JPS63266825A - 有機物除去方法

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕不発明は有機物除去方法に係り、特に基体に損傷がなく
、Ｍ機物除去レートの大きい有機物除去方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の方法は、特公昭５８−１５９３９号に記載のよう
に、紫外線ランプの放射エネルギーを利用して基体全加
熱し、有機ホトレジストのような有機物を除去していた
。又、温度は２５０Ｃ付近を使用していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来の技術は紫外扉ランプによって加熱しているた
め、９００ワツトのような人形のランプを使用し、太′
亀力消費となっていた。又、基体温度’１２５０ｃ付近
まで上昇させていたことから、例えば有機ホトレジスト
全除去する場合などは、該レジスト中のナトリウムが基
体に拡散し、悪影響を与えることかめる。

このように従来技術では、上述の点に配慮されておらず
、したがって本発明は、こｎらの点を解決した有機物除
去方法を従供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

ランプは、１８０〜３００ｎｍの紫外線を有効に照射す
るために低圧水銀蒸気放電灯を使用し。

基体の加熱には、基体ホルダーに設置したヒータにより
加熱することとする。この場合、紫外線照度は基体表面
で５０ｍｗ／ｃｍ２以上とする。又。

基体温度は１００〜２００１：’の範囲とする。これに
より前述の目的が達せられる。

〔作用〕

ランプは基体表面に１８５ｎｍ、１９４ｎｍ。

２５４ｎｍの波長を含んだ紫外線全照射し、ヒータは基
体を１００〜２００Ｃに加熱するように動作する。

即ち、加熱は、それに適した方法（本発明ではホルダー
に設けられたヒータによる加熱）により行ない、紫外線
ランプによる非合理的な加熱をさける作用をしている。

〔実施例〕

ランプとしては１４０ワツトの低圧水銀ランプとし、ラ
ンプ電流：ＩＡ、封入ガス：　Ｎ　ｅ　−Ａ　ｒ混合ガ
スとした。

ヒータはホルダー内に埋め込み、３００ワツトとした。

オゾン濃度は５体積チとした。

ランプと基体との距離を１關とし、基体表面の紫外線照
度を６０ｍＷ／ｃｍ２とした。又、基体温度は２００Ｃ
とした。

基体としては、シリコンウェーハの上に有機ホトレジス
トを１００００人の厚さで塗布したものを用いた。

この結果、消費電力としては５００ワツト弱となシ、又
、該レジストを１．３分で除去した。ナトリウムの基体
への拡散は軽微でるり、実用止金く問題がなかった。

オゾン濃度が低い場会、又紫外線照度が低い場会にはレ
ジスト除去時間が長くなり、実用に供せない。又、基体
温度が商いと該レジスト中のナトリウム等の拡散が大き
くなり性能歩留がおちる。

〔発明の効果〕

本発明によれば消費電力を小さくでき、かつ、ナトリウ
ム等の拡散という現象を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法による一実施例を示す図である。１・・・紫外線ランプ、２・・・ノズル、３・・・オゾ
ンヲ含む酸素ガス、４・・・基体、５・・・ホルダー兼
ヒータ。第　１　口、９外−泉ランフ゛２　ノスル３　　オン′シ襲奢と一如え電力゛、べ、４基体５　よＪＬｙ兼ヒータ

【特許請求の範囲】