JPS6361419A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6361419A JPS6361419A JP61206177A JP20617786A JPS6361419A JP S6361419 A JPS6361419 A JP S6361419A JP 61206177 A JP61206177 A JP 61206177A JP 20617786 A JP20617786 A JP 20617786A JP S6361419 A JPS6361419 A JP S6361419A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳し
くは、磁気特性および耐食性に優れた磁気記録媒体の製
造方法に関する。
くは、磁気特性および耐食性に優れた磁気記録媒体の製
造方法に関する。
一般に、磁性粉末を結合剤成分とともに基体フィルム上
に結着させるか、或いは強磁性金属またはそれらの合金
などを真空蒸着等によって基体フィルム上に被着してつ
くられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等と
激しく摺接するため磁性層が摩耗され易く、特に真空蒸
着等によって形成される強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
は、高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッドとの摩擦
係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また空気中で除
々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣化す
るなどの難点がある。
に結着させるか、或いは強磁性金属またはそれらの合金
などを真空蒸着等によって基体フィルム上に被着してつ
くられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等と
激しく摺接するため磁性層が摩耗され易く、特に真空蒸
着等によって形成される強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
は、高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッドとの摩擦
係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また空気中で除
々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣化す
るなどの難点がある。
このため、近年、グロー放電処理により強磁性金属を有
機高分子化合物層内に分散させて磁性層を形成し耐食性
を改善することが行われている。
機高分子化合物層内に分散させて磁性層を形成し耐食性
を改善することが行われている。
（特公昭６０−３１０１３号）
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、グロー放電処理により強磁性金属を有機高分
子化合物層内に分散させて磁性層を形成する方法では、
強磁性金属がグロー放電処理により励起された残留ガス
中の酸素原子等と反応して酸化され、磁気特性が劣化す
るという欠点があり、耐食性も未だ充分に改善されてい
ない。
子化合物層内に分散させて磁性層を形成する方法では、
強磁性金属がグロー放電処理により励起された残留ガス
中の酸素原子等と反応して酸化され、磁気特性が劣化す
るという欠点があり、耐食性も未だ充分に改善されてい
ない。
この発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果なさ
れたもので、強磁性金属を含む有機化合物のモノマーガ
スと還元性ガスとの混合ガス中でグロー放電処理を行い
、還元された強磁性金属をアモルファス状のカーボン膜
層内に導入した磁性層を基体上に形成することによって
、磁気特性および耐食性を充分に向上させたものである
。
れたもので、強磁性金属を含む有機化合物のモノマーガ
スと還元性ガスとの混合ガス中でグロー放電処理を行い
、還元された強磁性金属をアモルファス状のカーボン膜
層内に導入した磁性層を基体上に形成することによって
、磁気特性および耐食性を充分に向上させたものである
。
この発明において、磁性層を形成する際使用される強磁
性金属を含む有機化合物のモノマーガスとしては、フェ
ロセン、コバルトセン、ニラケロセン等の昇華ガス、ペ
ンタカルボニル鉄、オクタカルボニルジコバルト等の金
属カルボニル化合物の七ツマーガス等と、ＣＨ４、Ｃ２
Ｈ４等の有機化合物の七ツマーガスとの混合ガスが好適
なものとして使用される。
性金属を含む有機化合物のモノマーガスとしては、フェ
ロセン、コバルトセン、ニラケロセン等の昇華ガス、ペ
ンタカルボニル鉄、オクタカルボニルジコバルト等の金
属カルボニル化合物の七ツマーガス等と、ＣＨ４、Ｃ２
Ｈ４等の有機化合物の七ツマーガスとの混合ガスが好適
なものとして使用される。
これらの強磁性金属を含む有機化合物の七ツマーガスは
、水素ガスあるいは一酸化炭素ガス等の還元性ガスと混
合し、この混合ガス中でグロー放電処理を行うと、有機
金属化合物の七ツマーガスが分解してこのモノマーガス
中に含まれる強磁性金属がＭ離し、また水素ガスや一酸
化炭素ガスなどの還元性ガスで、磁性層に取り込まれる
酸素原子や、グロー放電処理の際に残留ガスもしくは吸
着分子から取り込まれる酸素原子が除去され、遊離した
強磁性金属が還元されて、耐酸化性が向上された強磁性
金属を硬質のアモルファス状カーボン膜層内に導入した
磁性層が形成される。従って、強磁性金属の酸化による
磁気特性の劣化が充分に低減されて磁気特性が充分に向
上され、耐食性も充分に向上される。
、水素ガスあるいは一酸化炭素ガス等の還元性ガスと混
合し、この混合ガス中でグロー放電処理を行うと、有機
金属化合物の七ツマーガスが分解してこのモノマーガス
中に含まれる強磁性金属がＭ離し、また水素ガスや一酸
化炭素ガスなどの還元性ガスで、磁性層に取り込まれる
酸素原子や、グロー放電処理の際に残留ガスもしくは吸
着分子から取り込まれる酸素原子が除去され、遊離した
強磁性金属が還元されて、耐酸化性が向上された強磁性
金属を硬質のアモルファス状カーボン膜層内に導入した
磁性層が形成される。従って、強磁性金属の酸化による
磁気特性の劣化が充分に低減されて磁気特性が充分に向
上され、耐食性も充分に向上される。
このようなグロー放電処理は、通常、高周波電力、直流
電力、交流電力、マイクロ波電力などによりグロー放電
を発生して行われるが、比較的取扱いが容易な１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が好ましく使用される。またこの
グロー放電処理は、強磁性金属の加熱蒸発あるいはスパ
ッタリングと併用して行うことができる。グロー放電処
理する際のガス圧および電力は、強磁性金属をアモルフ
ァス状カーボン膜層内に導入した磁性層が良好に形成さ
れるように、ガス圧をｌＸｌ０’〜５トールの範囲内に
するのが好ましく、高周波電力は０．１〜１０Ｗ／ｃｎ
！の範囲内にするのが好ましい。また、グロー放電処理
する際の混合ガス中における還元性ガスの含有割合は、
強磁性金属を含む有機化合物の七ツマーガスとの合計量
に対して１０〜６０容量％の範囲内にするのが好ましく
、少なすぎると所期の効果が得られず、多すぎると成膜
速度が低減したり、膜の脆性が高くなるなどの問題があ
る。
電力、交流電力、マイクロ波電力などによりグロー放電
を発生して行われるが、比較的取扱いが容易な１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が好ましく使用される。またこの
グロー放電処理は、強磁性金属の加熱蒸発あるいはスパ
ッタリングと併用して行うことができる。グロー放電処
理する際のガス圧および電力は、強磁性金属をアモルフ
ァス状カーボン膜層内に導入した磁性層が良好に形成さ
れるように、ガス圧をｌＸｌ０’〜５トールの範囲内に
するのが好ましく、高周波電力は０．１〜１０Ｗ／ｃｎ
！の範囲内にするのが好ましい。また、グロー放電処理
する際の混合ガス中における還元性ガスの含有割合は、
強磁性金属を含む有機化合物の七ツマーガスとの合計量
に対して１０〜６０容量％の範囲内にするのが好ましく
、少なすぎると所期の効果が得られず、多すぎると成膜
速度が低減したり、膜の脆性が高くなるなどの問題があ
る。
このようにして形成される磁性層において、アモルファ
ス状カーボン膜層内に導入された強磁性金属は、使用す
る七ツマーガスにより異なるが、平均粒径が２００〜３
００人の範囲内であると、強磁性金属粒子間がアモルフ
ァス状カーボンで磁気的に絶縁されて単磁区粒子的な構
造となり、良好な磁気特性が得られるとともに耐食性も
向上される。また、この強磁性金属粒子の磁性層内にお
ける充填率は、磁性層の全成分に対して１０〜６０容量
％の範囲内となるようにするのが好ましく、充填率が１
０容量％より少なくては、強磁性金属粒子の充填率が低
くなり、充分な磁気特性が得られず、６０容量％より多
くては、各強磁性金属粒子間を良好に磁気的に絶縁して
磁気特性および耐食性を充分に向上することができない
。このような強磁性金属粒子の充填率は、モノマーガス
や添加ガスの種類やそのガス圧によってコントロールさ
れ、強磁性金属粒子が適度にアモルファス状カーボン膜
層内に導入充填された磁性層が形成される。さらに、こ
のような磁性層中における水素原子および酸素原子は、
炭素原子に対する原子数比で、それぞれ０．２倍以下お
よび０．１倍以下であることが好ましく、多すぎると炭
素原子同士の架橋が断たれる箇所が増加するため良好な
耐久性が得られない。
ス状カーボン膜層内に導入された強磁性金属は、使用す
る七ツマーガスにより異なるが、平均粒径が２００〜３
００人の範囲内であると、強磁性金属粒子間がアモルフ
ァス状カーボンで磁気的に絶縁されて単磁区粒子的な構
造となり、良好な磁気特性が得られるとともに耐食性も
向上される。また、この強磁性金属粒子の磁性層内にお
ける充填率は、磁性層の全成分に対して１０〜６０容量
％の範囲内となるようにするのが好ましく、充填率が１
０容量％より少なくては、強磁性金属粒子の充填率が低
くなり、充分な磁気特性が得られず、６０容量％より多
くては、各強磁性金属粒子間を良好に磁気的に絶縁して
磁気特性および耐食性を充分に向上することができない
。このような強磁性金属粒子の充填率は、モノマーガス
や添加ガスの種類やそのガス圧によってコントロールさ
れ、強磁性金属粒子が適度にアモルファス状カーボン膜
層内に導入充填された磁性層が形成される。さらに、こ
のような磁性層中における水素原子および酸素原子は、
炭素原子に対する原子数比で、それぞれ０．２倍以下お
よび０．１倍以下であることが好ましく、多すぎると炭
素原子同士の架橋が断たれる箇所が増加するため良好な
耐久性が得られない。
このようにして得られる磁気記録媒体としては、ポリエ
ステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フ
ィルムを基体とする磁気テープ、合成樹脂フィルム、ア
ルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを
基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッド
と摺接する構造の種々の形態を包含する。
ステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フ
ィルムを基体とする磁気テープ、合成樹脂フィルム、ア
ルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを
基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッド
と摺接する構造の種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
第１図に示すグロー放電処理装置を使用し、厚さが１０
μｍのポリエステルフィルム１を、処理槽２内の原反ロ
ール３からガイドロール４を介して円筒状キャン５の表
面に沿って移動させ、さらにガイドロール６を介して巻
き取りロール７に巻き取るようにセントした。次いで、
排気系８で処理槽２内をｌＸ１０４トールに真空排気し
て、ポリエステルフィルム１を３ｍ／ｍｉｎの速度で走
行させ、処理槽２の側壁に取りつけられたガス導入管９
から、シクロペンタジェニルジカルボニルコバルトのモ
ノマーガスを２０ｓｅｃｍの流量で、また水素ガスを５
ｓｅｃｍの流量で混合して導入した。同時に円筒状キ
ャン５の下方に配設された電極１０に１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を５０Ｗ印加してグロー放電処理し、コバ
ルトがアモルファス状のカーボン膜層内に導入された厚
さ２０００人の磁性層を形成した。この磁性層における
コバルトの充填率は３５容量％であった。しかる後、所
定の巾に裁断して第２図に示すような、ポリエステルフ
ィルム１上に強磁性金属をアモルファス状カーボン膜層
内に導入した磁性層１２を形成した磁気テープＡをつく
った。なお、第１図中１１は電極１０に高周波を印加す
る高周波電源である。
μｍのポリエステルフィルム１を、処理槽２内の原反ロ
ール３からガイドロール４を介して円筒状キャン５の表
面に沿って移動させ、さらにガイドロール６を介して巻
き取りロール７に巻き取るようにセントした。次いで、
排気系８で処理槽２内をｌＸ１０４トールに真空排気し
て、ポリエステルフィルム１を３ｍ／ｍｉｎの速度で走
行させ、処理槽２の側壁に取りつけられたガス導入管９
から、シクロペンタジェニルジカルボニルコバルトのモ
ノマーガスを２０ｓｅｃｍの流量で、また水素ガスを５
ｓｅｃｍの流量で混合して導入した。同時に円筒状キ
ャン５の下方に配設された電極１０に１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を５０Ｗ印加してグロー放電処理し、コバ
ルトがアモルファス状のカーボン膜層内に導入された厚
さ２０００人の磁性層を形成した。この磁性層における
コバルトの充填率は３５容量％であった。しかる後、所
定の巾に裁断して第２図に示すような、ポリエステルフ
ィルム１上に強磁性金属をアモルファス状カーボン膜層
内に導入した磁性層１２を形成した磁気テープＡをつく
った。なお、第１図中１１は電極１０に高周波を印加す
る高周波電源である。
実施例２
実施例１におけるグロー放電処理において、シクロペン
タジェニルジカルボニルコバルトのモノマーガスに代え
て、オクタカルボニルジコバルトのモノマーガスを１０
ｓｃｃｍ、 Ｃ２Ｈ４のモノマーガスを１０１０５ｅの
流量で混合した混合ガスを導入した以外は実施例１と同
様にして、コバルトがアモルファス状のカーボンＢ５ｉ
内に導入された厚さ２２００人の磁性層を形成し、磁気
テープＡをつくった。磁性層におけるコバルトの充填率
は４０容量％であった。
タジェニルジカルボニルコバルトのモノマーガスに代え
て、オクタカルボニルジコバルトのモノマーガスを１０
ｓｃｃｍ、 Ｃ２Ｈ４のモノマーガスを１０１０５ｅの
流量で混合した混合ガスを導入した以外は実施例１と同
様にして、コバルトがアモルファス状のカーボンＢ５ｉ
内に導入された厚さ２２００人の磁性層を形成し、磁気
テープＡをつくった。磁性層におけるコバルトの充填率
は４０容量％であった。
実施例３
実施例１におけるグロー放電処理において、水素ガスに
代えて一酸化炭素ガスを同Ｍ４人した以外は実施例１と
同様にして、コバルトがアモルファス状のカーボン膜層
内に導入された厚さ１８００人の磁性層を形成し、磁気
テープＡをつくった。磁性層におけるコバルトの充填率
は５０容量％であった。
代えて一酸化炭素ガスを同Ｍ４人した以外は実施例１と
同様にして、コバルトがアモルファス状のカーボン膜層
内に導入された厚さ１８００人の磁性層を形成し、磁気
テープＡをつくった。磁性層におけるコバルトの充填率
は５０容量％であった。
実施例４
実施例３におけるグロー放電処理において、シクロペン
タジェニルジカルボニルコバルトの七ツマーガスに代え
て、オクタカルボニルジコバルトの七ツマーガスを１０
ｓｃｃｍ、 ＣＨ４のモノマーガスを５ ｓｅｃｍの流
量で混合した混合ガスを導入した以外は実施例３と同様
にして、コバルトがアモルファス状のカーボン膜層内に
導入された厚さ２０００人の磁性層を形成し、磁気テー
プＡをつくった。磁性層におけるコバルトの充填率は５
５容量％であった。
タジェニルジカルボニルコバルトの七ツマーガスに代え
て、オクタカルボニルジコバルトの七ツマーガスを１０
ｓｃｃｍ、 ＣＨ４のモノマーガスを５ ｓｅｃｍの流
量で混合した混合ガスを導入した以外は実施例３と同様
にして、コバルトがアモルファス状のカーボン膜層内に
導入された厚さ２０００人の磁性層を形成し、磁気テー
プＡをつくった。磁性層におけるコバルトの充填率は５
５容量％であった。
比較例１
実施例１におけるグロー放電処理において、水素ガスの
導入を省いた以外は、実施例１と同様にして、コバルト
がアモルファス状のカーボン膜層内に導入された厚さ２
２００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった。磁
性層におけるコバルトの充填率は３０容量％であった。
導入を省いた以外は、実施例１と同様にして、コバルト
がアモルファス状のカーボン膜層内に導入された厚さ２
２００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった。磁
性層におけるコバルトの充填率は３０容量％であった。
比較例２
実施例２におけるグロー放電処理において、水素ガスの
導入を省いた以外は、実施例２と同様にして、コノマル
トがアモルファス状のカーボン月灸層内に導入された厚
さ２０００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった
。磁性層におけるコバルトの充填率は３３容量％であっ
た。
導入を省いた以外は、実施例２と同様にして、コノマル
トがアモルファス状のカーボン月灸層内に導入された厚
さ２０００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった
。磁性層におけるコバルトの充填率は３３容量％であっ
た。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
飽和磁束密度を測定し、耐食性を試験した。耐食性試験
は得られた磁気テープを６０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下
に７日間放置して最大磁束密度を測定し、放置前の磁気
テープの最大磁束密度からの劣化率を調べて行った。
飽和磁束密度を測定し、耐食性を試験した。耐食性試験
は得られた磁気テープを６０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下
に７日間放置して最大磁束密度を測定し、放置前の磁気
テープの最大磁束密度からの劣化率を調べて行った。
下記第１表はその結果である。
第１表
〔発明の効果〕
上記第１表から明らかなように、この発明で得られた磁
気テープ（実施例１ないし４）は、いずれも従来の磁気
テープ（比較例１および２）に比し、飽和磁束密度が高
くて最大磁束密度の劣化率が小さく、このことからこの
発明によって得られる磁気記録媒体は、磁気特性および
耐食性が一段と向上されていることがわかる。
気テープ（実施例１ないし４）は、いずれも従来の磁気
テープ（比較例１および２）に比し、飽和磁束密度が高
くて最大磁束密度の劣化率が小さく、このことからこの
発明によって得られる磁気記録媒体は、磁気特性および
耐食性が一段と向上されていることがわかる。
第１図はこの発明の磁性層を形成する際に使用するグロ
ー放電処理装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの
発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図であ
る。 ■・・・ポリエステルフィルム（基体）、１２・・・磁
性層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）第１図 第２図 Ａ磁気テープ １ポリエステルフイルム
ー放電処理装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの
発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図であ
る。 ■・・・ポリエステルフィルム（基体）、１２・・・磁
性層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）第１図 第２図 Ａ磁気テープ １ポリエステルフイルム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体上に磁性層を形成するにあたり、強磁性金属を
含む有機化合物のモノマーガスと還元性ガスとの混合ガ
ス中でグロー放電処理を行い、強磁性金属をアモルファ
ス状のカーボン膜層内に導入した磁性層を形成すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法 ２、還元性ガスが水素ガスである特許請求の範囲第１項
記載の磁気記録媒体の製造方法 ３、還元性ガスが一酸化炭素ガスである特許請求の範囲
第１項記載の磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206177A JPS6361419A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206177A JPS6361419A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6361419A true JPS6361419A (ja) | 1988-03-17 |
Family
ID=16519085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206177A Pending JPS6361419A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6361419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445434A (en) * | 1987-05-12 | 1989-02-17 | Schering Ag | Manufacture of electroconductive polymer-metal compound |
| JP2002343667A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Miura Hidemi | 強磁性パーティクルの作製方法及び強磁性薄膜並びに磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP61206177A patent/JPS6361419A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445434A (en) * | 1987-05-12 | 1989-02-17 | Schering Ag | Manufacture of electroconductive polymer-metal compound |
| JP2002343667A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Miura Hidemi | 強磁性パーティクルの作製方法及び強磁性薄膜並びに磁気記録媒体 |
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