JPS63292708A - 非線形信号発生回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プリディストーション法を用いて増幅器の非
線形性を補償する非線形補償回路に使用する非線形信号
発生回路に関し、特に非線形素子としてダイオードを用
いた非線形信号発生回路に関する。

（従来の技術） 従来の非線形信号発生回路としては、第６図に示すよう
なものが知られている。

第６図に示した従来例では、非線形素子としてのダイオ
ード１と並列に抵抗２を接続しており、ダイオード１の
バイアスを適切な値に調整することにより、ダイオード
１のインピーダンスのイ直を特性インピーダンス（５０
Ω）にできる限り等しくなるように設定し、入力信号の
反射をできる限り少なくして、線形信号成分を抑圧して
いた。

（発明が解決しようとする問題点） 上述した従来の非線形信号発生回路では、非線形素子と
してのダイオード１が入力信号の周波数に応じて寄生容
量を有するから、第７図のスミス図表に示すように非線
形信号発生回路のアドミッタンスの特性曲線１４ａ　、
　１４ｂ　、　１４ｃが中央より下側、即ち容量リアク
タンス分が大きくなる方向にずれてしまう。

従って、バイアス電流の値を調整したとしても特性曲線
は、曲＊１１ｂに沿って移動し、Ｑ点（特性インピーダ
ンス）から外れるから、特性インピーダンスとの整合が
とれなかった。第６図の従来の回路では、このような理
由から入力信号の一部が反射してしまい、線形信号成分
を充分に抑圧することができなかった。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、入力信
号の反射を小さくし、線形信号成分をできる限り抑圧す
ることのできる非線形信号発生回路を提供することを目
的とする。

（問題点を解決するための手段） 前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、高周波信号を非線形素子に与えて、前記高周波信号の
信号レベルに応じて非線形信号を発生する非線形信号発
生回路であって、前記非線形素子としてダイオードを用
いてあり、該ダイオードに並列にインダクタンス素子を
接続したことを特徴とする。

（実施例） 第１図は本発明の第１実施例を示す回路図、第２図は第
１図に示した第１実施例のアドミッタンスをスミス図表
上に示した特性図である。１は非線形素子としてのダイ
オードであり、ダイオード１に抵抗２が並列に接続され
、この抵抗２に直流阻止用のコンデンサ５ａが直列に接
読されている。

３はインダクタンス素子であり、インダクタンス素子３
と直流阻止用のコンデンサ５ｂとを直列に接続した回路
がダイオード１に並列に接続されている。このインダク
タンス素子３のインダクタンスは、ダイオード１の寄生
容量を打ち消すための適宜の値に選定きれる。４は高周
波信号の入力端子、６はバイアス用の端子である。

次に第２図を参照して第１図に示した実施例の作用を説
明する。

第２図において、１０ａ　、　１０ｂ　、　１０ｃはそ
れぞれ抵抗値が一定である旨を示す円であり、右方向に
向かう程大きな値を示す、　ｌｌａ、　ｌｌｂは容量リ
アクタンス分の値が一定の曲線であり、中央部に位置す
る程小せい値を示す、　１２ａ、　１２ｂは誘導リアク
タンス分の値が一定の曲線であり、中央部に位置する程
小さい値を示す。

入力信号の周波数に相応してダイオード１の寄生容量に
よる影響が大きくなるが、この寄生容量を打ち消すため
のインダクタンス素子３がダイオード１と並列に設けで
あるから、従来の第７図と比較して特性臼’ＩＡ　１３
ａ　、　１３ｂ　、　１３ｃは中央部の方向、即ち容量
リアクタンス分が小となる方向に修正される。

ここで端子６からバイアス電流を与え、該バイアス電流
の値を順次大きくすると、ダイオード１のインダクタン
スが順次減少するから、特性曲線は左の方向、即ち抵抗
が小となる方向に修正きれる。

従って、インダクタンス素子３の値とバイアス電流を適
宜の値に選定することにより、特性曲線をＱ点（特性イ
ンピーダンス）に近づけることができる。

このように特性インピーダンスとの整合が図れると、入
力信号の反射がなくなるから線形信号成分が抑圧される
。

第３図は本発明の第２実施例を示す回路図である。第３
図に示す実施例は、ダイオード１と抵抗２とインダクタ
ンス素子３とを互いに並列に接続したことを特徴とする
。

第４図は本発明の第３実施例を示す回路図である。第４
図に示す実施例は、一対のダイオードｌａ、ｌｂを互い
に逆方向となるように並列に接続した、所謂逆並列の２
個のダイオードを用いたことを特徴とする。

従って、インダクタンス素子３の値は２個のダイオード
ｌａ、ｌｂの寄生容量を打ち消すための適宜の値に選定
される。

第５図は本発明の第４実施例を示した回路図である。第
５図に示す実施例は、ダイオード１ａと。

抵抗２及びコンデンサ５ａの直列回路と、インダクタン
ス素子３及びコンデンサ５ｂの直列回路と、ダイオード
１ｂ及びコンデンサ５ｃの直列回路とを互いに並列に接
続し、端子６からのバイアス電流をダイオードｌｂ、ｌ
ａを通じて流すようにしたことを特徴とする。

ここでインダクタンス素子３の値は２個のダイオードｌ
ａ　、　ｌｂの寄生容量を打ち消すための適宜の値に選
定きれる。

（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、非線形信号発生回
路のインピーダンスを特性インピーダンスの近傍に近づ
けることができ、線形信号成分を充分に抑圧した非線形
信号を出力することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を示す回路図、第２図は第
１図に示した実施例のアドミッタンスをスミス図表上に
示した特性図、第３図は本発明の第２実施例を示す回路
図、第４図は本発明の第３実施例を示す回路図、第５図
は本発明の第４実施例を示す回路図、第６図は従来例を
示した回路図、第７図は第６図に示した従来例のアドミ
ッタンスをスミス図表上に示した特性図である。 １・・・ダイオード、２・・・抵抗、３・・・インダク
タンス素子、４・・・入力端子、５　、５ａ、　５ｂ、
　５ｃ・・・フンデンサ、６・・・バイアス端子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 高周波信号を非線形素子に与えて、前記高周波信号の信
   号レベルに応じて非線形信号を発生する非線形信号発生
   回路において、 前記非線形素子としてダイオードを用いてあり、該ダイ
   オードに並列にインダクタンス素子を接続したことを特
   徴とする非線形信号発生回路。