JPS6351674A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6351674A JPS6351674A JP61196074A JP19607486A JPS6351674A JP S6351674 A JPS6351674 A JP S6351674A JP 61196074 A JP61196074 A JP 61196074A JP 19607486 A JP19607486 A JP 19607486A JP S6351674 A JPS6351674 A JP S6351674A
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- Japan
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- oxide film
- polysilicon
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- buried layer
- semiconductor device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、ｄ１度の異な
る埋込層を一回の工程で形成する製造方法に関するもの
である。
る埋込層を一回の工程で形成する製造方法に関するもの
である。
従来、濃度の異なる埋込層を形成するには、最初に濃度
の低い埋込層を形成した後、濃度の高い埋込層するなど
の各々の別々の工程で形成していた。
の低い埋込層を形成した後、濃度の高い埋込層するなど
の各々の別々の工程で形成していた。
上述した従来の製造方法は、別々に形成するために、工
程が長くなる欠点がある。
程が長くなる欠点がある。
上述した、従来の製造方法では、別々の工程で濃度の異
なる埋込Ｊ−を形成していたのに対し、本発明は、濃度
の低い埋込層を形成する箇所には薄い酸化ｇＸを残し、
濃度の高い埋込層を形成する箇所は酸化膜を取り除き、
ポリシリコンを全面に形成することにより、イオン注入
と拡散を続けて行なうことで、濃度の異なる埋込層を形
成できる半導体装置の製造方法であることに独創的内容
を有する。
なる埋込Ｊ−を形成していたのに対し、本発明は、濃度
の低い埋込層を形成する箇所には薄い酸化ｇＸを残し、
濃度の高い埋込層を形成する箇所は酸化膜を取り除き、
ポリシリコンを全面に形成することにより、イオン注入
と拡散を続けて行なうことで、濃度の異なる埋込層を形
成できる半導体装置の製造方法であることに独創的内容
を有する。
本発明は、薄い酸化膜を残した箇所と酸化膜を取り除い
た箇所を形成した後、ポリシリコンを形成することによ
り、イオン注入と拡散により、１回の工程で異なる濃度
の埋込層を形成することができる半導体装置の製造方法
である。
た箇所を形成した後、ポリシリコンを形成することによ
り、イオン注入と拡散により、１回の工程で異なる濃度
の埋込層を形成することができる半導体装置の製造方法
である。
次に１本発明の製造方法について図面を参照して説明す
る。第１図は、本発明の実施例１の縦断面図である。
る。第１図は、本発明の実施例１の縦断面図である。
Ｐ型サブストレート１上に酸化膜２を形成したのち、フ
ォトリングラフィで、埋込層を形成する部分の酸化膜２
を除去し、レジストを取り除いた後、薄い酸化膜３をた
とえは１００Ａ形成し、−部分を、たとえばＮＰＮ ト
ランジスタのコレクタの埋込層を形成する部分の酸化膜
３をフォトリングラフィで取り除いた後、レジスト３を
除去する。
ォトリングラフィで、埋込層を形成する部分の酸化膜２
を除去し、レジストを取り除いた後、薄い酸化膜３をた
とえは１００Ａ形成し、−部分を、たとえばＮＰＮ ト
ランジスタのコレクタの埋込層を形成する部分の酸化膜
３をフォトリングラフィで取り除いた後、レジスト３を
除去する。
〔第１図（ａ）〕
この後、ポリシリコンをたとえば７００Ａ成長した後、
Ｎ型不純物たとえばリンをＰ型すブストレート内にリン
が入いるようにＥ＝７０ＫｅＶ、Φ＝５Ｘ１０１５ｃｍ
イオン注入後、リン拡散を行なう。〔第１図（ｂ）
〕 この後、高温で押し込むと、薄い酸化膜３上のポリシリ
コン中のリン拡散によるリンハ、薄い酸化膜３に防げら
れて、Ｐ型サブストレート１に拡散されない。この後、
ポリシリコンを酸化し、酸化膜を全面に取り除くと、Ｐ
型サブストレート１内に高濃度のＮ型不純物層５と低濃
度のＮ型不純物層６が形成されている。第１図（Ｃ）こ
の後、エピタキシャル成長をすると、高濃度のＮ型埋込
層５と低濃度のＮ型埋込層６が形成される。第１図（ｄ
） この後、酸化膜をマスクにして、コレクタリン９を行な
えば、低温でコレクタリン９は、高濃度のＮ型埋込層５
と接触できる。その後、ベース１０とエミッタ１２、コ
レクタコンタクト１１を形成するが、ベース１０直下は
、低濃度の埋込層６であるため、エピタキシャル厚が薄
くとも、埋込層６のせり上りが小さくなり、ベース直下
のエピタキシャル厚が大きく取れ、ＮＰＮ ）ランジス
タの耐圧を上げることができる。第１図（ｅ）第２図は
、本発明の実施例２の縦断面図でおる。
Ｎ型不純物たとえばリンをＰ型すブストレート内にリン
が入いるようにＥ＝７０ＫｅＶ、Φ＝５Ｘ１０１５ｃｍ
イオン注入後、リン拡散を行なう。〔第１図（ｂ）
〕 この後、高温で押し込むと、薄い酸化膜３上のポリシリ
コン中のリン拡散によるリンハ、薄い酸化膜３に防げら
れて、Ｐ型サブストレート１に拡散されない。この後、
ポリシリコンを酸化し、酸化膜を全面に取り除くと、Ｐ
型サブストレート１内に高濃度のＮ型不純物層５と低濃
度のＮ型不純物層６が形成されている。第１図（Ｃ）こ
の後、エピタキシャル成長をすると、高濃度のＮ型埋込
層５と低濃度のＮ型埋込層６が形成される。第１図（ｄ
） この後、酸化膜をマスクにして、コレクタリン９を行な
えば、低温でコレクタリン９は、高濃度のＮ型埋込層５
と接触できる。その後、ベース１０とエミッタ１２、コ
レクタコンタクト１１を形成するが、ベース１０直下は
、低濃度の埋込層６であるため、エピタキシャル厚が薄
くとも、埋込層６のせり上りが小さくなり、ベース直下
のエピタキシャル厚が大きく取れ、ＮＰＮ ）ランジス
タの耐圧を上げることができる。第１図（ｅ）第２図は
、本発明の実施例２の縦断面図でおる。
Ｐ型サブストレート１４にＮ型拡散／１ｉ１５を形成す
る。第２図（ａｌ この後、酸化膜１６を形成した後、Ｐ型拡散層を形成す
る部分の酸化膜をフォトリングラフィで取り除いた後、
薄い酸化膜１７を形成する。この後、絶縁層を形成する
部分とＰＮＰ トランジスタのコレクタの埋込層を形成
する部分の薄い酸化膜を取り除き、ポリシリコン１８全
成長する。〔第２図（ｂ）〕 この後、Ｐ型不純物たとえばポロンがシリコン中に入い
る様にイオン注入した後、ボロンを拡散する。高瞼で押
込みを行なった彼、ポリシリコン１８を酸化した後、酸
化膜を全面取り除くと高濃度の埋込ｒ−Ｊ ｌ ９と低
濃度の埋込／１５２０が形成される。第２図（Ｃ１ この後、エピタキシャル成長すると、高＠度のＰ型埋込
層１９と低濃度のＰ型埋込層２０が形成される。第２図
（ｄ） この後絶縁２２と同時にコレクタ２２を形成し、ＰＮＰ
トランジスタのエミッタ２３とベースコンタクト２４
を形成する。〔第１図（ｅ）〕コレクタ２２直下の埋込
Ｍ＋ｉ１９が高濃度であり、エミッタ２３直下の埋込層
２０が低濃度であるため、エピタキシャル厚が薄くても
ＰＮＰ ）ランジスタのペース巾が取れ、かつ低温の
熱処理で絶縁が取れる利点がある。
る。第２図（ａｌ この後、酸化膜１６を形成した後、Ｐ型拡散層を形成す
る部分の酸化膜をフォトリングラフィで取り除いた後、
薄い酸化膜１７を形成する。この後、絶縁層を形成する
部分とＰＮＰ トランジスタのコレクタの埋込層を形成
する部分の薄い酸化膜を取り除き、ポリシリコン１８全
成長する。〔第２図（ｂ）〕 この後、Ｐ型不純物たとえばポロンがシリコン中に入い
る様にイオン注入した後、ボロンを拡散する。高瞼で押
込みを行なった彼、ポリシリコン１８を酸化した後、酸
化膜を全面取り除くと高濃度の埋込ｒ−Ｊ ｌ ９と低
濃度の埋込／１５２０が形成される。第２図（Ｃ１ この後、エピタキシャル成長すると、高＠度のＰ型埋込
層１９と低濃度のＰ型埋込層２０が形成される。第２図
（ｄ） この後絶縁２２と同時にコレクタ２２を形成し、ＰＮＰ
トランジスタのエミッタ２３とベースコンタクト２４
を形成する。〔第１図（ｅ）〕コレクタ２２直下の埋込
Ｍ＋ｉ１９が高濃度であり、エミッタ２３直下の埋込層
２０が低濃度であるため、エピタキシャル厚が薄くても
ＰＮＰ ）ランジスタのペース巾が取れ、かつ低温の
熱処理で絶縁が取れる利点がある。
以上説明したように本発明は、薄い酸化膜を形成した箇
所と酸化膜を取り除いた筒所を同一基板上に形成し、こ
の上にポリシリコンを形成することＫより、イオン注入
と拡散を続けて行なえることにより、１回の工程で異な
る濃度の埋込層を形成できる効果がある。
所と酸化膜を取り除いた筒所を同一基板上に形成し、こ
の上にポリシリコンを形成することＫより、イオン注入
と拡散を続けて行なえることにより、１回の工程で異な
る濃度の埋込層を形成できる効果がある。
第１図（ａｌ〜（ｅ）は、本発明の実施例１の縦断面図
、第２図（ａ）〜（ｅ）は実施例２の縦断面図である。 １．１４ ・・・・・・Ｐ型サブストレート、２，３，
１３゜１６．４７．２５・・・・・・酸化膜、４，１８
・・・・・・ポリシリコン、５，６．１５・川・・Ｎ型
埋込層、７，２１・・・・・・Ｎ型エヒリキシャル層、
８．１０，２２，２３・°°・・・Ｐ散拡散層、９，１
１，１２．２４・・・・・・Ｎ型拡散層、１９．２０
・・・・・・Ｐ型埋込層。 ゝ、 代理人 弁理士 内 原 ユ “町 第１図 第１図 第２図 グζ
、第２図（ａ）〜（ｅ）は実施例２の縦断面図である。 １．１４ ・・・・・・Ｐ型サブストレート、２，３，
１３゜１６．４７．２５・・・・・・酸化膜、４，１８
・・・・・・ポリシリコン、５，６．１５・川・・Ｎ型
埋込層、７，２１・・・・・・Ｎ型エヒリキシャル層、
８．１０，２２，２３・°°・・・Ｐ散拡散層、９，１
１，１２．２４・・・・・・Ｎ型拡散層、１９．２０
・・・・・・Ｐ型埋込層。 ゝ、 代理人 弁理士 内 原 ユ “町 第１図 第１図 第２図 グζ
Claims (1)
- 半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を
取り除く工程と、薄い酸化膜を形成する工程と、前記薄
い酸化膜の一部を取り除く工程と、ポリシリコンを成長
する工程と、不純物をイオン注入し、かつ拡散する工程
と、前記ポリシリコンを酸化する工程と、酸化膜を除い
た後、エピタキシャル成長する工程を含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61196074A JPS6351674A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61196074A JPS6351674A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6351674A true JPS6351674A (ja) | 1988-03-04 |
Family
ID=16351767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61196074A Pending JPS6351674A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6351674A (ja) |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61196074A patent/JPS6351674A/ja active Pending
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