JPS6326333B2 - - Google Patents
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- JPS6326333B2 JPS6326333B2 JP56125961A JP12596181A JPS6326333B2 JP S6326333 B2 JPS6326333 B2 JP S6326333B2 JP 56125961 A JP56125961 A JP 56125961A JP 12596181 A JP12596181 A JP 12596181A JP S6326333 B2 JPS6326333 B2 JP S6326333B2
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- rays
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- ray detector
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
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- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発振器に用いられる水晶共振子あるいはトラン
ジスタのような半導体素子に用いられるシリコン
またはゲルマニウム等の単結晶体は、これを所定
の結晶格子面に対して一定の角度で切断する必要
がある。この角度は、検査しようとする切断面に
Ｘ線ビームを入射させて回折の生ずる角度を検出
することによつて測定される。従来は測定に際し
て一般にＸ線ビームの位置を固定し、試料を回転
することにより入射角を変化していた。しかし多
数の試料について自動測定を行うためには試料の
移送機構と、試料の回動機構とを設けて、その間
で試料の受渡しを行わなければならないから、複
雑で大型の装置を必要とする欠点がある。また特
公昭54−15511号公報に記載されているように試
料を固定してこれに入射するＸ線ビームを回動さ
せる装置もあるが、大型で大重量のＸ線管を回動
させるから小型軽量な装置を得難い欠点がある。
本発明は上述のような欠点がなく、機構が簡単で
かつ小型軽量な装置を提供するものである。
ジスタのような半導体素子に用いられるシリコン
またはゲルマニウム等の単結晶体は、これを所定
の結晶格子面に対して一定の角度で切断する必要
がある。この角度は、検査しようとする切断面に
Ｘ線ビームを入射させて回折の生ずる角度を検出
することによつて測定される。従来は測定に際し
て一般にＸ線ビームの位置を固定し、試料を回転
することにより入射角を変化していた。しかし多
数の試料について自動測定を行うためには試料の
移送機構と、試料の回動機構とを設けて、その間
で試料の受渡しを行わなければならないから、複
雑で大型の装置を必要とする欠点がある。また特
公昭54−15511号公報に記載されているように試
料を固定してこれに入射するＸ線ビームを回動さ
せる装置もあるが、大型で大重量のＸ線管を回動
させるから小型軽量な装置を得難い欠点がある。
本発明は上述のような欠点がなく、機構が簡単で
かつ小型軽量な装置を提供するものである。
第１図は本発明実施例の構成を示した図で、Ｘ
線管１のターゲツト２上に紙面と直角な方向の線
状Ｘ線焦点３が形成される。その焦点３から彎曲
分光結晶４に発散Ｘ線５を入射させてあるから、
ターゲツト２が例えば銅であるとすると銅の特性
Ｘ線Ka１が点６に焦点を結んで、他の特性Ｘ線
例えばKa２は他の点７に焦点を結ぶ。従つて点
６の位置にスリツト８を配置して、その背後に例
えば矩形板状に切断された水晶等の試料９を設置
すると、点６から完全な単一波長の発散Ｘ線１０
が上記試料９に入射する。このＸ線１０は上述の
ように発散Ｘ線であるために、種々の入射角をも
つて試料９に入射するから、その入射Ｘ線のうち
試料の結晶格子面に対してブラツグの回折条件を
満足するものだけに回折を生ずる。上述のような
回折Ｘ線１１が投射される方向に例えばシンチレ
ーシヨン計数管のようなＸ線検出器１２を設け
て、この検出器の前面に配置したスリツト１３を
マイクロメータのような微動装置１４に取付け
て、例えばパルスモータ１５で駆動するようにし
てある。すなわちスリツト１３は矢印ａのように
Ｘ線とほぼ直角な方向へ移動するもので、第２図
にこの部分のＡ―Ａ矢視図を示してある。また試
料９は自動交換装置１６上に設置されているが、
Ｘ線検出器１２の出力を処理する電子計算機によ
つて上記試料交換装置１６およびパルスモータ１
５等を制御するようにしてある。
線管１のターゲツト２上に紙面と直角な方向の線
状Ｘ線焦点３が形成される。その焦点３から彎曲
分光結晶４に発散Ｘ線５を入射させてあるから、
ターゲツト２が例えば銅であるとすると銅の特性
Ｘ線Ka１が点６に焦点を結んで、他の特性Ｘ線
例えばKa２は他の点７に焦点を結ぶ。従つて点
６の位置にスリツト８を配置して、その背後に例
えば矩形板状に切断された水晶等の試料９を設置
すると、点６から完全な単一波長の発散Ｘ線１０
が上記試料９に入射する。このＸ線１０は上述の
ように発散Ｘ線であるために、種々の入射角をも
つて試料９に入射するから、その入射Ｘ線のうち
試料の結晶格子面に対してブラツグの回折条件を
満足するものだけに回折を生ずる。上述のような
回折Ｘ線１１が投射される方向に例えばシンチレ
ーシヨン計数管のようなＸ線検出器１２を設け
て、この検出器の前面に配置したスリツト１３を
マイクロメータのような微動装置１４に取付け
て、例えばパルスモータ１５で駆動するようにし
てある。すなわちスリツト１３は矢印ａのように
Ｘ線とほぼ直角な方向へ移動するもので、第２図
にこの部分のＡ―Ａ矢視図を示してある。また試
料９は自動交換装置１６上に設置されているが、
Ｘ線検出器１２の出力を処理する電子計算機によ
つて上記試料交換装置１６およびパルスモータ１
５等を制御するようにしてある。
上述の装置において、第３図は第１図における
試料９の部分を拡大した図で、矢印で示したよう
にＸ線１０1と１０2とで挾まれる発散Ｘ線１０が
試料９に入射するものとすると、その入射角はＸ
線の入射位置に応じてαからβまで変化する。従
つて試料９が実線９1で示したような結晶格子面
を有するものとすると、この格子面に対してブラ
ツグの回折条件を満足するＸ線１０3のみが１
０′3のように試料面で回折して、他の入射Ｘ線１
０1，１０2，１０4等は回折することなく、その
大部分が試料に吸収される。また試料６が破線９
２で示したような結晶格子面を有するものとする
と、このような試料に対しては例えばＸ線１０4
がブラツグの回折条件を満足して１０′4のように
回折する。スリツト１３は上述のような回折Ｘ線
１０′3あるいは１０′4等に対してほぼ直角な方向
へ矢印αのように駆動される。かつその移動量は
前記パルスモータ１５に加えるパルス数によつて
精密に制御される。従つて試料９の交換毎にスリ
ツト１３を移動してＸ線検出器１２に出力を生ず
る位置を探索することにより、回折を生じたＸ線
１０3あるいは１０4等の位置がわかる。このよう
にして回折を生じたＸ線の入射位置を知ることに
より、試料の表面、すなわち切断面と結晶格子面
９1あるいは９2等との間の角度が判明するから、
これによつて切断面の良否検査を行うことができ
る。
試料９の部分を拡大した図で、矢印で示したよう
にＸ線１０1と１０2とで挾まれる発散Ｘ線１０が
試料９に入射するものとすると、その入射角はＸ
線の入射位置に応じてαからβまで変化する。従
つて試料９が実線９1で示したような結晶格子面
を有するものとすると、この格子面に対してブラ
ツグの回折条件を満足するＸ線１０3のみが１
０′3のように試料面で回折して、他の入射Ｘ線１
０1，１０2，１０4等は回折することなく、その
大部分が試料に吸収される。また試料６が破線９
２で示したような結晶格子面を有するものとする
と、このような試料に対しては例えばＸ線１０4
がブラツグの回折条件を満足して１０′4のように
回折する。スリツト１３は上述のような回折Ｘ線
１０′3あるいは１０′4等に対してほぼ直角な方向
へ矢印αのように駆動される。かつその移動量は
前記パルスモータ１５に加えるパルス数によつて
精密に制御される。従つて試料９の交換毎にスリ
ツト１３を移動してＸ線検出器１２に出力を生ず
る位置を探索することにより、回折を生じたＸ線
１０3あるいは１０4等の位置がわかる。このよう
にして回折を生じたＸ線の入射位置を知ることに
より、試料の表面、すなわち切断面と結晶格子面
９1あるいは９2等との間の角度が判明するから、
これによつて切断面の良否検査を行うことができ
る。
なお上述の実施例はＸ線検出器１２の前面にス
リツト１３を設けて、そのスリツトの位置を移動
させることにより、回折Ｘ線の位置を測定したも
のである。しかし上記Ｘ線検出器として入射位置
検出形のＸ線検出器を用いるときはスリツト１３
のような機械的可動部を全く必要とすることなく
切断面の検査を行うことができる。また第１図に
示したように分光結晶４を用いると試料９に正確
に単一波長の発散Ｘ線のみが入射するから精密な
測定を行うことができる。しかし高精度を必要と
しない場合は、上記分光結晶の焦点６の位置にＸ
線管のターゲツト２における焦点３を配置するこ
とにより、装置を簡単に構成し得る。
リツト１３を設けて、そのスリツトの位置を移動
させることにより、回折Ｘ線の位置を測定したも
のである。しかし上記Ｘ線検出器として入射位置
検出形のＸ線検出器を用いるときはスリツト１３
のような機械的可動部を全く必要とすることなく
切断面の検査を行うことができる。また第１図に
示したように分光結晶４を用いると試料９に正確
に単一波長の発散Ｘ線のみが入射するから精密な
測定を行うことができる。しかし高精度を必要と
しない場合は、上記分光結晶の焦点６の位置にＸ
線管のターゲツト２における焦点３を配置するこ
とにより、装置を簡単に構成し得る。
以上実施例について説明したように本発明の装
置は試料およびこれに入射するＸ線を何れも固定
した状態で検査を行い得るから、装置の特に機械
的構成を簡単にしてこれを小型軽量にすることが
できる。
置は試料およびこれに入射するＸ線を何れも固定
した状態で検査を行い得るから、装置の特に機械
的構成を簡単にしてこれを小型軽量にすることが
できる。
第１図は本発明実施例の構成を示した図、第２
図は第１図におけるＡ―Ａ矢視図、第３図は本発
明の原理を説明した図である。なお図において、
１はＸ線管、４は彎曲分光結晶、８はスリツト、
９は試料、１２はＸ線検出器、１３はスリツト、
１４は微動装置、１５はパルスモータである。
図は第１図におけるＡ―Ａ矢視図、第３図は本発
明の原理を説明した図である。なお図において、
１はＸ線管、４は彎曲分光結晶、８はスリツト、
９は試料、１２はＸ線検出器、１３はスリツト、
１４は微動装置、１５はパルスモータである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 試料の切断面に発散Ｘ線を入射させるＸ線源
と、上記切断面で回折したＸ線を検出するＸ線検
出器と、上記Ｘ線検出器における回折Ｘ線の入射
位置を検出する手段とよりなることを特徴とする
単結晶体の切断面検査装置。 ２ 回折Ｘ線の入射位置を検出する手段がＸ線検
出器の前面において入射Ｘ線とほぼ直角な方向へ
移動するスリツトである特許請求の範囲第１項の
単結晶体の切断面検査装置。 ３ Ｘ線検出器並びに回折Ｘ線の入射位置を検出
する手段として入射位置検出形のＸ線検出器を用
いた特許請求の範囲第１項の単結晶体の切断面検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125961A JPS5828655A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 単結晶体の切断面検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125961A JPS5828655A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 単結晶体の切断面検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5828655A JPS5828655A (ja) | 1983-02-19 |
| JPS6326333B2 true JPS6326333B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=14923256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56125961A Granted JPS5828655A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 単結晶体の切断面検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828655A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL194811C (nl) * | 1986-01-16 | 2003-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | Servoschakeling. |
| US5619548A (en) * | 1995-08-11 | 1997-04-08 | Oryx Instruments And Materials Corp. | X-ray thickness gauge |
-
1981
- 1981-08-13 JP JP56125961A patent/JPS5828655A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5828655A (ja) | 1983-02-19 |
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