JPS63266066A - 合金タ−ゲツト及びその製造法 - Google Patents
合金タ−ゲツト及びその製造法Info
- Publication number
- JPS63266066A JPS63266066A JP10001287A JP10001287A JPS63266066A JP S63266066 A JPS63266066 A JP S63266066A JP 10001287 A JP10001287 A JP 10001287A JP 10001287 A JP10001287 A JP 10001287A JP S63266066 A JPS63266066 A JP S63266066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- target
- composition
- sputtering
- alloy target
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はスパタリングによる合金薄膜の形成に用いるス
パタリング用の合金ターゲラ１〜及びその製造法に関す
る。さらに詳しくは、スパタリング後に形成された膜の
組成分布が一様となるように調整されたスパタリング用
合金ターゲット及びその製造法に関する。
パタリング用の合金ターゲラ１〜及びその製造法に関す
る。さらに詳しくは、スパタリング後に形成された膜の
組成分布が一様となるように調整されたスパタリング用
合金ターゲット及びその製造法に関する。
〈従来の技術〉
合金の薄膜を１ｑるための手段として、合金のターゲッ
トをスパタリングする方法が用いられている。かかる２
種以上の金属および／必るいは合金からなるターゲット
の製法としては、通常これらの金属を溶融成型するか、
あるいはこれらの金属および／あるいは合金粉末を成型
、加熱焼結して作る方法がよく知られている。スパタリ
ング法によれば一般にはターゲットの合金組成と同じ組
成の膜が形成されるが、ある特定の金属元素からなる組
合せについては必ずしも正しくない。たとえば、高密度
の記録材料として最近、脚光を必ひているものに光磁気
記録媒体があるが、この記録層として用いられている丁
す、 Ｃｄ、 Ｎｄといった希土類とＦｅ、Ｇｏなどの
遷移金属の合金膜の場合、これらの金属からなる均一な
合金ターゲットを用いた場合でも、できた膜は基板の中
央と周辺部で組成が異ることが指摘されている。
トをスパタリングする方法が用いられている。かかる２
種以上の金属および／必るいは合金からなるターゲット
の製法としては、通常これらの金属を溶融成型するか、
あるいはこれらの金属および／あるいは合金粉末を成型
、加熱焼結して作る方法がよく知られている。スパタリ
ング法によれば一般にはターゲットの合金組成と同じ組
成の膜が形成されるが、ある特定の金属元素からなる組
合せについては必ずしも正しくない。たとえば、高密度
の記録材料として最近、脚光を必ひているものに光磁気
記録媒体があるが、この記録層として用いられている丁
す、 Ｃｄ、 Ｎｄといった希土類とＦｅ、Ｇｏなどの
遷移金属の合金膜の場合、これらの金属からなる均一な
合金ターゲットを用いた場合でも、できた膜は基板の中
央と周辺部で組成が異ることが指摘されている。
さらにこれらの合金ターゲットがたとえ同一組成であっ
ても製法によって膜の組成分布が異ることも指摘されて
いる（第３４回応用物理学関係連合講演会、 ２８ａ−
ＺＨ−ＩＬ ２８ｐ−７８−１，２８ｐ−ＺＨ−２）。
ても製法によって膜の組成分布が異ることも指摘されて
いる（第３４回応用物理学関係連合講演会、 ２８ａ−
ＺＨ−ＩＬ ２８ｐ−７８−１，２８ｐ−ＺＨ−２）。
〈発明の目的〉
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、スパタリン
グ法によって形成された被膜の組成分布が一様になるよ
うな合金ターゲット及びそのｖＪ造方法を捉供するもの
である。
グ法によって形成された被膜の組成分布が一様になるよ
うな合金ターゲット及びそのｖＪ造方法を捉供するもの
である。
〈発明の＋を成９作用〉
上述の目的は以下の本発明によって達成される。
すなわち、本発明は２種以上の金属からなるスパタリン
グ用の合金ターゲットにおいて、合金組成が所定の面分
布を有することを特徴とする合金ターゲットを第１発明
とし、この第１発明の合金ターゲットの製造法において
、２種以上の金属および／または合金粉末を型内で所定
の組成分布となるように加圧成型し、所定形状にしたの
ち加熱焼結することを特徴とする合金ターゲットの製造
法を第２発明とするものである。
グ用の合金ターゲットにおいて、合金組成が所定の面分
布を有することを特徴とする合金ターゲットを第１発明
とし、この第１発明の合金ターゲットの製造法において
、２種以上の金属および／または合金粉末を型内で所定
の組成分布となるように加圧成型し、所定形状にしたの
ち加熱焼結することを特徴とする合金ターゲットの製造
法を第２発明とするものである。
以下本発明の詳細をＴＩ）２５Ｆｅ７５の膜組成を１ｑ
る場合を例として説明する。
る場合を例として説明する。
ＴｂとＦｅを溶解して固めたインボッ１〜をｌｌ：５）
砕して得た金属間化合物粉末とＦｅの粉末を混合して型
内で成型する。
砕して得た金属間化合物粉末とＦｅの粉末を混合して型
内で成型する。
６インチφのターゲットを成型する場合、中央部ｔｉｔ
膜組成と同じ丁ｂ２５Ｆｅ７５粉末のみとし、周辺にい
くに従ってＦｅ粉末の足を増し、最外周部では約５ｗｔ
％の「ｅ粉末を混合する。このようにして得られた粉末
の集合体を加圧成型し、焼結してスパタリング用ターゲ
ットとする。
膜組成と同じ丁ｂ２５Ｆｅ７５粉末のみとし、周辺にい
くに従ってＦｅ粉末の足を増し、最外周部では約５ｗｔ
％の「ｅ粉末を混合する。このようにして得られた粉末
の集合体を加圧成型し、焼結してスパタリング用ターゲ
ットとする。
金属または合金の粉末の製造法としては機械的粉砕法、
物理化学的方法など通常一般の方法が利用できる。粒度
および粒度分布、二種以上の粉末の混合法、成型法、焼
結法などは通常粉末冶金法として知られているものなら
何でも使用できる。
物理化学的方法など通常一般の方法が利用できる。粒度
および粒度分布、二種以上の粉末の混合法、成型法、焼
結法などは通常粉末冶金法として知られているものなら
何でも使用できる。
ターゲットの組成分布は上述の丁ｂ２５Ｆｅ７．の例で
は６インチφのターゲットに対して中央部に対し周辺部
で［ｅを５ｗｔ％増加にしたが、この組成分布は所望の
組成の模を得るための装置条件、スパタリング条件によ
って決定覆る必要がある。すなわち同一のターゲラ］・
を用いても、装置条件、スパタリング条件によって得ら
れた膜の組成分布は異るため、ターゲットの組成分布も
これらの条件を勘案して決める必要がある。
は６インチφのターゲットに対して中央部に対し周辺部
で［ｅを５ｗｔ％増加にしたが、この組成分布は所望の
組成の模を得るための装置条件、スパタリング条件によ
って決定覆る必要がある。すなわち同一のターゲラ］・
を用いても、装置条件、スパタリング条件によって得ら
れた膜の組成分布は異るため、ターゲットの組成分布も
これらの条件を勘案して決める必要がある。
〈発明の効果〉
スパタリング粒子に角度分布依存性などがおり、ターゲ
ラ１〜組成と同一の組成分イ５が得られないような合金
組成の膜を得たいような場合において、特別の条件変更
あるいは装置上の変更を加えることなしに、組成分布の
一様な被膜を得ることができる。
ラ１〜組成と同一の組成分イ５が得られないような合金
組成の膜を得たいような場合において、特別の条件変更
あるいは装置上の変更を加えることなしに、組成分布の
一様な被膜を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２種以上の金属からなるスパタリング用の合金ター
ゲットにおいて、合金組成が所定の面分布を有すること
を特徴とする合金ターゲット。 ２、合金組成が所定の面分布を有するスパタリング用の
合金ターゲットの製造法において、２種以上の金属およ
び／または合金粉末を型内で所定の組成分布となるよう
に加圧成形し、所定形状にしたのち加熱焼結することを
特徴とする合金ターゲットの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10001287A JPS63266066A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 合金タ−ゲツト及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10001287A JPS63266066A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 合金タ−ゲツト及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266066A true JPS63266066A (ja) | 1988-11-02 |
Family
ID=14262645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10001287A Pending JPS63266066A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 合金タ−ゲツト及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63266066A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118661A (en) * | 1989-11-21 | 1992-06-02 | Nec Corporation | Sputtering target for use in fabricating integrated circuit device |
| CN113308672A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-08-27 | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 | ZnSn合金靶材及其制备方法 |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP10001287A patent/JPS63266066A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118661A (en) * | 1989-11-21 | 1992-06-02 | Nec Corporation | Sputtering target for use in fabricating integrated circuit device |
| CN113308672A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-08-27 | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 | ZnSn合金靶材及其制备方法 |
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