JPS6367330B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6367330B2 JPS6367330B2 JP58133296A JP13329683A JPS6367330B2 JP S6367330 B2 JPS6367330 B2 JP S6367330B2 JP 58133296 A JP58133296 A JP 58133296A JP 13329683 A JP13329683 A JP 13329683A JP S6367330 B2 JPS6367330 B2 JP S6367330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- thin film
- silicon
- base material
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜半導体の製造方法に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a method for manufacturing a thin film semiconductor.
水素を含む非晶質シリコンは、分光特性におい
て太陽光スペクトルとの整合性が良く、その吸収
係数も太陽光スペクトル強度の強い波長領域で結
晶シリコンより約１桁も大きいため、太陽電池へ
の応用がさかんであり、また光電導度も大きく、
電子写真用感光体、撮像素子などへの応用も進め
られている。そして、この様な非晶質シリコン薄
膜は、通常シランガス（SiH4）のグロー放電分
解法（以下GD法と略す）により作られている。 Amorphous silicon containing hydrogen has spectral characteristics that match well with the sunlight spectrum, and its absorption coefficient is about one order of magnitude larger than that of crystalline silicon in the wavelength region where the sunlight spectrum intensity is strong, making it suitable for application in solar cells. The photoconductivity is large, and the photoconductivity is large.
Applications to electrophotographic photoreceptors, image pickup devices, etc. are also underway. Such an amorphous silicon thin film is usually made by a glow discharge decomposition method (hereinafter abbreviated as GD method) of silane gas (SiH 4 ).
しかしながら、上記非晶質シリコンは、キヤリ
ヤーの拡散長も0.1μm程度と結晶に比し２〜３桁
も小さいため、太陽電池にした場合電極領域での
直列抵抗が大きく、繁換効率向上のネツクとなつ
ている。 However, the carrier diffusion length of amorphous silicon is about 0.1 μm, which is two to three orders of magnitude smaller than that of crystals, so when used in solar cells, the series resistance in the electrode region is large, making it difficult to improve switching efficiency. It is becoming.
この様な問題を解決する為に、近年非晶質シリ
コンの優れた分光感度特性と、結晶シリコンに近
い電気的特性を有するものとして微結晶相を含む
水素化シリコンが注目されている。そして上記微
結晶相を含む水素化シリコンの形成には、SiH4
とH2の混合ガスをGD法により分解し基材上に堆
積させる方法が最も良く用いられている。しかし
ながら、原料として用いられるSiH4ガスは低濃
度でも毒性が強く、また空気中で容易に発火する
など危険性の高いガスであり、SiH4ガスを用い
ないシリコン薄膜の製造方法が強く要請されてい
る。 In order to solve such problems, hydrogenated silicon containing a microcrystalline phase has recently attracted attention as it has the excellent spectral sensitivity characteristics of amorphous silicon and electrical characteristics close to those of crystalline silicon. And to form hydrogenated silicon containing the above-mentioned microcrystalline phase, SiH 4
The most commonly used method is to decompose a mixed gas of H 2 and H 2 by the GD method and deposit it on the substrate. However, the SiH 4 gas used as a raw material is highly toxic even at low concentrations and is a highly dangerous gas that easily ignites in the air, so there is a strong demand for a method for producing silicon thin films that does not use SiH 4 gas. There is.
本発明は上記の如き現状にかんがみ、SiH4ガ
スを用いることなく、特性の優れた微結晶相を含
む水素化シリコン薄膜を製造することの出来る方
法を提供することを目的としてなされたものであ
り、その要旨は、10-5トール以下の高真空に排気
された真空容器内でシリコンを加熱蒸発すること
により得られる非荷電状態のシリコン原子を基材
上に射突させると同時に、基材の近傍に設置され
た原子状水素発生装置及び水素イオン発生装置か
ら供給される原子状水素及び電界効果により高エ
ネルギーを付与された水素イオンを上記基材上に
射突させることにより、シリコン薄膜を形成する
ことを特徴とする薄膜半導体の製造方法に存す
る。 In view of the current situation as described above, the present invention was made with the purpose of providing a method for producing a hydrogenated silicon thin film containing a microcrystalline phase with excellent properties without using SiH 4 gas. , the gist of which is that uncharged silicon atoms obtained by heating and evaporating silicon in a vacuum chamber evacuated to a high vacuum of 10 -5 Torr or less are bombarded onto the substrate, and at the same time A silicon thin film is formed by bombarding the above substrate with atomic hydrogen supplied from an atomic hydrogen generator and a hydrogen ion generator installed nearby and hydrogen ions given high energy by an electric field effect. A method of manufacturing a thin film semiconductor is provided.
以下図面を参照しながら本発明方法を説明す
る。第１図は本発明方法を実施するための装置の
一例を示す説明図である。 The method of the present invention will be explained below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of an apparatus for carrying out the method of the present invention.
第１図においては、真空容器１内の真空室２は
排気口３に連結された排気系装置（図示されてい
ない）によつて１×10-7トールまでの真空に排気
されることが可能になつており、そして真空室２
には電子ビーム蒸発源４（電源回路等は図示され
ていない）、原子状水素発生装置５（電源回路等
は図示されていない）、水素イオン発生装置６
（電源回路等は図示されていない）、基材ホルダー
７、それに取り付けられた基材８、シヤツター１
７、及び蒸発源にて生成されるイオンを捕集する
ための電極１８が設置されており、更に真空容器
１の外方には基材ホルダー７に負の高電圧を印加
させるための電源９とその回路、原子状水素発生
装置５にバルブ１２，１３によつて流量調節可能
に接続された水素ガスが充填されたボンベ１０、
水素イオン発生装置６にバルブ１４，１５によつ
て流量調節可能に接続された水素ガスが充填され
たボンベ１１、及びイオン捕集電極１８に負の高
電圧を印加させるための電源１６とその回路が設
置されている。第２図は電子状水素発生装置の一
例を示す断面図であり、円筒５１はパイプ５２に
よつて水素ボンベ１０に接続され、該円筒５１内
に水素が放出される様になされており、さらに該
円筒５１内には加熱のためのフイラメント５３
（電源回路等は図示されていない）が設置されて
いる。第３図は水素イオン発生装置６の一例を示
す断面図であり、円筒６１内に水素ボンベ１１に
接続され端部に多数の小孔が設けられたパイプ６
２の該端部が開口しており、該パイプ６２の端部
周囲にフイラメント６３（電源回路等は図示され
ていない）が設置され、さらに円筒６１の近傍に
はイオン加速電極６４（電源回路等は図示されて
いない）が設置されている。 In FIG. 1, a vacuum chamber 2 in a vacuum container 1 can be evacuated to a vacuum of up to 1×10 -7 Torr by an exhaust system device (not shown) connected to an exhaust port 3. and vacuum chamber 2
includes an electron beam evaporation source 4 (power circuit etc. not shown), an atomic hydrogen generator 5 (power circuit etc. not shown), and a hydrogen ion generator 6
(power supply circuit etc. are not shown), base material holder 7, base material 8 attached to it, shutter 1
7 and an electrode 18 for collecting ions generated at the evaporation source are installed, and furthermore, a power source 9 for applying a negative high voltage to the substrate holder 7 is installed outside the vacuum container 1. and its circuit, a cylinder 10 filled with hydrogen gas connected to the atomic hydrogen generator 5 through valves 12 and 13 so as to be able to adjust the flow rate;
A cylinder 11 filled with hydrogen gas connected to the hydrogen ion generator 6 through valves 14 and 15 so that its flow rate can be adjusted, and a power source 16 and its circuit for applying a negative high voltage to the ion collection electrode 18. is installed. FIG. 2 is a sectional view showing an example of an electronic hydrogen generator, in which a cylinder 51 is connected to a hydrogen cylinder 10 by a pipe 52 so that hydrogen is released into the cylinder 51, and further Inside the cylinder 51 is a filament 53 for heating.
(Power circuit etc. are not shown) is installed. FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the hydrogen ion generator 6, in which a pipe 6 is connected to the hydrogen cylinder 11 in a cylinder 61 and has a large number of small holes at its end.
The end of the pipe 62 is open, and a filament 63 (power circuit, etc. is not shown) is installed around the end of the pipe 62, and an ion accelerating electrode 64 (power circuit, etc. is not shown) is installed near the cylinder 61. (not shown) are installed.
本発明に基づいて薄膜半導体を製造するには、
第１図に示す様に基材８を基材ホルダークに配置
し、電子ビーム蒸発源４のルツボ４１に純度
99.9999％のシリコンを供給し、次いで排気口３
から排気を行なつて、真空室２を１×10-7トール
以下の高真空とする。 To manufacture a thin film semiconductor based on the present invention,
As shown in FIG. 1, the substrate 8 is placed in the substrate holder, and the purity is
Supply 99.9999% silicon, then exhaust port 3
The chamber 2 is evacuated to a high vacuum of 1×10 -7 Torr or less.
次いで原子状水素発生装置５にバルブ１２，１
３を調節しながら水素ガスを導入させる。この際
真空室２内の真空度が１×10-5トールから５×
10-4トールの範囲になる様導入する、その後第２
図に示すフイラメント５３に交流電流を通電し、
加熱せしめフイラメント５３の温度が1700℃以上
になる様にする。次に水素イオン発生装置６にバ
ルブ１４，１５を調節しながら水素ガスを導入さ
せる。次いでアースに対し−50〜−300Vの直流
電位を与えられた第３図に示されるフイラメント
６３に交流電流を通電し加熱せしめ熱電子を発生
させると共にパイプ６２を接地することにより上
記熱電子を電界加速させ高速電子を発生させる。
この高速電子により円筒６１内の水素ガスがイオ
ン化される。かくして生成された水素イオンは、
イオン加速電極６４に−500〜−1000Vの直流電
位を与えることにより円筒６１外に引き出され
る。そして、基材ホルダークに好ましくは−300
〜−10000Vの直流電位を与えることにより水素
イオンに0.3〜10KeVのエネルギーを付与して該
水素イオンを基材８に射突せしめる。この際、基
材に射突する水素イオン量は、電流に換算して
5μA／cm2から1mA／cm2の範囲に設定するのが好
適である。 Next, the valves 12 and 1 are connected to the atomic hydrogen generator 5.
3. Hydrogen gas is introduced while adjusting 3. At this time, the degree of vacuum in vacuum chamber 2 is from 1×10 -5 Torr to 5×
10 -4 torr range, then the second
Applying an alternating current to the filament 53 shown in the figure,
The temperature of the heated filament 53 is set to 1700°C or higher. Next, hydrogen gas is introduced into the hydrogen ion generator 6 while adjusting the valves 14 and 15. Next, an alternating current is passed through the filament 63 shown in FIG. 3, which has been given a DC potential of -50 to -300V with respect to the ground, to heat it and generate thermionic electrons, and by grounding the pipe 62, the thermionic electrons are transferred to an electric field. Accelerate to generate high-speed electrons.
Hydrogen gas within the cylinder 61 is ionized by these high-speed electrons. The hydrogen ions thus generated are
By applying a DC potential of -500 to -1000 V to the ion accelerating electrode 64, the ions are drawn out of the cylinder 61. And preferably −300 to the base material Holderk.
By applying a direct current potential of ~-10000V, energy of 0.3 to 10 KeV is imparted to the hydrogen ions, and the hydrogen ions are caused to collide with the base material 8. At this time, the amount of hydrogen ions hitting the base material is converted into electric current.
It is preferable to set it in the range of 5 μA/cm 2 to 1 mA/cm 2 .
次いで、電子ビーム蒸発源４を動作させてルツ
ボ４１内のシリコンを蒸気化させる。更に電源１
６によりイオン捕集電極１８に−300Vから−
10000Vの直流電位を与えることにより、蒸発シ
リコン中のシリコンイオンを捕集する。安定的に
蒸発する様になつた時点でシヤツター１７を開
き、シリコンを基材８に堆積させる。 Next, the electron beam evaporation source 4 is operated to vaporize the silicon in the crucible 41. Furthermore, power supply 1
6 to the ion collection electrode 18 from -300V to -
Silicon ions in the evaporated silicon are collected by applying a DC potential of 10,000V. When the silicon evaporates stably, the shutter 17 is opened and silicon is deposited on the base material 8.
本発明の薄膜半導体の製造方法は上述の通りで
あり、通常のイオンプレーテイング蒸着法とは異
なり、非荷電状態のシリコン原子を基材上に堆積
させて薄膜を形成させる過程において、原子状水
素及び水素イオンを存在せしめて水素化シリコン
を生成する方法であり、加速されたシリコンイオ
ンを含まないため膜中に衝撃のダメージによる欠
陥を生じず、また質量の小さい高エネルギーの水
素イオンの存在により微結晶相を含むすぐれた性
能の水素化シリコン薄膜を容易に得ることが出来
るものである。又、本発明方法によれば危険性の
高いSiH4ガスを用いることなく性能にすぐれた
水素化シリコン薄膜を容易に製造することが出来
る。 The method for manufacturing a thin film semiconductor of the present invention is as described above, and unlike the normal ion plating vapor deposition method, in the process of depositing uncharged silicon atoms on a base material to form a thin film, atomic hydrogen This method generates silicon hydride by allowing hydrogen ions to exist, and since it does not contain accelerated silicon ions, it does not cause defects in the film due to impact damage, and due to the presence of high energy hydrogen ions with small mass. A hydrogenated silicon thin film containing a microcrystalline phase and having excellent performance can be easily obtained. Furthermore, according to the method of the present invention, a hydrogenated silicon thin film with excellent performance can be easily produced without using highly dangerous SiH 4 gas.
さらに本発明製造方法は、通常の真空蒸着装置
を改良するだけで容易に実施でき、又、連続化、
大面積化も容易なものである。また、ホウ素、リ
ンなどの存在下に蒸着を行うか、PH3（ホスフイ
ン）、B2H6（ジボラン）等のガスを導入すること
により、Ｐ型、ｎ型の半導体を自在に作り分ける
ことが出来、太陽電池等への適用も可能である。 Furthermore, the manufacturing method of the present invention can be easily carried out by simply improving a normal vacuum evaporation apparatus, and can be carried out continuously.
It is also easy to increase the area. In addition, P-type and n-type semiconductors can be freely created by vapor deposition in the presence of boron, phosphorus, etc., or by introducing gases such as PH 3 (phosphine) and B 2 H 6 (diborane). It can also be applied to solar cells, etc.
以下本発明を実施例にもとづいき説明する。 The present invention will be explained below based on examples.
実施例 １
第１図〜第３図に示される装置を用い、高純度
シリコン塊をルツボ４１に入れ、基材８としてガ
ラス板（米国コーニング社製7059ガラス）を用い
該基材８を基材ホルダー７に取り付け、下記の条
件で基材８の表面に厚さ2μmの蒸着層を形成させ
た。Example 1 Using the apparatus shown in FIGS. 1 to 3, a high-purity silicon lump was placed in a crucible 41, a glass plate (7059 glass manufactured by Corning, Inc., USA) was used as the base material 8, and the base material 8 was used as a base material. It was attached to the holder 7, and a 2 μm thick vapor deposited layer was formed on the surface of the base material 8 under the following conditions.
水素ガス導入前の圧力：１×10-7トール
水素ガス導入後の圧力：１×10-4トール
基材ホルダー７に与えるイオン加速電圧：
−1.0KV
基材８に流入する水素イオン電流：10μA／cm2
シリコンの蒸着速度：200Å／min
基材８の温度：300℃
かくして得られたシリコン薄膜を電子線回折に
より解析した結果、微結晶相を含んでいることが
確認された。Pressure before introduction of hydrogen gas: 1 × 10 -7 Tor Pressure after introduction of hydrogen gas: 1 × 10 -4 Thor Ion acceleration voltage applied to base material holder 7: -1.0 KV Hydrogen ion current flowing into base material 8: 10 μA /cm 2 Silicon vapor deposition rate: 200 Å/min Temperature of base material 8: 300° C. The silicon thin film thus obtained was analyzed by electron diffraction, and it was confirmed that it contained a microcrystalline phase.
該薄膜の特性は下記の通りであつた。 The properties of the thin film were as follows.
暗導電率：2.2×10-5Ω-1cm-1
光導電率：8.7×10-5Ω-1cm-1
（照射条件：He―Neレーザー、300μW／cm2）
実施例 ２
基材８に流入する水素イオン電流を100μA／
cm2、基材８の温度を225℃とし、他の条件は実施
例１と同じにして基材８の表面に厚さ2μmの蒸着
層を形成した。Dark conductivity: 2.2×10 -5 Ω -1 cm -1 Photoconductivity: 8.7×10 -5 Ω -1 cm -1 (Irradiation conditions: He-Ne laser, 300 μW/cm 2 ) Example 2 Base material 8 The hydrogen ion current flowing into the
cm 2 , and the temperature of the substrate 8 was 225° C., and the other conditions were the same as in Example 1 to form a 2 μm thick vapor deposited layer on the surface of the substrate 8.
かくして得られた薄膜は微結晶相を含んでいる
ことが確認され、特性は下記の通りであつた。 It was confirmed that the thin film thus obtained contained a microcrystalline phase, and its properties were as follows.
暗導電率：5.7×10-4Ω-1cm-1
光導電率：3.4×10-4Ω-1cm-1
比較例
水素イオン発生装置６を動作させず、また基材
ホルダー７に与えるイオン加速電圧も0KVとし、
他の条件は実施例１と同じにして基材８の表面に
厚さ2μmの蒸着層を形成した。 Dark conductivity: 5.7×10 -4 Ω -1 cm -1 Photoconductivity: 3.4×10 -4 Ω -1 cm -1 Comparative example Hydrogen ion generator 6 was not operated and ions were supplied to substrate holder 7 The acceleration voltage is also 0KV,
The other conditions were the same as in Example 1, and a vapor deposited layer with a thickness of 2 μm was formed on the surface of the base material 8.
かくして得られた薄膜は、完全に非晶質である
ことが確認され、特性は下記の通りであつた。 The thin film thus obtained was confirmed to be completely amorphous, and its properties were as follows.
暗導電率：4.7×10-9Ω-1cm-1 光導電率：2.6×10-7Ω-1cm-1 Dark conductivity: 4.7× 10-9 Ω -1 cm -1 Photoconductivity: 2.6× 10-7 Ω -1 cm -1
第１図は本発明方法を実施するための装置の１
例を示す説明図、第２図は原子状水素発生装置５
の一例を示す断面図、第３図は水素イオン発生装
置６の一例を示す断面図である。
１…真空容器、２…真空室、３…排気口、４…
電子ビーム蒸発源、４１…ルツボ、５…原子状水
素発生装置、６…水素イオン発生装置、７…基材
ホルダー、８…基材、１０，１１…水素ボンベ、
１２，１３，１４，１５…バルブ、１７…シヤツ
ター、１８…蒸発源生成イオン捕集電極。
FIG. 1 shows one of the apparatuses for carrying out the method of the present invention.
An explanatory diagram showing an example, FIG. 2 is an atomic hydrogen generator 5
3 is a sectional view showing an example of the hydrogen ion generator 6. FIG. 1... Vacuum container, 2... Vacuum chamber, 3... Exhaust port, 4...
Electron beam evaporation source, 41... Crucible, 5... Atomic hydrogen generator, 6... Hydrogen ion generator, 7... Substrate holder, 8... Base material, 10, 11... Hydrogen cylinder,
12, 13, 14, 15...Valve, 17...Shutter, 18... Evaporation source generated ion collection electrode.
Claims (1)
器内でシリコンを加熱蒸発することにより得られ
る非荷電状態のシリコン原子を基材上に射突させ
ると同時に、基材の近傍に設置された原子状水素
発生装置及び水素イオン発生装置から供給される
原子状水素及び電界効果により高エネルギーを付
与された水素イオンを上記基材上に射突させるこ
とにより、シリコン薄膜を形成することを特徴と
する薄膜半導体の製造方法。 ２ 水素イオンに付与されるエネルギーが0.3〜
10KeVである第１項記載の薄膜半導体の製造方
法。[Claims] At the same time, silicon atoms in an uncharged state obtained by heating and evaporating silicon in a vacuum chamber evacuated to a high vacuum of 1 10 -5 Torr or less are bombarded onto a base material. By bombarding the substrate with atomic hydrogen supplied from an atomic hydrogen generator and a hydrogen ion generator installed near the substrate and hydrogen ions given high energy by the electric field effect, a silicon thin film is produced. A method for manufacturing a thin film semiconductor, comprising: forming a thin film semiconductor. 2 The energy given to hydrogen ions is 0.3~
1. The method for producing a thin film semiconductor according to item 1, which has a voltage of 10 KeV.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133296A JPS6025225A (en) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | Manufacture of thin film semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58133296A JPS6025225A (en) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | Manufacture of thin film semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025225A JPS6025225A (en) | 1985-02-08 |
| JPS6367330B2 true JPS6367330B2 (en) | 1988-12-26 |
Family
ID=15101334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58133296A Granted JPS6025225A (en) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | Manufacture of thin film semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025225A (en) |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP58133296A patent/JPS6025225A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6025225A (en) | 1985-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4443488A (en) | Plasma ion deposition process | |
| US4927786A (en) | Process for the formation of a silicon-containing semiconductor thin film by chemically reacting active hydrogen atoms with liquefied film-forming raw material gas on the surface of a substrate | |
| JPH0794431A (en) | Substrate for amorphous semiconductor, amorphous semiconductor substrate having the substrate, and method for manufacturing the amorphous semiconductor substrate | |
| US20100311229A1 (en) | Amorphous group iii-v semiconductor material and preparation thereof | |
| US4637869A (en) | Dual ion beam deposition of amorphous semiconductor films | |
| JPH0143449B2 (en) | ||
| US4702965A (en) | Low vacuum silicon thin film solar cell and method of production | |
| JP3351679B2 (en) | Method for manufacturing polycrystalline silicon thin film laminate and silicon thin film solar cell | |
| JPS6367330B2 (en) | ||
| US5501745A (en) | Low temperature method for making a photovoltaic material | |
| US4266984A (en) | Enhanced open circuit voltage in amorphous silicon photovoltaic devices | |
| JPH07106615A (en) | Method for manufacturing transparent conductive film and photoelectric conversion semiconductor device | |
| JPH079059B2 (en) | Method for producing carbon thin film | |
| JPH0131289B2 (en) | ||
| JP3102540B2 (en) | Method for forming low hydrogen content amorphous silicon semiconductor thin film | |
| Khan et al. | Ion beam deposition of crystallographically aligned nano-crystalline silicon films | |
| JP2896247B2 (en) | Photoelectric conversion element | |
| JPS61189625A (en) | Formation of deposited film | |
| JPS639743B2 (en) | ||
| JPH0113213B2 (en) | ||
| JP3107424B2 (en) | Photoelectric conversion element | |
| JPH026831B2 (en) | ||
| JPS61179870A (en) | Method of forming accumulated film | |
| JPS5837247B2 (en) | Manufacturing method of amorphous silicon | |
| Miryala | Deposition of Silicon Thin Films by Ion Beam Assisted Deposition |