JPS63204616A - 反応チヤンバ−の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 薄膜形成、またはエツチング装置の反応チャンバーの洗
浄を光励起によるハロゲンラジカルを用いて行う方法を
提起し、反応チャンバーを取り外して薬品洗浄をする必
要をなくし、簡易に十分清浄化することができるように
する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は薄膜形成、またはエツチング装置の反応チャン
バーの洗浄方法に関する。

従来、気相成長（ＣＶＤ）　、スパッタリング、あるい
は熱酸化等の薄膜形成、またはプラズマエツチングや反
応性イオンエツチング（ＲＩＥ）等のパターニング、あ
るいはエツチング処理を行う反応チャンバーは一定時間
の使用後に、使用を停止して反応チャンバー内壁を洗浄
することが不可欠であり、特に半導体装置の製造に用い
る場合の反応チャンバーは、極めて清浄な状態を保つよ
うな管理が必要である。

これは反応チャンバー内壁の汚染によって、微粒子の発
生や、フレークの落下や、あるいは反応生成物からの２
次汚染が直接製品の歩留に大きな影吉を与えるためであ
る。

〔従来の技術と、 発明が解決しようとする問題点〕

従来は、定期的に反応チャンバー内壁を溶剤で洗浄する
、薬品で洗浄する、あるいは活性ガスのプラズマを利用
してエツチングする等の方法が用いられてきた。

しかし、装置が大型化すると、反応チャンバーを装置よ
り取り外すのが困難になり、また、細部まで十分に清浄
化できない問題がある。

また、プラズマ利用の場合も、プラズマ発生の条件が狭
く、均一な洗浄が出来ない上、イオン衝撃による逆汚染
の問題もある。

特に、光エネルギを用いたＣｖＤ装置では、反応チャン
バーに設けられた光透過窓を通して外部殻光を照射する
ため、窓に付着する反応生成物が光を遮断してしまい、
連続的に処理ができない問題がある。

このため、窓に反応ガスを吸着しないようなオイルを塗
布したり、窓をプラズマでエツチングしたりする方法が
もちいられるが、十分な効果は得られていない。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点の解決は、光励起により発生するハロゲンラ
ジカルにより、反応チャンバー内壁に付着した堆積物を
エツチング除去する反応チャンバーの洗浄方法により達
成される。

前記ハロゲンラジカルに、例えば塩素ラジカルを用いる
。

また、前記ハロゲンラジカルに不活性ガスを混入して洗
浄効果を高くすることができる。

〔作用〕

本発明は、反応チャンバーを光励起のハロゲンラジカル
によりエツチングすることにより、短時間に十分清浄に
洗浄できることを本発明者が確かめた結果を利用したも
のである。

この方法により、イオン衝撃による２次汚染のない、簡
易な洗浄工程が得られる。

〔実施例〕

本発明の実施例を非晶質珪素（ａ　−Ｓ　ｉ　）を堆積
する光ＣＶＤ装置について説明する。

第１図は本発明の詳細な説明する光ＣＶＤ装置の断面図
である。

図において、反応チャンバー１内に加熱ヒータを内臓し
たサセプタ２があり、この上に被成長基板３が載せられ
る。

被成長基板３に対向して、反応チャンバー１に合成石英
製の光透過窓４が設けられ、これを透過して紫外光源５
より被成長基板３上に紫外光が照射される。

反応ガス導入口６より反応ガスとして、例えばジシラン
（ＳｉｚＨ６）を、ハロゲンガス導入ロアより洗浄ガス
としてハロゲンガス、例えば塩素（ＣｔＺ）を反応チャ
ンバー１内に導入できるようになっている。

成長工程においては、ａ−３ｔは被成長基板３上に堆積
するのと同時に、光透過窓４の内側にも付着する。

洗浄が必要になった時点で、反応ガスを止め、Ｃｈを反
応チャンバー１内に導入し、紫外光源５を点灯すること
により、反応チャンバー１内に塩素ラジカルＣＩ＊を発
生する。

Ｃ１２は波長が約３００　ｎｍ以下の紫外線を効率良く
吸収しＣＩ”を発生し、Ｃ１″′は光透過窓４に堆積し
たＳｉ、またはＳｉＨ，等と反応し、これらを除去する
ので洗浄が可能になる。

この洗浄工程においては、反応チャンバー１内にイオン
が発生しないので、チャンバー内壁をスパッタすること
はない。従って２次汚染の心配はない。

また、チャンバー内圧は数１０　Ｔｏｒｒの減圧が望ま
しいが、これに限るものではない。

さらに、アルゴン（Ａｒ）等の原子半径の大きな他のガ
スをハロゲンガスにン昆入させることにより、ＣＩ”の
散乱を増強し、細部まで効率よく洗浄することができる
。

第２図は他の実施例を説明する横型ＣＶＤ装面の断面図
である。

この装置は、例えば結晶Ｓｉを堆積する装置で、１０は
結晶Ｓｉ堆積用の加熱ヒータである。

このような装置においては、従来の洗浄は反応チャンバ
ー１の石英反応管を取り外して薬品洗浄を行っていた。

これに対して本発明では、石英反応管に反応ガスの代わ
りにＣＩ２を導入し、紫外光源５により照射される紫外
線照射部８で発生したＣＩ”を膜堆積部９に移送するこ
とにより、紫外線照射部８以外の領域にもＣＩ”がゆき
わたり、石英反応管全体の洗浄が行われる。

実施例では、ハロゲンランカルとしてＣＩ”を用いたが
、これの代わりに弗素ラジカル（ピ）を用いても同様な
効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように本発明によれば、反応チャン
バーを短時間に十分清浄に洗浄でき、イオン衝撃による
２次汚染のない、簡易な洗浄工程が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明する光ＣＶＤ装置の断面図
、 第２図は他の実施例を説明する横型ＣＶＤ装置の断面図
である。 図において、 １は反応チャンバー、 ２はサセプタ、 ３は被成長基板、 ４は光透過窓、 ５は紫外光源、 ６は反応ガス導入口、 ７はハロゲンガス導入口、 ８は紫外線照射部、 ９は膜堆積部、 １０は加熱ヒータ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光励起により発生するハロゲンラジカルにより、
   反応チャンバー内壁に付着した堆積物をエッチング除去
   することを特徴とする反応チャンバーの洗浄方法。
2. （２）前記ハロゲンラジカルが塩素ラジカルであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の反応チャンバ
   ーの洗浄方法。
3. （３）前記ハロゲンラジカルに不活性ガスを混入するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の反応チャン
   バーの洗浄方法。