JPS6377840A - 超誘電特性を有する化合物 - Google Patents
超誘電特性を有する化合物Info
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- JPS6377840A JPS6377840A JP62223221A JP22322187A JPS6377840A JP S6377840 A JPS6377840 A JP S6377840A JP 62223221 A JP62223221 A JP 62223221A JP 22322187 A JP22322187 A JP 22322187A JP S6377840 A JPS6377840 A JP S6377840A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、強誘電特性を有する新規化合物及びその液晶
適用形での用途に関する。
適用形での用途に関する。
発明の構成
本発明によれば、式：
％式％
〔式中、
Ａは液晶物質又は液晶相容性物質の基全表し、ＸはＯ又
はＳを表し、 ｎはＯ又は１であり、 Ｙは式Ｉの化合物の融点を２００°（１−越えさせるこ
とのない任意の基を表し、 Ｒ１はＨ，Ｃ’ｌ〜４−アルキル基及びハロゲン原子か
ら選択されかつＲ２はＣ□〜４−アルキル基又はハロゲ
ン原子上表し、但しＲＬとＲ２は異なっている〕で示さ
れる＠誘電特性を有する化合物が提供される。
はＳを表し、 ｎはＯ又は１であり、 Ｙは式Ｉの化合物の融点を２００°（１−越えさせるこ
とのない任意の基を表し、 Ｒ１はＨ，Ｃ’ｌ〜４−アルキル基及びハロゲン原子か
ら選択されかつＲ２はＣ□〜４−アルキル基又はハロゲ
ン原子上表し、但しＲＬとＲ２は異なっている〕で示さ
れる＠誘電特性を有する化合物が提供される。
Ａによって表される液晶、又は液晶相容性物質の残基は
、有利には式： ％式％ 〔式中 Ｒ３はＨ，アルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、フルオロ−フルキル又はアルコキシ基、アル
コキシアルキル基、ハロゲン原子、アルキル−カルボニ
ル又はカルポニルオΦシ基及びアルコキシ−カルボニル
又バーカルボニルオキシ基から選択され、 −ＣＨ瓢ＣＨ−，−ＣＨ２０−、−０ＣＨ２−、−Ｎ−
Ｎ−。
、有利には式： ％式％ 〔式中 Ｒ３はＨ，アルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、フルオロ−フルキル又はアルコキシ基、アル
コキシアルキル基、ハロゲン原子、アルキル−カルボニ
ル又はカルポニルオΦシ基及びアルコキシ−カルボニル
又バーカルボニルオキシ基から選択され、 −ＣＨ瓢ＣＨ−，−ＣＨ２０−、−０ＣＨ２−、−Ｎ−
Ｎ−。
Ｏ０
−ＣＨ２ＣＨＤ−を及び−ＣＨＤＣＨｇ−から選択され
る基ヲ表し、上記式中りはＨ，シアノ基、へ〇デン原子
、 ＣＦ３及びＣＢ、から選択され、 Ａｉ、Ａ２、Ａ３及びＡ４は相互に無関係に、置換され
ていてもよい１．４−フェニレン基、０又はＳによって
置換されていてもよい、１ハ２個の環式炭素原子を有す
る置換されていてもよい１．４−シクロヘキシレン基又
は １．６−ナフチレン基又は１，４−す７チレン基ｔ−表
しかつ ｉ、ｊ及びｋは相互に無関係に０又は１を表す〕を有す
る。
る基ヲ表し、上記式中りはＨ，シアノ基、へ〇デン原子
、 ＣＦ３及びＣＢ、から選択され、 Ａｉ、Ａ２、Ａ３及びＡ４は相互に無関係に、置換され
ていてもよい１．４−フェニレン基、０又はＳによって
置換されていてもよい、１ハ２個の環式炭素原子を有す
る置換されていてもよい１．４−シクロヘキシレン基又
は １．６−ナフチレン基又は１，４−す７チレン基ｔ−表
しかつ ｉ、ｊ及びｋは相互に無関係に０又は１を表す〕を有す
る。
Ｒ３がＨ以外のものを表わす場合には、４〜１２、よシ
有利には５〜１２、特に６〜１２個の炭素原子を含有す
る。Ｒ３によって表される有利な基は、０６〜１１−ア
ルキル基及びｃ５〜１２−アル；キシ基及び特に有利に
は少なくとも６個の炭素原子を有する基である。
有利には５〜１２、特に６〜１２個の炭素原子を含有す
る。Ｒ３によって表される有利な基は、０６〜１１−ア
ルキル基及びｃ５〜１２−アル；キシ基及び特に有利に
は少なくとも６個の炭素原子を有する基である。
Ｔ” −Ｔ’ （Ｄ各々は相互に無関係に一〇Ｈ２・Ｃ
Ｈ２−１−Ｏ−ＣＨ２−１−ＣＨ２・０−５−Ｏ−ＣＯ
−及び特に−〇〇−０−１−００．８−及び単共有結合
から選択されるの力！有利である。
Ｈ２−１−Ｏ−ＣＨ２−１−ＣＨ２・０−５−Ｏ−ＣＯ
−及び特に−〇〇−０−１−００．８−及び単共有結合
から選択されるの力！有利である。
ＤＦｉＨでおるのが有利であるが、但しＤがハロゲン原
子である場合には、有利にはＦ、Ｃ１及びＢｒから選択
される。
子である場合には、有利にはＦ、Ｃ１及びＢｒから選択
される。
Ａユ〜Ａ４の任意の１つが置換されたｉ、４−フェニレ
ン基を表す場合には、鉄基は分子の物理的特性、例えば
融点を変化させるために２．３．５及び／又は６位にＣ
Ｈｒ５、ＯＣＨ３、ＣＦ３、ＣＮ％ＮＯ２、Ｆ、Ｃ１％
Ｂｒ、ＯＨ及びＣＯＣＨ３から選択される４個までの置
換基金含有することができる。しかしながら、鉄基は置
換されていないか又はハロゲン原子、有利にはＦで置換
されているのが有利である。
ン基を表す場合には、鉄基は分子の物理的特性、例えば
融点を変化させるために２．３．５及び／又は６位にＣ
Ｈｒ５、ＯＣＨ３、ＣＦ３、ＣＮ％ＮＯ２、Ｆ、Ｃ１％
Ｂｒ、ＯＨ及びＣＯＣＨ３から選択される４個までの置
換基金含有することができる。しかしながら、鉄基は置
換されていないか又はハロゲン原子、有利にはＦで置換
されているのが有利である。
Ａ１へＡ４の任意の１つが場合によシｏ又はＳによって
置換された１又は２個の環式炭素原子を衣す場合には、
好ましくはトランス配位にありかつ有利にはトランス−
１，３−ジオキシレン、特にトランス−１，６−シオキ
ー２，５−イレンである。
置換された１又は２個の環式炭素原子を衣す場合には、
好ましくはトランス配位にありかつ有利にはトランス−
１，３−ジオキシレン、特にトランス−１，６−シオキ
ー２，５−イレンである。
Ａ↓〜Ａ４の任意の１つが１個以上の置換基を有するｉ
、４−シクロヘキシレンを表す場合には、該置換基は１
及び／又は４位にあって、例えば１−シアノシリコヘキ
セ−１，４−イレンである。
、４−シクロヘキシレンを表す場合には、該置換基は１
及び／又は４位にあって、例えば１−シアノシリコヘキ
セ−１，４−イレンである。
有利にはｉ、ｊ及びｋの和は１．２又は３であシかり更
に有利にはｉ％ｊ及びｋの２つは１である。
に有利にはｉ％ｊ及びｋの２つは１である。
Ｘは０又は８％特に０であるのが有利である。
Ｒ１はＨ又は０１〜４−アルキル基、特にＨ又はＣＨｓ
でありかつＲ２はＣ１へ番−アルキル基、特にＣＨ３で
あるのが有利である。また、Ｈｌ及びＲにの１つ以下が
ハロゲン原子、有利にはＦ％Ｃｔ又はＢｒであるのが好
ましい。
でありかつＲ２はＣ１へ番−アルキル基、特にＣＨ３で
あるのが有利である。また、Ｈｌ及びＲにの１つ以下が
ハロゲン原子、有利にはＦ％Ｃｔ又はＢｒであるのが好
ましい。
Ｙによって表される基の正確な特性は１要でないが、但
し式Ｉの化合物を２００°Ｃ以上、有利には１５０’Ｏ
，特に有利には１００°Ｃ？１１−越えさせるべきでな
い。式Ｉの化合物は５０’Ｃ以下、有利には２０℃以下
の融点を有しかつＹｉこの選択と一致するように選択す
るのが有利でおる。
し式Ｉの化合物を２００°Ｃ以上、有利には１５０’Ｏ
，特に有利には１００°Ｃ？１１−越えさせるべきでな
い。式Ｉの化合物は５０’Ｃ以下、有利には２０℃以下
の融点を有しかつＹｉこの選択と一致するように選択す
るのが有利でおる。
また、Ｙは水素結合を形成する強い傾向を有する基、例
えばＯＨ及び第−又は第ニアミノ基を表わさないか又は
含有しないのが有利である。
えばＯＨ及び第−又は第ニアミノ基を表わさないか又は
含有しないのが有利である。
Ｙによって表わされる適当な基の例は、アルコキシ、ア
ルキルチオ、アリールオキシ、アリ・−ルチオ、アルキ
ル、アリール、ジアルキルアミン基及びＨであシ、これ
らの基中アルキル基は線状、分枝鎖状又は環式又はこれ
らの組合せである。Ｙによって表わされるか又はＹ中に
含有されるアリール基は、有利にはフェニル又はす７チ
ルでありかつ水素結合を形成する強い傾向を有するもの
以外の ＡＸ−Ａ４に関して前述した置換基の任意のも
の、但し特に有利な置換基はＣＮ、ハロゲン原子、アル
キル基及びアルコキシ基である、によって置換されてい
てもよい。
ルキルチオ、アリールオキシ、アリ・−ルチオ、アルキ
ル、アリール、ジアルキルアミン基及びＨであシ、これ
らの基中アルキル基は線状、分枝鎖状又は環式又はこれ
らの組合せである。Ｙによって表わされるか又はＹ中に
含有されるアリール基は、有利にはフェニル又はす７チ
ルでありかつ水素結合を形成する強い傾向を有するもの
以外の ＡＸ−Ａ４に関して前述した置換基の任意のも
の、但し特に有利な置換基はＣＮ、ハロゲン原子、アル
キル基及びアルコキシ基である、によって置換されてい
てもよい。
Ｙによって表されるか又はＹ内に含有されるアルキル基
は、有利には線状又は分枝鎖状Ｃ１〜２゜−アルキル、
特にＣ１〜１２−アルキル、特に有利には０４〜１２−
アルキル、又は七ノー又はビー０４〜１２−シクロアル
キルである。骸アルキル基は場合によシ０又はＳによっ
て中断されていてもよい。特に、Ｙは０４〜１２−フル
コキシであるのが有利である。
は、有利には線状又は分枝鎖状Ｃ１〜２゜−アルキル、
特にＣ１〜１２−アルキル、特に有利には０４〜１２−
アルキル、又は七ノー又はビー０４〜１２−シクロアル
キルである。骸アルキル基は場合によシ０又はＳによっ
て中断されていてもよい。特に、Ｙは０４〜１２−フル
コキシであるのが有利である。
本発明による有利な化合物は、式：
〔式中、
ｐは６〜１２、特に７〜１２の整数全表し、ｑは２〜１
２、特に５〜１０の整数上表し、ｚｉは０又はＳを表し
、 Ｔは一〇〇、Ｏ−又は−００，８−を表わしかつＡ１％
Ａ２及びＡ３は夫々相互に無関係に１，４−フェニレン
、１．４−シクロヘキシレン、０又はＳによって置換さ
れた１又は２個の環式炭素原子を有するｉ、４−シクロ
ヘキシレン基、１．４−ビシクロ−（２，２，２）オク
タン、置換されていないか又はフルオロ置換基含有する
ｉ、６−す７チレン及び１，４−す７チレンから選択さ
れる〕で示される。
２、特に５〜１０の整数上表し、ｚｉは０又はＳを表し
、 Ｔは一〇〇、Ｏ−又は−００，８−を表わしかつＡ１％
Ａ２及びＡ３は夫々相互に無関係に１，４−フェニレン
、１．４−シクロヘキシレン、０又はＳによって置換さ
れた１又は２個の環式炭素原子を有するｉ、４−シクロ
ヘキシレン基、１．４−ビシクロ−（２，２，２）オク
タン、置換されていないか又はフルオロ置換基含有する
ｉ、６−す７チレン及び１，４−す７チレンから選択さ
れる〕で示される。
式Ｉの化合物中の末端位のアルキル基は、線状、即ち式
： ＣＨ３−（ＣＨ２）１）−１−及び−（ＯＨｇ）ｑ
−ｘ−ＣＨｓ又は分枝鎖状であってよい。
： ＣＨ３−（ＣＨ２）１）−１−及び−（ＯＨｇ）ｑ
−ｘ−ＣＨｓ又は分枝鎖状であってよい。
式Ｉ及び式Ｉに基づく化合物の特別の例は、ペンチル（
Ｒ）−２−（４−（４−（４−オクチルオキシフェニル
）ベンゾイルオキシシフエノキシ）−プロパノエート、 メチル（Ｒ）−２−（４−（４−（４−オクチルオキシ
フェニル）〕フェニルカルボニルオキシ）フェノキシフ
−プロパノエート である。
Ｒ）−２−（４−（４−（４−オクチルオキシフェニル
）ベンゾイルオキシシフエノキシ）−プロパノエート、 メチル（Ｒ）−２−（４−（４−（４−オクチルオキシ
フェニル）〕フェニルカルボニルオキシ）フェノキシフ
−プロパノエート である。
ｎ−１である式！の化合物は、式：
Ｒよ
Ａ−Ｘ−Ｃ−ＣＯ，Ｑ １〔式中、
ＱはＯＨ又はハロデフ原子ヲ表す〕で示される化合物を
アルコール、Ｙ−ＯＨと以下の反応式： ％式％ に基づき反応させることによりａ造することができる。
ＱはＯＨ又はハロデフ原子ヲ表す〕で示される化合物を
アルコール、Ｙ−ＯＨと以下の反応式： ％式％ に基づき反応させることによりａ造することができる。
弐Ｉの化合物それ自体は、式：
％式％
で示されるアルファーハロカルボン酸を、カルボン酸上
のアルファーハロダン原子を置換する荷電基Ａ−Ｘ″″
を形成する化合物Ａ−Ｘ−Ｈと以下の反応式： ％式％ に基づき反応させることによりｇ造することができる。
のアルファーハロダン原子を置換する荷電基Ａ−Ｘ″″
を形成する化合物Ａ−Ｘ−Ｈと以下の反応式： ％式％ に基づき反応させることによりｇ造することができる。
Ａ−Ｘ−が誘導可能である適当な化合物の例は、フェノ
−＃ （Ａ−ＯＨ）及びそれらのチオ（Ａ−ＡＪ（）、
同族体、例えば以下のものでわる： ４−フェニルフェノール、 ４−シクロヘキシルフェノール、 ４−（ビシクロ（２，２，２）カルボニルオキシ）フェ
ノール、 ４−（フェニルカルボニルオキシ）フェノール、 ４−（２−フェニルエチル）フェノール、４−（シクロ
ヘキソキシメチル）フェノール、４−（２−シクロヘキ
ソキシエチル）フェノール、 ４−（フェニルメテンアｆ）フェノール、４−（４−ｎ
−オクチルオキシフェニル）フェノール、 ４−（４−ｎ−オクチルフェニル）フェノール、 ４−（４−フェニルフェニルカルボニルオキシ）フェノ
ール、 ４〜（４−シクロヘキシルフェニルカルざニルオキシ）
フェノール、 ４−（２−（４−フェニルシクロへキシル〕エデル）フ
ェノール、 ４−（４−（２−シクロヘキシルエチル〕フェニル）フ
ェノール、 ４−（４−（２−フェニルエチル〕フェニル）フェノー
ル、 ４−（４−（２−（４−シクロへキシル７エ二ル〕エチ
ル）フェニルフェニル、 ４−（４−（２−（４−フェニルシクロヘキシル〕エチ
ル）フェニルフェノール及ヒ４−（４−フェニルフェニ
ル）フェノール、及びシクロアルコール又は環式アルコ
ール（Ａ−ＯＨ）及びそのチオ（Ａ−３Ｈ）同族体、例
えば ４−シクロヘキシルシクロヘキサノール、４−フェニル
シクロヘキサノール、 ４−（ビシクロ（２，２，２）オクト−１−イル）シク
ロヘキサノール、 ４−（１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサノ
ール、 ４−（１，３−ピリミジン−２−イル）シクロヘキサノ
ール、 ４− （２−フェニルエチル）シクロヘキサノール、 ４−（フェニルカルざニルオキシ）シクロヘキサノール
、 ４−（フェニルメチンアｆ）シクロヘキサノール、 ４−（４−オクチルフェニル）シクロヘキサノール、 ４−（４−オクトキシフェニル）シクロヘキサノール、 ４−（４−フェニルフェニルカルボニルオキシ）シクロ
ヘキサノール、 ４−（４−シクロヘキシルフェニルカルボニルオキシ）
シクロヘキサノール、 ４−（４−（２−シクロヘキシルエチル〕フェニル）シ
クロヘ−＋？／−ル、 ４− （４−（シクロヘキソキツメチル〕７エエル）シ
クロヘキサノール、 ４−（４−フェニルフェニル）シクロヘキサノール、 ４− （４−（、ｌ！−フェニルフェニルカルざニルオ
キシ〕フェニル）シクロヘキサノール、２−（２−シク
ロヘキシルエチル）−１，３−ジオキサン−４−オール
及び ４−（２−フェニルエチル）ビシクロ（２゜２．２〕オ
クタン−１−オール これらの任意の１つは、有利でもあるが、ＯＨ基から離
れた端末環上の４位でＲ３（特にこの場合Ｒ３は０４〜
１２−アルキル又はアルコキシである）によって、かつ
別の任意の位置で ＡｍＮＡ４によって表わされる基に
関して前記に挙げた置換基の１以上によって置換式れて
いてもよい。
−＃ （Ａ−ＯＨ）及びそれらのチオ（Ａ−ＡＪ（）、
同族体、例えば以下のものでわる： ４−フェニルフェノール、 ４−シクロヘキシルフェノール、 ４−（ビシクロ（２，２，２）カルボニルオキシ）フェ
ノール、 ４−（フェニルカルボニルオキシ）フェノール、 ４−（２−フェニルエチル）フェノール、４−（シクロ
ヘキソキシメチル）フェノール、４−（２−シクロヘキ
ソキシエチル）フェノール、 ４−（フェニルメテンアｆ）フェノール、４−（４−ｎ
−オクチルオキシフェニル）フェノール、 ４−（４−ｎ−オクチルフェニル）フェノール、 ４−（４−フェニルフェニルカルボニルオキシ）フェノ
ール、 ４〜（４−シクロヘキシルフェニルカルざニルオキシ）
フェノール、 ４−（２−（４−フェニルシクロへキシル〕エデル）フ
ェノール、 ４−（４−（２−シクロヘキシルエチル〕フェニル）フ
ェノール、 ４−（４−（２−フェニルエチル〕フェニル）フェノー
ル、 ４−（４−（２−（４−シクロへキシル７エ二ル〕エチ
ル）フェニルフェニル、 ４−（４−（２−（４−フェニルシクロヘキシル〕エチ
ル）フェニルフェノール及ヒ４−（４−フェニルフェニ
ル）フェノール、及びシクロアルコール又は環式アルコ
ール（Ａ−ＯＨ）及びそのチオ（Ａ−３Ｈ）同族体、例
えば ４−シクロヘキシルシクロヘキサノール、４−フェニル
シクロヘキサノール、 ４−（ビシクロ（２，２，２）オクト−１−イル）シク
ロヘキサノール、 ４−（１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサノ
ール、 ４−（１，３−ピリミジン−２−イル）シクロヘキサノ
ール、 ４− （２−フェニルエチル）シクロヘキサノール、 ４−（フェニルカルざニルオキシ）シクロヘキサノール
、 ４−（フェニルメチンアｆ）シクロヘキサノール、 ４−（４−オクチルフェニル）シクロヘキサノール、 ４−（４−オクトキシフェニル）シクロヘキサノール、 ４−（４−フェニルフェニルカルボニルオキシ）シクロ
ヘキサノール、 ４−（４−シクロヘキシルフェニルカルボニルオキシ）
シクロヘキサノール、 ４−（４−（２−シクロヘキシルエチル〕フェニル）シ
クロヘ−＋？／−ル、 ４− （４−（シクロヘキソキツメチル〕７エエル）シ
クロヘキサノール、 ４−（４−フェニルフェニル）シクロヘキサノール、 ４− （４−（、ｌ！−フェニルフェニルカルざニルオ
キシ〕フェニル）シクロヘキサノール、２−（２−シク
ロヘキシルエチル）−１，３−ジオキサン−４−オール
及び ４−（２−フェニルエチル）ビシクロ（２゜２．２〕オ
クタン−１−オール これらの任意の１つは、有利でもあるが、ＯＨ基から離
れた端末環上の４位でＲ３（特にこの場合Ｒ３は０４〜
１２−アルキル又はアルコキシである）によって、かつ
別の任意の位置で ＡｍＮＡ４によって表わされる基に
関して前記に挙げた置換基の１以上によって置換式れて
いてもよい。
選択的に、式Ｉの化合物は、環式基 ｐ Ｊ−、、ｐ、
、４の所望の数未満を含有する化合物Ａ−Ｘ−Ｈの先駆
物質から誘導可能であシ、該先駆物質は同じ形式でフル
７アーハローカルボキシルと反応させ、引続き更にエス
テル化及び別の環式基の付加により式Ｉの化合物を構成
することができる。
、４の所望の数未満を含有する化合物Ａ−Ｘ−Ｈの先駆
物質から誘導可能であシ、該先駆物質は同じ形式でフル
７アーハローカルボキシルと反応させ、引続き更にエス
テル化及び別の環式基の付加により式Ｉの化合物を構成
することができる。
従って、式Ｉ中、ｎｗ １でｓｂかつＡが式：Ｒ３−（
Ａλ）１−（Ｔｌ）−（Ａ”）、１−Ｔ２−（Ａ３）ｋ
−Ｔ３−Ａ” ＩＩ〔式中 Ｒ３はＨ，アルキル基
、アルコキシ基、アルキルチオ基、フルオロ−アルキル
又はアルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロダン原
子、アルキル−カルボニル又はカルボニルオキシ基及び
アルコキシ−カルボニル又は−カルボニルオキシ基から
選択され、 Ｔｌ及びＴ２は相互に無関係に単共有結合又は−ＣＯ，
Ｏ−、−０，ＣＯ−、−ＣＯ，Ｓ−、Ｃ８，Ｏ−ｅ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、−ＣＨ２０−、−０ＣＨ２−、−Ｎ冒Ｎ−
。
Ａλ）１−（Ｔｌ）−（Ａ”）、１−Ｔ２−（Ａ３）ｋ
−Ｔ３−Ａ” ＩＩ〔式中 Ｒ３はＨ，アルキル基
、アルコキシ基、アルキルチオ基、フルオロ−アルキル
又はアルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロダン原
子、アルキル−カルボニル又はカルボニルオキシ基及び
アルコキシ−カルボニル又は−カルボニルオキシ基から
選択され、 Ｔｌ及びＴ２は相互に無関係に単共有結合又は−ＣＯ，
Ｏ−、−０，ＣＯ−、−ＣＯ，Ｓ−、Ｃ８，Ｏ−ｅ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、−ＣＨ２０−、−０ＣＨ２−、−Ｎ冒Ｎ−
。
−ＣＨ２ＣＨＤ−、及び−ＣＨＤＣＨ２−から選択され
る基を表し、上記式中りは■、シアン基、ハロダン原子
、 ＣＦｓ及びＣＨ３から選択され、 Ｔ３は一〇〇、Ｏ−を表し、 Ａ上、Ａｉ、Ａ３及びＡ４は相互に無関係に、置換され
ていてもよい１，４−フェニレン基、Ｏ又はＳによって
置換されていてもよい、１又は２個の環式炭素原子を有
する置換されていてもよい１，４−シクロヘキシレン基
又ハ １．６−ナフチレン基又は１．４−ナフチレン基を表し
、かつ ｉ、ｊ及びｋは相互に無関係に０又は１を表す〕で示さ
れる化合物の製法は、式： ％式％ 〔式中、ＱはＯＨ又はハロゲノを表す〕で示される化合
物を式： ％式％ の化合物と反応させることよシ成っていてもよい＠ このような方法の１例は、ヒドロキノン’ｔ−２−クロ
セプロパン酸と反応させることによって２−（４−ヒド
ロキシフェノ中シ）プロパン酸を形成させ、引続きペン
タン−１−オールでエステル化しかつ該エステルを４−
（４−オクチルオキシフェニル）安息香酸（０ＰＢＡ
）又は酸塩化物（０ＰＥＣ）と反応させることによシ、
式■の化合物、ペンチル（Ｒ）−２−（４−（４−オク
チルオキシフェニル）フェニルカルざニルオキシシフエ
ノキシ）プロパノエートに転化することより成る。
る基を表し、上記式中りは■、シアン基、ハロダン原子
、 ＣＦｓ及びＣＨ３から選択され、 Ｔ３は一〇〇、Ｏ−を表し、 Ａ上、Ａｉ、Ａ３及びＡ４は相互に無関係に、置換され
ていてもよい１，４−フェニレン基、Ｏ又はＳによって
置換されていてもよい、１又は２個の環式炭素原子を有
する置換されていてもよい１，４−シクロヘキシレン基
又ハ １．６−ナフチレン基又は１．４−ナフチレン基を表し
、かつ ｉ、ｊ及びｋは相互に無関係に０又は１を表す〕で示さ
れる化合物の製法は、式： ％式％ 〔式中、ＱはＯＨ又はハロゲノを表す〕で示される化合
物を式： ％式％ の化合物と反応させることよシ成っていてもよい＠ このような方法の１例は、ヒドロキノン’ｔ−２−クロ
セプロパン酸と反応させることによって２−（４−ヒド
ロキシフェノ中シ）プロパン酸を形成させ、引続きペン
タン−１−オールでエステル化しかつ該エステルを４−
（４−オクチルオキシフェニル）安息香酸（０ＰＢＡ
）又は酸塩化物（０ＰＥＣ）と反応させることによシ、
式■の化合物、ペンチル（Ｒ）−２−（４−（４−オク
チルオキシフェニル）フェニルカルざニルオキシシフエ
ノキシ）プロパノエートに転化することより成る。
ｎｍＱである式Ｉの化合物は、式：
Ａ−Ｃ−Ｃｏ−Ｙ ■で示される置
換されたエタノエートをアルキル化剤：Ｒｉｘ、例えば
アルキルハロゲン化物、特に沃素化物と、強塩基、例え
はりチウムジ−イソプロピルアミド、ンーダミド又は水
素化ナトリウムの存在下に反応させることによシ製造す
ることかできる。式■の化合物中入によって表される有
利な基は、ビフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、
４′−アルキルビンエニー４−イル、４′−アルコキシ
ビスエニー４−イル、４− （２−（４’−アルキルぎ
フエニー４−イル〕エチル）フェニル及び４−ｃ２−〔
４′−アルキルーフエニー４−イル〕メトキシ）フェニ
ルである。この方法は、Ｒ２がＨである場合が特に有利
である。
換されたエタノエートをアルキル化剤：Ｒｉｘ、例えば
アルキルハロゲン化物、特に沃素化物と、強塩基、例え
はりチウムジ−イソプロピルアミド、ンーダミド又は水
素化ナトリウムの存在下に反応させることによシ製造す
ることかできる。式■の化合物中入によって表される有
利な基は、ビフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、
４′−アルキルビンエニー４−イル、４′−アルコキシ
ビスエニー４−イル、４− （２−（４’−アルキルぎ
フエニー４−イル〕エチル）フェニル及び４−ｃ２−〔
４′−アルキルーフエニー４−イル〕メトキシ）フェニ
ルである。この方法は、Ｒ２がＨである場合が特に有利
である。
選択的に、ｎ−Ｑである式ｌの化合物は、Ａが環式基Ａ
ｍ −ｙ Ａ４の所望の数未満から成る小さい基によっ
て置換された式■のエタノエート化金物の先駆物質から
かつエタノエートのアルキル化後に上記後者の基を付加
することにより製造することができる。従って Ｔ３が
一〇〇、Ｏ−である場合には ｉｌ ｍ Ｏである式Ｉ
の化合物は、式； ％式％ で示される化合物を、遊離ＯＨ基の保護（例えばトリメ
チルシリル基を用いて）後に、アルキル化剤（ＲＩＸ
）と強塩基の存在下に反応させ、式： ％式％ で示される化合物を形成しかつ次いでＯＨ基から保り基
を除去しかつ式■の化合物と反応させることによｐ式Ｉ
の化合物を形成させることによシ製造することができる
。
ｍ −ｙ Ａ４の所望の数未満から成る小さい基によっ
て置換された式■のエタノエート化金物の先駆物質から
かつエタノエートのアルキル化後に上記後者の基を付加
することにより製造することができる。従って Ｔ３が
一〇〇、Ｏ−である場合には ｉｌ ｍ Ｏである式Ｉ
の化合物は、式； ％式％ で示される化合物を、遊離ＯＨ基の保護（例えばトリメ
チルシリル基を用いて）後に、アルキル化剤（ＲＩＸ
）と強塩基の存在下に反応させ、式： ％式％ で示される化合物を形成しかつ次いでＯＨ基から保り基
を除去しかつ式■の化合物と反応させることによｐ式Ｉ
の化合物を形成させることによシ製造することができる
。
このような製造法の１例は、ヒドロキシル保護メチル２
−（４−ヒドロキシフェニル）エタノエート、例えばメ
チル２− （４−（トＩＪメチト ルシリルオキシ〕フェニル）エタノニー７をリチウムジ
−インプロピルアミド及び沃化メチルと反応させること
によジメチル２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパノ
エートを形成し、次いで、核化合物を４−（４−フルキ
ルオキシフェニル）フェニルカルボニルクロ’Ｊ）’Ｔ
７シル化してメチル２−（４−（４−（４−アルキルオ
キシフェニル）フェニルカルボニルオキシフフェニル）
プロパノエートにするか又は選択的に別のアルコール、
例えばエタノールでエステに５ｅ換してエチル２−（４
−ヒドロキシ７エール）プロパノエートを生せしめるこ
とよシ成シ、該化合物はエチル２−（４−（４−（４−
フルキルオキシフェニル）フェニルカルボニルオキシフ
フェニル）プロパノエートを形成するために予めアルシ
ル化することができる。
−（４−ヒドロキシフェニル）エタノエート、例えばメ
チル２− （４−（トＩＪメチト ルシリルオキシ〕フェニル）エタノニー７をリチウムジ
−インプロピルアミド及び沃化メチルと反応させること
によジメチル２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパノ
エートを形成し、次いで、核化合物を４−（４−フルキ
ルオキシフェニル）フェニルカルボニルクロ’Ｊ）’Ｔ
７シル化してメチル２−（４−（４−（４−アルキルオ
キシフェニル）フェニルカルボニルオキシフフェニル）
プロパノエートにするか又は選択的に別のアルコール、
例えばエタノールでエステに５ｅ換してエチル２−（４
−ヒドロキシ７エール）プロパノエートを生せしめるこ
とよシ成シ、該化合物はエチル２−（４−（４−（４−
フルキルオキシフェニル）フェニルカルボニルオキシフ
フェニル）プロパノエートを形成するために予めアルシ
ル化することができる。
これらは不斉炭素原子（Ｃ＊）を含有するので、式１の
化合物は光学的に純粋な形で、分子がチルトしたスメク
チックメソ相で配！されていれば大きな自発分極（Ｐｓ
）を有する。更に、これらの化合物のいくつか、特に式
ｌのものも、周囲に近い温度でチルトしたスメクチック
メソ相、特にスメクチックＣメソ相を有する。
化合物は光学的に純粋な形で、分子がチルトしたスメク
チックメソ相で配！されていれば大きな自発分極（Ｐｓ
）を有する。更に、これらの化合物のいくつか、特に式
ｌのものも、周囲に近い温度でチルトしたスメクチック
メソ相、特にスメクチックＣメソ相を有する。
これらの両特性を有する式Ｉの化合物は、周囲温度又は
それに近い温度で作動可能である、電磁線の変調のため
の強誘電特性を使用するデバイス内の活性成分として使
用することができる。通常の温度範囲に亘ってチルトし
たスメクチックメソ相を有しない式■の化合物は、これ
らを周囲＠夏範囲内で傾斜したスメクチックメソ相を有
する第２の化合物と共に組成物に配合すれば同じ形式で
使用することができる。このような組成物では、大きな
自発分極を有しかつ第２の化合物はそれをチルトしたメ
ソ相に配向する。
それに近い温度で作動可能である、電磁線の変調のため
の強誘電特性を使用するデバイス内の活性成分として使
用することができる。通常の温度範囲に亘ってチルトし
たスメクチックメソ相を有しない式■の化合物は、これ
らを周囲＠夏範囲内で傾斜したスメクチックメソ相を有
する第２の化合物と共に組成物に配合すれば同じ形式で
使用することができる。このような組成物では、大きな
自発分極を有しかつ第２の化合物はそれをチルトしたメ
ソ相に配向する。
実施例
次に実施例によｐ本発明を説明する。なお、実施例中「
部」及び「係」は他にことわりのない限シ重量に基づく
。実施例中、ＳＯＲはクロロホルム中５８９ ｎｍ及び
周囲温度での比旋光度〔α〕Ｔ８９である。
部」及び「係」は他にことわりのない限シ重量に基づく
。実施例中、ＳＯＲはクロロホルム中５８９ ｎｍ及び
周囲温度での比旋光度〔α〕Ｔ８９である。
例 １
トルエン３０〜％ １− ”ｅフタノール３０ ミ！
Ｊ七ｋ、９８ ％ ノＩ（２８０，［１，２ｄ及び硼酸
０．１ｙ中の（Ｒ）−２−（４−ヒドロキシフェニノキ
シ）（Ｄｅａｎ ＆ ５ｔａｒｋ ）装置での共沸蒸留
によって除去した。６時間後、過剰のトルエンを蒸留し
た。その残留分を冷却しかつジクロロメタンで希釈し、
希ＨＣｉ、水及び飽和ＮａＨＣＯ３溶液で洗浄し、乾燥
（ＭｇＳＯ４） Ｌかつ粗製生成物を蒸発によシ単離し
た。これを蒸留（球管、０．０５ミリバールで沸点１５
０〜１６０°Ｃ）してｐＨｐｐ（収率５７％）を得た。
Ｊ七ｋ、９８ ％ ノＩ（２８０，［１，２ｄ及び硼酸
０．１ｙ中の（Ｒ）−２−（４−ヒドロキシフェニノキ
シ）（Ｄｅａｎ ＆ ５ｔａｒｋ ）装置での共沸蒸留
によって除去した。６時間後、過剰のトルエンを蒸留し
た。その残留分を冷却しかつジクロロメタンで希釈し、
希ＨＣｉ、水及び飽和ＮａＨＣＯ３溶液で洗浄し、乾燥
（ＭｇＳＯ４） Ｌかつ粗製生成物を蒸発によシ単離し
た。これを蒸留（球管、０．０５ミリバールで沸点１５
０〜１６０°Ｃ）してｐＨｐｐ（収率５７％）を得た。
４−〔４−オクチルオキシフェニル〕安息香酸（０ＰＢ
Ａ ）を還流下に塩化オキサリルと一緒に加熱すること
によって酸塩化物に転化し、次いで過剰の塩化オキサリ
ルを留去しかつその残留分をエタノール不含のクロロホ
ルム中に回収した。
Ａ ）を還流下に塩化オキサリルと一緒に加熱すること
によって酸塩化物に転化し、次いで過剰の塩化オキサリ
ルを留去しかつその残留分をエタノール不含のクロロホ
ルム中に回収した。
（ｃｌ ペンチル（Ｒ）−２−（４−（４−（４−乾
燥したエタノール不含のクロロホルム５ＩＲ１中の例（
ａ）からのＰＩ（ＰＰ ４．０ミリモルを、例１（ｂ）
からの０ＰＢ０４ミリモルのクロロホルム溶液に加え、
引続き乾燥ピリジン１１ミリモルを加えた。該混合物ｔ
−１６時間６０℃に加熱し、室温に冷却しかつジクロロ
メタンで希釈した。希ＨＣＬ 、水及びＮａＨＣＯ３の
飽和溶液で洗浄し友後に、該混合物を乾燥しく Ｍｇ８
０４）かつ粗製生成物を蒸発により単離した。この生成
物を力ジムクロマトグラフイー処理しくシリカゲル、溶
離剤２：１−ヘキサン：クロロホルム）、白色の固体を
得、これをへΦサンから再結晶させた（収率６６％；融
点５５°Ｃ； ＳＯＲ： ＋ １６° 。
燥したエタノール不含のクロロホルム５ＩＲ１中の例（
ａ）からのＰＩ（ＰＰ ４．０ミリモルを、例１（ｂ）
からの０ＰＢ０４ミリモルのクロロホルム溶液に加え、
引続き乾燥ピリジン１１ミリモルを加えた。該混合物ｔ
−１６時間６０℃に加熱し、室温に冷却しかつジクロロ
メタンで希釈した。希ＨＣＬ 、水及びＮａＨＣＯ３の
飽和溶液で洗浄し友後に、該混合物を乾燥しく Ｍｇ８
０４）かつ粗製生成物を蒸発により単離した。この生成
物を力ジムクロマトグラフイー処理しくシリカゲル、溶
離剤２：１−ヘキサン：クロロホルム）、白色の固体を
得、これをへΦサンから再結晶させた（収率６６％；融
点５５°Ｃ； ＳＯＲ： ＋ １６° 。
ｃ ＝ １５．６ ） ＰＯＢＰＰとし”ｃｏ生成物
ｏｓ造は、元素分析、工Ｒ、！Ｉ（−ＮＭＲ及び質量分
光分析によって確認された。
ｏｓ造は、元素分析、工Ｒ、！Ｉ（−ＮＭＲ及び質量分
光分析によって確認された。
例 ２
（ａ） （Ｒ） −２−（４−ヒドロキシフェニルテ
エタノール５Ｑ［］ｄ１モル及び水５０１７１モル中の
（８）−２−クロロゾロパノン酸０．２５モルの溶液に
水酸化ナトリウム２．２５モル等量 ゛トー緒に０
℃で４−ヒドロキシフェニルチオール０．１８ミリモル
を加えた。この混合物を徐々に室温に加温しかつ次いで
５０〜６０℃で１〜４時間加熱した。冷却した溶液を！
ｌＨＣｌで一一１に酸ａ化しかつ４−メチル−２−ペン
タノン又はエチルアセテートで抽出した。有機相を乾燥
（Ｍｇ８０４） Ｌかつ粗製生成物を蒸発によシ単離し
た。純粋な生成物はクロロホルム又はメタノールから一
定の旋光度に再結晶させることによシ得られた（収率７
９％；融点１３８〜１３９℃： ＥＩＯＲ： ＋ １０
２° 、ｃ＝２）。
エタノール５Ｑ［］ｄ１モル及び水５０１７１モル中の
（８）−２−クロロゾロパノン酸０．２５モルの溶液に
水酸化ナトリウム２．２５モル等量 ゛トー緒に０
℃で４−ヒドロキシフェニルチオール０．１８ミリモル
を加えた。この混合物を徐々に室温に加温しかつ次いで
５０〜６０℃で１〜４時間加熱した。冷却した溶液を！
ｌＨＣｌで一一１に酸ａ化しかつ４−メチル−２−ペン
タノン又はエチルアセテートで抽出した。有機相を乾燥
（Ｍｇ８０４） Ｌかつ粗製生成物を蒸発によシ単離し
た。純粋な生成物はクロロホルム又はメタノールから一
定の旋光度に再結晶させることによシ得られた（収率７
９％；融点１３８〜１３９℃： ＥＩＯＲ： ＋ １０
２° 、ｃ＝２）。
ｐ−トルエンスルホン酸の結晶を含有するモル過剰の１
−プロパツール４５ＩＬｔ中のＨＰＴＰＡｏ、０６モル
（１１！Ｉ）の溶液を、反応混合物から水を蒸留しなが
ら還流下で加熱した。ＩＲ分光分析によシ明らかにされ
るように、もはや酸が残留しなくなった時点で、過剰の
溶剤を留去しかつ冷却した残留分をエーテル中に回収し
かつ飽和Ｎａ ＨＣＯ３溶液で洗浄し、乾燥（ｕｇｓｏ
、 ）しかつ粗製生成物を蒸発によって単離した。該生
成物を減圧下で蒸留によって精製した（収率：８６％；
ＳＯＲ： ＋ ９８° 、ｃ−２）。ＩＲ。
−プロパツール４５ＩＬｔ中のＨＰＴＰＡｏ、０６モル
（１１！Ｉ）の溶液を、反応混合物から水を蒸留しなが
ら還流下で加熱した。ＩＲ分光分析によシ明らかにされ
るように、もはや酸が残留しなくなった時点で、過剰の
溶剤を留去しかつ冷却した残留分をエーテル中に回収し
かつ飽和Ｎａ ＨＣＯ３溶液で洗浄し、乾燥（ｕｇｓｏ
、 ）しかつ粗製生成物を蒸発によって単離した。該生
成物を減圧下で蒸留によって精製した（収率：８６％；
ＳＯＲ： ＋ ９８° 、ｃ−２）。ＩＲ。
ｌＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析によって決
定した生成物の特性は、想定構造と合致した。
定した生成物の特性は、想定構造と合致した。
） （ＰＯＰＴＰ ）
例１（ｂ）と同様に製造したエタノール不含のクロロホ
ルム１ｇ語１モル中の０ＰＢＣ８，５ミリモルに、例２
（ｂ）に記載と同様に製造したＰＨＩ”ＴＰ ９ミリモ
ル及びピリジン２０ミリモルを加えかつ該混合物を還流
下に５時間加熱した。冷却した反応混合物をジクロロメ
タンで希釈しかつ希ＨＣ１゜飽和ＮａＨＣＯ：Ｉ及びＩ
Ｍ ＮａＯＨ溶液で洗浄し、活性炭上で攪拌し、乾燥
しかつ蒸発によって粗製生成物を単離した。この生成物
をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル；溶離剤：ヘ
キサン／ジクロロメタン）によって精製しかつエタノー
ル又ハクロロホルム／ヘキサンから再結晶させた（収率
９３％；ＳＯＲ＋５７° ）。
ルム１ｇ語１モル中の０ＰＢＣ８，５ミリモルに、例２
（ｂ）に記載と同様に製造したＰＨＩ”ＴＰ ９ミリモ
ル及びピリジン２０ミリモルを加えかつ該混合物を還流
下に５時間加熱した。冷却した反応混合物をジクロロメ
タンで希釈しかつ希ＨＣ１゜飽和ＮａＨＣＯ：Ｉ及びＩ
Ｍ ＮａＯＨ溶液で洗浄し、活性炭上で攪拌し、乾燥
しかつ蒸発によって粗製生成物を単離した。この生成物
をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル；溶離剤：ヘ
キサン／ジクロロメタン）によって精製しかつエタノー
ル又ハクロロホルム／ヘキサンから再結晶させた（収率
９３％；ＳＯＲ＋５７° ）。
例 ３
これはＨＰＴＰＡ （例２ａ）と同じ方法で例２（ａ）
で使用した４−ヒドロキシフェニルチオールの代シに当
量の４−ヒドロキシフェノールを使用して製造した（収
率７０係）。
で使用した４−ヒドロキシフェニルチオールの代シに当
量の４−ヒドロキシフェノールを使用して製造した（収
率７０係）。
２．２−ジメトキシプロパン０．２モル中の（匂−ｉ−
＜ヒドロキシフェノキシ）プロパン酸０．１５モルの混
合物に、濃ＨＣｔＱ、５ ＩＩＬｌを加えた。
＜ヒドロキシフェノキシ）プロパン酸０．１５モルの混
合物に、濃ＨＣｔＱ、５ ＩＩＬｌを加えた。
４時間攪拌した後に、反応混合物をジクロロメタンで希
釈し、飽和ＮａＨＣＯ３で洗浄し、活性炭と共に攪拌し
、乾燥しかつ溶剤を除去した。残留した褐色の油状物を
蒸留してＭＨＰＯＰ （収率５６％；８０Ｒ＋４０°
、ｃ−１０）を得た。
釈し、飽和ＮａＨＣＯ３で洗浄し、活性炭と共に攪拌し
、乾燥しかつ溶剤を除去した。残留した褐色の油状物を
蒸留してＭＨＰＯＰ （収率５６％；８０Ｒ＋４０°
、ｃ−１０）を得た。
ＩＲ、工Ｈ−ＮＭＲ１質量分光分析及び元素分析の結果
は、想定構造と合致した。
は、想定構造と合致した。
（ＭＯＰＯＰ ）
これはＰＯＰＴＰ （例２Ｃ）のために使用した方法に
よって、例２（Ｃ）で使用したｐａｐ’ｒｐＯ代シに当
量のＭＨｐＱｐを使用して製造した。。ＩＲｅ ＩＩＨ
−ＮＭＲ、質量分光分析及び元素分析の結果は、想定構
造と一致した、 例 ４ これはＨＰＴＰＡ （例２ａ）と同じ方法によって、例
２ （ａ）で使用した４−ヒドロキシフェニルチオール
の代シに当社の３−フルオロ−４−ヒドロキシフェノー
ルを使用して製造した。但し、再結晶は行わなかった。
よって、例２（Ｃ）で使用したｐａｐ’ｒｐＯ代シに当
量のＭＨｐＱｐを使用して製造した。。ＩＲｅ ＩＩＨ
−ＮＭＲ、質量分光分析及び元素分析の結果は、想定構
造と一致した、 例 ４ これはＨＰＴＰＡ （例２ａ）と同じ方法によって、例
２ （ａ）で使用した４−ヒドロキシフェニルチオール
の代シに当社の３−フルオロ−４−ヒドロキシフェノー
ルを使用して製造した。但し、再結晶は行わなかった。
これら異性体Ｍ２／３ＦＨＰＯＰの混合物は、ＰＨＦＴ
Ｐ（例３））と同じ方法で、例３（ｂ）で使用したＨＰ
ＯＰＡＯ代シに当量の２／３ ＦＨＰＯＰＡを使用して
製造した。Ｍ２ＦＨＰＯＰ （ＳＯＲ： ３８°、ｃ−
３）とＭ３ｐａｐｏｐ（８０Ｒ： ５４’ 、 ｃ−
９）はカラムクロマトグー）フィー（シリカゲル、ヘキ
サン−クロロホルムで溶離）によって分離した。２つの
生成物のＩＲ、ＡＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素
分析は想定構造と一致した。
Ｐ（例３））と同じ方法で、例３（ｂ）で使用したＨＰ
ＯＰＡＯ代シに当量の２／３ ＦＨＰＯＰＡを使用して
製造した。Ｍ２ＦＨＰＯＰ （ＳＯＲ： ３８°、ｃ−
３）とＭ３ｐａｐｏｐ（８０Ｒ： ５４’ 、 ｃ−
９）はカラムクロマトグー）フィー（シリカゲル、ヘキ
サン−クロロホルムで溶離）によって分離した。２つの
生成物のＩＲ、ＡＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素
分析は想定構造と一致した。
（ｃ） メチル（Ｒ）２−（２−フルオロ−４−これ
はＰＯＰＴＰ （例２ｃ）のために使用した方法によっ
て、例２（Ｃ）で使用したＰ’ｌ’ＰＴＰの代シに当量
のＰ２ＦＨＰＯＰを使用して展進した（収Ｗｈ：６２％
； ＳＯＲ： ＋ ２５° ）。ＩＲ、ｌＨ−ＮＭＲ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は割当構造と一致し
た。
はＰＯＰＴＰ （例２ｃ）のために使用した方法によっ
て、例２（Ｃ）で使用したＰ’ｌ’ＰＴＰの代シに当量
のＰ２ＦＨＰＯＰを使用して展進した（収Ｗｈ：６２％
； ＳＯＲ： ＋ ２５° ）。ＩＲ、ｌＨ−ＮＭＲ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は割当構造と一致し
た。
これはＰ２ＦＣＩＰＯＦに正確に類似した方法で構造し
た。ＩＲ、ＬＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析
の結果は想定構造と一致した。
た。ＩＲ、ＬＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析
の結果は想定構造と一致した。
例 ５
（〜 ヘキシル（Ｒ）−２−（２−フルオロ−４−（４
−（４−（オクチルオキシフェニル）〕これはＭ２ＦＯ
ＰＯＰ （例４ｂ及び４ｃ）のために使用した方法によ
って例４（す）で使用したジメタンオキシプロパンの代
りに当量のｎ−ヘキサノールを使用して製造した（収率
： ４７ ％ ； ＳＯＲ：＋２３’ ）。ＩＲ、ｌ
Ｈ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の結果は、想
定構造と合致した。
−（４−（オクチルオキシフェニル）〕これはＭ２ＦＯ
ＰＯＰ （例４ｂ及び４ｃ）のために使用した方法によ
って例４（す）で使用したジメタンオキシプロパンの代
りに当量のｎ−ヘキサノールを使用して製造した（収率
： ４７ ％ ； ＳＯＲ：＋２３’ ）。ＩＲ、ｌ
Ｈ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の結果は、想
定構造と合致した。
これはＭ３ＦＯＰＯＰ （例４ｂ及び４ｃ）のために使
用した方法に正確に類似した方法によって例４（ｂ）で
使用したジメタンオキシプロパンのｔｌに当量のｎ−ヘ
キサノールを使用して製造した（収率：２８％； ５Ｏ
ＦＬ ： ＋１７° ）。ＩＲｌ”Ｈ−ＮＭＲ及び質量
分光分析及び元素分析の結果は、想定構造と合致した。
用した方法に正確に類似した方法によって例４（ｂ）で
使用したジメタンオキシプロパンのｔｌに当量のｎ−ヘ
キサノールを使用して製造した（収率：２８％； ５Ｏ
ＦＬ ： ＋１７° ）。ＩＲｌ”Ｈ−ＮＭＲ及び質量
分光分析及び元素分析の結果は、想定構造と合致した。
例６〜１３
以下の式：
で示される６種類の化合物を、例２（ｂ）の一般的方法
によって各々の場合例２（ｂ）で使用したプロパツール
の代シにアルコール、ＲＯＨを使用して製造し、かつ第
１表に収率及びＳＯＲを付記した生成物が得られた。夫
々の化合物に関して、ＩＦｔ 、 ＡＨ−ＮＭＲ及び質
量分光分析及び元素分析の結果は想定化合物と一致した
。
によって各々の場合例２（ｂ）で使用したプロパツール
の代シにアルコール、ＲＯＨを使用して製造し、かつ第
１表に収率及びＳＯＲを付記した生成物が得られた。夫
々の化合物に関して、ＩＦｔ 、 ＡＨ−ＮＭＲ及び質
量分光分析及び元素分析の結果は想定化合物と一致した
。
第１表
６（ａ）エチル ９８％ ＋４３（１０
）７（ａ）プロピル ９４％ ＋４１（３
）８（ａ）ブチル ３４％ ＋４３（７
）９（ａ）ヘキシル ９２％ ＋３７（４
）１０（ａ） オクチル９１％ ＋３２（３）１
１（ａ） ドデシル ９６％ ＋１３（
２）１２（ａ） ２−エチルブチル ６８％ ＋
４２（３）以下の式： で示される６つの化合物を、例６（ａ）〜１２（ａ）か
ら例３（ｃ）の一般的方法によって夫々の場合以下の式
： で示される酸塩化物を使用して、第２表に収率及び８０
Ｒと共に示した生成物が得られた。夫々の化合物に圓し
て、ＩＲ％ ”Ｈ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分
析の結果は、想定構造と合致した。
）７（ａ）プロピル ９４％ ＋４１（３
）８（ａ）ブチル ３４％ ＋４３（７
）９（ａ）ヘキシル ９２％ ＋３７（４
）１０（ａ） オクチル９１％ ＋３２（３）１
１（ａ） ドデシル ９６％ ＋１３（
２）１２（ａ） ２−エチルブチル ６８％ ＋
４２（３）以下の式： で示される６つの化合物を、例６（ａ）〜１２（ａ）か
ら例３（ｃ）の一般的方法によって夫々の場合以下の式
： で示される酸塩化物を使用して、第２表に収率及び８０
Ｒと共に示した生成物が得られた。夫々の化合物に圓し
て、ＩＲ％ ”Ｈ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分
析の結果は、想定構造と合致した。
第２表
６（ｂ） エチル ７ ６５％ ＋１９
° （４）７（ｂ） プロぎル ７８８％ ＋１
９° （４）８（ｂ） ブチル ７４４係
＋１９° （４）９（ｂ） ヘキシル ７
４５％ ＋１９° （４）９（ｃ）ヘキシル
１０６７％ ＋８° （４）９（ｄ） ヘキシル
５６２％ ＋１９° （１，５）１０（１））
オクチル ７ ６囲 ＋１８° （１）１１（
ｂ） ドデシル ５ ６７％ ＋１６°
（４）１２（ｂ） ２−ｘチｈブチル ７ ６１％
＋２０’ （１，５）例１３ （ｐｃｏｐｏｐ ） これは例２（ｂ）及び２（ｃ）の方法にょシブロバノー
ルの代シにブタノールを使用しがっ例２（ｃ）で使用し
た０ＰＢＣ及びＰＨＰＴＢの代シに４−（３−クロロ−
４−オクトキシフェニル）ベンゾイルクロリド及びブチ
ル（Ｒ）−２−（４−ヒドロキシフェニノキシ）−プロ
パノエート（ＢＨＰＰ ）を使用して製造した（収率１
５％、ＳＯＲ：＋１６° ）。ＩＲ％ ｌＨ−ＮＭＲ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は想定構造と一致し
た。
° （４）７（ｂ） プロぎル ７８８％ ＋１
９° （４）８（ｂ） ブチル ７４４係
＋１９° （４）９（ｂ） ヘキシル ７
４５％ ＋１９° （４）９（ｃ）ヘキシル
１０６７％ ＋８° （４）９（ｄ） ヘキシル
５６２％ ＋１９° （１，５）１０（１））
オクチル ７ ６囲 ＋１８° （１）１１（
ｂ） ドデシル ５ ６７％ ＋１６°
（４）１２（ｂ） ２−ｘチｈブチル ７ ６１％
＋２０’ （１，５）例１３ （ｐｃｏｐｏｐ ） これは例２（ｂ）及び２（ｃ）の方法にょシブロバノー
ルの代シにブタノールを使用しがっ例２（ｃ）で使用し
た０ＰＢＣ及びＰＨＰＴＢの代シに４−（３−クロロ−
４−オクトキシフェニル）ベンゾイルクロリド及びブチ
ル（Ｒ）−２−（４−ヒドロキシフェニノキシ）−プロ
パノエート（ＢＨＰＰ ）を使用して製造した（収率１
５％、ＳＯＲ：＋１６° ）。ＩＲ％ ｌＨ−ＮＭＲ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は想定構造と一致し
た。
例１４
これは例２（ｂ）及び２（ｃ）の方法によって例２（ｃ
）で使用した０ＰＥＣの代シに３−フルオロ−４−（４
−オクトキシフェニル）ベンゾイルクロリドを使用して
製造した（収率３０％、ＳＯＲ：＋１８ｃ′）６１．
ＬＨ−ＮＭＲＡヒ質ｉ分光分析及び元素分の結果は想
定構造と一致した。
）で使用した０ＰＥＣの代シに３−フルオロ−４−（４
−オクトキシフェニル）ベンゾイルクロリドを使用して
製造した（収率３０％、ＳＯＲ：＋１８ｃ′）６１．
ＬＨ−ＮＭＲＡヒ質ｉ分光分析及び元素分の結果は想
定構造と一致した。
例１５
チルシクロヘキシル）フェニルカルボニルオキとれは例
２（ｂ）及び２（ｃ）の方法によシブロバノールの代わ
シにヘキサノールをかつ０ＰＢＣの代わ！５１Ｃ４−（
ｔ−４−ヘプチルシクロヘキシル）−ベンゾイルを使用
してＨＨＣＰＰを形成させることによシ製造した（収率
４８％； ８０Ｒ： ＋２０°）。
２（ｂ）及び２（ｃ）の方法によシブロバノールの代わ
シにヘキサノールをかつ０ＰＢＣの代わ！５１Ｃ４−（
ｔ−４−ヘプチルシクロヘキシル）−ベンゾイルを使用
してＨＨＣＰＰを形成させることによシ製造した（収率
４８％； ８０Ｒ： ＋２０°）。
ＩＲ％ ｌＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の
結果は想定構造と一致した。
結果は想定構造と一致した。
例１に
れは例２（ｂ）及び２（Ｃ）の方法によシブロバノール
の代わ少にヘキサノール及び０ＰＢＣの代わ５に４−（
４−ノニルフェニル）ペンソイルクロリドを使用してＨ
ＮＣＰＦを形成させることにより製造した（収率６７係
、ＳＯＲ： ＋１９° ）。
の代わ少にヘキサノール及び０ＰＢＣの代わ５に４−（
４−ノニルフェニル）ペンソイルクロリドを使用してＨ
ＮＣＰＦを形成させることにより製造した（収率６７係
、ＳＯＲ： ＋１９° ）。
工Ｒ％ ”Ｈ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の
結果は想定構造と一致した。
結果は想定構造と一致した。
例１７
水素化ナトリウム０．４モルをジメチルホルムアミド２
０１ｄ中に懸濁させた。ＤＭＦ ５０１ｆＬｌ中の４−
ヒドロキシベンズアルデヒド０．２計を加工た。泡立ち
が鎮静した後に、２−クロロプロパン酸０．２２モルを
滴加した、添加中に、反応温度は７０°Ｃに上昇した。
０１ｄ中に懸濁させた。ＤＭＦ ５０１ｆＬｌ中の４−
ヒドロキシベンズアルデヒド０．２計を加工た。泡立ち
が鎮静した後に、２−クロロプロパン酸０．２２モルを
滴加した、添加中に、反応温度は７０°Ｃに上昇した。
該混合物を１１０°Ｃで一晩攪拌した。冷却しながら、
該混合物を飽和ＮａＨＣＯ３溶液で希釈しかつ酢酸エチ
ル（３Ｘ １００ａ）で抽出した。水相を＠ ＨＣ１溶
液で酸性にしかつ酢酸エチルで抽出した。第２の有機抽
出物を水で洗浄しかつ蒸発した後に、褐色の油状物が得
られた。熱いクロロホルム及びヘキサンから結晶させて
、褐色の固体を得た（ ７．６．９ ）。
該混合物を飽和ＮａＨＣＯ３溶液で希釈しかつ酢酸エチ
ル（３Ｘ １００ａ）で抽出した。水相を＠ ＨＣ１溶
液で酸性にしかつ酢酸エチルで抽出した。第２の有機抽
出物を水で洗浄しかつ蒸発した後に、褐色の油状物が得
られた。熱いクロロホルム及びヘキサンから結晶させて
、褐色の固体を得た（ ７．６．９ ）。
母液を蒸発乾固して、褐色の固体１７．３ｇを得、該化
合物を更に精製せずに使用した（総状率６４％）。”Ｈ
−ＮＭＲは、これらの生成物は９０係以上純粋であるこ
とを示した（融点１１４〜１１８°Ｃ）。
合物を更に精製せずに使用した（総状率６４％）。”Ｈ
−ＮＭＲは、これらの生成物は９０係以上純粋であるこ
とを示した（融点１１４〜１１８°Ｃ）。
トルエン５３ｉＡ中の２−ヒドロキシメチル−１−ウン
デカノール１０ミリモル、ＨＦＰＰ １０ミリモル及び
ｐ−トルエンスルホン酸５０ηの混合物を、水を溜去し
ながら還流下に加熱した。
デカノール１０ミリモル、ＨＦＰＰ １０ミリモル及び
ｐ−トルエンスルホン酸５０ηの混合物を、水を溜去し
ながら還流下に加熱した。
反応は完了した後に、過剰のトルエンを蒸留により除去
しかつ生成物を、ジクロルメタンで希釈する前に冷却し
た。飽和ＮａＨＣＯ３溶液で洗浄した後に、該混合物を
蒸留して、ＩＲ、ｌＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元
素分析によってＮＤＰＰと一致した無色の液体が得られ
た（収率：６８係；沸点０．６ミリバールで２６０〜２
４０℃；ＳＯＲ： ５．９、Ｃ−３）。該生成物１ａ
） ラｙ ス、！：シス異性体の８５：１５混合物であ
った。
しかつ生成物を、ジクロルメタンで希釈する前に冷却し
た。飽和ＮａＨＣＯ３溶液で洗浄した後に、該混合物を
蒸留して、ＩＲ、ｌＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元
素分析によってＮＤＰＰと一致した無色の液体が得られ
た（収率：６８係；沸点０．６ミリバールで２６０〜２
４０℃；ＳＯＲ： ５．９、Ｃ−３）。該生成物１ａ
） ラｙ ス、！：シス異性体の８５：１５混合物であ
った。
例１８
プロパノエート（ＨＮＭＰＰ ）
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ａ中の４−（４−ノ
ニルフェニル）フェニルプロミド４．５ミリモル、例９
（ａ）の生成物５ミリモル及びＮａＨ２４，５ミリモル
を一晩周囲温度で攪拌した。
ニルフェニル）フェニルプロミド４．５ミリモル、例９
（ａ）の生成物５ミリモル及びＮａＨ２４，５ミリモル
を一晩周囲温度で攪拌した。
混濁した混合物をジクロルメタンで希釈しかつ希ＨＣ１
及び飽和ＮａＨＣＯ３で洗浄した。過剰の溶液を減圧下
に除去しかつ残留分をカラムクロマトグラフィー（シリ
カグル；洛離剤ニジクロロメタン／ヘキサン）によシｖ
Ｉ製して、ＨＮＭＰ？（７２％； ＳＯＲ： ＋ ２０
’ ｘ ｃ−１−４）を得た。
及び飽和ＮａＨＣＯ３で洗浄した。過剰の溶液を減圧下
に除去しかつ残留分をカラムクロマトグラフィー（シリ
カグル；洛離剤ニジクロロメタン／ヘキサン）によシｖ
Ｉ製して、ＨＮＭＰ？（７２％； ＳＯＲ： ＋ ２０
’ ｘ ｃ−１−４）を得た。
ＩＲ，”Ｈ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の結
果は想定構造と一致した。
果は想定構造と一致した。
例１９
４−（４−ノニルフェニル）フェニルメチル−トリフェ
ニルホスホニウムプロミド５ミリモルを乾燥トルエン３
ＱＩ’ｌＡ中に懸濁させた。ブチルーリチウム５ミリモ
ル（ヘキサン中１．２Ｍ）の溶液を室温で滴加した。得
られたオレンジ色の溶液に、乾燥トルエン１ｍε中のＨ
ＦＰＰ （例１８ａ参照；５ミリモル）を加えた。室温
で１時間及び６０℃で３０分間乾燥した後に、冷却した
混合物をジクロメタンで希釈し、希ＨＣ１及び飽和Ｎａ
ＨＣＯ３で洗浄し、乾燥（Ｍｇ５ｏ４ ） Ｌかつ生成
物を蒸発によって単離した。核生成物をカラムクロマド
グ２フイー（シリカゲル、ヘキサン／クロロホルムで溶
離）で処理した後に、白色の固体物質が得られ、該物質
は”Ｈ−ＮＭＲ分光分析でシス及びトランススチルベン
の混合物として同定された。該混合物を更に精製するこ
となく次の工程で使用した。
ニルホスホニウムプロミド５ミリモルを乾燥トルエン３
ＱＩ’ｌＡ中に懸濁させた。ブチルーリチウム５ミリモ
ル（ヘキサン中１．２Ｍ）の溶液を室温で滴加した。得
られたオレンジ色の溶液に、乾燥トルエン１ｍε中のＨ
ＦＰＰ （例１８ａ参照；５ミリモル）を加えた。室温
で１時間及び６０℃で３０分間乾燥した後に、冷却した
混合物をジクロメタンで希釈し、希ＨＣ１及び飽和Ｎａ
ＨＣＯ３で洗浄し、乾燥（Ｍｇ５ｏ４ ） Ｌかつ生成
物を蒸発によって単離した。核生成物をカラムクロマド
グ２フイー（シリカゲル、ヘキサン／クロロホルムで溶
離）で処理した後に、白色の固体物質が得られ、該物質
は”Ｈ−ＮＭＲ分光分析でシス及びトランススチルベン
の混合物として同定された。該混合物を更に精製するこ
となく次の工程で使用した。
１０％Ｐｄ／Ｃ２０１ｎ９を有する酢酸エチル２０Ｍ中
の混合物０．９ｇを室温で水素雰囲気下で攪拌した。３
０分間後に、触媒を濾過によって除去しかつ浴剤を蒸発
させた。該残留分のカラムクロマトグラフィー、引き続
いてのエタノールからの再結晶によ５、ｎＮｐｐｐの針
状結晶（収率２９係、ＥＩＯＲ： ＋ ５°、ＣＦ−１
，７）が得られた、例２０ 窒素雰囲気下で、ジメトキシメタン中のジイソゾロぎル
アミン３９ミリモルを一３０°Ｃでｎ−ブチル−リチウ
ム（ヘキサン中１．２Ｍ、３６ミＩＪモル）で処理した
。温度を０℃に上昇させかつ次いで一７０℃に冷却した
。
の混合物０．９ｇを室温で水素雰囲気下で攪拌した。３
０分間後に、触媒を濾過によって除去しかつ浴剤を蒸発
させた。該残留分のカラムクロマトグラフィー、引き続
いてのエタノールからの再結晶によ５、ｎＮｐｐｐの針
状結晶（収率２９係、ＥＩＯＲ： ＋ ５°、ＣＦ−１
，７）が得られた、例２０ 窒素雰囲気下で、ジメトキシメタン中のジイソゾロぎル
アミン３９ミリモルを一３０°Ｃでｎ−ブチル−リチウ
ム（ヘキサン中１．２Ｍ、３６ミＩＪモル）で処理した
。温度を０℃に上昇させかつ次いで一７０℃に冷却した
。
ジェトキシメタン１０１ｄ中のメチル２− （４’−ト
リメチルシリルオキシフェニル）エタノニー ト３４．
３ ミリそルの溶液を反応に滴加し、温度を一３０°Ｃ
に上昇させ、次いで一７０°Ｃに冷却した。この冷却し
た反応混釡物を、−７０℃に冷却したジェトキシメンタ
ン２０ミリモル中の沃素化メチル０．１６モルの溶液中
に滴加した。
リメチルシリルオキシフェニル）エタノニー ト３４．
３ ミリそルの溶液を反応に滴加し、温度を一３０°Ｃ
に上昇させ、次いで一７０°Ｃに冷却した。この冷却し
た反応混釡物を、−７０℃に冷却したジェトキシメンタ
ン２０ミリモル中の沃素化メチル０．１６モルの溶液中
に滴加した。
該混合物を室温で一晩攪拌し、次いで溶剤を蒸留によっ
て除去した。核残留分を希ＨＣｔと一緒に攪拌しかつジ
クロロメタンで抽出し、乾燥（Ｍｇ８０４） Ｌかつ生
成物を蒸発によって単離した。粗製生成物の蒸留によシ
、 ＭＨＰＰ （収率８８係）を得た。
て除去した。核残留分を希ＨＣｔと一緒に攪拌しかつジ
クロロメタンで抽出し、乾燥（Ｍｇ８０４） Ｌかつ生
成物を蒸発によって単離した。粗製生成物の蒸留によシ
、 ＭＨＰＰ （収率８８係）を得た。
（Ｓ）−２−メチルブタノール５ｍ中のＭＨＰＰ２．０
．９（１２ミリモル）及びテトラ−（ｎ−ブチル）−チ
タネート２滴の混合物を１６時間還流下に攪拌し、その
後に過剰のアルコールを溜去しかつ残留生成物を蒸留に
よって回収した（収率９０％、沸点１５５〜１６０°０
； ８０Ｒ：＋５．４ｃＪｓ ｃ”３ ）。ＩＲ％ｌ
Ｈ−ＮＭｕ及ヒ質を分光分析及び元素分析の結果は想定
構造と一致した。
．９（１２ミリモル）及びテトラ−（ｎ−ブチル）−チ
タネート２滴の混合物を１６時間還流下に攪拌し、その
後に過剰のアルコールを溜去しかつ残留生成物を蒸留に
よって回収した（収率９０％、沸点１５５〜１６０°０
； ８０Ｒ：＋５．４ｃＪｓ ｃ”３ ）。ＩＲ％ｌ
Ｈ−ＮＭｕ及ヒ質を分光分析及び元素分析の結果は想定
構造と一致した。
この化合物は、例２（ｄ）の方法に基づき、４．２ミ’
）モルのスケールで、 ＰＨＰＴＰの代わシに等量のＮ
ＢＨＰを使用して製造した（収率４８係；ＳＯＲ： ＋
１４°％ ｃ −９） ｏ 工Ｒ％ＬＨ−ｂｎｔａ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は想定構造と一致し
た。
）モルのスケールで、 ＰＨＰＴＰの代わシに等量のＮ
ＢＨＰを使用して製造した（収率４８係；ＳＯＲ： ＋
１４°％ ｃ −９） ｏ 工Ｒ％ＬＨ−ｂｎｔａ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は想定構造と一致し
た。
この化合物は、例２０ （ｃｌと同じ方法によ９５４９
モルのスケールでＭＢＨＰの代わシに例２０（ａ）から
のＭＨＰＰを使用して製造した（収率４１％）。ＩＲ，
ｌＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の結果は想
定構造と一致した。
モルのスケールでＭＢＨＰの代わシに例２０（ａ）から
のＭＨＰＰを使用して製造した（収率４１％）。ＩＲ，
ｌＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の結果は想
定構造と一致した。
例２１〜２６
一般式：
を有する化合物は、ＭＨＰＰから例２０ Ｆｌ））の方
法により第６表に示したスケール（ミリモル）で、それ
ぞれの場合例２０ （ｔ））で使用した（Ｓ）−２−メ
チルブタノールの代わシにアルコールＲ−ＯＨを使用す
ることにより製造した。その際第３表に記載の収率でそ
れぞれの生成物が得られた。
法により第６表に示したスケール（ミリモル）で、それ
ぞれの場合例２０ （ｔ））で使用した（Ｓ）−２−メ
チルブタノールの代わシにアルコールＲ−ＯＨを使用す
ることにより製造した。その際第３表に記載の収率でそ
れぞれの生成物が得られた。
第３表
２１（ａ） ｎ−プロピル ７．２ ８０％
２２（ａ） ｎ−ジチル ５．０ ９４係
２３（ａ） ｎ−ペンチル ３．６ ７５％
一般式： を有する化合物は、例２１ （ａｌ〜２３ （ａ）から
例２（ｃｌの方法で第４表に示したスケールで、それぞ
れの場合、 ０ＰＢＣを使用して第４表に記載の収率で
得られた。それぞれの場合％ ＩＲ、”Ｈ−ＮＭＲ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は想定構造と一致し
た。
２２（ａ） ｎ−ジチル ５．０ ９４係
２３（ａ） ｎ−ペンチル ３．６ ７５％
一般式： を有する化合物は、例２１ （ａｌ〜２３ （ａ）から
例２（ｃｌの方法で第４表に示したスケールで、それぞ
れの場合、 ０ＰＢＣを使用して第４表に記載の収率で
得られた。それぞれの場合％ ＩＲ、”Ｈ−ＮＭＲ及
び質量分光分析及び元素分析の結果は想定構造と一致し
た。
第４表
２１（１）） ｎ−ゾｏｉル ４．８ ４５
％２２（ｂ） ｎ−ジチル４．５ ２０１２３（ｔ
） ｎ−ペンチル ３．６３３％例２４ Ｎ−ブロムスクシンイミド１．８ミリモル及び触媒量の
アゾ−インブチロニトリル５■を有する乾燥ｃｃｚ、
１０成中のＭＯＰＰＰ １．１ミリモル（例２０ｄ参照
）の混合物を２４時間加熱した。
％２２（ｂ） ｎ−ジチル４．５ ２０１２３（ｔ
） ｎ−ペンチル ３．６３３％例２４ Ｎ−ブロムスクシンイミド１．８ミリモル及び触媒量の
アゾ−インブチロニトリル５■を有する乾燥ｃｃｚ、
１０成中のＭＯＰＰＰ １．１ミリモル（例２０ｄ参照
）の混合物を２４時間加熱した。
冷却した後に、反応混合物を直接的にカラムクロマトグ
ラフィー（シリカデル、ヘキサン／クロロホルムで溶離
）によって精製した。ＭＢＯＰＰをヘキサンから微細な
針状結晶として再結晶させｆｃｃ収率４５係；融点１０
４〜ｉ０５℃）。
ラフィー（シリカデル、ヘキサン／クロロホルムで溶離
）によって精製した。ＭＢＯＰＰをヘキサンから微細な
針状結晶として再結晶させｆｃｃ収率４５係；融点１０
４〜ｉ０５℃）。
ＩＲ，ＡＨ−ＮＭＲ及び質量分光分析及び元素分析の結
果は想定構造と一致した。
果は想定構造と一致した。
式Ｉの化合物を、その相及び電気光学的特性に関して、
単一充填孔を有するチョツプド光学ガラス繊維によって
間隔を設けた０、７ｍのソーダ石灰ガラスの平行な平坦
ガラス端部を有する標準セル内で評価した。それぞれの
フェースの内部領域は縦横とも１２ＷＩＬであフかつセ
ル厚さは５μｍ、３μ扉又は１４μｍであった。パター
ン化したＩＴＯによってそれぞれの７工−ス端部上に縦
横５露の電極領域を形成した。セルに対する電気的接続
は、セルのエツジにはんだ付けした電極によって行った
。
単一充填孔を有するチョツプド光学ガラス繊維によって
間隔を設けた０、７ｍのソーダ石灰ガラスの平行な平坦
ガラス端部を有する標準セル内で評価した。それぞれの
フェースの内部領域は縦横とも１２ＷＩＬであフかつセ
ル厚さは５μｍ、３μ扉又は１４μｍであった。パター
ン化したＩＴＯによってそれぞれの７工−ス端部上に縦
横５露の電極領域を形成した。セルに対する電気的接続
は、セルのエツジにはんだ付けした電極によって行った
。
真空下でセルに光填しかつ次いで汚染を阻止するために
充填口をシールした。
充填口をシールした。
分子のアライメント
スメクチックＣ相内の分子の均一な一方向の７ライメン
トは、Ｊ、 Ｆａｔａｌ及びＪ、Ｗ、 Ｇｏｏｄｂｙ著
＠Ｊ、 Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ″５９，７（１９８６）に
記載の方法で達成された。
トは、Ｊ、 Ｆａｔａｌ及びＪ、Ｗ、 Ｇｏｏｄｂｙ著
＠Ｊ、 Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ″５９，７（１９８６）に
記載の方法で達成された。
相特性
該特性は、強誘電相を明らかにするために電界を使用し
て古典的顕微鏡技術（Ｄｅｍｕｓ ＆Ｒｊ ｃｈｔｅｒ
著、” Ｔｅｘｔｕｒｅｓ ｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌｓ″。
て古典的顕微鏡技術（Ｄｅｍｕｓ ＆Ｒｊ ｃｈｔｅｒ
著、” Ｔｅｘｔｕｒｅｓ ｏｆ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌｓ″。
ＶａｒｌａｇＣｈｅｍｉｅ 、 １９７８参照）によっ
て決定した。結果は下記の第５表に記載する。
て決定した。結果は下記の第５表に記載する。
強誘電特性
測定した強電特性は、（ａ）自発分極（Ｐ８）、（１）
）チルト角度及び応答時間（一方のチルト相から他方の
チルト相へ切換えるための時間）である。実施例に挙げ
た化合物の強電１！特性は以下の第６表に示す。
）チルト角度及び応答時間（一方のチルト相から他方の
チルト相へ切換えるための時間）である。実施例に挙げ
た化合物の強電１！特性は以下の第６表に示す。
（ａ）自発分極
これは８ｆｉＷｙｅｒ及びＴｏｗｅｒ著” Ｐｈｙｓ、
Ｒｅｖ。
Ｒｅｖ。
３５．２６９．１９３０”及びＤｊａｍｅｎｔ他著′″
Ｒｅｖ、 ８ｃｉ、 Ｉｎ５ｔｉ−＋ ２８ 、３０
、１９５７ ”に記載の方法によって決定した。
Ｒｅｖ、 ８ｃｉ、 Ｉｎ５ｔｉ−＋ ２８ 、３０
、１９５７ ”に記載の方法によって決定した。
前記のような整列させたＬＣ材料のサンプルを含有する
試験セルに、分子をその正常なら旋形（８μｍのセルに
ＫＤ約２ｖ）から完全に巻戻すために十分な大きさの電
界をかけた。チルトの方向は、消衰効果が達成されるま
で、セルをクロスし分極した層間で回転させることによ
ジ決定した。チルトのもう１つの方向は、電解の極性を
逆転しかつ消衰効果が再び得られるまで回転を繰返すこ
とによシ決定した。チルト角度は２つの消衰位置間のセ
ルの回転角度である。
試験セルに、分子をその正常なら旋形（８μｍのセルに
ＫＤ約２ｖ）から完全に巻戻すために十分な大きさの電
界をかけた。チルトの方向は、消衰効果が達成されるま
で、セルをクロスし分極した層間で回転させることによ
ジ決定した。チルトのもう１つの方向は、電解の極性を
逆転しかつ消衰効果が再び得られるまで回転を繰返すこ
とによシ決定した。チルト角度は２つの消衰位置間のセ
ルの回転角度である。
（ｃｌ応答時間
応答時間は、チルトしたスメクチックＣ相の１つ内の分
子をアライメントしかつ偏光子を、セルを通過する光の
ビームが最大となるようにアライメントすることによシ
決定した。次いで、電界を反対極性に切換え、分子を他
方のチルトした相内に７リツプさせかつ大量の光をセル
を通過させる。電界スイッチをホトダイオードに接続し
、それによシ伝達された光の変化が行な。
子をアライメントしかつ偏光子を、セルを通過する光の
ビームが最大となるようにアライメントすることによシ
決定した。次いで、電界を反対極性に切換え、分子を他
方のチルトした相内に７リツプさせかつ大量の光をセル
を通過させる。電界スイッチをホトダイオードに接続し
、それによシ伝達された光の変化が行な。
われるためにかかった時間を記録した。
−＋ ｔ−ｔ ＋−＋ ＋ ＋
１−１ ＋−＜ １−１ １−１
１−１ １−１ １−１ １−１ １−１ρ
ρ 己 −↓ ９ 巴 己 己Ｐ
へ（イ）マ罰くトωさ００−へ哨寸
１−１ ＋−＜ １−１ １−１
１−１ １−１ １−１ １−１ １−１ρ
ρ 己 −↓ ９ 巴 己 己Ｐ
へ（イ）マ罰くトωさ００−へ哨寸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、 Ａは液晶物質又は液晶相容性物質の基を表 し、 ＸはＯ又はＳを表し、 ｎは０又は１であり、 Ｙは式 I の化合物の融点を２００℃を越え させることのない任意の基を表し、 Ｒ＾１はＨ、Ｃ＿１＿〜＿４−アルキル基及びハロゲン
原子から選択されかつＲ＾２はＣ＿１＿〜＿４−アルキ
ル基又はハロゲン原子を表し、但しＲ＾１とＲ＾２は異
なつている〕で示される超誘電特性を有する化合物。 ２、Ａが式： Ｒ＾３−（Ａ＾１）＿ｉ−（Ｔ＾１）−（Ａ＾２）＿ｊ
−Ｔ＾２−（Ａ＾３）＿ｋ−Ｔ＾３−Ａ＾４− II〔式
中、Ｒ＾３はＨ、アルキル基、アルコキシ基、アルキル
チオ基、フルオロ−アルキル又はアルコキシ基、アルコ
キシアルキル基、ハロゲン原子、アルキル−カルボニル
又はカルボニルオキシ基及びアルコキシ−カルボニル又
は−カルボニルオキシ基から選択され、 Ｔ＾１、Ｔ＾２及びＴ＾３は相互に無関係に単共有結合
又は−ＣＯ．Ｃ−、−Ｏ．ＣＯ−、−ＣＯ．Ｓ−、ＣＳ
．Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿
２−、−Ｎ＝Ｎ−、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｎ＝ＣＨ−、
−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ＿２ＣＨＤ−、及び−ＣＨＤＣＨ
＿２−から選択される基を表し、上記式中ＤはＨ、シア
ノ基、ハロゲン原子、ＣＦ＿３及びＣＨ＿３から選択さ
れ、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４は相互に無関係
に、置換されていてもよい１，４−フエニレン基、Ｏ又
はＳによつて置換されていてもよい１又は２個の環式炭
素原子を有する置換されていてもよい１，４−シクロヘ
キシレン基又は １，４−ビシクロ（２，２，２）オクタン 又は １，６−ナフチレン基又は１，４−ナフチ レン基を表しかつ ｉ、ｊ及びｋは相互に無関係に０又は１を 表す〕を有する、特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ６、Ｒが６〜１２個の炭素原子を含有する、特許請求の
範囲第２項記載の化合物。 ４、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３又はＡ＾４がＣＨ＿３、Ｏ
ＣＨ＿３、ＣＦ＿３、ＣＮ、ＮＯ＿２、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ
、ＯＨ及びＣＯＣＨ＿３から選択される４個までの置換
基を有する置換された１，４−フエニレン基を表す、特
許請求の範囲第２項又は第３項記載の化合物。 ５、ｉ、ｊ及びｋの２つが１である、特許請求の範囲第
２項から第３項までのいずれか１項記載の化合物。 ６、Ｒ＾１がＨでありかつＲ＾２がＣＨ＿３である、特
許請求の範囲第１項から第５項までのいずれか１項記載
の化合物。 ７、ＹがＨ、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキル
基及びジアルキルアミノ基から選択され、これらの基中
のアルキル基は線状、分枝鎖状又は環式であり又はその
組合せは２０個までの炭素原子を含有しかつＯ又はＳに
よつて中断されている、特許請求の範囲第１項から第６
項までのいずれか１項記載の化合物。 ８、Ｙがアリール基、アリールオキシ基又はアリールチ
オ基から選択され、これらの基中アリール基はフエニル
基、ナフチル基及びそれらの置換された誘導体から選択
され、該置換基はＣＨ＿３、ＯＣＨ＿３、ＣＦ＿３、Ｃ
Ｎ、ＮＯ＿２、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＨ及びＣＯＣＨ＿３
から選択される、特許請求の範囲第１項から第６項まで
のいずれか１項記載の化合物。 ９、式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、 ｐは６〜１２の整数を表し、 ｑは２〜１２の整数を表し、 Ｚ＾１はＯ又はＳを表し、 Ｔは−ＣＯ．Ｏ−又は−ＣＯ．Ｓ−を表わしかつＡ＾１
、Ａ＾２及びＡ＾３は夫々相互に無関係に１，４−フエ
ニレン、１，４−シクロヘキシレン、Ｏ又はＳによつて
置換された１又は２個の環式炭素原子を有する１，４−
シクロヘキシレン基、１，４−ビシクロ−（２，２，２
）オクタン、置換されていないか又はフルオロ置換基を
有する１，６−ナフチレン及び１，４−ナフチレンから
選択される〕を有する、特許請求の範囲第１項記載の化
合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB868621689A GB8621689D0 (en) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | Liquid crystal material |
| GB8621689 | 1986-09-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377840A true JPS6377840A (ja) | 1988-04-08 |
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Family Applications (1)
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| JP62223221A Pending JPS6377840A (ja) | 1986-09-09 | 1987-09-08 | 超誘電特性を有する化合物 |
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- 1987-09-01 US US07/091,895 patent/US4906402A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-08 JP JP62223221A patent/JPS6377840A/ja active Pending
Also Published As
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