ｌｌ、（２２・・・接地導体。 −５＝ 革Ｊ 図 第２図
、第２図は本発明の他の実施例を示す一部断面を含む斜
視図である。 １０．２０・・・配線路、１・・・Ｐ型半導体基板、２
・・・ｎ型半導体層、３．５・・・絶縁体層、４・・・
信号伝路層、６・・・接地導体層、７・・・フィールド
絶縁膜、ｌｌ、（２２・・・接地導体。 −５＝ 革Ｊ 図 第２図
Claims (1)
- 信号伝路層と、前記信号伝路層を絶縁体層を介し静電
遮蔽する接地導体層とを含む積層体から成ることを特徴
とする半導体装置の配線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3645387A JPS63202941A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置の配線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3645387A JPS63202941A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置の配線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202941A true JPS63202941A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12470238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3645387A Pending JPS63202941A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置の配線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63202941A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490549A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-07 | Seiko Epson Corp | Wiring method for metallic oxide film semiconductor type high breakdown-voltage driver |
| JPH0282531A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0430452A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP3645387A patent/JPS63202941A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490549A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-07 | Seiko Epson Corp | Wiring method for metallic oxide film semiconductor type high breakdown-voltage driver |
| JPH0282531A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0430452A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
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