JPS6347088B2 - - Google Patents
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- JPS6347088B2 JPS6347088B2 JP14261680A JP14261680A JPS6347088B2 JP S6347088 B2 JPS6347088 B2 JP S6347088B2 JP 14261680 A JP14261680 A JP 14261680A JP 14261680 A JP14261680 A JP 14261680A JP S6347088 B2 JPS6347088 B2 JP S6347088B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、封入型リードリレー、リードスイツ
チ等の電気接点に用いるテープ及びその製造方法
に関する。
チ等の電気接点に用いるテープ及びその製造方法
に関する。
従来、1A以下の微小電流領域で使用されてい
た封入型リードリレー、リードスイツチ等が、近
時計器、装置類の小型化に伴ない普通のリレーや
スイツチに代つて、1A以上の中電流領域での使
用が試みられている。
た封入型リードリレー、リードスイツチ等が、近
時計器、装置類の小型化に伴ない普通のリレーや
スイツチに代つて、1A以上の中電流領域での使
用が試みられている。
ところで、これら封入型リードリレー、リード
スイツチ等の電気接点には、従来接触抵抗の安定
性のみ考慮していた為、第1図に示す如くFe−
Niの磁性材料1に第2図に示す如くRhめつきや
Auめつき2を施こし、これを不活性ガス容器3
中に封入して使用されていた。このような従来の
封入型リードリレー、リードスイツチ等4をその
まま中電流領域で使用すると、Auめつき2Rhめ
つきでは接触抵抗は低いが溶着して開閉不能とな
り、満足のいく電気接点材料ではなかつた。その
為、接触抵抗が多少高くともその値が安定してい
て耐溶着性に優れた接点材料が要求されていた。
スイツチ等の電気接点には、従来接触抵抗の安定
性のみ考慮していた為、第1図に示す如くFe−
Niの磁性材料1に第2図に示す如くRhめつきや
Auめつき2を施こし、これを不活性ガス容器3
中に封入して使用されていた。このような従来の
封入型リードリレー、リードスイツチ等4をその
まま中電流領域で使用すると、Auめつき2Rhめ
つきでは接触抵抗は低いが溶着して開閉不能とな
り、満足のいく電気接点材料ではなかつた。その
為、接触抵抗が多少高くともその値が安定してい
て耐溶着性に優れた接点材料が要求されていた。
一方、不活性ガス容器中に封入して使用すると
酸化、硫化等の雰囲気による接点材料の劣化を防
げるので、耐溶着性が特に優れた接点材料を選択
することにより前記要求を満たし得るのではない
かと言う考えから、Moのような耐溶着性の優れ
た材料を接点材料として使用することが検討され
た。然し、Moは加工性に乏しい為、厚さ30μ以
下のテープに加工することが難しい。そのため、
Mo厚テープのまま所定長さに切断してFe−Ni磁
性材料の接触部分にスポツト溶接をし、従来の接
点間隙のまま封入型リードリレー、リードスイツ
チ等の接点材料として使用する場合には、Fe−
Ni磁性材料1の大きさが小さくなり、外部磁場
によりFe−Ni磁性材料1を接触させようとする
と、十分な接触力が得られず、不安定な接触にな
つて使用できないものである。また十分な接触力
を得ようとすると、Fe−Ni磁性材料1の寸法を
大きくしなければならず、封入型リードリレー、
リードスイツチ等の全体寸法も大きくなり、小型
化の為に使用するという目的に応えられなくな
る。
酸化、硫化等の雰囲気による接点材料の劣化を防
げるので、耐溶着性が特に優れた接点材料を選択
することにより前記要求を満たし得るのではない
かと言う考えから、Moのような耐溶着性の優れ
た材料を接点材料として使用することが検討され
た。然し、Moは加工性に乏しい為、厚さ30μ以
下のテープに加工することが難しい。そのため、
Mo厚テープのまま所定長さに切断してFe−Ni磁
性材料の接触部分にスポツト溶接をし、従来の接
点間隙のまま封入型リードリレー、リードスイツ
チ等の接点材料として使用する場合には、Fe−
Ni磁性材料1の大きさが小さくなり、外部磁場
によりFe−Ni磁性材料1を接触させようとする
と、十分な接触力が得られず、不安定な接触にな
つて使用できないものである。また十分な接触力
を得ようとすると、Fe−Ni磁性材料1の寸法を
大きくしなければならず、封入型リードリレー、
リードスイツチ等の全体寸法も大きくなり、小型
化の為に使用するという目的に応えられなくな
る。
本発明はかかる諸事情に鑑みなされたものであ
り、封入型リードリレー、リードスイツチ等を従
来の大きさ以内で中電流領域で使う為に、Moを
基材とする30μ以下の厚さのテープとその製造方
法を提供せんとするものである。
り、封入型リードリレー、リードスイツチ等を従
来の大きさ以内で中電流領域で使う為に、Moを
基材とする30μ以下の厚さのテープとその製造方
法を提供せんとするものである。
本発明の封入型電気接点用テープは、Moのテ
ープの表面にAu、Ag、Cu、Pd、Pt等のいずれ
かとMoとの拡散層が形成され且つ厚さが5乃至
30μになされていることを特徴とするものであ
る。
ープの表面にAu、Ag、Cu、Pd、Pt等のいずれ
かとMoとの拡散層が形成され且つ厚さが5乃至
30μになされていることを特徴とするものであ
る。
またかかる封入型電気接点用テープを作る本発
明の製造方法は、Moに、Au、Ag、Cu、Pd、Pt
等のいずれかを被覆し、非酸化性雰囲気中で高温
加熱して表面にMoとの拡散層を形成し、然る後
圧延加工と非酸化性雰囲気中での熱処理とを繰返
してテープを製造することを特徴とするものであ
る。
明の製造方法は、Moに、Au、Ag、Cu、Pd、Pt
等のいずれかを被覆し、非酸化性雰囲気中で高温
加熱して表面にMoとの拡散層を形成し、然る後
圧延加工と非酸化性雰囲気中での熱処理とを繰返
してテープを製造することを特徴とするものであ
る。
以下本発明の実施例について説明する。
15mm口×50mmのMo圧粉体を製造し、1200℃
の水素雰囲気中で焼結した後、溝ロール加工と
1200℃水素雰囲気中での焼鈍を繰返し、3mm口の
棒になつたところで1200℃水素雰囲気中で焼鈍
し、4.3mmφのダイスから線引加工と1200℃水素
雰囲気中での焼鈍を繰返して第3図aに示す如き
2.3mmφのMo線7にした。
の水素雰囲気中で焼結した後、溝ロール加工と
1200℃水素雰囲気中での焼鈍を繰返し、3mm口の
棒になつたところで1200℃水素雰囲気中で焼鈍
し、4.3mmφのダイスから線引加工と1200℃水素
雰囲気中での焼鈍を繰返して第3図aに示す如き
2.3mmφのMo線7にした。
このように製造した2.3mmφのMo線7を脱脂、
混酸(硝酸+硫酸)処理、水洗した後、第3図b
に示す如くAuめつき8を20μ施し、然る後水素雰
囲気中1000℃で熱処理して第3図cの如くAuを
Mo線7に表面より10μ程度拡散させる。次いで
このAuの拡散層6を有する2.3mmφのMo線7を、
圧延ロールにより圧延加工と水素中1000℃での熱
処理を繰返して第3図dに示す如く0.02mmt×
2.6mmWのテープ5を製造した。
混酸(硝酸+硫酸)処理、水洗した後、第3図b
に示す如くAuめつき8を20μ施し、然る後水素雰
囲気中1000℃で熱処理して第3図cの如くAuを
Mo線7に表面より10μ程度拡散させる。次いで
このAuの拡散層6を有する2.3mmφのMo線7を、
圧延ロールにより圧延加工と水素中1000℃での熱
処理を繰返して第3図dに示す如く0.02mmt×
2.6mmWのテープ5を製造した。
かようにAuめつきを施して拡散処理を行なつ
たMo線7を圧延加工すると、Mo線7の表面に
AuとMoの拡散層6が形成されているので、純
Mo層に比べ加工性に優れ、亀裂が入りにくく、
又小さな亀裂は水素中1000℃での熱処理でAuが
拡散して塞いでしまうので30μ以下の薄いテープ
5を製造できるものである。
たMo線7を圧延加工すると、Mo線7の表面に
AuとMoの拡散層6が形成されているので、純
Mo層に比べ加工性に優れ、亀裂が入りにくく、
又小さな亀裂は水素中1000℃での熱処理でAuが
拡散して塞いでしまうので30μ以下の薄いテープ
5を製造できるものである。
これに対し2.3mmφでAuめつきを施さないMo
線を、圧延ロールによる圧延加工と水素中1200℃
での熱処理を繰返して0.02mmtのMoテープを製
造しようとすると、0.07mmt前後でテープ側面に
大きな割れが入り、熱処理を行なつてもこの割れ
は無くならない為、これ以上圧延しようとすると
圧延中に切断してしまい、30μ以下の薄いMoテ
ープは製造できなかつた。
線を、圧延ロールによる圧延加工と水素中1200℃
での熱処理を繰返して0.02mmtのMoテープを製
造しようとすると、0.07mmt前後でテープ側面に
大きな割れが入り、熱処理を行なつてもこの割れ
は無くならない為、これ以上圧延しようとすると
圧延中に切断してしまい、30μ以下の薄いMoテ
ープは製造できなかつた。
本発明の上記実施例では、Mo線7にAuめつき
8を施し水素雰囲気1000℃で熱処理して、Mo線
7の表面にAuの拡散層6を形成したが、Auめつ
きの代わりにMo線7にAgめつきを20μ施し、水
素雰囲気中950℃で熱処理してAgをMo線の表面
より10μ程度拡散させ、これを圧延ロールによる
圧延加工と水素中950℃での熱処理を繰返したと
ころ、上記実施例と同様に0.02mmt×2.6mmWの
テープ5を製造できた。
8を施し水素雰囲気1000℃で熱処理して、Mo線
7の表面にAuの拡散層6を形成したが、Auめつ
きの代わりにMo線7にAgめつきを20μ施し、水
素雰囲気中950℃で熱処理してAgをMo線の表面
より10μ程度拡散させ、これを圧延ロールによる
圧延加工と水素中950℃での熱処理を繰返したと
ころ、上記実施例と同様に0.02mmt×2.6mmWの
テープ5を製造できた。
またAuめつきの代りにMo線7にCuめつきを
20μ施すか又は肉厚0.1mm位のCuパイプを被覆接
合し、水素雰囲気中1000℃で熱処理してCuをMo
線7の表面より10μ又は100μ程度拡散させ、これ
を圧延ロールによる圧延加工と水素中1000℃で熱
処理を繰返したところ、前記実施例と同様に0.02
mmt×2.6mmWのテープ5を製造できた。
20μ施すか又は肉厚0.1mm位のCuパイプを被覆接
合し、水素雰囲気中1000℃で熱処理してCuをMo
線7の表面より10μ又は100μ程度拡散させ、これ
を圧延ロールによる圧延加工と水素中1000℃で熱
処理を繰返したところ、前記実施例と同様に0.02
mmt×2.6mmWのテープ5を製造できた。
更に他の実施例について説明すると、周囲2mm
厚をPb粉末になした第4図aに示す如き15mm口
×50mmのMo圧粉体9を製造し、1200℃の窒素
雰囲気中で焼結した後、溝ロール加工と1200℃窒
素雰囲気中での焼鈍を繰返し、3mm口の棒になつ
たところで1200℃窒素雰囲気中で焼鈍し、4.3mm
φのダイスから線引加工と1200℃窒素雰囲気中で
の焼鈍を繰返して第4図bに示す如く2.3mmφの
線10にした。
厚をPb粉末になした第4図aに示す如き15mm口
×50mmのMo圧粉体9を製造し、1200℃の窒素
雰囲気中で焼結した後、溝ロール加工と1200℃窒
素雰囲気中での焼鈍を繰返し、3mm口の棒になつ
たところで1200℃窒素雰囲気中で焼鈍し、4.3mm
φのダイスから線引加工と1200℃窒素雰囲気中で
の焼鈍を繰返して第4図bに示す如く2.3mmφの
線10にした。
このように製造した2.3mmφの線10を圧延ロ
ールによる圧延加工と水素中1200℃での熱処理を
繰返して第4図cに示す如く0.02mmt×2.6mmW
のテープ11を製造した。
ールによる圧延加工と水素中1200℃での熱処理を
繰返して第4図cに示す如く0.02mmt×2.6mmW
のテープ11を製造した。
かようにして製造したテープ11は、圧粉体9
からテープ11になるまで非酸化性雰囲気中で熱
処理を繰返している為、表面にPbとMoの相互拡
散による拡散層12ができ、純Mo層に比べ加工
性に優れ、従来純Moでは製造できなかつた30μ
以下の薄いテープ11を製造できるものである。
からテープ11になるまで非酸化性雰囲気中で熱
処理を繰返している為、表面にPbとMoの相互拡
散による拡散層12ができ、純Mo層に比べ加工
性に優れ、従来純Moでは製造できなかつた30μ
以下の薄いテープ11を製造できるものである。
また更に他の実施例について説明すると、周囲
2mm厚をPt粉末になした第4図aに示す如き15
mm口×50mmのMo圧粉体9を製造し、1200℃の
水素雰囲気中で焼結した後、溝ロール加工と1200
℃水素雰囲気中での焼鈍を繰返し、3mm口の棒に
なつたところで1200℃水素雰囲気中で焼鈍し、
4.3mmφのダイスから線引加工と1200℃水素雰囲
気中での焼鈍を繰返して第4図bに示す如く2.3
mmφの線10にした。
2mm厚をPt粉末になした第4図aに示す如き15
mm口×50mmのMo圧粉体9を製造し、1200℃の
水素雰囲気中で焼結した後、溝ロール加工と1200
℃水素雰囲気中での焼鈍を繰返し、3mm口の棒に
なつたところで1200℃水素雰囲気中で焼鈍し、
4.3mmφのダイスから線引加工と1200℃水素雰囲
気中での焼鈍を繰返して第4図bに示す如く2.3
mmφの線10にした。
このように製造した2.3mmφの線10を圧延ロ
ールによる圧延加工と水素中1200℃での熱処理を
繰返して第4図cに示す如く表面にPtとMoの相
互拡散による拡散層12を有する0.02mmt×2.6
mmWのテープ11を製造した。
ールによる圧延加工と水素中1200℃での熱処理を
繰返して第4図cに示す如く表面にPtとMoの相
互拡散による拡散層12を有する0.02mmt×2.6
mmWのテープ11を製造した。
上記各実施例で示される本発明の封入型電気接
点用テープ5,11は、厳密には表面に2〜3μ
のAu、Ag、Cu、Pd、PtとMoとの拡散層6,1
2を有しているが、これを所要の長さに切断して
封入型リードリレー、リードスイツチ等の電気接
点材料として第5図に示す如くFe−Ni磁性材料
1の接触部分にスポツト溶接して使用してもこの
拡散層6,12は従来微小電流でAuめつきが使
われていたことを考えれば接触抵抗に何ら影響を
与えることがなく、また中電流領域で使用すると
いう目的に対しても耐溶着性の点から何ら問題な
く使用できる。
点用テープ5,11は、厳密には表面に2〜3μ
のAu、Ag、Cu、Pd、PtとMoとの拡散層6,1
2を有しているが、これを所要の長さに切断して
封入型リードリレー、リードスイツチ等の電気接
点材料として第5図に示す如くFe−Ni磁性材料
1の接触部分にスポツト溶接して使用してもこの
拡散層6,12は従来微小電流でAuめつきが使
われていたことを考えれば接触抵抗に何ら影響を
与えることがなく、また中電流領域で使用すると
いう目的に対しても耐溶着性の点から何ら問題な
く使用できる。
また上述の如く表面にAu、Ag、Cu、Pd及び
Ptの内少なくとも1種とMoとの拡散層6,12
を形成した本発明の封入型電気接点用テープ5,
11は、鈍Moのテープに比べ酸化しにくいの
で、従来純MoのテープではMoの酸化の為困難
であつた。Fe−Ni磁性材料1へのシーム溶接が
可能であり、クラツドテープとして使用すること
もできる。
Ptの内少なくとも1種とMoとの拡散層6,12
を形成した本発明の封入型電気接点用テープ5,
11は、鈍Moのテープに比べ酸化しにくいの
で、従来純MoのテープではMoの酸化の為困難
であつた。Fe−Ni磁性材料1へのシーム溶接が
可能であり、クラツドテープとして使用すること
もできる。
以上詳記した通り本発明の封入型電気接点用テ
ープはMoテープの表面にAu、Ag、Cu、Pd及び
Ptの内少なくとも1種とMoとの拡散層が形成さ
れているので、これを所要の長さに切断して封入
型リードリレー、リードスイツチ等封入型電気接
点材料としてのFe−Ni磁性材料の接触部分にス
ポツト溶接すると、接触抵抗が安定していて、微
小電流は勿論のこと中電流領域においても耐溶着
性に優れた封入型リードリレー、リードスイツチ
が得られる。しかも本発明の封入型電気接点用テ
ープは30μ以下の薄いテープであるので、Fe−Ni
磁性材料を小さくすることなく従来寸法のままに
しても外部磁場によりFe−Ni磁性材料を接触さ
せようとする際、十分な接触力が得られる。従つ
て従来のように十分な接触力を得る為にFe−Ni
磁性材料の寸法を大きくする必要がないので、封
入型リードリレー、リードスイツチ等の全体の寸
法を大きくすることがなく、小型化の要請に逆行
することがない。
ープはMoテープの表面にAu、Ag、Cu、Pd及び
Ptの内少なくとも1種とMoとの拡散層が形成さ
れているので、これを所要の長さに切断して封入
型リードリレー、リードスイツチ等封入型電気接
点材料としてのFe−Ni磁性材料の接触部分にス
ポツト溶接すると、接触抵抗が安定していて、微
小電流は勿論のこと中電流領域においても耐溶着
性に優れた封入型リードリレー、リードスイツチ
が得られる。しかも本発明の封入型電気接点用テ
ープは30μ以下の薄いテープであるので、Fe−Ni
磁性材料を小さくすることなく従来寸法のままに
しても外部磁場によりFe−Ni磁性材料を接触さ
せようとする際、十分な接触力が得られる。従つ
て従来のように十分な接触力を得る為にFe−Ni
磁性材料の寸法を大きくする必要がないので、封
入型リードリレー、リードスイツチ等の全体の寸
法を大きくすることがなく、小型化の要請に逆行
することがない。
また本発明の封入型電気接点用テープの製造方
法は、MoにAu、Ag、Cu、Pd及びPtの内少なく
とも1種を被覆し、非酸化性雰囲気中で高熱加熱
して表面にMoとの拡散層を形成し、然る後圧延
加工と非酸化性雰囲気中での熱処理とを繰返して
テープを作るのであるから、従来のように純Mo
線からテープを作るのに比し、著しく加工性に優
れて亀裂が入りにくく、仮に小さな亀裂が入つて
も非酸化性雰囲気中での熱処理によりAu、Ag、
Cu、Pd、Ptが拡散して塞いでしまうので、30μ
以下の薄いしかも前記の如く接触抵抗が安定して
いて耐溶着性に優れた封入型電気接点用テープを
容易に製造できるという効果がある。
法は、MoにAu、Ag、Cu、Pd及びPtの内少なく
とも1種を被覆し、非酸化性雰囲気中で高熱加熱
して表面にMoとの拡散層を形成し、然る後圧延
加工と非酸化性雰囲気中での熱処理とを繰返して
テープを作るのであるから、従来のように純Mo
線からテープを作るのに比し、著しく加工性に優
れて亀裂が入りにくく、仮に小さな亀裂が入つて
も非酸化性雰囲気中での熱処理によりAu、Ag、
Cu、Pd、Ptが拡散して塞いでしまうので、30μ
以下の薄いしかも前記の如く接触抵抗が安定して
いて耐溶着性に優れた封入型電気接点用テープを
容易に製造できるという効果がある。
第1図は従来の封入型リードスイツチの断面
図、第2図は第1図のA部拡大図、第3図a乃至
dは本発明による封入型電気接点用テープの製造
方法の一実施例の工程を示す図、第4図a乃至c
は他の実施例の工程を示す図、第5図は本発明の
テープを用いて作つた封入型リードスイツチの要
部を示す拡大図である。 1……Fe−Ni磁性材料、2……Auめつき、3
……不活性ガス容器、5……本発明の封入型電気
接点用テープ、6……拡散層、7……Mo線、8
……Auめつき、9……圧粉体、10……線、1
1……本発明の封入型電気接点用テープ、12…
…拡散層。
図、第2図は第1図のA部拡大図、第3図a乃至
dは本発明による封入型電気接点用テープの製造
方法の一実施例の工程を示す図、第4図a乃至c
は他の実施例の工程を示す図、第5図は本発明の
テープを用いて作つた封入型リードスイツチの要
部を示す拡大図である。 1……Fe−Ni磁性材料、2……Auめつき、3
……不活性ガス容器、5……本発明の封入型電気
接点用テープ、6……拡散層、7……Mo線、8
……Auめつき、9……圧粉体、10……線、1
1……本発明の封入型電気接点用テープ、12…
…拡散層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Moのテープの表面に、Au、Ag、Cu、Pd及
びPtの内少くとも1種とMoとの拡散層が形成さ
れ且つ厚さが5乃至30μになされていることを特
徴とする封入型電気接点用テープ。 2 Moに、Au、Ag、Cu、Pd及びPtの内少くと
も1種を被覆し、非酸化性雰囲気中で高温加熱し
て表面にMoとの拡散層を形成し、然る後圧延加
工と非酸化性雰囲気中での熱処理とを繰返してテ
ープを作ることを特徴とする封入型電気接点用テ
ープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14261680A JPS5767227A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Sealed electric contact tape and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14261680A JPS5767227A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Sealed electric contact tape and method of producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5767227A JPS5767227A (en) | 1982-04-23 |
| JPS6347088B2 true JPS6347088B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=15319467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14261680A Granted JPS5767227A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Sealed electric contact tape and method of producing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5767227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102766955B1 (ko) * | 2024-07-08 | 2025-02-11 | 이원학 | 배수관장입 선배수용 프리캐스트 콘크리트 패널 및 그 시공 방법 |
-
1980
- 1980-10-13 JP JP14261680A patent/JPS5767227A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102766955B1 (ko) * | 2024-07-08 | 2025-02-11 | 이원학 | 배수관장입 선배수용 프리캐스트 콘크리트 패널 및 그 시공 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5767227A (en) | 1982-04-23 |
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