JPS63259074A - 電子ビ−ム蒸発源装置 - Google Patents
電子ビ−ム蒸発源装置Info
- Publication number
- JPS63259074A JPS63259074A JP9203987A JP9203987A JPS63259074A JP S63259074 A JPS63259074 A JP S63259074A JP 9203987 A JP9203987 A JP 9203987A JP 9203987 A JP9203987 A JP 9203987A JP S63259074 A JPS63259074 A JP S63259074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- electron beam
- evaporation
- magnetic field
- magnetic pole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はるつぼ内の物質を電子銃の出力電子ビームによ
り照射して加熱蒸発させる主として真空蒸着用の蒸発源
装置に関する。
り照射して加熱蒸発させる主として真空蒸着用の蒸発源
装置に関する。
（従来の技術）
従来、この種の蒸発源装置として、例えば第１図に見ら
れるように、励磁体ａの左右の磁極板す、ｂ間に、るつ
ぼＣとその前号下側の電子銃ｄとを設け、該電子銃ｄの
出力電子ビームｅを両磁極板す、ｂ間の磁場の作用によ
υ彎曲させてるつぼＣ内にその前側上面から導くように
し、さらに該るつぼＣ内の物質ｆに全体的な加熱を与え
るために、該出力電子ビームｅの通路に沿って左右１対
に補助励磁コイルｇ１ ｇ？：設け、これらのコイルｇ
−１ｇｅ交互に逆方向に励磁して該出力電子ビームｅに
左右交互の偏向を生じさせるようにしたものが知られて
いる（特公昭５１−６０２５号公報ン。
れるように、励磁体ａの左右の磁極板す、ｂ間に、るつ
ぼＣとその前号下側の電子銃ｄとを設け、該電子銃ｄの
出力電子ビームｅを両磁極板す、ｂ間の磁場の作用によ
υ彎曲させてるつぼＣ内にその前側上面から導くように
し、さらに該るつぼＣ内の物質ｆに全体的な加熱を与え
るために、該出力電子ビームｅの通路に沿って左右１対
に補助励磁コイルｇ１ ｇ？：設け、これらのコイルｇ
−１ｇｅ交互に逆方向に励磁して該出力電子ビームｅに
左右交互の偏向を生じさせるようにしたものが知られて
いる（特公昭５１−６０２５号公報ン。
（発明が解決しようとする問題点）
前記のものは、励磁体ａの電流値を変化させれば、出力
電子ビームｅはるつぼＣ内を前後に移動し、これと同時
に補助励磁コイルｇｓ ｇを交互に励磁すると出力電
子ビームｅはるつぼＣ内を左右に移動させ得、るつぼＣ
内の物質ｆの光面に広く電子ビームｅを照射することが
出来るが、出力電子ビームｅはるつぼＣの側方へ収束し
勝ちであり、該物質ｆが加熱により液相を生じない昇華
物の場合、物質ｆには第２図示のように出力電子ビーム
ｅの軌跡に沿って表面から側方へ彎曲した蒸発跡りの穴
が形成される不都合がある。このような彎曲した横穴が
発生すると、るつぼＣから発生する物質ｆの蒸気が不均
一になり、その結果るつぼ上方の基板（図示してない）
に形成される薄膜の膜厚分布が不均一になり、膜厚分布
の再現性が悪くなる問題が生ずる。。
電子ビームｅはるつぼＣ内を前後に移動し、これと同時
に補助励磁コイルｇｓ ｇを交互に励磁すると出力電
子ビームｅはるつぼＣ内を左右に移動させ得、るつぼＣ
内の物質ｆの光面に広く電子ビームｅを照射することが
出来るが、出力電子ビームｅはるつぼＣの側方へ収束し
勝ちであり、該物質ｆが加熱により液相を生じない昇華
物の場合、物質ｆには第２図示のように出力電子ビーム
ｅの軌跡に沿って表面から側方へ彎曲した蒸発跡りの穴
が形成される不都合がある。このような彎曲した横穴が
発生すると、るつぼＣから発生する物質ｆの蒸気が不均
一になり、その結果るつぼ上方の基板（図示してない）
に形成される薄膜の膜厚分布が不均一になり、膜厚分布
の再現性が悪くなる問題が生ずる。。
本発明は蒸発源のるつぼ内に彎曲した穴を生ずることに
よる問題を解決することを目的とするものである。
よる問題を解決することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、励磁コイルその他の励磁体の両外側の左右
１対の磁極板間に、るつぼとその前方下側の電子銃とを
設け、該電子銃の出力電子ビームを両磁極板間の磁界の
作用によシ彎曲させてるつぼ内にその前面上側から導か
せるようにしたものに於て、該るつぼの下方に、前記磁
極板による磁界と逆方向の磁界を発生する永久磁石等の
制御磁石を設けて該るつぼ内の出力電子ビームの彎曲率
を緩和するようにして前記問題点を解決するようにした
。
１対の磁極板間に、るつぼとその前方下側の電子銃とを
設け、該電子銃の出力電子ビームを両磁極板間の磁界の
作用によシ彎曲させてるつぼ内にその前面上側から導か
せるようにしたものに於て、該るつぼの下方に、前記磁
極板による磁界と逆方向の磁界を発生する永久磁石等の
制御磁石を設けて該るつぼ内の出力電子ビームの彎曲率
を緩和するようにして前記問題点を解決するようにした
。
（作用）
真空中に蒸発源製蓋を設置し、電子銃を作動させると、
これより出力する電子ビームは励磁体の磁極板間の磁界
の作用によりるつぼ内へ導かれ、るつぼ内に収められた
物質が蒸発する。
これより出力する電子ビームは励磁体の磁極板間の磁界
の作用によりるつぼ内へ導かれ、るつぼ内に収められた
物質が蒸発する。
該物質が例えばＯｒ等の昇華物である場合、出力電子ビ
ームが照射された点の物質が昇華蒸発し、そこに蒸発跡
の穴が形成されるが、該るつぼの下方に設けた制御磁石
がるつぼ内に於ける磁極板による磁界の強さを減少させ
るような逆方向の磁界を発生するために出力電子ビーム
のるつぼ内の曲率が緩和され、出力電子ビームは物質の
表面から下面へと拡散して物質を照射するようになるの
でその蒸発跡は竪穴形となり、穴の奥部から途中で乱さ
れることなく直上へ蒸発させ得、上方の基板に均一な膜
厚分布の薄膜を再現性良く形成することが出来る。
ームが照射された点の物質が昇華蒸発し、そこに蒸発跡
の穴が形成されるが、該るつぼの下方に設けた制御磁石
がるつぼ内に於ける磁極板による磁界の強さを減少させ
るような逆方向の磁界を発生するために出力電子ビーム
のるつぼ内の曲率が緩和され、出力電子ビームは物質の
表面から下面へと拡散して物質を照射するようになるの
でその蒸発跡は竪穴形となり、穴の奥部から途中で乱さ
れることなく直上へ蒸発させ得、上方の基板に均一な膜
厚分布の薄膜を再現性良く形成することが出来る。
（実施例）
本発明の実施例を図面に基づき説明すると、ＷＪ３図及
び第４図に於て、符号（１）は励磁コイル或は永久磁石
から成る励磁体、（２）（２）は該励磁体（１）の両外
側に前後方向に設けられ該励磁体（１）によりＮ極とＳ
極とに励磁される１対の磁極板、（３）は蒸発物質（４
）を収容して該磁極板（２） （２）間に設けられたる
つぼ、（５）は該るつぼ（３）の前号下側に設けられた
電子銃を示し、該電子銃（５）からの出力電子ビーム（
６）ｔｌ−両磁極板（２） （２）の磁界の作用により
彎曲させてるつぼ（３）内へその前方上側から導き、蒸
発物質（４）の加熱蒸発が行なわれる。こうした構成は
従来のものと同様であり、該励磁体（１）をコイルとし
たときにこれへの電流値を変化させれば出力電子ビーム
（６）ヲるつぼ（３）の前後に移動させ得、更に該ビー
ム（６）の通路に沿って左右１対の補助励磁コイル（７
）を設けてこれを交互に励磁すれば該ビーム（６）ヲる
つぼ（３）の左右に移動させることが出来ることも従来
のものと変わりがない。
び第４図に於て、符号（１）は励磁コイル或は永久磁石
から成る励磁体、（２）（２）は該励磁体（１）の両外
側に前後方向に設けられ該励磁体（１）によりＮ極とＳ
極とに励磁される１対の磁極板、（３）は蒸発物質（４
）を収容して該磁極板（２） （２）間に設けられたる
つぼ、（５）は該るつぼ（３）の前号下側に設けられた
電子銃を示し、該電子銃（５）からの出力電子ビーム（
６）ｔｌ−両磁極板（２） （２）の磁界の作用により
彎曲させてるつぼ（３）内へその前方上側から導き、蒸
発物質（４）の加熱蒸発が行なわれる。こうした構成は
従来のものと同様であり、該励磁体（１）をコイルとし
たときにこれへの電流値を変化させれば出力電子ビーム
（６）ヲるつぼ（３）の前後に移動させ得、更に該ビー
ム（６）の通路に沿って左右１対の補助励磁コイル（７
）を設けてこれを交互に励磁すれば該ビーム（６）ヲる
つぼ（３）の左右に移動させることが出来ることも従来
のものと変わりがない。
しかし乍ら以上の構成では出力電子ビーム（６）はるつ
ぼ（３）の上面から側方への軌跡を描き、その内部の蒸
発物質（４）が昇華物である場合、蒸発の進行に伴ない
蒸発物質（４）に横穴が形成される不都合があるが、本
発明に於ては、第４図に見られるように、るつぼ（３）
の下方に磁極板（２） （２）による磁界の方向と逆方
向の磁界を発生する電磁石又は永久磁石からなる制御磁
石（８）ヲ設けてるつぼ（３）内の磁界を減少させ、出
力電子ビーム（６）の彎曲率を緩和してるつぼ（３）の
上面から下面へ直進するようにした。これにより昇華物
の蒸発物質（４）に蒸発の進行で形成される穴はるつぼ
（３）の上下方向となシ、穴の奥部から直上へ途中で流
れが乱されることなく蒸発出来、その上方の基板に均一
な膜厚分布で薄膜を形成しその再現性も曳好となし得る
。
ぼ（３）の上面から側方への軌跡を描き、その内部の蒸
発物質（４）が昇華物である場合、蒸発の進行に伴ない
蒸発物質（４）に横穴が形成される不都合があるが、本
発明に於ては、第４図に見られるように、るつぼ（３）
の下方に磁極板（２） （２）による磁界の方向と逆方
向の磁界を発生する電磁石又は永久磁石からなる制御磁
石（８）ヲ設けてるつぼ（３）内の磁界を減少させ、出
力電子ビーム（６）の彎曲率を緩和してるつぼ（３）の
上面から下面へ直進するようにした。これにより昇華物
の蒸発物質（４）に蒸発の進行で形成される穴はるつぼ
（３）の上下方向となシ、穴の奥部から直上へ途中で流
れが乱されることなく蒸発出来、その上方の基板に均一
な膜厚分布で薄膜を形成しその再現性も曳好となし得る
。
（発明の効果）
以上のように本発明では、電子銃の出力電子ビームを磁
極板の磁界によりるつぼへと導くようにした蒸発源に於
て、該るつぼの下方に該励磁板の磁界を減少させる制御
磁石を設けて該るつぼ内の出力電子ビームの彎曲率を緩
和するようにしたので、昇華物の蒸発物質の蒸発に際し
てその蒸発跡が彎曲した横穴となる不都合を解消出来、
蒸着により形成される膜厚の分布を均一化し再現性も向
上させ得る等の効果がある。
極板の磁界によりるつぼへと導くようにした蒸発源に於
て、該るつぼの下方に該励磁板の磁界を減少させる制御
磁石を設けて該るつぼ内の出力電子ビームの彎曲率を緩
和するようにしたので、昇華物の蒸発物質の蒸発に際し
てその蒸発跡が彎曲した横穴となる不都合を解消出来、
蒸着により形成される膜厚の分布を均一化し再現性も向
上させ得る等の効果がある。
第１図は従来例の斜視図、第２図は従来例の断面図、第
３図は本考案の実施例の断面図、第４図は第３図の■−
■線断面図である。
３図は本考案の実施例の断面図、第４図は第３図の■−
■線断面図である。
Claims (1)
- 励磁コイルその他の励磁体の両外側の左右１対の磁極板
間に、るつぼとその前方下側の電子銃とを設け、該電子
銃の出力電子ビームを両磁極板間の磁界の作用により彎
曲させてるつぼ内にその前面上側から導かせるようにし
たものに於て、該るつぼの下方に、前記磁極板による磁
界と逆方向の磁界を発生する永久磁石等の制御磁石を設
けて該るつぼ内の出力電子ビームの彎曲率を緩和したこ
とを特徴とする電子ビーム蒸発源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092039A JP2591950B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 電子ビーム蒸発源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092039A JP2591950B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 電子ビーム蒸発源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63259074A true JPS63259074A (ja) | 1988-10-26 |
| JP2591950B2 JP2591950B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=14043388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62092039A Expired - Fee Related JP2591950B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 電子ビーム蒸発源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591950B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008035587A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194172A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 蒸着装置用電子ビ−ム加熱装置 |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP62092039A patent/JP2591950B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194172A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 蒸着装置用電子ビ−ム加熱装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008035587A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing system |
| KR101158357B1 (ko) | 2006-09-22 | 2012-06-25 | 가부시키가이샤 알박 | 진공처리장치 |
| JP4977143B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-07-18 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2591950B2 (ja) | 1997-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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