JPS63207691A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
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- JPS63207691A JPS63207691A JP62040416A JP4041687A JPS63207691A JP S63207691 A JPS63207691 A JP S63207691A JP 62040416 A JP62040416 A JP 62040416A JP 4041687 A JP4041687 A JP 4041687A JP S63207691 A JPS63207691 A JP S63207691A
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- Japan
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- recording medium
- optical recording
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
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- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
または光カード技術に用いうる改善された光学的記録媒
体に関するものである。
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
または光カード技術に用いうる改善された光学的記録媒
体に関するものである。
［従来の技術］
一般に、光ディスクおよび光カードは、基体の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約ｌｘ）ピットをらせん状又は円形および直線
状のトラック形態にして高密度情報を記憶することがで
きる。
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約ｌｘ）ピットをらせん状又は円形および直線
状のトラック形態にして高密度情報を記憶することがで
きる。
この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層の
表面に集束したレーザな走査し、このレーザ光線が照射
された表面のみがビットを形成し、このピットをらせん
状又は円形および直線状トラックの形態で形成する。レ
ーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光学的に
検出可能なビットを形成できる０例えば、ヒートモート
記録方式では、レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、
その個所に蒸発又は融解により小さな四部（ビット）を
形成できる。また、別−のヒートモード記録方式では、
照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、その個所
に光学的に検出可能な濃度差を有するビットを形成でき
る。
表面に集束したレーザな走査し、このレーザ光線が照射
された表面のみがビットを形成し、このピットをらせん
状又は円形および直線状トラックの形態で形成する。レ
ーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光学的に
検出可能なビットを形成できる０例えば、ヒートモート
記録方式では、レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し、
その個所に蒸発又は融解により小さな四部（ビット）を
形成できる。また、別−のヒートモード記録方式では、
照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、その個所
に光学的に検出可能な濃度差を有するビットを形成でき
る。
この光ディスクおよび光カートに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ビットが形成された
部分とビットが形成されていない部分の光学的変化を読
み珈ることによって検出される０例えば、光ディスクの
場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、ディスク
により反射されたエネルギーがフォトディテクターによ
ってモニターされる。ビットが形成されている部分は、
レーザ光は反射が低くなりフォトディテクターの出力は
小さくなる。一方ビットが形成されていない部分は、充
分反射されフォトディテクターの出力は大きくなる。
ーザ光をトラックに沿って走査し、ビットが形成された
部分とビットが形成されていない部分の光学的変化を読
み珈ることによって検出される０例えば、光ディスクの
場合、レーザ光がトラックに沿って走査され、ディスク
により反射されたエネルギーがフォトディテクターによ
ってモニターされる。ビットが形成されている部分は、
レーザ光は反射が低くなりフォトディテクターの出力は
小さくなる。一方ビットが形成されていない部分は、充
分反射されフォトディテクターの出力は大きくなる。
この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム、金蒸着膜などの金
属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイ
ド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪い、分解
能が低い、記録密度が低い、コスト高になるなどの欠点
を有する。
媒体として、これまでアルミニウム、金蒸着膜などの金
属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイ
ド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが
提案されている。これらの薄膜は、保存性が悪い、分解
能が低い、記録密度が低い、コスト高になるなどの欠点
を有する。
また、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得る
有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されている。
有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されている。
この有機色素薄膜は、上記欠点を除去するものであるが
、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は、熱およ
び光に対して安定性が低いなどの問題点がある。
、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は、熱およ
び光に対して安定性が低いなどの問題点がある。
［発明が解決しようとする闇題点］
本発明の目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機被膜を有
する光学的記録媒体を提供することにある。
する光学的記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、熱および光に対して安定な保存安
定性にすぐれ、光劣化および再生劣化の少ない有機薄膜
を有する光学的記録媒体を提供することにある。
定性にすぐれ、光劣化および再生劣化の少ない有機薄膜
を有する光学的記録媒体を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］および［作用］即ち、
本発明は下記一般式［、Ｉ］で示される化合物を含有す
る有機薄膜を有することを特徴とする光学的記録媒体で
ある。
本発明は下記一般式［、Ｉ］で示される化合物を含有す
る有機薄膜を有することを特徴とする光学的記録媒体で
ある。
一般式［Ｉ］
（式中、Ａ、Ｂ、ＤＥよびＥは水素原子、置換または未
置換のアルキル基、アラルキル基、環状アルキル基、ア
リール基、スチリル基、アルケニル基、複素環基を示す
＊ Ｒｌｓ Ｒｌｓ Ｒ３は水素原子、へロゲン原子ま
たはアルキル基を示す、Ｙは５員環または６員環を完成
するに必要な原子群を有する２価の残基を示す ＸＱは
陰イオンを示す、）以下、本発明の詳細な説明する。
置換のアルキル基、アラルキル基、環状アルキル基、ア
リール基、スチリル基、アルケニル基、複素環基を示す
＊ Ｒｌｓ Ｒｌｓ Ｒ３は水素原子、へロゲン原子ま
たはアルキル基を示す、Ｙは５員環または６員環を完成
するに必要な原子群を有する２価の残基を示す ＸＱは
陰イオンを示す、）以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の光学的記録媒体は、前記一般式［Ｉ］で示され
るポリメチン化合物を含有する有機被膜を有することに
特徴を有している。
るポリメチン化合物を含有する有機被膜を有することに
特徴を有している。
前記一般式［Ｉ］において、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素
原トまたはアルキル２Ｓｉ（例えば、メチル基、エチル
ノ＾、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロビルノ＾、ｎ−ブ
チル基、５ｅｃ−ブチル基、 １ｓｏ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル
基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さ
らに他のアルキル基、例えば置換アルキルＪ！ｉ（例え
ば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル
基、４−ヒドロキシエチル基人、２−アセトキシエチル
基、カルバミルメチル基＾、２−カルボキシエチル基、
３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−
スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェ
ートプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メ
チルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチ
ルスルファミル）プロピル基、４−（アセチルスルファ
ミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、シク
ロヘキシル基など）、アルケニル基（ビニル基、アリル
基、プロベニルノ＾、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキ
セニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基
、プレニル基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボ
キシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジ
ル基など）を包含する。
原トまたはアルキル２Ｓｉ（例えば、メチル基、エチル
ノ＾、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロビルノ＾、ｎ−ブ
チル基、５ｅｃ−ブチル基、 １ｓｏ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル
基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）を示し、さ
らに他のアルキル基、例えば置換アルキルＪ！ｉ（例え
ば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル
基、４−ヒドロキシエチル基人、２−アセトキシエチル
基、カルバミルメチル基＾、２−カルボキシエチル基、
３−カルボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−
スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェ
ートプロピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メ
チルスルホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチ
ルスルファミル）プロピル基、４−（アセチルスルファ
ミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば、シク
ロヘキシル基など）、アルケニル基（ビニル基、アリル
基、プロベニルノ＾、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキ
セニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基
、プレニル基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボ
キシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジ
ル基など）を包含する。
さらに、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは置換もしくは未置換のア
リールノ！（例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル
基、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェ
ニル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基
、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル
基、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフ
ェニル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、置換も
しくは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリ
ル基、レピジル基、メチルピリジル基、フリル基、チェ
ニル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、
Ｎ−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置
換のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリ
ル基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチリル基
、エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジ
エチルアミノスチリル惠、ジプロピルアミノスチリル基
、ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチ
リル基、２．２−ジフェニルビニル基、２−フェニル−
２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）
−２−フェニルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニ
ル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベンジルアミノ
フェニル）−２−フェニルビニル基、２．２−ジ（ジエ
チルアミノフェニル）ビニル基、２．２−ジ（メトキシ
フェニル）ビニル基、２．２−ジ（エトキシフェニル）
ビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−メチ
ルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル）−２−エ
チルビニル基など）を示す。
リールノ！（例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル
基、キシリル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェ
ニル基、トリメトキシフェニル基、エトキシフェニル基
、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル
基、ジプロピルアミノフェニル基、ジベンジルアミノフ
ェニル基、ジフェニルアミノフェニル基など）、置換も
しくは未置換の複素環基（例えば、ピリジル基、キノリ
ル基、レピジル基、メチルピリジル基、フリル基、チェ
ニル基、インドリル基、ピロール基、カルバゾリル基、
Ｎ−エチルカルバゾリル基など）又は置換もしくは未置
換のスチリル基（例えば、スチリル基、メトキシスチリ
ル基、ジメトキシスチリル基、トリメトキシスチリル基
、エトキシスチリル基、ジメチルアミノスチリル基、ジ
エチルアミノスチリル惠、ジプロピルアミノスチリル基
、ジベンジルアミノスチリル基、ジフェニルアミノスチ
リル基、２．２−ジフェニルビニル基、２−フェニル−
２−メチルビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）
−２−フェニルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニ
ル）−２−フェニルビニル基、２−（ジベンジルアミノ
フェニル）−２−フェニルビニル基、２．２−ジ（ジエ
チルアミノフェニル）ビニル基、２．２−ジ（メトキシ
フェニル）ビニル基、２．２−ジ（エトキシフェニル）
ビニル基、２−（ジメチルアミノフェニル）−２−メチ
ルビニル基、２−（ジエチルアミノフェニル）−２−エ
チルビニル基など）を示す。
Ｒ，、Ｉｔ、、 Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子（塩素
原子、臭素原子）又はアルキル基（メチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基、アミル基など）を示す。
原子、臭素原子）又はアルキル基（メチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基、アミル基など）を示す。
Ｙは、置換又は未置換の５員もしくは６員環な形成する
２価の炭化水素基（−ＣＩ、−ＣＨ，−。
２価の炭化水素基（−ＣＩ、−ＣＨ，−。
Ｃ１１ｌ ＣＩＩ：１
表わし、これらの５員または６員のベンゼン環。
ナフタレン環などと縮合されていてもよい。
ｘｏは塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、
過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、ｐ−
トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エ
チル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオ
ンを示す。
過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、ｐ−
トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エ
チル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオ
ンを示す。
次に、前記一般式［Ｉ］で示されるポリメチン化合物の
代表例を挙げるが１本発明においては必ずしもこれらに
限定されない。
代表例を挙げるが１本発明においては必ずしもこれらに
限定されない。
化合ｖＩ４Ｎｏ、 Ａ
Ｂ Ｄ（１）り べ■
ぺ■ （２） Ｒ■ べ０（３）
＋Ｎ（ＣＨＩツ）２ は）→（Ｃ１ｌｓ）倉
合鴨コ）ま（４） ＋Ｎ（Ｃ１ｌｓ）＊ ＋ Ｎ
（Ｃ１１３）＊ ＋鴫、）ヨ（５） （
ｃリ−Ｎ（Ｃ１ｌｓ）＊ ＜リ−Ｎ（ＣＩら
＞−＜リ−Ｎ（ＣＨ山（６） は）→（Ｃｌ＋２）
＊ う は）→（Ｃｌｌｓ）ｔ（７）
＋Ｎ（Ｃ１１，）、 （Ｃ巨ＦＣＩＩｓ
＋ Ｎ（ＣｌｌＪ＊（８） ８ Ｎ（
ＣＨＩ）Ｉ ＋０ＣＪｓ ｅｌｌ（ＣＩ山／″
＼ Ｅ ３．Ｒ，Ｒ，ＣＣＸ゛゛〜Ｙ−”’ −ｏＯＣＩ！ ＨＨＨ ＨＣＲＣＨ，Ｃｌ３０ Ｒｒ −ぐ＝り−Ｎ（ＣＩら）ｔ ｃｐ ＨＨＯ
ｃＩ！ｏ。
Ｂ Ｄ（１）り べ■
ぺ■ （２） Ｒ■ べ０（３）
＋Ｎ（ＣＨＩツ）２ は）→（Ｃ１ｌｓ）倉
合鴨コ）ま（４） ＋Ｎ（Ｃ１ｌｓ）＊ ＋ Ｎ
（Ｃ１１３）＊ ＋鴫、）ヨ（５） （
ｃリ−Ｎ（Ｃ１ｌｓ）＊ ＜リ−Ｎ（ＣＩら
＞−＜リ−Ｎ（ＣＨ山（６） は）→（Ｃｌ＋２）
＊ う は）→（Ｃｌｌｓ）ｔ（７）
＋Ｎ（Ｃ１１，）、 （Ｃ巨ＦＣＩＩｓ
＋ Ｎ（ＣｌｌＪ＊（８） ８ Ｎ（
ＣＨＩ）Ｉ ＋０ＣＪｓ ｅｌｌ（ＣＩ山／″
＼ Ｅ ３．Ｒ，Ｒ，ＣＣＸ゛゛〜Ｙ−”’ −ｏＯＣＩ！ ＨＨＨ ＨＣＲＣＨ，Ｃｌ３０ Ｒｒ −ぐ＝り−Ｎ（ＣＩら）ｔ ｃｐ ＨＨＯ
ｃＩ！ｏ。
−／Ｑ ＯＲＦ。
ＣＩ ＨＨ
＋ Ｃ１１ｓ ＨＣＪＩｓ Ｃ５Ｈｓ ＯＣ１１
ｓ台ｓｏ。
ｓ台ｓｏ。
＋０ＣＪｓ ＲＨＨ（］ ＣＲＯ。
化合物Ｎｏ、 Ａ Ｂ
Ｄ（９） は）→（Ｃ１ｌｉ）
ａ −＠−ＣＪ −＠＝ Ｎ（Ｃｌｌｓ）オ
（Ｉｎ） −＠−Ｎ（Ｃ，１ｌｓ）１ ８Ｎ（ＣＪｓ
）＊ ＋Ｎ（ＣＪＩｓ）＊（１１） −＠−Ｎ（
Ｃ，１ｌｓ）＊ −＠−Ｎ（Ｃ，１ｌＪｆｆｉ
８Ｎ（ＣＪＩｓ）ｓ（＋２） （ｃ巨ＩＮ（Ｃ
，１１，）、 ＋
Ｎ（ＣＪＩｓ）ｓ（＋３） ８ Ｎ（Ｃａｌｌｓ）＊
Ｒ■ 台１１１５）ユ（１４） は）→（
ＣＪＩｓ）ｔ ｎ ＣＪｓ 台Ｎ（Ｃ，ｌｌ５）
＊（Ｉｓ） ＋ Ｎ（ＣＪＩＪ＊ 筈Ｃ１１，合鴨
１１ｓ）ｍ（１６） ＋ Ｎ（ＣＪＩｓ）＊ ＋
０Ｃｔｌｌｓ ＋ Ｎ（ＣＪＩｓ）／″＼ Ｅ Ｒｔ Ｒｓ Ｒｓ ＣＣＸ゛・
・−Ｙ−”’ ８Ｎ（ＣＪＩｓ）＊ Ｃｊ！ ＨＨＯＣｌ０
４ＨＢｒ ＨＨＯ１ −（＝リーＣＪｌａ ＨＨ）（ＯＣ１！（Ｌ
＋Ｃｌｌ＊ Ｂｒ 計 Ｂｒ
Ｏｌ１３Ｃ＋ ＳＯｓ化合物Ｎｏ、 Ａ
Ｂ Ｃ（１８）
＋ Ｎ（ＣＪＩｓ）＊ つ ＋Ｎ（ＣＪＩｓ）
＊（＋９） ＋Ｎ（Ｃａｎｓ）＊ −ａｌｌ、
−＠）−→（Ｃ８１店（２０） ＋Ｎ（Ｃａ
ｌｌｓ）ｌ ＋ｃｐ は）→（Ｃ，ＩＩＪオ
（２１） −＠−Ｎ（Ｃ，１ｌｓ）ｌ ＋ＣＩ！−
＠−Ｎ（Ｃオｌｌ５）＊（２２）は）→（Ｃ１１べ■）
、 べ■ （軒Ｎ（Ｃ１１４）。
Ｄ（９） は）→（Ｃ１ｌｉ）
ａ −＠−ＣＪ −＠＝ Ｎ（Ｃｌｌｓ）オ
（Ｉｎ） −＠−Ｎ（Ｃ，１ｌｓ）１ ８Ｎ（ＣＪｓ
）＊ ＋Ｎ（ＣＪＩｓ）＊（１１） −＠−Ｎ（
Ｃ，１ｌｓ）＊ −＠−Ｎ（Ｃ，１ｌＪｆｆｉ
８Ｎ（ＣＪＩｓ）ｓ（＋２） （ｃ巨ＩＮ（Ｃ
，１１，）、 ＋
Ｎ（ＣＪＩｓ）ｓ（＋３） ８ Ｎ（Ｃａｌｌｓ）＊
Ｒ■ 台１１１５）ユ（１４） は）→（
ＣＪＩｓ）ｔ ｎ ＣＪｓ 台Ｎ（Ｃ，ｌｌ５）
＊（Ｉｓ） ＋ Ｎ（ＣＪＩＪ＊ 筈Ｃ１１，合鴨
１１ｓ）ｍ（１６） ＋ Ｎ（ＣＪＩｓ）＊ ＋
０Ｃｔｌｌｓ ＋ Ｎ（ＣＪＩｓ）／″＼ Ｅ Ｒｔ Ｒｓ Ｒｓ ＣＣＸ゛・
・−Ｙ−”’ ８Ｎ（ＣＪＩｓ）＊ Ｃｊ！ ＨＨＯＣｌ０
４ＨＢｒ ＨＨＯ１ −（＝リーＣＪｌａ ＨＨ）（ＯＣ１！（Ｌ
＋Ｃｌｌ＊ Ｂｒ 計 Ｂｒ
Ｏｌ１３Ｃ＋ ＳＯｓ化合物Ｎｏ、 Ａ
Ｂ Ｃ（１８）
＋ Ｎ（ＣＪＩｓ）＊ つ ＋Ｎ（ＣＪＩｓ）
＊（＋９） ＋Ｎ（Ｃａｎｓ）＊ −ａｌｌ、
−＠）−→（Ｃ８１店（２０） ＋Ｎ（Ｃａ
ｌｌｓ）ｌ ＋ｃｐ は）→（Ｃ，ＩＩＪオ
（２１） −＠−Ｎ（Ｃ，１ｌｓ）ｌ ＋ＣＩ！−
＠−Ｎ（Ｃオｌｌ５）＊（２２）は）→（Ｃ１１べ■）
、 べ■ （軒Ｎ（Ｃ１１４）。
（２：ｌ） ＋ Ｎ（ＣａＯ山 ＋Ｎ（ＣＪＩｓ）オ
＋ＯＣ晶（２４） ＋ Ｎ（ＣＪｓ）＊ ＋ Ｎ
（ＣＪＩｓ）よ ＋Ｎ（Ｃ−店／″＼ Ｅ Ｒ，ＲｌＲ，ＣＣＸ゛・−Ｙ・・′ Ｂｒ Ｃ１１ｓ Ｃｌ１３ ＯＣ１１ｓ＋ ＳＯｓ
つ ＋Ｃｊ Ｃ１ｌ ＨＨＯＣＲＯ４ ｐ （Ｃ目ＨＯ１ 一＠＋ＯＣ，Ｉ瞥＠ ＨＨＨＣ１Ｃ４ＪＧ。
＋ＯＣ晶（２４） ＋ Ｎ（ＣＪｓ）＊ ＋ Ｎ
（ＣＪＩｓ）よ ＋Ｎ（Ｃ−店／″＼ Ｅ Ｒ，ＲｌＲ，ＣＣＸ゛・−Ｙ・・′ Ｂｒ Ｃ１１ｓ Ｃｌ１３ ＯＣ１１ｓ＋ ＳＯｓ
つ ＋Ｃｊ Ｃ１ｌ ＨＨＯＣＲＯ４ ｐ （Ｃ目ＨＯ１ 一＠＋ＯＣ，Ｉ瞥＠ ＨＨＨＣ１Ｃ４ＪＧ。
−００＝
Ｂｒ Ｂｒ Ｂｒ
化合物Ｎｏ、 Ａ Ｂ
Ｃ１ｌｓ （２６） ＋ Ｎ（Ｃ１１３）ｔ ＋ Ｃ−Ｃ１
１ｓ は）→（Ｃｌｂ）＊ｌ１３ （２ｎ −＠−Ｎ（ｃｔｕＪｔ −＠−Ｎｏ象
は）→（ＣＪＩｓ）＊（２８） ＋ｏｃｔｕ、
＋ＯＣ＊ＩＩｓ ＋０ＣＩＩＩｓ（２９）
（（■−Ｎ（Ｃ１ｌｉ）ｔ −ぐＦＮ（
ＣＩら）ｍ −＠−ＣＪＩ（３０） ＋Ｎ
（ＣＪＩｓ）＊ Ｑ ＋ Ｎ（ＣＪ店７″
＼ パ・−Ｙ・・′ ＋０ＣｔＨｓ Ｂｒ ＨＨＯＣｎ４ｐＨＣ１１３Ｃ
Ｈ２０Ｃｔ）０４ 本発明の光学的記録媒体は、例えば第１図に示すごとき
構造とすることができる。第１図に示す光学的記録媒体
は、基板ｌ上に前記一般式［Ｉ］で示される化合物を含
有させた有機薄１ｇ！２を設けることによって形成でき
る。かかる有機薄膜２は前記の一般式［Ｉ］で示される
化合物を真空蒸着または、有機溶媒中に溶解もしくは分
散させた塗工液を塗布することによって形成することが
できる。
Ｃ１ｌｓ （２６） ＋ Ｎ（Ｃ１１３）ｔ ＋ Ｃ−Ｃ１
１ｓ は）→（Ｃｌｂ）＊ｌ１３ （２ｎ −＠−Ｎ（ｃｔｕＪｔ −＠−Ｎｏ象
は）→（ＣＪＩｓ）＊（２８） ＋ｏｃｔｕ、
＋ＯＣ＊ＩＩｓ ＋０ＣＩＩＩｓ（２９）
（（■−Ｎ（Ｃ１ｌｉ）ｔ −ぐＦＮ（
ＣＩら）ｍ −＠−ＣＪＩ（３０） ＋Ｎ
（ＣＪＩｓ）＊ Ｑ ＋ Ｎ（ＣＪ店７″
＼ パ・−Ｙ・・′ ＋０ＣｔＨｓ Ｂｒ ＨＨＯＣｎ４ｐＨＣ１１３Ｃ
Ｈ２０Ｃｔ）０４ 本発明の光学的記録媒体は、例えば第１図に示すごとき
構造とすることができる。第１図に示す光学的記録媒体
は、基板ｌ上に前記一般式［Ｉ］で示される化合物を含
有させた有機薄１ｇ！２を設けることによって形成でき
る。かかる有機薄膜２は前記の一般式［Ｉ］で示される
化合物を真空蒸着または、有機溶媒中に溶解もしくは分
散させた塗工液を塗布することによって形成することが
できる。
また、有機薄［２の形成にあたって、前記一般式［１１
で示される化合物を２種以上組合せて用いることができ
、さらに他の染料、例えば、前記一般式［Ｉ］の化合物
以外のポリメチン系、アズレン系、ピリリウム系、スク
アリウム系、クロコニウム系、トリフェニルメタン系、
キサンチン系、アントラキノン系、シアニン系、フタロ
シアニン系、ジオキサジン系、テトラヒドロコリン系、
トリフエッチアジン系、フェナンスレン系。
で示される化合物を２種以上組合せて用いることができ
、さらに他の染料、例えば、前記一般式［Ｉ］の化合物
以外のポリメチン系、アズレン系、ピリリウム系、スク
アリウム系、クロコニウム系、トリフェニルメタン系、
キサンチン系、アントラキノン系、シアニン系、フタロ
シアニン系、ジオキサジン系、テトラヒドロコリン系、
トリフエッチアジン系、フェナンスレン系。
金属キレート錯体系染料など、あるいは金属および金属
化合物など、例えばＡｆ、 Ｔｅ、 Ｂｉ、 Ｓｎ、
Ｉｎ。
化合物など、例えばＡｆ、 Ｔｅ、 Ｂｉ、 Ｓｎ、
Ｉｎ。
Ｓｅ、 ＳｎＯ，Ｔｅａ、八ｓ、 Ｃｄなどと混合分散
あるいは積層してもよい。
あるいは積層してもよい。
また、前記一般式［Ｉ］の化合物をバインダー中に分散
状態または溶解状態で含有されていてもよい０例えば、
ニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セル
ロース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロ
ース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セル
ロースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース
、エチルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセル
ロールなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール
、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタ
ジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリ
マー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合
樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリ
レート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポ
リメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニ
トリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレ
ートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソプロ
ビリデンジフェニレンーコー１．４−シクロヘキシレン
ジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−
３，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，
４’−イソプロビリ、デンジフェニレンカーボネートー
コーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリ
デンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’ −
５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ
（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボネー
ト−ブロック−オキシエチレン）などのボリアリレート
樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキ
シ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類な
どを用いることがてきる。
状態または溶解状態で含有されていてもよい０例えば、
ニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸セルロース
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、醋酸セル
ロース、ミリスチン酸セルロース、バルミチン酸セルロ
ース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢酸・醋酸セル
ロースなどのセルロースエステル類、メチルセルロース
、エチルセルロース、プロピルセルロース、ブチルセル
ロールなどのセルロースエーテル類、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール
、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、スチレン−ブタ
ジェンコポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリ
マー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合
樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリ
レート、ポリブチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポ
リメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニ
トリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレ
ートなどのポリエステル類、ポリ（４，４’−イソプロ
ビリデンジフェニレンーコー１．４−シクロヘキシレン
ジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−
３，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，
４’−イソプロビリ、デンジフェニレンカーボネートー
コーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリ
デンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’ −
５ｅｃ−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ
（４，４’−イソプロピリデンジフェニレンカーボネー
ト−ブロック−オキシエチレン）などのボリアリレート
樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキ
シ樹脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類な
どを用いることがてきる。
また、有ａ薄膜２中に界面活性剤、帯電防止剤、安定剤
、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤などを含有されていて
もよい。
、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤などを含有されていて
もよい。
塗工の際に使用できる有機溶剤は１分散状態とするか、
あるいは溶解状態にするかによって異なるが、一般に、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、ジアセト
ンアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホ
キシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類あるいはれ一
ヘキサン、シクロヘキサン、リグロインなどの脂肪族炭
化水素類などを用いることができる。
あるいは溶解状態にするかによって異なるが、一般に、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、ジアセト
ンアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホ
キシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類あるいはれ一
ヘキサン、シクロヘキサン、リグロインなどの脂肪族炭
化水素類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
右ａ薄膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は５０人〜ｌ０
０ｐｓ 、好ましくは２００人〜１１が適当である。
０ｐｓ 、好ましくは２００人〜１１が適当である。
基板ｌとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなとのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなとのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。
また、本発明は第２図から第４図に示すように、下引き
層３および／または保護層４を設けた構成にすることも
できる。
層３および／または保護層４を設けた構成にすることも
できる。
下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護およびＣ
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護およびＣ
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。
（ａ）の目的に対しては高分子材料１例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
、（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物例えば５ｉｎｓ、 ＭｇＦａ、 Ｓｉｎ、
Ｔｉ１２． ＺｎＯ。
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
、（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物例えば５ｉｎｓ、 ＭｇＦａ、 Ｓｉｎ、
Ｔｉ１２． ＺｎＯ。
Ｔｉｅ、 ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、
Ｃｕ。
Ｃｕ。
Ｓ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｇｅ、 Ｓｅ、 Ｃｄ、 Ａｇ
ｅ ＡＲなどを用いることができる。（ｄ）の目的に対
しては金属例えばＡｌ、 Ａｇなど、または金属光沢を
有する有機薄膜、例えばアズレン染料、メチン染料など
を用いることができる。そして（ｅ）、 （ｆ）の目的
に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は５０人
〜１００ＩＬｓ％好ましくは２００人〜３０終鳳が適当
である。
ｅ ＡＲなどを用いることができる。（ｄ）の目的に対
しては金属例えばＡｌ、 Ａｇなど、または金属光沢を
有する有機薄膜、例えばアズレン染料、メチン染料など
を用いることができる。そして（ｅ）、 （ｆ）の目的
に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂などを用いることができる。下引き層の膜厚は５０人
〜１００ＩＬｓ％好ましくは２００人〜３０終鳳が適当
である。
また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は５０Å以上
、好ましくは２００Å以上が適当である。
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は５０Å以上
、好ましくは２００Å以上が適当である。
この際、下引き層および／または保ＷＩＮ中には本発明
の上記一般式［Ｉ］の化合物が含有されていてもよい。
の上記一般式［Ｉ］の化合物が含有されていてもよい。
また、下引き層または保護層には安定剤、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などが含有
されていてもよい。
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などが含有
されていてもよい。
さらに、本発明による光学的記録媒体の別の構成として
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い有機
薄膜２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層４を介して接着した
いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い有機
薄膜２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層４を介して接着した
いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。
本発明において、有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波
長４８８ｎｓ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６
３３０■）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４
４２ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録するこ
とも可能であるが、好ましくは７５０ｎ■以上の波長を
有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導
体レーザ（発振波長８３０ｎ膿）などの近赤外あるいは
赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって
記録する方法が適している。また、読み出しのためには
、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、書
込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことができ
、また異なる波長のレーザで行なうことができる。
長４８８ｎｓ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６
３３０■）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４
４２ｎｍ）などのガスレーザの照射によって記録するこ
とも可能であるが、好ましくは７５０ｎ■以上の波長を
有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導
体レーザ（発振波長８３０ｎ膿）などの近赤外あるいは
赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって
記録する方法が適している。また、読み出しのためには
、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、書
込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことができ
、また異なる波長のレーザで行なうことができる。
［実施例］
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。
らに限定されるものではない。
実施例１
直径１３０■■φ、厚さ１．２１のポリメチルメタクリ
レート（以下ｒ ＰＩＩＩＭＡＪと略記する）基板上に
、エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いてｚ
Ｐ法（フォト・ポリマー法）で、厚さ５０終のプレグル
ーブを設け、その上に前記化合物Ｎｏ、（１６）の化合
物２重量部をジクロルエタン９８重量部に溶解させた液
をスピナー塗工法により塗布した後、乾燥して８００人
の有機薄膜記録層を得た。
レート（以下ｒ ＰＩＩＩＭＡＪと略記する）基板上に
、エポキシ−アクリレート系紫外線硬化樹脂を用いてｚ
Ｐ法（フォト・ポリマー法）で、厚さ５０終のプレグル
ーブを設け、その上に前記化合物Ｎｏ、（１６）の化合
物２重量部をジクロルエタン９８重量部に溶解させた液
をスピナー塗工法により塗布した後、乾燥して８００人
の有機薄膜記録層を得た。
この様にして作成した光学的記録媒体をターンテーブル
上に取り付け、ターンテーブルなモータで１８００ｒｐ
ｍに回転させて、発振波長８３０ｎ■の半導体レーザな
用いて、ｉ板側より有機薄膜記録層にスポットサイズ１
．５１Ｌｍφ、記録パワー６ｍＷ、記録周波数２Ｍ１ｌ
ｚで情報を書き込み、読み出しパワー１．０ｍＷで再生
し、その再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィ
ルター、バンド幅３０にＨｚ ） Ｌ／てＣ／Ｎ比（キ
ャリヤ／ノイズ比）を測定した。
上に取り付け、ターンテーブルなモータで１８００ｒｐ
ｍに回転させて、発振波長８３０ｎ■の半導体レーザな
用いて、ｉ板側より有機薄膜記録層にスポットサイズ１
．５１Ｌｍφ、記録パワー６ｍＷ、記録周波数２Ｍ１ｌ
ｚで情報を書き込み、読み出しパワー１．０ｍＷで再生
し、その再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィ
ルター、バンド幅３０にＨｚ ） Ｌ／てＣ／Ｎ比（キ
ャリヤ／ノイズ比）を測定した。
次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、鰻り返しＩＯ′３回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した
。
、鰻り返しＩＯ′３回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した
。
さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９５％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎｍ測定）お
よびＣ／Ｎ比を測定した。また、同一の記録媒体に１０
００１ｔ／ｓ”（３００〜９Ｇ０ｎｍ）のキセノンラン
プ光を７０時間照射して、耐光安定性試験を行なった後
の透過率（８３０ｎｍ測定）およびＣ／Ｎ比を測定した
。その結果を表１に示す。
９５％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎｍ測定）お
よびＣ／Ｎ比を測定した。また、同一の記録媒体に１０
００１ｔ／ｓ”（３００〜９Ｇ０ｎｍ）のキセノンラン
プ光を７０時間照射して、耐光安定性試験を行なった後
の透過率（８３０ｎｍ測定）およびＣ／Ｎ比を測定した
。その結果を表１に示す。
表 １
実施例２〜９
実施例１で用いた化合物Ｎｏ、（１６）を前記化合物Ｎ
ｏ、（３）、（４）、（１１）、（Ｉｔ）、（２０）、
（２２）、（２４）、（２９）にかえて、実施例１と同
様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の
光学的記録媒体を作製した。
ｏ、（３）、（４）、（１１）、（Ｉｔ）、（２０）、
（２２）、（２４）、（２９）にかえて、実施例１と同
様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の
光学的記録媒体を作製した。
上記実施例２〜９の光学的記録媒体を実施例１と同様の
方法て測定した。その結果を表２に示す。
方法て測定した。その結果を表２に示す。
実施例１Ｏおよびｔｉ
下記化合物Ｎｏ、’（３１）および（３２）と前記化合
物Ｎｏ、（１０）とをそれぞれｌ：１の重量比でジクロ
ルエタンに混合し、実施例１と同様の方法で塗布し、乾
燥膜厚８５０人の有機ｇ膜記録層を設け、それぞれ実施
例１０．１１の光学的記録媒体を作製した。
物Ｎｏ、（１０）とをそれぞれｌ：１の重量比でジクロ
ルエタンに混合し、実施例１と同様の方法で塗布し、乾
燥膜厚８５０人の有機ｇ膜記録層を設け、それぞれ実施
例１０．１１の光学的記録媒体を作製した。
この様にして作成した実施例１０．１１の光学的記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。
化合物Ｎｏ、（３１）
化合物Ｎｏ、 （３２）
比較例１
実施例１Ｏで用いた化合物Ｎｏ、（１０）を除いた以外
は、実施例１０と同様の方法で光学的記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。
は、実施例１０と同様の方法で光学的記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。
実施例１２
前記化合物Ｎｏ、（９）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学■製）
１用量部をメチルエチルケトン９７重！Ａｍに混合させ
た液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設けた直
径１３◎−膳φ、厚さ１．２１−のＰ誠ＭＡ基板上に塗
布し、乾燥膜厚１０００人の有機薄膜記録層を得た。
ロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセル化学■製）
１用量部をメチルエチルケトン９７重！Ａｍに混合させ
た液をスピナー塗布法により、プレグルーブを設けた直
径１３◎−膳φ、厚さ１．２１−のＰ誠ＭＡ基板上に塗
布し、乾燥膜厚１０００人の有機薄膜記録層を得た。
この様にして作成した光学的記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。
の方法で測定した。その結果を表４に示す。
実施例１３〜１５
実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（９）を前記化合物Ｎ
ｏ、（６）、（１８）、（２５）にかえて、実施例１２
と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１３
〜１５の光学的記録媒体を作製した。
ｏ、（６）、（１８）、（２５）にかえて、実施例１２
と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例１３
〜１５の光学的記録媒体を作製した。
上記実施例１３〜１５の光学的記録媒体を実施例１と同
様の方法で測定した。その結果を表４に示す。
様の方法で測定した。その結果を表４に示す。
実施例Ｉｎよび１７
前記の化合物ＮＯ，（１）およびＮｏ、（１９）の化合
物５００ｍｇを蒸着用モリブデンボードに入れ、ｌ×１
０−’＊ｍ１１ｇ以下に排気した後、プレグルーブを設
けた直径１１０ａｍφ、厚さ１．２ｍｍのＰ）ＩＭＡ基
板上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１０−’５
５１１ｇ以上に上昇しない様にヒータを制御しながら、
９５０人の有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例１
６．１７の光学的記録媒体を作製した。
物５００ｍｇを蒸着用モリブデンボードに入れ、ｌ×１
０−’＊ｍ１１ｇ以下に排気した後、プレグルーブを設
けた直径１１０ａｍφ、厚さ１．２ｍｍのＰ）ＩＭＡ基
板上に蒸着した。蒸着中は真空室内の圧力が１０−’５
５１１ｇ以上に上昇しない様にヒータを制御しながら、
９５０人の有機薄膜記録層を形成し、それぞれ実施例１
６．１７の光学的記録媒体を作製した。
この様にして作成した光学的記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表５に示す。
の方法で測定した。その結果を表５に示す。
実施例１８
ウオーμ・ントサイズの厚さ０．４■閤ポリカーボネー
ト（以ドｒＰＣＪと略記する）基板上に、熱ブレス法に
よりプレグルーブを設け、その上に前記化合物Ｎｏ、（
２１）の化合物４重量部をジアセトンアルコール中９６
重量部に混合させた液をバーコード法により塗布した後
、乾燥して１０００人の有機薄膜記録層を得た。さらに
、その上にエチレン−酢ビドライフィルムを介してつオ
ーレッドサイズの厚さ０．３１− ＰＣ基板と、熱ロー
ル法により密着し。
ト（以ドｒＰＣＪと略記する）基板上に、熱ブレス法に
よりプレグルーブを設け、その上に前記化合物Ｎｏ、（
２１）の化合物４重量部をジアセトンアルコール中９６
重量部に混合させた液をバーコード法により塗布した後
、乾燥して１０００人の有機薄膜記録層を得た。さらに
、その上にエチレン−酢ビドライフィルムを介してつオ
ーレッドサイズの厚さ０．３１− ＰＣ基板と、熱ロー
ル法により密着し。
密着構造の実施例１８の光学的記録媒体を作製した。
この様にして作製した実施例１８の光学的記録媒体なｘ
−Ｙ方向に駆動するステージ上に取り付け１発振波長８
３０ｎ−の半導体レーザを用いて、厚さ０．４−一のＩ
）Ｃ７！板側より、有機薄膜記録層にスポットサイズ３
．０μ■φ、記録パワー４．０ｍＷで記録パルス８０ｐ
ｓｅｃでＹ軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０
．４ｍＷで再生し、そのコントラスト比部の信号強度）
を測定した。
−Ｙ方向に駆動するステージ上に取り付け１発振波長８
３０ｎ−の半導体レーザを用いて、厚さ０．４−一のＩ
）Ｃ７！板側より、有機薄膜記録層にスポットサイズ３
．０μ■φ、記録パワー４．０ｍＷで記録パルス８０ｐ
ｓｅｃでＹ軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０
．４ｍＷで再生し、そのコントラスト比部の信号強度）
を測定した。
さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境堡存安定性試験、および耐先安定性試
験を行ない、その後の透過率およびコントラスト比を測
定した。その結果を表６に示す。
同様の条件の環境堡存安定性試験、および耐先安定性試
験を行ない、その後の透過率およびコントラスト比を測
定した。その結果を表６に示す。
表 ６
ト
［発明の効果］
上述のように本発明の光学的記録媒体は以下の効果を奏
することができる。
することができる。
（１）長波長帯に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長
発振レーザを用いても高感度に記録できる。
発振レーザを用いても高感度に記録できる。
（２）良好なピット形状を形成でき、高いＣ／Ｎ比が得
られる。
られる。
（３）熱および光に対する安定性が高く、保存性に優れ
、再生劣化の少ない記録体が得られる。
、再生劣化の少ない記録体が得られる。
第１ＵＡ乃至第４図は各々本発明の光学的記録媒体の構
成を示す断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・有機薄膜 ３・・・下引き層 ４・・・保護層
成を示す断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・有機薄膜 ３・・・下引き層 ４・・・保護層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］で示される化合物を含有する有機薄
膜を有することを特徴とする光学的記録媒体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、置換または未
置換のアルキル基、アラルキル基、環状アルキル基、ア
リール基、スチリル基、アルケニル基、複素環基を示す
。Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は水素原子、ハロゲン原子ま
たはアルキル基を示す。Ｙは５員環または６員環を完成
するに必要な原子群を有する２価の残基を示す。Ｘ＾■
は陰イオンを示す。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040416A JP2649672B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 光学的記録媒体 |
| US07/336,515 US4944981A (en) | 1987-02-25 | 1989-04-11 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040416A JP2649672B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 光学的記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63207691A true JPS63207691A (ja) | 1988-08-29 |
| JP2649672B2 JP2649672B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=12580056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62040416A Expired - Fee Related JP2649672B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2649672B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164594A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62040416A patent/JP2649672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164594A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2649672B2 (ja) | 1997-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |