KR20140054419A

KR20140054419A - 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20140054419A
Application number: KR1020147008634A
Authority: KR
Inventors: 노부히로 하라다; 히로시 마츠모토; 준이치 니타; 유타카 카도와키; 야스히코 아카마츠
Original assignee: 가부시키가이샤 아루박
Priority date: 2011-10-14
Filing date: 2012-10-11
Publication date: 2014-05-08
Also published as: TW201317380A; JP5826283B2; CN103930591A; TWI548764B; WO2013054521A1; JPWO2013054521A1

Abstract

[과제] 합금 타겟 혹은 화합물 타겟을 콜드 스프레이법에 의해 안정하게 제조할 수 있는 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] 본 발명의 일 실시형태에 따른 타겟 어셈블리의 제조 방법은, 금속 원소로 이루어지는 제1분말과, 상기 금속 원소를 주성분으로 하는 합금 또는 화합물로 이루어지는 제2분말의 혼합 분말을 제작하고, 상기 혼합 분말을 원료로 하여 콜드 스프레이법에 의해 기체 표면에 상기 금속 원소의 합금 또는 화합물로 이루어지는 타겟층을 형성한다. 이것에 의해, 콜드 스프레이법에 따르는 합금 타겟 혹은 화합물 타겟을 안정하게 제조할 수 있다.

Description

타겟 어셈블리 및 그 제조 방법{TARGET ASSEMBLY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR}

본 발명은 콜드 스프레이법에 의해 형성된 타겟층을 가지는 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

종래, Cu-Ga, Cu-Ga-In 등의 Cu-Ga계 타겟은, 예를 들면 박막 태양전지의 광흡수층의 스퍼터 성막에 사용된다. 이런 종류의 합금 타겟의 제조 방법으로서 하기 특허문헌 1에는, CuGa 합금의 용탕(溶湯)을 스프레이 포밍법에 따라 Cu-Ga 합금 프리폼을 제작하고, 그 프리폼을 열간 정수압 프레스(HIP) 법에 따라 소결하는 Cu-Ga 합금 스퍼터링 타겟이 제안되고 있다.

또, 용사법(溶射法)에 따르는 타겟의 제조 방법도 알려져 있고, 예를 들면 하기 특허문헌 2에는, Ti 분말과 TiO₂ 분말을 고온·고속도로 소관(素管) 상에 취출하고, Ti와 TiO₂의 혼합물로 이루어지는 타겟을 형성하는 방법이 기재되어 있다. 또한 하기 특허문헌 3에는, 금속 분말을 원료로 하여 콜드 스프레이법에 의해 기체(基體) 상에 금속 퇴적막으로 이루어지는 타겟층을 형성하는 방법이 기재되어 있다.

일본 특허공개 제2010-265544호 공보 일본 특허공개 제2003-239067호 공보 WO2008/081585호 명세서

특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 스프레이 포밍법과 열간 정수압 프레스 법을 조합해 타겟을 제작하기 때문에 공정수가 많아, 생산성·생산 비용의 증가가 문제가 된다. 또 특허문헌 2에 기재되어 있는 용사법으로는, 원료의 용해에 수반하는 산소 농도의 증가를 피하지 못하고, 고밀도인 타겟을 제작하는 것이 곤란하다. 또한, 특허문헌 3에 기재된 방법에서는, 금속 분말보다 경질의 합금 분말 혹은 화합물 분말을 안정하게 퇴적시킬 수 없기 때문에, 합금 타겟 혹은 화합물 타겟의 제작이 곤란하다는 문제가 있다.

이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명의 목적은 합금 타겟 혹은 화합물 타겟을 콜드 스프레이법에 의해 안정하게 제조할 수 있는 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 형태에 따른 타겟 어셈블리의 제조 방법은, 금속 원소로 이루어지는 제1분말과, 상기 금속 원소를 주성분으로 하는 합금 또는 화합물로 이루어지는 제2분말의 혼합 분말을 제작하는 것을 포함한다.

상기 혼합 분말을 원료로 하여 콜드 스프레이법에 의해 기체 표면에 상기 금속 원소의 합금 또는 화합물로 이루어지는 타겟층이 형성된다.

본 발명의 한 형태에 따른 타겟 어셈블리는 기체와 타겟층을 구비한다.

상기 타겟층은 상기 기체의 표면에 형성되고, CuGa 입자와 상기 CuGa 입자 사이에 개재하는 Cu 입자를 가진다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 타겟 어셈블리의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 타겟층의 내부 구조를 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 실시형태의 타겟 어셈블리의 제조 방법을 설명하는 공정 플로우이다.
도 4는 본 실시형태에서의 타겟층의 형성 방법을 설명하는 모식도이다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 타겟 어셈블리의 제조 방법은, 금속 원소로 이루어지는 제1분말과, 상기 금속 원소를 주성분으로 하는 합금 또는 화합물로 이루어지는 제2분말과의 혼합 분말을 제작하는 것을 포함한다.

상기 제1분말은, 콜드 스프레이법을 적용할 수 있는 연질성 금속의 분말로 구성된다. 한편, 상기 제2분말은, 일반적으로는, 이들 순금속보다 경질이기 때문에, 해당 제2분말만으로는 콜드 스프레이법에 따르는 성막이 곤란한 경우가 많다. 그래서 상기 제조 방법에서는 상기 제1분말과 제2분말의 혼합 분말을 원료로 이용해 기체 표면과 제2분말의 사이, 및, 제2분말의 사이에 제1분말을 개재시킴으로써, 합금 재료 혹은 화합물 재료의 퇴적막의 형성을 가능하게 한다. 이것에 의해, 콜드 스프레이법에 따르는 합금 타겟 혹은 화합물 타겟을 안정하게 제조할 수 있다.

제1분말을 구성하는 금속 원소로서는, 예를 들면 Cu(동), Al(알루미늄), In(인듐), Sn(주석), Ti(티탄), Ni(니켈), Co(코발트), Cr(크롬), Ta(탄탈륨), Mo(몰리브데늄) 등의 콜드 스프레이법을 적용할 수 있는 여러 가지의 연질성 금속이 채용 가능하다. 제2분말을 구성하는 합금 혹은 화합물도 특히 한정되지 않고, 화합물로서는 산화물, 질화물, 붕소화물, 규화물, 탄화물 등을 들 수 있다.

일 실시형태로서 제1분말에는 Cu 분말이 이용되고, 제2분말에는 CuGa(구리-갈륨 합금) 분말이 이용된다. 이 경우, 예를 들면 박막 태양전지의 광 흡수층의 성막에 사용되는 CuGa계 타겟층을 얻을 수 있다.

상기 CuGa계 타겟층의 형성 시에는, 상기 혼합 분말에 대한 제1분말의 혼합 비율은 20원자% 이상 50원자% 이하로 할 수 있다. 이것에 의해, 95% 이상의 상대밀도를 가지는, 30원자% 이상 60원자% 이하의 Ga를 함유하는 CuGa 합금 타겟층을 안정하게 형성할 수 있다.

상기 타겟층이 형성되는 기체로서는, 평판 형상이라도 좋고, 원통 형상이라도 좋다. 기체가 원통 형상의 경우, 타겟층은 기체의 외주측 표면에 형성된다. 형성 방법은 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 기체를 그 축심의 주위에 회전 시키면서, 스프레이 노즐을 기체의 축 방향으로 이동시킴으로써, 기체 표면에 타겟층을 형성할 수 있다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태를 설명한다.

［타겟 어셈블리］

도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 타겟 어셈블리의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 타겟 어셈블리(10)는 배킹 튜브로서의 기체(11)와 타겟층(12)을 가진다.

기체(11)는 Cu, Al, Ti, SUS(스테인레스) 등의 금속 재료로 구성되어 있다. 기체(11)는 도 1에서 X축 방향으로 축심을 가지는 원통 형상을 가진다. 기체(11)의 내부는 냉각수가 순환하는 유로를 형성한다. 또한, 기체(11)의 내부에는, 기체(11)의 외주측 표면에 고정 자장을 형성하기 위한 도시하지 않는 마그넷 유닛이 배치되어 있다.

타겟층(12)은 기체(11)의 표면을 피복 하도록 기체(11)의 외주측 표면에 형성되고 있다. 타겟층(12)의 두께는 특히 한정되지 않고, 예를 들면 3 mm ~ 20 mm이다.

도 2는 타겟층의 내부 구조를 나타내는 모식도이다. 본 실시형태의 타겟층(12)은 Cu 입자(G1)와 CuGa 입자(G2)의 혼합층으로 구성된다. Cu 입자(G1)는 CuGa 입자(G2)와 기체(11)의 표면의 사이, 및, CuGa 입자(G2)의 사이에 각각 개재해, 이들 사이를 서로 결합한다. 이것에 의해, 90%를 초과하는 상대밀도를 가지는 소정 두께의 타겟층(12)을 구성할 수 있다.

타겟층(12)의 Ga 함유량은 특히 한정되지 않고, 예를 들면 용도나 사양에 따라 적당히 설정된다. 본 실시형태에서의 타겟층(12)의 Ga 함유량은 30원자% 이상 60원자% 이하이며, 예를 들면 박막 태양전지의 광흡수층의 성막에 사용되는 CuGa계 합금 타겟을 구성한다.

타겟층(12)은 Cu 분말과 CuGa 분말의 혼합 분말을 원료로 하여 기체(11)의 외주측 표면에 콜드 스프레이법에 의해 형성된다. 이하, 타겟 어셈블리(10)의 제조 방법에 대해 설명한다.

［타겟 어셈블리의 제조 방법］

도 3은, 본 실시형태의 타겟 어셈블리의 제조 방법을 설명하는 공정 플로우이다. 본 실시형태는 순 Cu 분말의 조정 공정(ST1)과 CuGa 합금 분말의 조정 공정(ST2)과 혼합 공정(ST3)과 콜드 스프레이 공정(ST4)을 가진다.

우선, 순 Cu 분말과 CuGa 합금 분말이 조정된다(ST1, ST2).

순 Cu 분말의 순도는 특히 한정되지 않고, 예를 들면 99.99% 이상이다. CuGa 합금 분말로서는, Ga 함유량이 예를 들면 36원자% 이상 73원자% 이하의 것이 이용된다. Ga 함유량은 제작해야 할 타겟층(12)의 Ga 함유량 등에 따라 적당히 설정된다.

순 Cu 분말 및 CuGa 합금 분말의 형상은 특히 한정되지 않지만, 콜드 스프레이법에 의해 타겟층(12)을 퇴적시키는데 있어서는, 구상 혹은 구상에 가까운 형상의 분말인 것이 성막 효율의 관점에서 바람직하다. 그 때문에, 분말의 제조 방법으로서는, 아토마이즈법, 회전 전극법, 진공 분무 급냉법 등이 적용된다.

순 Cu 분말 및 CuGa 합금 분말의 입경은 특히 한정되지 않지만, 고밀도의 타겟층(12)을 형성하는데 있어서는 입경은 작을수록 바람직하다. 본 실시형태에서 순 Cu 분말의 입경은 예를 들면 10 ㎛ 이하, CuGa 합금 분말의 입경은 예를 들면 200 ~ 300 ㎛ 이하로 된다.

계속해서, 순 Cu 분말과 CuGa 합금 분말의 혼합 분말이 제작된다(ST3).

순 Cu 분말과 CuGa 합금 분말의 혼합에는, 여러 가지의 혼합기를 이용할 수 있다. 혼합 분말 중 순 Cu 분말의 혼합비는 특히 한정되지 않지만, 혼합 분말 중 순 Cu 분말의 혼합비를 15원자% 이상 50원자% 이하로 함으로써, 97% 이상의 상대밀도를 가지는 타겟층(12)을 안정하게 형성할 수 있다. 또, CuGa 합금 분말의 Ga 조성비는 이 순 Cu 분말의 배합비나, 형성해야 할 타겟층(12) 중 Ga 조성비 등에 따라 설정된다.

계속해서, 상기 혼합 분말을 원료로 하여 콜드 스프레이법에 의해 기체(11)의 외주측 표면에 타겟층(12)이 형성된다(ST4).

콜드 스프레이법은, 원료 분말을 불활성 가스와 함께 초음속류로 고상 상태인 채 기재에 충돌시켜 피막을 형성하는 성막 방법을 말한다. 원료 분말을 용융 또는 가스화시키지 않고 기재에 충돌시키기 때문에, 열에 의한 재료의 특성 열화나 피막의 산화를 최소한으로 억제할 수 있다. 따라서 원료를 용융 또는 가스화해 성막하는 용사법과는 원리적으로 다른 성막 기술이다.

도 4는, 본 실시형태에서의 타겟층(12)의 형성 방법을 설명하는 모식도이다. 성막에는 스프레이 노즐(20)이 이용된다. 스프레이 노즐(20)에는, 불활성 가스를 축압한 가스원(21), 원료 분말을 스프레이 노즐(20)에 공급하는 분말 공급원(22) 등이 접속되어 있다. 스프레이 노즐(20)은 축심(11a)의 주위에 소정 속도로 회전 하는 기체(11)의 표면에 대향 배치되고, 원료 분말을 불활성 가스와 함께 고속도로 분출하여, 원료 분말을 기체(11)의 표면에 퇴적시킨다.

일반적으로, Cu 등의 연질성 금속은, 초음속으로 기재 표면에 충돌하면, 분말 자체가 소성 변형함으로써 피막의 형성을 가능하게 한다. 이것에 대해서 CuGa 합금은 순 Cu보다 경질이기 때문에, 초음속으로 기체 표면에 충돌해도, 소성 변형하지 않고 기체 표면에서 튀어오르는 것이 많다. 따라서, CuGa 합금 분말만을 원료 분말로 이용했을 경우, 피막의 형성이 곤란하고, 피막이 형성되었다고 해도 접착성이 낮기 때문에 용이하게 박리되어 버려, 소망한 막후의 합금 피막을 얻기 어렵다.

그래서 본 실시형태에서는, 원료 분말로서 순 Cu 분말과 CuGa 합금 분말과의 혼합 분말을 이용해 기체(11) 표면과 CuGa 합금 분말과의 사이, 및, CuGa 합금 분말의 사이에 순 Cu 분말을 개재시킴으로써, CuGa계 합금 재료의 퇴적막을 형성하도록 하고 있다. 이것에 의해, 콜드 스프레이법에 따르는 CuGa계 합금 타겟을 안정하게 제조하는 것이 가능해진다.

스프레이 노즐(20)로부터의 원료 분말의 분사 속도는 순 Cu 분말을 기체(11) 표면에 부착시키는데 충분한 속도(임계속도)이면 특히 한정되지 않고, 예를 들면 500 m/s 이상으로 여겨진다.

가스원(21)에 이용되는 불활성 가스도 특히 한정되지 않고, 예를 들면 N₂(질소), He(헬륨), Ar(아르곤) 등이 이용된다. 가스 압력 및 가스 유량은 가스종이나 분사 속도 등에 따라 적당히 설정 가능하고, 예를 들면 가스 압력을 약 0.65 MPa, 가스 유량을 15 L/min로 할 수 있다.

원료 분말은, 스프레이 노즐(20)의 내부에서 적당한 온도로 가열되어도 좋다. 이것에 의해 기체(11) 표면에의 부착 강도가 높아져, 상대밀도가 높은 타겟층(12)을 형성할 수 있다. 가열 온도는, 원료 분말(순 Cu 분말 및 CuGa 합금 분말)의 융점보다 낮으면 좋고, 예를 들면 500℃로 설정된다.

목적으로 하는 두께의 타겟층(12)를 얻기 위해서, 스프레이 노즐(20)을 기체(11)의 축심 방향으로 왕복 이동(스캔)시켜도 좋다. 기체(11) 표면과 스프레이 노즐(20)의 거리도 특히 한정되지 않고, 예를 들면 7 mm 이상 12 mm 이하로 설정된다.

이상과 같이 하여, 도 1에 나타내는 타겟 어셈블리(10)가 제조된다. 또한 이상의 실시형태에서는, 기체(11)로서 원통 형상의 배킹 튜브가 이용되었지만, 이것을 대신해 평판 형상의 금속제 기체가 채용되어도 좋다. 이 금속제 기체에 상술한 바와 같이 하여 타겟층이 형성됨으로써, 배킹 플레이트를 갖춘 타겟 어셈블리를 제조할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.

(비교예 1)

아토마이즈법으로 제작한 평균입경 100 ㎛의 Cu-30at%Ga 합금 분말을 원료 분말로 이용하고, 직경 4 인치의 알루미늄합금(A5052)제의 원판 형상의 기체의 표면에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다.

원료 분말의 분출 가스에는 N₂(압력 0.65 MPa, 유량 15 L/min)를 이용해 원료 분말의 가열 온도를 500℃, 스캔 속도를 20 mm/sec, 스캔 회수를 20회, 기체와 스프레이 노즐의 사이의 거리를 7 mm로 했다.

성막 결과, 두께 0.05 ~ 0.15 mm의 CuGa 합금계 피막을 얻을 수 있었지만, 박리하기 쉽고 상대밀도의 측정은 곤란했다.

(비교예 2)

아토마이즈법으로 제작한 평균입경 100 ㎛의 Cu-30at%Ga 합금 분말을 원료 분말로 이용하여, 직경 4 인치의 구리제의 원판 형상의 기체의 표면에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다.

(실시예 1)

아토마이즈법으로 제작한 평균입경 100 ㎛의 Cu-40at%Ga 합금 분말과 아토마이즈법으로 제작한 평균입경 8 ㎛의 순 Cu 분말과의 혼합 분말을 제작했다. CuGa 합금 분말과 순 Cu 분말의 배합 몰비는 68：32로 했다. 이 혼합 분말을 원료 분말로 이용해 직경 4 인치의 알루미늄합금(A5052)제의 원판 형상의 기체의 표면에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다.

원료 분말의 분출 가스에는 N₂(압력 0.65 MPa, 유량 15 L/min)를 이용해 원료 분말의 가열 온도를 500℃, 스캔 속도를 20 mm/sec, 스캔 회수를 20회, 기체와 스프레이 노즐과의 사이의 거리를 7 mm로 했다.

성막 결과, 기체 상의 타겟층의 두께는 5.0 ~ 5.5 mm이었다. 상대밀도의 측정은 퇴적층의 외관 밀도와 이론 밀도의 비를 계산에 의해 구했다. 본 실시예에서는 타겟층의 상대밀도는 98.1%이었다.

(실시예 2)

CuGa 합금 분말의 조성비를 Cu-37.5at%Ga, CuGa 합금 분말과 순 Cu 분말의 배합 몰비를 80：20, 기체의 재료를 구리제로 한 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로, 기체 상에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다. 성막 결과, 기체 상의 타겟층의 두께는 4.5 ~ 5.0 mm, 상대밀도는 97.0%이었다.

(실시예 3)

CuGa 합금 분말의 조성비를 Cu-36at%Ga, CuGa 합금 분말과 순 Cu 분말의 배합 몰비를 85：15, 기체의 재료를 구리제로 한 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로, 기체 상에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다. 성막 결과, 기체 상의 타겟층의 두께는 0.5 ~ 1.0 mm, 상대밀도는 92.0%이었다.

(실시예 4)

CuGa 합금 분말의 조성비를 Cu-73at%Ga, CuGa 합금 분말과 순 Cu 분말의 배합 몰비를 70：30, 기체의 재료를 구리제로 한 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로, 기체 상에 Cu-50at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다. 성막 결과, 기체 상의 타겟층의 두께는 5.0 ~ 5.5 mm, 상대밀도는 99.0%이었다.

(실시예 5)

기체의 형상을 직경 4 인치의 원통 형상으로 한 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로, 기체 상에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다. 성막 결과, 기체 상의 타겟층의 두께는 5.0 ~ 5.5 mm, 상대밀도는 98.1%이었다.

(실시예 6)

CuGa 합금 분말의 조성비를 Cu-60at%Ga, CuGa 합금 분말과 순 Cu 분말의 배합 몰비를 50：50, 기체의 재료를 스테인레스(SUS304)제로 한 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로, 기체 상에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다. 성막 결과, 기체 상의 타겟층의 두께는 3.5 ~ 4.0 mm, 상대밀도는 97.3%이었다.

(실시예 7)

CuGa 합금 분말의 조성비를 Cu-60at%Ga, CuGa 합금 분말과 순 Cu 분말의 배합 몰비를 50：50, 기체의 재료를 구리제, 기체와 스프레이 노즐과의 사이의 거리를 12 mm로 한 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로, 기체 상에 Cu-30at%Ga 합금 타겟층을 콜드 스프레이법에 의해 형성했다. 성막 결과, 기체 상의 타겟층의 두께는 3.0 ~ 3.5 mm, 상대밀도는 95.1%이었다.

비교예 1, 2 및 실시예 1~7의 조건 및 결과를 표 1에 정리해 나타낸다.

표 1에 나타낸 바와 같이, CuGa 합금 분말만을 원료로 하는 비교예 1, 2에서는 타겟층을 형성하는 것은 불가능했다. 이것에 비해서, CuGa 합금 분말과 순 Cu 분말과의 혼합 분말을 원료로 하는 실시예 1~7에서는 적정하게 타겟층을 형성할 수 있는 것이 확인되었다.

또, 순 Cu 분말과 CuGa 합금 분말과의 혼합 분말에서의 순 Cu 분말의 혼합 비율이 20 ~ 50 at%인 실시예 1, 2, 4~7에서는, 95% 이상의 상대밀도를 가지는 Cu-30 ~ 60 at%Ga 합금계 타겟을 얻을 수 있다. 이것에 의해 이상 방전이 적은 안정한 스퍼터 성막이 가능해진다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태에만 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러 가지 변경을 더할 수 있는 것은 물론이다.

예를 들면 이상의 실시형태에서는, 순 Cu 분말과 CuGa 합금 분말을 이용해 CuGa 합금계 스퍼터층을 형성하는 예에 대해 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 TiMo 합금계 스퍼터층의 형성에도 본 발명은 적용 가능하다. 이 경우, 순Ti 분말과 TiMo 합금 분말과의 혼합 분말을 스프레이 원료로 할 수 있다. 이외에도, Al, In, Sn, Ni, Co, Cr, Ta, Mo 등의 순금속 분말과 이들의 합금 분말 혹은 화합물 분말을 이용하여, 해당 합금계의 스퍼터층을 형성하는 것이 가능하다.

10: 타겟 어셈블리
11: 기체
12: 타겟층
20: 스프레이 노즐

Claims

금속 원소로 이루어지는 제1분말, 상기 금속 원소를 주성분으로 하는 합금 또는 화합물로 이루어지는 제2분말의 혼합 분말을 제작하고,
상기 혼합 분말을 원료로 하여 콜드 스프레이법에 의해 기체 표면에 상기 금속 원소의 합금 또는 화합물로 이루어지는 타겟층을 형성하는, 타겟 어셈블리의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 제1분말은 Cu 분말이며,
상기 제2분말은 CuGa 분말인, 타겟 어셈블리의 제조 방법.
제2항에 있어서,
상기 혼합 분말에 대한 상기 제1분말의 혼합 비율은 20원자% 이상 50원자% 이하인, 타겟 어셈블리의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 기체는 원통 형상을 가지고,
상기 타겟층은 상기 기체의 외주측 표면에 형성되는, 타겟 어셈블리의 제조 방법.
기체,
상기 기체의 표면에 형성되고, CuGa 입자와 상기 CuGa 입자 사이에 개재하는 Cu 입자를 가지는 타겟층을 구비하는, 타겟 어셈블리.
제5항에 있어서,
상기 타겟층은 30원자% 이상 60원자% 이하의 Ga를 함유하는 CuGa 합금으로 형성되고, 97% 이상의 상대밀도를 가지는, 타겟 어셈블리.
제5항에 있어서,
상기 기체는, 금속제의 원통체인, 타겟 어셈블리.