JPS63274665A - 多結晶質セラミックス - Google Patents
多結晶質セラミックスInfo
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- JPS63274665A JPS63274665A JP62108468A JP10846887A JPS63274665A JP S63274665 A JPS63274665 A JP S63274665A JP 62108468 A JP62108468 A JP 62108468A JP 10846887 A JP10846887 A JP 10846887A JP S63274665 A JPS63274665 A JP S63274665A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
セラミックスは一般に、金属材料より高硬度で、耐食性
、耐摩耗性に優れているが、常温ではり性交形を示さす
脆性である。このため、金属材料と比較すると機械部品
や構造材料としての用途では制約が大きく、工具材やＩ
Ｃ基板等の極めて限られたものを用いられているに過ぎ
ない。
、耐摩耗性に優れているが、常温ではり性交形を示さす
脆性である。このため、金属材料と比較すると機械部品
や構造材料としての用途では制約が大きく、工具材やＩ
Ｃ基板等の極めて限られたものを用いられているに過ぎ
ない。
本発明は従来のセラミックス材料の欠点であった、ごく
わずかの変形によって破壊してしまうという脆性を著し
く改良し、常温においても塑性変形性を有する新たな多
結晶質セラミックス材料に関するものである。
わずかの変形によって破壊してしまうという脆性を著し
く改良し、常温においても塑性変形性を有する新たな多
結晶質セラミックス材料に関するものである。
本発明によるセラミックスは、単体として耐熱性、耐食
性、耐酸化性が要求される各種の機械部品や容器、金型
、シール材料として用いられているのみならず、他の材
料の表面にコーティングして同様な用途に用いることも
できる。特に相手材料と密接させて用いる必要がある機
械部品、シール材料等では機械的な変形に対して破壊し
難い特徴を有するため好適である。
性、耐酸化性が要求される各種の機械部品や容器、金型
、シール材料として用いられているのみならず、他の材
料の表面にコーティングして同様な用途に用いることも
できる。特に相手材料と密接させて用いる必要がある機
械部品、シール材料等では機械的な変形に対して破壊し
難い特徴を有するため好適である。
従来のセラミックス材料の中で、耐食性や耐酸化性等の
特性を有しながら、かつ低硬度の材料として代表的なも
のは六方晶ＢＮである。六方晶ＢＮは黒鉛と同様の層状
構造を有し、固体潤滑材としても用いられている。しか
し、六方晶ＢＮは機械部品として用いるにはあまりに低
硬度（Ｈｖ１００以下、）である。その他の低硬度のセ
ラミックスとしては、硫化物、Ｓｅ化合物等があるが、
これ等は耐食性、耐酸化性の点で劣っている。
特性を有しながら、かつ低硬度の材料として代表的なも
のは六方晶ＢＮである。六方晶ＢＮは黒鉛と同様の層状
構造を有し、固体潤滑材としても用いられている。しか
し、六方晶ＢＮは機械部品として用いるにはあまりに低
硬度（Ｈｖ１００以下、）である。その他の低硬度のセ
ラミックスとしては、硫化物、Ｓｅ化合物等があるが、
これ等は耐食性、耐酸化性の点で劣っている。
本発明のＴｉ−５ｉＣ＝からなる多結晶質セラミックス
は、鋼に匹敵する硬度を有し、かつ耐食性や耐酸化性に
優れたセラミックスの特徴を有する。
は、鋼に匹敵する硬度を有し、かつ耐食性や耐酸化性に
優れたセラミックスの特徴を有する。
このＴｉａＳＩＣｚについては、既にＪｅｉｔｓｃｈｋ
ｏとＮｏｗｏｔｎｙ（１１，Ｊｅｉｔｓｃｈｋｏ ａｎ
ｄ Ｈ，Ｎｏｗｏｔｎｙ 、 Ｍｈ、Ｃｈｅｍ 、 ９
８ 。
ｏとＮｏｗｏｔｎｙ（１１，Ｊｅｉｔｓｃｈｋｏ ａｎ
ｄ Ｈ，Ｎｏｗｏｔｎｙ 、 Ｍｈ、Ｃｈｅｍ 、 ９
８ 。
３２９ （１９６７）やＮ１ｃｋｌ１等（Ｊ、Ｊ Ｎ
１ｃｋｊ！、 Ｋ、に、 Ｓｃｈｗｅｉｔｇｅｒａｎｄ
Ｐ、Ｌｕｘｅｎｂｕｒｇ Ｊ、Ｌｅｓｓ −Ｃｏｍｍ
ｏｎ １４ｅｔａｌｓ、 ２６゜３３５ （１９７２
）によって数１０μｍの小さな単結晶が合成されている
。
１ｃｋｊ！、 Ｋ、に、 Ｓｃｈｗｅｉｔｇｅｒａｎｄ
Ｐ、Ｌｕｘｅｎｂｕｒｇ Ｊ、Ｌｅｓｓ −Ｃｏｍｍ
ｏｎ １４ｅｔａｌｓ、 ２６゜３３５ （１９７２
）によって数１０μｍの小さな単結晶が合成されている
。
しかし、現在まで実質的にＴｌ５Ｓ＋Ｃ２相のみからな
る多結晶質セラミックス合成された事が無く、特性も充
分測定されていなかった。
る多結晶質セラミックス合成された事が無く、特性も充
分測定されていなかった。
本発明は従来のセラミックス材料の脆性を著しく改善し
、セラミックスの特徴である耐食性、耐酸化性等の特徴
を有する材料を提供せんとするものである。
、セラミックスの特徴である耐食性、耐酸化性等の特徴
を有する材料を提供せんとするものである。
また機械部品として用いるためには微細な単結晶ではな
く、一定の大きさを持つ多結晶質の材料を製造する事が
可能とならねばならない。
く、一定の大きさを持つ多結晶質の材料を製造する事が
可能とならねばならない。
本発明者等は、ＣＶＤ法によって５ｉＣ−ＴｉＣ複合セ
ラミックスを合成する研究を行なって来た。
ラミックスを合成する研究を行なって来た。
ＣＶＤ法では反応炉内圧力を１〜７６０Ｔｏｒｒに保持
して、Ｔｉの塩化物 （Ｔｉｃｉ、等） 、Ｓｉのハロ
ゲン化物（Ｓ＋Ｃｊ！＜、５ＡＰ４等）水素化物（Ｓｉ
ｎ、等）、ハロゲン化水素化物（ＳｉＨＣｌｓ、 ５ｉ
ＨＢｒｓ等）、およびハロゲン化水素化物（Ｓｉ（Ｃ１
ｌｓ）−１ＣＨｓＳｉＣｊ！−等）のうちの１種以上と
炭素のハロゲン化物（ＣＣｊ！ｎ）、水素化物（ＣＨ，
、Ｃ２Ｌ、 ＣＩ 、等）およびハロゲン化水素化物（
ＣＨ，ｃｌ、 Ｃ１，Ｐ等）のうち１種以上と、水素か
らなる反応ガス、あるいはＴ１塩化物と、Ｓｉのハロゲ
ン化炭水化物と、水素からなる反応ガスを導入し、１０
００〜１７００℃に加熱された基体上に５ｉ−Ｔｉ−Ｃ
系の各種の化合物もしくはそれ等の混合物を合成する事
ができる。それ等の化合物はＴｉＣ，５ｉＣＴｉｓｉｚ
、Ｔｉ５ＳｉＣｚ等である。
して、Ｔｉの塩化物 （Ｔｉｃｉ、等） 、Ｓｉのハロ
ゲン化物（Ｓ＋Ｃｊ！＜、５ＡＰ４等）水素化物（Ｓｉ
ｎ、等）、ハロゲン化水素化物（ＳｉＨＣｌｓ、 ５ｉ
ＨＢｒｓ等）、およびハロゲン化水素化物（Ｓｉ（Ｃ１
ｌｓ）−１ＣＨｓＳｉＣｊ！−等）のうちの１種以上と
炭素のハロゲン化物（ＣＣｊ！ｎ）、水素化物（ＣＨ，
、Ｃ２Ｌ、 ＣＩ 、等）およびハロゲン化水素化物（
ＣＨ，ｃｌ、 Ｃ１，Ｐ等）のうち１種以上と、水素か
らなる反応ガス、あるいはＴ１塩化物と、Ｓｉのハロゲ
ン化炭水化物と、水素からなる反応ガスを導入し、１０
００〜１７００℃に加熱された基体上に５ｉ−Ｔｉ−Ｃ
系の各種の化合物もしくはそれ等の混合物を合成する事
ができる。それ等の化合物はＴｉＣ，５ｉＣＴｉｓｉｚ
、Ｔｉ５ＳｉＣｚ等である。
合成条件に応じて種々の共析出物からなる複合体セラミ
ックス、例えはＴｉＣ＋ Ｔｉ３ＳｉＣ＊ 、 ＳｉＣ
＋ Ｔｉ５ＳｉＣａ。
ックス、例えはＴｉＣ＋ Ｔｉ３ＳｉＣ＊ 、 ＳｉＣ
＋ Ｔｉ５ＳｉＣａ。
ＳｉＣ＋ Ｔｉ５ｉｚが得られる。
発明者等は合成条件を種々変えて検討した結果、本発明
のＴｉ＝ＳｉＣｚ単相からなる多結晶質のセラミックス
が得られる事を見出した。またこのセラミックスの硬度
はＴｉＣやＳｉＣもしくはこれ等の混合物または更にＴ
ｉ５ｉｓやＴ＋ｓＳ＋Ｃ２とＴｉＣ、ＳｉＣを含む混合
相からなるものが高い硬度を有するのに比較して、著し
く低硬度で常温下でも塑性変形性を有する事を確認した
。
のＴｉ＝ＳｉＣｚ単相からなる多結晶質のセラミックス
が得られる事を見出した。またこのセラミックスの硬度
はＴｉＣやＳｉＣもしくはこれ等の混合物または更にＴ
ｉ５ｉｓやＴ＋ｓＳ＋Ｃ２とＴｉＣ、ＳｉＣを含む混合
相からなるものが高い硬度を有するのに比較して、著し
く低硬度で常温下でも塑性変形性を有する事を確認した
。
実質的に単相のＴｉ−５ｉＣ−からなる多結晶体を得る
には、ＣＶＤ合或条件を適切な範囲に選択する事が必須
である。以下実施例により説明する。
には、ＣＶＤ合或条件を適切な範囲に選択する事が必須
である。以下実施例により説明する。
実施例１
原料ガスとして、５ｉ（Ｊｎ、ＴｉＣ１＜、 ＣＣ１ａ
、及びＨ。
、及びＨ。
ガスを用いた。基体としては黒鉛を用い、反応温度を１
２００〜１６００℃に変化させ、Ｈ，ガス及び［Ｃ１４
の流量を各々１８００及び１７．５ｃｊ ／ ｗｉｎに
保ち、Ｓ＋ＣＣ／ （Ｓ＋ ｃｊｉ！ ４ ＋ ＴｉＣ
１−）比を０〜１の範囲で変えて実験した。炉内ガス全
圧力は３００Ｔｏｒｒ一定とした。
２００〜１６００℃に変化させ、Ｈ，ガス及び［Ｃ１４
の流量を各々１８００及び１７．５ｃｊ ／ ｗｉｎに
保ち、Ｓ＋ＣＣ／ （Ｓ＋ ｃｊｉ！ ４ ＋ ＴｉＣ
１−）比を０〜１の範囲で変えて実験した。炉内ガス全
圧力は３００Ｔｏｒｒ一定とした。
合成時間は２時間である。
黒鉛基体上に合成されたＳｉ −Ｔｉ −Ｃ系の化合物
をＸ線回析により同定した結果を図１に示した。
をＸ線回析により同定した結果を図１に示した。
本実験条件下では、図の斜線部の基体温度及びＳｉＣ１
ａ ／ （Ｓ＋ＣＩ！ａ ＋ Ｔ＋Ｃ１ａ＞比の範囲
でのみＴｉ−５ｉＣ−単相からなる多結晶体が得られた
。基体温度１３００℃５ＩＣ１ｓ ／ （ＳｉＣｊ！
ａ ＋ ＴｉＣ１ａ） ＝ ０．４２で得られた多結
晶体のサイズは６０ａｌＸ ４０ｍ５Ｘ ０１４１であ
った。
ａ ／ （Ｓ＋ＣＩ！ａ ＋ Ｔ＋Ｃ１ａ＞比の範囲
でのみＴｉ−５ｉＣ−単相からなる多結晶体が得られた
。基体温度１３００℃５ＩＣ１ｓ ／ （ＳｉＣｊ！
ａ ＋ ＴｉＣ１ａ） ＝ ０．４２で得られた多結
晶体のサイズは６０ａｌＸ ４０ｍ５Ｘ ０１４１であ
った。
またＸ線回析による格子定数は
ａ＝３．０６４ 人、 Ｃ＝１７．６５０人の六
方晶化合物であった。アルキメデス法による密度は４．
５３ｇ／ ｃａｔである。なお、Ｘ線回折強度比からこ
の多結晶体はＣ軸が基体に平行に生成しており、（１１
０面）に強い配向性を示すことが明らかにｔｌっだ。上
記した多結晶体の硬度をビッカース硬度計で荷重５００
ｇで測定した結果ＨＶ ＝ ６００ｋｇ／ｌｌ１ｍ２と
大変柔らかい多結晶体である。
方晶化合物であった。アルキメデス法による密度は４．
５３ｇ／ ｃａｔである。なお、Ｘ線回折強度比からこ
の多結晶体はＣ軸が基体に平行に生成しており、（１１
０面）に強い配向性を示すことが明らかにｔｌっだ。上
記した多結晶体の硬度をビッカース硬度計で荷重５００
ｇで測定した結果ＨＶ ＝ ６００ｋｇ／ｌｌ１ｍ２と
大変柔らかい多結晶体である。
また、ビッカース圧痕の周辺には多数のすべり線が観察
され、この多結晶体が優れた塑性変形性を有する事が判
明した。
され、この多結晶体が優れた塑性変形性を有する事が判
明した。
実施例２
ホットプレスにより製造した５ＩＪ４ ａ！Ｉの先端半
径５１１ＩＩｌのビンを基体として用い、実施例１と同
様の原料ガスを用い、全ガス圧１００Ｔｏｒｒ 、基体
、＠度１２５０℃ Ｓｉ Ｃ１ａ ／ （Ｓｉ Ｃ１ａ
＋ Ｔ＋ｃ１ａ） ＝ ０．３ で３０分間処理し
た。尚、Ｃｃｌ＜／Ｈｚの流量比は０．０１とした。
径５１１ＩＩｌのビンを基体として用い、実施例１と同
様の原料ガスを用い、全ガス圧１００Ｔｏｒｒ 、基体
、＠度１２５０℃ Ｓｉ Ｃ１ａ ／ （Ｓｉ Ｃ１ａ
＋ Ｔ＋ｃ１ａ） ＝ ０．３ で３０分間処理し
た。尚、Ｃｃｌ＜／Ｈｚの流量比は０．０１とした。
Ｓｉ、Ｎ、ビン上に膜厚２０μｍのＴｉ、５ｉｃｊ’−
単相からなるコーティング層が得られた。
単相からなるコーティング層が得られた。
比較の為にＣｃｌｌａ／Ｈｘの流量比を０．０５とし、
他は同一の条件でコーティング層を形成させた。この場
合の膜はＸ線回折の結果ＳｉＣとＴｉＣの混合物からな
る事が判った。
他は同一の条件でコーティング層を形成させた。この場
合の膜はＸ線回折の結果ＳｉＣとＴｉＣの混合物からな
る事が判った。
両者ニラいてビッカース硬度を測定したところ、本発明
のＴｉ３ＳｉＣｚからなる膜テハ７ｏｏｋｇ／ｌｌｌｌ
１１２テ、比較材は３．０００ｋｇ／ ｌｌ１ｔｓ２と
極めて高い値を示した。
のＴｉ３ＳｉＣｚからなる膜テハ７ｏｏｋｇ／ｌｌｌｌ
１１２テ、比較材は３．０００ｋｇ／ ｌｌ１ｔｓ２と
極めて高い値を示した。
ＭＩＪｓ’Ａの円板を周速５０ｏ／ ｓｉｎ ’？’
回ｅｒｒ、 サｆ、荷重１００ｇでコーティングしたビ
ンを円板に押しつけて５分間保持した。本発明のＴ＋ｓ
Ｓ＋ｃ１ｚをコーティングしたＳｉ３Ｎ、ビンでは膜及
びＭ 、０．円板の変化は見られなかった。
回ｅｒｒ、 サｆ、荷重１００ｇでコーティングしたビ
ンを円板に押しつけて５分間保持した。本発明のＴ＋ｓ
Ｓ＋ｃ１ｚをコーティングしたＳｉ３Ｎ、ビンでは膜及
びＭ 、０．円板の変化は見られなかった。
一方比較材は、接触点の膜が剥離しており、またＡ１．
０．円板に条痕が見られた。このことから、特にセラミ
ックス同士が接触して摺動する様な機械部品や、相手材
が焼入れ鋼等の金属である場合のＩ！動部材として本発
明の多結晶質セラミックスを用いると相手材を傷つける
事が無く、また塑性変形性に富むため、不均一な接触圧
が加わった場合に変形によって応力の集中が緩和され、
自体が脆性破壊しないといった優れた特性を有する事が
判る。
０．円板に条痕が見られた。このことから、特にセラミ
ックス同士が接触して摺動する様な機械部品や、相手材
が焼入れ鋼等の金属である場合のＩ！動部材として本発
明の多結晶質セラミックスを用いると相手材を傷つける
事が無く、また塑性変形性に富むため、不均一な接触圧
が加わった場合に変形によって応力の集中が緩和され、
自体が脆性破壊しないといった優れた特性を有する事が
判る。
従来のセラミックスの最大の欠点は、その脆性にある。
機械部品や構造材料としてセラミックスを用いる場合、
必要以上の硬度があるため、加工性が悪く、また摺動材
等として用いると相手材を傷つける事もその用途を制約
するものであった。
必要以上の硬度があるため、加工性が悪く、また摺動材
等として用いると相手材を傷つける事もその用途を制約
するものであった。
本発明のセラミックスは、従来のセラミックスのこの様
な欠点を一挙に解決したもので、優れた塑性変形性を有
し、かつ、硬度が焼入れ鋼と同等であるため相手材を傷
つける事も大巾に軽減されている。更に、高温下でも表
面にＴ＋０． ＳｉＯｔといった安定な酸化膜が形成さ
れる事により、耐熱性や耐酸化性、耐食性、といった金
属材料と比較した場合のセラミックスの特徴を合せ持っ
ている。
な欠点を一挙に解決したもので、優れた塑性変形性を有
し、かつ、硬度が焼入れ鋼と同等であるため相手材を傷
つける事も大巾に軽減されている。更に、高温下でも表
面にＴ＋０． ＳｉＯｔといった安定な酸化膜が形成さ
れる事により、耐熱性や耐酸化性、耐食性、といった金
属材料と比較した場合のセラミックスの特徴を合せ持っ
ている。
上述のように、本発明による多結晶質セラミックスは、
従来のセラミックスでは用いる事が出来なかった機械部
品、耐食性容器、構造材料として広範囲な用途に適した
ものである。
従来のセラミックスでは用いる事が出来なかった機械部
品、耐食性容器、構造材料として広範囲な用途に適した
ものである。
第１図は、Ｘ線回析による生成相と合成条件の関係、い
わゆるＣＶＤ相図を示す。 尚、５ｉｃｊｌ！４／ （ＳｉＣ１４＋ＴｉＣｊ！＜）
は原料ガス流量比を示す。 図１ Ｓ・ Ｓｉ ＋ ’Ｃ手続補
正書 昭和６２年０６月２ぶ日 昭和６２年 特許願 第１０８４６８号２、発明の名称 塑性変形性を有する多結晶質セラミックス３、補正をす
る者 事件との関係 特 許 出 願 人任 所
大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称（２１３）住友電
気工業株式会社社 長 川 上 哲 部 ４、代 理 人 住 所 大阪市此花区島屋１丁目１番３号住友電
気工業株式会社内 （電話０６−４６１−１０３１） 氏 名（７８８１）弁理士 上 代 哲 司゛ご：
５、補正命令の日付 ６、補正の対象 霊曾すすで明細書中、発明の名称の欄及び明細書中、発
明の詳細な説明の欄及び委任状。 ７、補正の内容 「多結晶質セラミックス」と訂正する。 （４＝）明ｍｓ中、第５頁第４〜第５行目、ｒ本発明者
等は、−ｍ−を行って来た。」を削除する。 （’Ｌ）委任状、３通を別紙の通り提出する。
わゆるＣＶＤ相図を示す。 尚、５ｉｃｊｌ！４／ （ＳｉＣ１４＋ＴｉＣｊ！＜）
は原料ガス流量比を示す。 図１ Ｓ・ Ｓｉ ＋ ’Ｃ手続補
正書 昭和６２年０６月２ぶ日 昭和６２年 特許願 第１０８４６８号２、発明の名称 塑性変形性を有する多結晶質セラミックス３、補正をす
る者 事件との関係 特 許 出 願 人任 所
大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称（２１３）住友電
気工業株式会社社 長 川 上 哲 部 ４、代 理 人 住 所 大阪市此花区島屋１丁目１番３号住友電
気工業株式会社内 （電話０６−４６１−１０３１） 氏 名（７８８１）弁理士 上 代 哲 司゛ご：
５、補正命令の日付 ６、補正の対象 霊曾すすで明細書中、発明の名称の欄及び明細書中、発
明の詳細な説明の欄及び委任状。 ７、補正の内容 「多結晶質セラミックス」と訂正する。 （４＝）明ｍｓ中、第５頁第４〜第５行目、ｒ本発明者
等は、−ｍ−を行って来た。」を削除する。 （’Ｌ）委任状、３通を別紙の通り提出する。
Claims (6)
- （１）実質的にＴｉ＿３ＳｉＣ＿２単相から成り、常温
下で塑性変形性を有することを特徴とする多結晶質セラ
ミックス。 - （２）常温下でのビッカース硬度が測定荷重１００ｇ以
上で８００ｋｇ／ｍｍ＾２以下である事を特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の多結晶質セラミックス。 - （３）融点が１０００℃以上の金属、無機化合物もしく
はこれ等の複合体が、炭素からなる基体の表面に被覆さ
れてなる事を特徴とする特許請求の範囲第（１）、（２
）項記載の多結晶質セラミックス。 - （４）Ｔｉの塩化物とＳｉのハロゲン化物、ハロゲン化
水素化物、およびハロゲン化炭水素化物のうち１種以上
と、炭素のハロゲン化物、水素化物、およびハロゲン化
水素化物のうちの１種以上と、からなる反応ガス、ある
いは、Ｔｉの塩化物とＳｉのハロゲン化炭水素化物と、
水素、からなる反応ガスを用いて、ＣＶＤ法によって合
成される事を特徴とする特許請求の範囲第（１）、（２
）、（３）項記載の多結晶質セラミックス。 - （５）歪み方向と直角に結晶のＣ軸方向が選択配向して
いる事を特徴とする特許請求の範囲第（１）、（２）、
（３）、（４）項記載の多結晶質セラミックス。 - （６）原料ガスとしてＳｉＣｌ＿４、ＴｉＣｌ＿４、Ｃ
Ｃｌ＿４及びＨ＿２ガスを用い、合成温度が１２００〜
１４００℃、反応ガス全圧が１〜７６０Ｔｏｒｒで合成
される事を特徴とする特許請求の範囲第（１）、（２）
、（３）、（４）、（５）項記載の多結晶質セラミック
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108468A JPH0772104B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 多結晶質セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108468A JPH0772104B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 多結晶質セラミックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274665A true JPS63274665A (ja) | 1988-11-11 |
| JPH0772104B2 JPH0772104B2 (ja) | 1995-08-02 |
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ID=14485520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62108468A Expired - Fee Related JPH0772104B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 多結晶質セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772104B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6544674B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-04-08 | Boston Microsystems, Inc. | Stable electrical contact for silicon carbide devices |
| CN1120816C (zh) * | 1998-08-19 | 2003-09-10 | 中国科学院金属研究所 | 一种钛碳化硅粉末的制备方法 |
| CN1120817C (zh) * | 1998-10-07 | 2003-09-10 | 中国科学院金属研究所 | 一种原位热压固－液相反应制备钛碳化硅体材料的方法 |
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| US6903313B2 (en) * | 2000-12-21 | 2005-06-07 | Sandvik Ab | Resistance heating element for extreme temperatures |
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|---|---|---|---|---|
| JP6081277B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2017-02-15 | イビデン株式会社 | セラミックス接合体、耐熱部品及びセラミックス接合体の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62108468A patent/JPH0772104B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2003517991A (ja) * | 1999-12-22 | 2003-06-03 | ドレクセル ユニバーシティー | ３１２相材料の製造方法及びその焼結方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0772104B2 (ja) | 1995-08-02 |
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