KR20140147376A - 적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치 - Google Patents

적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140147376A
KR20140147376A KR20130070491A KR20130070491A KR20140147376A KR 20140147376 A KR20140147376 A KR 20140147376A KR 20130070491 A KR20130070491 A KR 20130070491A KR 20130070491 A KR20130070491 A KR 20130070491A KR 20140147376 A KR20140147376 A KR 20140147376A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color
infrared
light
sensor
band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR20130070491A
Other languages
English (en)
Inventor
이홍석
김규식
김정우
김도균
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR20130070491A priority Critical patent/KR20140147376A/ko
Priority to US14/899,677 priority patent/US20160165213A1/en
Priority to PCT/KR2014/004698 priority patent/WO2014204111A1/en
Publication of KR20140147376A publication Critical patent/KR20140147376A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20—Image signal generators
    • H04N13/204—Image signal generators using stereoscopic image cameras
    • H04N13/254—Image signal generators using stereoscopic image cameras in combination with electromagnetic radiation sources for illuminating objects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B30/00—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
    • G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G01S17/894—Three-dimensional [3D] imaging with simultaneous measurement of time-of-flight at a two-dimensional [2D] array of receiver pixels, e.g. time-of-flight cameras or flash lidar
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4816—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of receivers alone
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20—Image signal generators
    • H04N13/204—Image signal generators using stereoscopic image cameras
    • H04N13/207—Image signal generators using stereoscopic image cameras using a single two-dimensional [2D] image sensor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20—Image signal generators
    • H04N13/271—Image signal generators wherein the generated image signals comprise depth maps or disparity maps
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
    • H04N23/84—Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/17—Colour separation based on photon absorption depth, e.g. full colour resolution obtained simultaneously at each pixel location
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2209/00—Details of colour television systems
    • H04N2209/04—Picture signal generators
    • H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
    • H04N2209/042—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor
    • H04N2209/047—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor using multispectral pick-up elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

컬러-깊이 센서는 가시광 대역의 광을 센싱하는 컬러 센서부; 상기 컬러 센서부 상에 적층되어, 적외선 대역의 광을 센싱하는 적외선 센서부;을 포함한다.
3차원 영상 획득 장치는 결상 렌즈부; 피사체에서 반사되고 상기 결상 렌즈부를 투과한 광으로부터 피사체의 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 센싱하는 것으로, 컬러 센서부와 적외선 센서부가 적층 구조를 이루는 컬러-깊이 센서; 상기 컬러-깊이 센서에서 센싱한 상기 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 이용하여 3차원 영상 정보를 생성하는 3차원 영상 처리부;를 포함한다.

Description

적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치{Layered type color-depth sensor and 3D image acquisition apparatus employing the sensor}
본 개시는 컬러와 깊이를 동시에 센싱하는 센서와, 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치에 관한 것이다.
최근, 광학상을 전기 신호로 변환하는 CCD (Charge Coupled Device)나 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor)와 같은 고체 촬상 소자를 이용한 디지털 카메라 등의 결상 광학기기가 급속히 확대 보급되고 있다.
또한, 3D 디스플레이 장치의 발전 및 수요 증가와 함께 3D 컨텐츠의 중요성이 부각되고 있다. 이에 따라, 일반 사용자가 3D 컨텐츠를 직접 제작할 수 있는 3D 카메라가 연구되고 있다. 이러한 3D 카메라는 기존의 2차원 RGB 컬러 영상 정보와 함께 3차원 영상 정보를 함께 측정하게 된다. 3차원 영상 정보의 측정 방식은 크게, 스테레오(stereo) 방식과 깊이(depth) 측정 방식이 있다. 스테레오 방식은 2-렌즈, 2-센서를 사용하여 좌안 영상과 우안 영상을 측정하고, 깊이감을 인간의 두뇌에 의해서 처리하는 방식이며, 깊이 측정 방식은 3차원 거리 정보를 예를 들어, 삼각측량법(Triangulation)이나 광시간비행법(Time-of-Flight:TOF)을 이용하여 직접 측정하는 방식이다.
깊이 측정 방식을 이용하여 3차원 영상 정보를 측정하는 구조로, 2-렌즈, 2-센서 구조와, 1-렌즈, 2-센서, 1-렌즈, 1-센서 구조가 있다. 이 중에서, 하나의 렌즈와 하나의 센서를 사용하는 1-렌즈, 1-센서 구조가 부피나 가격면에서 가장 장점이 있다. 그러나, 센서가 가시광과 적외선광을 각각 시분할로 받아들이기 때문에, 빠르게 변화하는 물체를 촬영할 경우 깊이 영상과 컬러 영상의 불일치가 발생할 수 있고, 시분할을 위한 추가의 장치가 요구된다. 또한, 센서의 영역을 분리하여 사용할 수 있으나, 이 경우 해상도가 저하된다.
본 개시는 깊이 영상 정보와 컬러 영상 정보를 시간차 없이 얻을 수 있는 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치를 제시하고자 한다.
일 유형에 따르는 컬러-깊이 센서는 가시광 대역의 광을 센싱하는 컬러 센서부; 상기 컬러 센서부와 적층 구조를 이루도록 배치되어, 적외선 대역의 광을 센싱하는 적외선 센서부;을 포함한다.
상기 적외선 센서부는 적외선 대역의 광을 흡수하는 유기 반도체 물질로 이루어진 광전변환층을 포함할 수 있다.
상기 광전변환층은 SnPc:C60 층을 포함할 수 있다.
상기 광전변환층은 수쿠아레인 다이(squaraine dye)와 PCBM(Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester)을 포함할 수 있다.
상기 광전변환층은 P3HT(poly_3-hexylthiophene): PCBM (Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester) 층을 포함할 수 있다.
상기 광전변환층의 두께는 소정 파장의 광에 대해 공진 캐비티 구조를 형성할 수 있도록 정해질 수 있다.
상기 적외선 센서부를 통과한 광 경로 상에, 적외선 대역의 광을 차단하는 적외선 컷오프 필터가 더 배치될 수 있다.
상기 적외선 센서부 상에, 적외선 대역의 광과 가시광선 대역의 광을 투과시키는 밴드패스필터가 더 배치될 수 있다.
상기 적외선 센서부 상에, 테라헤르츠 센서부가 더 배치될 수 있다.
또한, 일 유형에 따르면, 3차원 영상 획득 장치는 결상 렌즈부; 피사체에서 반사되고 상기 결상 렌즈부를 투과한 광으로부터 피사체의 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 동시에 센싱하는 컬러-깊이 센서; 상기 컬러-깊이 센서에서 센싱한 상기 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 이용하여 3차원 영상 정보를 생성하는 3차원 영상처리부;를 포함한다.
상기 컬러-깊이 센서는 가시광 대역의 광을 센싱하는 컬러 센서부; 상기 컬러 센서부와 적층 구조를 이루도록 배치되어, 적외선 대역의 광을 센싱하는 적외선 센서부;을 포함할 수 있다.
상기 적외선 센서부는 적외선 대역의 광을 흡수하는 유기 반도체 물질로 이루어진 광전변환층을 포함할 수 있다.
상기 컬러-깊이 센서는 상기 적외선 센서부를 통과한 광 경로 상에 배치되어, 적외선 대역의 광을 차단하는 적외선 컷오프 필터를 더 포함할 수 있다.
상기 컬러-깊이 센서는 상기 적외선 센서부를 향하는 광경로 상에 배치된 테라헤르츠 센서부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 3차원 영상 획득 장치는 적외선 대역의 광과 가시광선 대역의 광을 투과시키는 밴드패스필터를 더 포함할 수 있다.
상기 밴드패스필터는 피사체와 결상렌즈부 사이에 배치될 수 있다.
상기 밴드패스필터는 상기 결상렌즈부의 피사체 측의 렌즈면 상에 형성될 수 있다.
또는, 상기 밴드패스필터는 상기 컬러-깊이 센서의 광입사면 측에 형성될 수 있다.
또한, 상기 3차원 영상 획득 장치는 피사체에 광을 조명하는 조명부를 더 포함할 수 있다.
상기 조명부는 적외선 대역의 광을 방출하는 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD)를 포함할 수 있다.
또한, 일 유형에 따른 3차원 영상 획득 장치는 피사체에 테라헤르츠파와 적외선을 조사하는 조명부; 피사체를 투과 또는 피사체로부터 반사된 테라헤르츠파와 적외선을 동시에 센싱하는 것으로, 적외선 센서부와 테라헤르츠 센서부가 적층된 센서부; 상기 테라헤르츠 센서부, 적외선 센서부에서 센싱한 테라헤르츠파와 적외선으로부터 테라헤르츠 영상과 깊이 영상을 형성하고, 이를 이용하여 3차원 영상 정보를 생성하는 3차원 영상처리부;를 포함한다.
상술한 적층형 컬러-깊이 센서는 물체에 대한 컬러 정보와 깊이 정보를 시간차 없이 측정할 수 있다.
상술한 적층형 컬러-깊이 센서는 테라헤르츠 센서를 더 구비하여, 컬러 정보, 깊이 정보와 함께 테라헤르츠 영상 정보를 측정할 수 있다.
상술한 적층형 컬러-깊이 센서는 3차원 영상 획득 장치에 채용될 수 있다.
상술한 3차원 영상 획득 장치는 상기 적층형 컬러-깊이 센서에 의해 피사체로부터의 동일한 광경로 상에서 깊이 영상 정보와 컬러 영상 정보를 얻을 수 있기 때문에, 컬러 정보를 담은 광과 깊이 정보를 담은 광을 분리하는 구조가 불필요하여 광학계 구성이 간단해진다.
또한, 컬러 정보와 깊이 정보를 센싱함에 있어 시분할을 하지 않기 때문에 컬러 영상과 깊이 영상 간의 시간차가 거의 없어진다. 이러한 시간차가 없기 때문에 측정 시간이 커질 수 있어 측정 효율이 향상되고, 3차원 동영상을 형성하기에도 유리하다.
도 1은 실시예에 따른 컬러-깊이 센서의 개략적인 구조를 보인다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 컬러-깊이 센서에 채용될 수 있는 적외선 센서부의 예시적인 구조들을 보인 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 컬러-깊이 센서의 개략적인 구조를 보인다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 컬러-깊이 센서의 개략적인 구조를 보인다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 컬러-깊이 센서에 입사된 광이 밴드 패스 필터, 적외선 센서부, 컬러 센서부를 지날 때의 투과 스펙트럼을 예시적으로 보인다.
도 6은 다른 실시예에 따른 컬러-깊이 센서의 개략적인 구조를 보인다.
도 7은 실시예에 따른 영상 획득 장치의 개략적인 구조를 보인 블록도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 영상 획득 장치의 개락적인 구조를 보인 블록도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 컬러 깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 컬러-깊이 센서(100)의 개략적인 구조를 보인다.
컬러-깊이 센서(100)는 가시광 대역의 광을 센싱하는 컬러 센서부(130)과 컬러 센서부(130) 상에 적층되어, 적외선 대역의 광을 센싱하는 적외선 센서부(150)을 포함한다.
컬러 센서부(130)은 피사체에 대한 컬러 정보를 얻기 위한 것으로, 피사체의 이미지를 담은 광을 센싱하고 이를 전기 신호로 변환하는 센서층(110)을 포함한다. 센서층(110)은 CCD (Charge Coupled Device)나 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor)와 같은 소자를 포함할 수 있다. 또한, 센서층(110) 상에는 컬러 필터 어레이층(120)이 마련될 수 있으며, 적색 서브화소(R), 녹색 서브화소(G), 녹색 서브화소(G), 청색 서브화소(B)의 네 개의 서브 화소가 하나의 화소(P)를 이루는 형태를 가질 수 있다. 다만, 이러한 서브 화소 배치로 제한되는 것은 아니다.
적외선 센서부(130)은 피사체에 대한 깊이 정보를 얻기 위한 것으로, 적외선 대역의 광을 센싱하고 이를 전기 신호로 변환하는 광전변환층을 포함한다. 광전변환층은 다양한 종류의 유기(organic) 물질, 무기(inorganic) 물질을 포함할 수 있다.
적외선 센서부(150)의 영역도, 도시되지는 않았지만, 컬러 센서부(130)과 같이, 깊이 영상 표시에 적정한 해상도를 위해 다수의 영역으로 구획될 수 있다. 이 경우, 적외선 센서부(150)의 해상도가 컬러 센서부(130)의 해상도와 동일할 필요는 없으며, 통상, 이보다 낮은 해상도를 가질 수 있다.
컬러 필터 어레이층(120)이 적외선 센서부(150)과 센서층(110) 사이에 위에 배치된 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이고, 적외선 센서부(150)이 컬러 필터 어레이층(120)과 센서층(110) 사이에 배치될 수도 있다.
실시예에 따른 컬러-깊이 센서(100)는 입사광의 컬러 정보와 깊이 정보를 동일 광경로에서 시간차를 거의 두지 않고 얻기 위한 것으로, 적외선 센서부(130)에서 적외선 대역의 광만을 선택적으로 흡수하는 선택성(selectivity)이 중요하다.
최근, 유기 반도체 물질을 광전변환층으로 이용하여, 적외선, 근적외선 대역의 광에 대해 높은 선택성을 보이는 물질이 개발되고 있으며, 이를 적외선 센서부 (150)에 채용할 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 컬러-깊이 센서(100)에 채용될 수 있는 적외선 센서부(150)의 예시적인 구조들을 보인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 적외선 센서부(150)은 광전변환층(OE)과 광전변환층(OE)의 양측에 배치된 두 전극(E)을 포함한다.
광전변환층(OE)은 SnPc(tin phthalocyanine), C60 또는 이들이 소정 비로 혼합된 물질을 포함할 수 있다. 또는, P3HT(poly_3-hexylthiophene), PCBM (Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester) 또는, 이들이 소정 비로 혼합된 물질을 포함할 수 있다. 또는, BP3T, BCP, PEDOT(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene)), PEDPT-PSS(poly(styrene sulphonate)), 또는, 수쿠아레인 다이(squaraine dye)과 같은 물질을 포함할 수 있다.
전극(E) 재질로는 ITO와 같은 투명 전극 재질이 사용될 수 있다.
도 2a의 광전변환층(OE)은 SnPc:C60층을 포함할 수 있으며, 도시된 바와 같이, PEDOT:PSS층, BP3T층, SnPc층, SnPc:C60층, C60층, BCP층을 포함할 수 있다.
SnPc:C60층에서 SnPc와 C60의 혼합 비율은 약 1:1에서 1:5가 될 수 있다. SnPc의 함량이 높아질수록 약 950nm 근방의 파장에서 흡수율이 증가하고, 근적외선 대역, 약 750-800nm의 파장에서 흡수율이 감소한다. 흡수 파장 대역은 SnPc의 함량 외에도, 두께, 다른 층의 조성, 두께에 따라 변하며, 이들을 조절하여, 원하는 파장 대역에서 피크 값을 가지는 흡수 스펙트럼을 형성할 수 있다.
도 2b의 광전변환층(OE)은 CuPc층, SnPc층, C60층, BCP층을 포함한다. 각 층의 두께를 적절히 조절하여 원하는 파장 대역에서 피크 값을 가지는 흡수 스펙트럼을 형성할 수 있다.
도 2c의 광전변환층(OE)은 PEDOT층, P3HT:PCBM층, Ca층을 포함한다. P3HT:PCBM층의 두께는 약 200nm~14um가 될 수 있으며, P3HT, PCBM을 혼합하여 열처리하고, 두께를 상기 범위로 충분히 두껍게 함으로써 750nm~950nm의 파장 대역에서의 흡수율을 높일 수 있다.
도 2a 내지 도 2c에 예시된 구조 외에도, 광전변환층은 수쿠아레인 다이(squaraine dye)와 PCBM(Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester)이 혼합된 물질을 포함할 수 있다. 수쿠아레인 다이로는 AlkSQ, GlySQ가 사용될 수 있으며, 수쿠아레인 다이와 PCBM의 혼합 비율을 적절히 조절하여, 근적외선 대역에서의 흡수 스펙트럼을 형성할 수 있다.
적외선 센서부(150)에는 상술한 구조에 주기적인 패턴을 형성하거나, 나노 물질을 함유시키는 방법등이 적용되어, 흡수 대역 폭을 조절할 수도 있다. 예를 들어, 나노 마이크로 주기구조로, 홀(hole), 범프(bump)등이 형성될 수 있다.
또한, 상술한 적외선 센서부(150)에서, 광전변환층(OE)은 공진 캐비티(resonant cavity)를 형성하도록 그 두께가 정해질 수 있다. 즉, 적외선 대역의 광을 흡수하는 재질로 광전변환층(OE)을 형성하고, 그 두께를 적절히 조절하는 경우, 소정 파장 범위의 광에 대해서 보강 간섭이 일어나게 되어, 흡수 파장 대역의 대역 폭이 보다 좁아져 선택도(selectivity)를 높일 수 있다. 파장 선택도가 높아지는 경우, 적외선 센서부(150)을 투과하는 가시광을 충분하게 할 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 컬러-깊이 센서(200)의 개략적인 구조를 보인다.
본 실시예의 컬러-깊이 센서(200)는 적외선 센서부(150)과 컬러 센서부(130) 사이에 배치되어 적외선 대역의 광을 차단하는 적외선 컷오프 필터(140)를 더 포함한다.
적외선 컷오프 필터(140)는 광이 적외선 센서부(150)을 통과한 후에 적외선 컷 오프가 충분하지 않은 경우를 대비하여 마련될 수 있다. 적외선 센서부(150)을 통과한 적외선이 컬러 센서부(130)에 도달하지 않게 하여, 컬러 영상에 발생할 수 있는 노이즈를 줄이기 위한 것이다. 적외선 센서부(150)의 흡수 스펙트럼을 고려하여, 적외선 컷오프 필터(140)의 차단 파장 대역을 정할 수 있다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 컬러-깊이 센서(300)의 개략적인 구조를 보인다.
본 실시예의 컬러-깊이 센서(300)는 적외선 센서부(150) 상에 배치된 밴드 패스 필터(bandpass filter)를 더 포함한다. 밴드 패스 필터(160)는 입사광 중, 적외선 대역의 광과 가시광선 대역의 광만을 투과시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 컬러-깊이 센서(300)에 입사된 광이 밴드 패스 필터(160), 적외선 센서부(150), 컬러 센서부(130)을 지날 때의 투과 스펙트럼을 예시적으로 보인다.
도 5a를 참조하면, 밴드 패스 필터(160)에 의해 적외선 대역의 광과 가시광선 대역의 광이 투과되며, 도 5b를 참조하면, 적외선 센서부(150)에 의해 적외선 대역의 광이 흡수된다. 다음, 밴드 패스 필터(160), 적외선 센서부(150)을 지나 도 5c와 같은 형태로 컬러 센서부(130)에 입사한 광은 컬러 필터 어레이층(120)의 R,G,B 영역을 해당 파장의 광이 통과한 후 센서층(110)에 흡수된다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 컬러-깊이 센서(400)의 개략적인 구조를 보인다.
본 실시예의 컬러-깊이 센서(400)는 컬러 센서부(130), 적외선 센서부(150) 테라헤르츠 센서부(190)를 포함한다. 테라헤르츠 센서부(190)는 테라헤르츠 파를 검출하는 것으로, 검출된 테라헤르츠 파는 피사체의 투시 이미지 형성이나 성분 분석 등에 이용될 수 있다.
또한, 컬러-깊이 센서(400)에는 도 3, 도 4의 실시예에서 예시한 바와 같이, 적외선 센서부(150)와 컬러 센서부(130) 사이에 적외선 컷오프 필터가 더 구비될 수 있고, 또한, 테라헤르츠 센서부(190) 상에, 테라헤르츠 대역, 적외선 대역, 가시광 대역의 광을 투과시키는 밴드 패스 필터가 더 구비될 수 있다.
도 7은 실시예에 따른 3차원 영상 획득 장치(1000)의 개략적인 구조를 보인 블록도이다.
3차원 영상 획득 장치(1000)는 피사체(OBJ)의 상을 결상하는 결상 렌즈부(1200), 피사체(OBJ)에서 반사되고 결상 렌즈부(1200)를 투과한 광으로부터 피사체(OBJ)의 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 센싱하는 컬러-깊이 센서(1300), 컬러-깊이 센서(1300)에서 센싱한 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 이용하여 3차원 영상 정보를 생성하는 3차원 영상처리부(1500)를 포함한다.
또한, 3차원 영상 획득 장치(1000)는 피사체(OBJ)에 광을 조사하는 조명부(1400)를 더 포함할 수 있고, 3차원 영상 처리부(1500)와 조명부(1400)에서의 동작을 제어하는 제어부(1600), 3차원 영상 처리부(1500)에서 형성한 영상을 표시하는 디스플레이부(1700), 3차원 영상 처리부(1500)에서 형성한 3차원 영상 데이터를 저장하는 메모리(1800)를 더 포함할 수 있다.
컬러-깊이 센서(1300)는 가시광 대역의 광을 센싱하는 컬러 센서부(130), 컬러 센서부(130)과 적층 구조를 이루도록 배치되어, 적외선 대역의 광을 센싱하는 적외선 센서부(150)을 포함한다. 컬러-깊이 센서(1300)의 이러한 적층 구조는 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 동시에 센싱하기 위한 것이다. 여기서, ?옙?라는 의미는 센싱이 이루어지는 시각이 완전히 일치함을 의미하는 것은 아니며, 적외선 광과 가시광을 센싱함에 있어, 시간 분할을 하지 않아도 이들을 분리하여 센싱할 수 있음을 의미한다.
컬러-깊이 센서(1300)로는 도 1, 3, 4, 6에서 설명한 구조의 컬러-깊이 센서(100)(200)(300)(400)이 채용될 수 있다.
적외선 센서부(150)이 컬러 센서부(130) 상에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이고, 컬러 센서부(130)이 전술한 바와 같이, 컬러 필터 어레이층과 센서층을 포함할 수 있으며, 적외선 센서부(150)이 컬러 필터 어레이층과 센서층 사이에 배치될 수도 있다.
이러한 구조의 컬러-깊이 센서(1300)를 채용함에 따라, 피사체(OBJ)로부터의 광, 즉, 컬러 영상 정보를 담은 컬러광(LR, LG, LB)과 깊이 영상 정보를 담은 적외선 광(Li)이 동일한 광 경로를 따라 컬러-깊이 센서(1300)에 입사되게 된다. 따라서, 이를 분리하기 위해 종래 구비되었던, 예를 들어, 빔 스플리터와 같은 구조가 불필요하며 광학계가 간단해진다. 또한, 컬러-깊이 센서(1300)는 거의 동시적으로, 컬러광(LR, LG, LB)과 적외선 광(Li)을 분리하여 센싱할 수 있으므로 시분할 구동이 필요하지 않으며, 3차원 영상 처리 과정이 보다 간소해진다.
결상 렌즈부(1200)와 피사체(OBJ) 사이에는 밴드패스필터(1100)가 더 배치될 수 있다. 밴드패스필터(1100)는 적외선 대역의 광과 가시광선 대역의 광만을 투과시키기 위한 것이다. 밴드패스필터(1100)는 카메라에 통상 구비되는 커버 글래스 상에 배치될 수 있다. 또는, 결상렌즈부(1200)의 피사체(OBJ)측 렌즈면 상에 배치될 수도 있다. 또는, 컬러-깊이 센서(1300)의 광입사면 측에, 예를 들어, 적외선 센서부(150) 상에 배치될 수도 있다. 밴드 패스 필터(1100)는 생략될 수도 있다.
결상 렌즈부(1200)는 피사체(OBJ)의 상(image)을 컬러-깊이 센서(1300)에 결상하는 것이다. 도면에서는 하나의 볼록 렌즈로 도시되었으나, 이는 예시적인 것이고, 결상 성능이나, 수차 보정, 또는 주밍(zooming) 등의 기능이 고려된, 다양한 형상, 개수의 렌즈들을 포함할 수 있다.
조명부(1400)는 적외선 대역의 광을 생성, 방출하는 LD(laser diode), LED(light emitting diode), SLD(super luminescent diode)등의 광원을 포함할 수 있다. 상기 광원은 적외선 대역의 광으로, 예를 들어 750nm 이상 2500nm 이하의 파장 대역의 광을 조사하도록 구성될 수 있다.
조명부(1400)는 또한, 소정 주파수로 변조된 광을 피사체(OBJ)에 조사하기 위한 구성을 포함할 수 있고, 조사광의 경로나 범위를 조절하기 위한 광학부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 컬러-깊이 센서(1300)가 테라헤르츠 센서부를 포함하는 도 6의 구조를 채용하는 경우, 조명부(1400)는 테라헤르츠 빔을 피사체에 조사하도록 테라헤르츠 발생기를 더 구비할 수 있다.
3차원 영상 처리부(1500)는 적외선 센서부(150)으로부터 센싱된 광으로부터 피사체(OBJ)의 깊이 영상 정보를 연산하고, 연산된 깊이 영상 정보를 컬러 센서부(130)으로부터 센싱된 광으로부터 얻어진 피사체의 컬러 영상에 결합하여 3차원 영상을 형성한다.
피사체(OBJ)에 대한 깊이 영상 정보를 얻기 위한 연산 방법으로 삼각 측량법(Triangulation)이나 광시간비행법(Time-of-Flight; TOF)이 사용될 수 있다. 삼각측량법의 경우, 피사체(OBJ)의 거리가 멀어질수록 거리 정보에 대한 정확도가 급격히 저하되어 정밀한 거리 정보를 얻기 어렵다. 광시간비행법은 보다 정확한 거리 정보를 얻기 위하여 도입된 것으로, 피사체(OBJ)에 빔을 조사하고, 이 빔이 피사체로부터 반사되어 수광부에 수광되기까지의 광 비행시간을 측정하는 방법이다. TOF 방법에 따르면, 특정 파장의 빛(예컨대, 850nm의 근적외선)을 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD)를 이용하여 피사체에 투사하고, 피사체로부터 반사된 동일한 파장의 빛을 수광부에서 수광한 후, 거리 정보를 추출하기 위한 특별한 처리 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 광 처리 과정에 따라 다양한 TOF 방법이 알려져 있다. 예를 들어, 직접 시간 측정 방법은 피사체에 펄스광을 투사하고 피사체에 반사되어 광이 돌아오는 시간을 타이머로 측정하여 거리를 구한다. 상관법(correlation)은 펄스광을 피사체에 투사하고 피사체에 반사되어 돌아오는 반사광의 밝기로부터 거리를 측정한다. 위상지연 측정 방법은 사인파와 같은 연속파(continuous wave) 광을 피사체에 투사하고 피사체에 반사되어 돌아오는 반사광의 위상차를 감지하여 거리로 환산하는 방법이다.
3차원 영상 처리부(1500)는 예를 들어, 상술한 방법 중 어느 하나에 따라 피사체(OBJ)의 깊이 영상 정보를 연산하고, 컬러 영상 정보와 결합하여 3차원 영상을 형성한다. 3차원 영상 처리부(1500)는 또한, 깊이 영상 처리에 있어, 적외선 센서부(150)에 비닝(binning)을 적용할 수 있고, 필요에 따라 그 정도를 조절할 수 있다.
또한, 컬러-깊이 센서(1300)가 테라헤르츠 센서부를 포함하는 도 6의 구조를 채용하는 경우, 3차원 영상 처리부(1500)는 테라헤르츠 센서부에서 센싱된 테라헤르츠 파로부터 피사체(OBJ)의 투시 이미지를 형성하는 영상 처리를 더 수행할 수 있다.
도 8은 실시예에 따른 3차원 영상 획득 장치(2000)의 개략적인 구조를 보인 블록도이다.
3차원 영상 획득 장치(2000)는 피사체(OBJ)에 테라헤르츠파와 적외선을 조사하는 조명부(2400), 피사체(OBJ)를 투과 또는 피사체(OBJ)로부터 반사된 테라헤르츠파(LT)와 적외선(Li)을 동시에 센싱하는 것으로, 적외선 센서부(150)와 테라헤르츠 센서부(190)가 적층된 복합 센서(2300), 테라헤르츠 센서부(190), 적외선 센서부(150)에서 센싱한 테라헤르츠파와 적외선으로부터 테라헤르츠 영상과 깊이 영상을 형성하고, 이를 이용하여 3차원 영상 정보를 생성하는 3차원 영상처리부(2500)를 포함한다.
조명부(2400)는 약 100GHz에서 30THz 대역의 전자기파를 방출하는 테라헤르츠 발생기, 그리고, 적외선 대역의 광을 생성, 방출하는 LD(laser diode), LED(light emitting diode), SLD(super luminescent diode)등의 광원을 포함할 수 있으며, 테라헤르츠 발생기와 적외선 광원은 피사체를 적절히 조명할 수 있도록 서로 분리되어 배치될 수 있다.
영상 획득 장치(2000)는 또한, 테라헤르츠 대역과 적외선 대역의 광을 투과시키는 밴드 패스 필터(2100)를 더 구비할 수 있고, 복합 센서(2300) 상에 피사체(OBJ)로부터의 광을 결상하는 결상 렌즈(2200)를 더 구비할 수 있다. 또한, 3차원 영상 처리부(2500)와 조명부(2400)에서의 동작을 제어하는 제어부(2600), 3차원 영상 처리부(2500)에서 형성한 영상을 표시하는 디스플레이부(2700), 3차원 영상 처리부(2500)에서 형성한 3차원 영상 데이터를 저장하는 메모리(2800)를 더 포함할 수 있다.
테라헤르츠 파는 가시광선이나 적외선 보다 파장이 길어 X선처럼 투과력이 강해 피사체의 내부를 투과해 볼 수 있다. 반면, X선보다 에너지가 낮아, 피사체가 인체의 경우에도 해를 끼치지 않는다. 또한, 테라헤르츠 파는 피사체를 투과하며 테라헤르츠 대역의 주파수 내에서 특정 파장 영역이 흡수되기 때문에, 이를 분석하는 경우, X선으로는 탐지하지 못하는 특정 성분을 검출할 수도 있다.
실시예에 따른 3차원 영상 획득 장치(2000)는 적외선 센서부(150)와 함께, 상기한 성질의 테라헤르츠 파를 검출하는 테라헤르츠 센서부(190)를 구비하는 복합 센서(2300)를 채용하여 피사체(OBJ)에 대한 투시 이미지와 깊이 영상 정보를 결합한 형태의 3차원 영상을 형성할 수 있다. 또한, 피사체에 대한 성분 분석을 함께 수행할 수도 있다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
100, 200, 300, 1300...컬러 깊이 센서 110...센서층
120...컬러 필터 어레이층 130...컬러 센서부
140...적외선 컷오프 필터 150...적외선 센서부
160, 1100...밴드패스필터 190...테라헤르츠 센서부
1000, 2000...3차원 영상 획득 장치 1200, 2200...결상렌즈부
2300...복합 센서

Claims (24)

  1. 가시광 대역의 광을 센싱하는 컬러 센서부;
    상기 컬러 센서부와 적층 구조를 이루도록 배치되어, 적외선 대역의 광을 센싱하는 적외선 센서부;을 포함하는 컬러-깊이 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적외선 센서부는 적외선 대역의 광을 흡수하는 유기 반도체 물질로 이루어진 광전변환층을 포함하는 컬러-깊이 센서.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광전변환층은 SnPc:C60 층을 포함하는 컬러-깊이 센서.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 광전변환층은 수쿠아레인 다이(squaraine dye)와 PCBM(Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester)을 포함하는 컬러-깊이 센서.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 광전변환층은 P3HT(poly_3-hexylthiophene_): PCBM (Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester) 층을 포함하는 컬러-깊이 센서.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광전변환층의 두께는 소정 파장의 광에 대해 공진 캐비티 구조를 형성할 수 있도록 정해지는 컬러-깊이 센서.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적외선 센서부를 통과한 광 경로 상에,
    적외선 대역의 광을 차단하는 적외선 컷오프 필터가 더 배치된 컬러-깊이 센서.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적외선 센서부 상에,
    적외선 대역의 광과 가시광선 대역의 광을 투과시키는 밴드패스필터가 더 배치된 컬러-깊이 센서.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적외선 센서부 상에,
    테라헤르츠 센서부가 더 배치된 컬러-깊이 센서.
  10. 결상 렌즈부;
    피사체에서 반사되고 상기 결상 렌즈부를 투과한 광으로부터 피사체의 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 동시에 센싱하는 컬러-깊이 센서;
    상기 컬러-깊이 센서에서 센싱한 상기 컬러 영상 정보와 깊이 영상 정보를 이용하여 3차원 영상 정보를 생성하는 3차원 영상처리부;를 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 컬러-깊이 센서는
    가시광 대역의 광을 센싱하는 컬러 센서부;
    상기 컬러 센서부와 적층 구조를 이루도록 배치되어, 적외선 대역의 광을 센싱하는 적외선 센서부;을 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 적외선 센서부는 적외선 대역의 광을 흡수하는 유기 반도체 물질로 이루어진 광전변환층을 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 광전변환층은 SnPc:C60 층을 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 광전변환층은 수쿠아레인 다이(squaraine dye)와 PCBM(Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester)을 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 광전변환층은 P3HT(poly_3-hexylthiophene): PCBM (Phenyl-C61-Butyric-Acid-Methyl-Ester) 층을 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  16. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컬러-깊이 센서는
    상기 적외선 센서부를 통과한 광 경로 상에 배치되어, 적외선 대역의 광을 차단하는 적외선 컷오프 필터를 더 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  17. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컬러-깊이 센서는
    상기 적외선 센서부를 향하는 광경로 상에 배치된 테라헤르츠 센서부를 더 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  18. 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    적외선 대역의 광과 가시광선 대역의 광을 투과시키는 밴드패스필터를 더 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 밴드패스필터는 피사체와 결상렌즈부 사이에 배치되는 3차원 영상 획득 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 밴드패스필터는 상기 결상렌즈부의 피사체 측의 렌즈면 상에 형성되는 3차원 영상 획득 장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 밴드패스필터는 상기 컬러-깊이 센서의 광 입사면 측에 형성되는 3차원 영상 획득 장치.
  22. 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    피사체에 광을 조명하는 조명부를 더 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 조명부는 적외선 대역의 광을 방출하는 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD)를 포함하는 3차원 영상 획득 장치.
  24. 피사체에 테라헤르츠파와 적외선을 조사하는 조명부;
    피사체를 투과 또는 피사체로부터 반사된 테라헤르츠파와 적외선을 동시에 센싱하는 것으로, 적외선 센서부와 테라헤르츠 센서부가 적층된 센서부;
    상기 테라헤르츠 센서부, 적외선 센서부에서 센싱한 테라헤르츠파와 적외선으로부터 테라헤르츠 영상과 깊이 영상을 형성하고, 이를 이용하여 3차원 영상 정보를 생성하는 3차원 영상처리부;를 포함하는 3차원 영상 획득 장치.

KR20130070491A 2013-06-19 2013-06-19 적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치 Ceased KR20140147376A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130070491A KR20140147376A (ko) 2013-06-19 2013-06-19 적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치
US14/899,677 US20160165213A1 (en) 2013-06-19 2014-05-27 Layered type color-depth sensor and three-dimensional image acquisition apparatus employing the same
PCT/KR2014/004698 WO2014204111A1 (en) 2013-06-19 2014-05-27 Layered type color-depth sensor and three-dimensional image acquisition apparatus employing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130070491A KR20140147376A (ko) 2013-06-19 2013-06-19 적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140147376A true KR20140147376A (ko) 2014-12-30

Family

ID=52104800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130070491A Ceased KR20140147376A (ko) 2013-06-19 2013-06-19 적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160165213A1 (ko)
KR (1) KR20140147376A (ko)
WO (1) WO2014204111A1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101726776B1 (ko) * 2015-11-04 2017-04-13 주식회사 파미 3차원 형상 획득 장치 및 그 제어 방법
CN109698211A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 三星电子株式会社 组合传感器和电子装置
US10341585B2 (en) 2015-09-30 2019-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device
US11575819B2 (en) 2020-02-06 2023-02-07 SK Hynix Inc. Image sensor
US12222454B2 (en) 2018-08-16 2025-02-11 Sense Photonics, Inc. Integrated lidar image-sensor devices and systems and related methods of operation

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9136301B2 (en) * 2009-11-12 2015-09-15 Maxchip Electronics Corp. Multi-wave band light sensor combined with function of IR sensing and method of fabricating the same
KR20150010230A (ko) * 2013-07-18 2015-01-28 삼성전자주식회사 단일 필터를 이용하여 대상체의 컬러 영상 및 깊이 영상을 생성하는 방법 및 장치.
KR102305998B1 (ko) * 2014-12-08 2021-09-28 엘지이노텍 주식회사 영상 처리 장치
US9508681B2 (en) * 2014-12-22 2016-11-29 Google Inc. Stacked semiconductor chip RGBZ sensor
KR102282218B1 (ko) * 2015-01-30 2021-07-26 삼성전자주식회사 3 차원 영상 획득 장치용 결상 광학계 및 이를 포함하는 3 차원 영상 획득 장치
JP2016143851A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置
US20160309135A1 (en) 2015-04-20 2016-10-20 Ilia Ovsiannikov Concurrent rgbz sensor and system
US11002531B2 (en) 2015-04-20 2021-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor for RGB imaging and depth measurement with laser sheet scan
US11736832B2 (en) 2015-04-20 2023-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Timestamp calibration of the 3D camera with epipolar line laser point scanning
US10250833B2 (en) 2015-04-20 2019-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Timestamp calibration of the 3D camera with epipolar line laser point scanning
US10145678B2 (en) 2015-04-20 2018-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor for depth measurement using triangulation with point scan
US10529687B2 (en) 2015-04-24 2020-01-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Stacked photodetectors comprising a controller to apply a voltage to a photodetector structure based on a lighting condition
US20180077430A1 (en) * 2016-09-09 2018-03-15 Barrie Hansen Cloned Video Streaming
CN109032474B (zh) 2016-10-31 2020-03-20 华为技术有限公司 一种色温调节方法、装置以及图形用户界面
US11443447B2 (en) 2020-04-17 2022-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional camera system
CN112738386A (zh) * 2021-03-30 2021-04-30 北京芯海视界三维科技有限公司 一种传感器、拍摄模组、图像获取方法
CN112738497A (zh) * 2021-03-30 2021-04-30 北京芯海视界三维科技有限公司 传感设备、图像传感器和人机交互系统
EP4390446A1 (en) * 2022-12-21 2024-06-26 Hexagon Technology Center GmbH Wide-angle range imaging module and reality capture device comprising a wide-angle range imaging module

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432374A (en) * 1993-02-08 1995-07-11 Santa Barbara Research Center Integrated IR and mm-wave detector
KR100410613B1 (ko) * 2001-06-28 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 적외선필터를 구비한 이미지센서
JP3913253B2 (ja) * 2004-07-30 2007-05-09 キヤノン株式会社 光半導体装置およびその製造方法
KR100694469B1 (ko) * 2004-12-30 2007-03-12 매그나칩 반도체 유한회사 적외선 필터가 탑재된 이미지센서
US7705307B1 (en) * 2006-02-27 2010-04-27 Agiltron Corporation Thermal displacement-based radiation detector of high sensitivity
JP4977048B2 (ja) * 2007-02-01 2012-07-18 キヤノン株式会社 アンテナ素子
US20080230123A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-25 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element and solid-state imaging device
US7683323B2 (en) * 2007-03-20 2010-03-23 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Organic field effect transistor systems and methods
JP5683059B2 (ja) * 2007-09-28 2015-03-11 富士フイルム株式会社 撮像素子
JP5427349B2 (ja) * 2007-10-18 2014-02-26 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
US9472699B2 (en) * 2007-11-13 2016-10-18 Battelle Energy Alliance, Llc Energy harvesting devices, systems, and related methods
JP2009135318A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Fujifilm Corp 光電変換素子、撮像素子及び光センサー
JP5337381B2 (ja) * 2008-01-18 2013-11-06 富士フイルム株式会社 メロシアニン色素及び光電変換素子
US8053661B2 (en) * 2008-01-25 2011-11-08 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element and imaging device
JP5108806B2 (ja) * 2008-03-07 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び撮像素子
JP5460118B2 (ja) * 2008-05-14 2014-04-02 富士フイルム株式会社 光電変換素子、及び撮像素子
JP5325473B2 (ja) * 2008-06-20 2013-10-23 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び固体撮像素子
JP5346546B2 (ja) * 2008-10-24 2013-11-20 富士フイルム株式会社 有機半導体、光電変換素子、撮像素子及び新規化合物
KR101048768B1 (ko) * 2009-06-10 2011-07-15 (주)실리콘화일 조도, 근접도 및 색온도 측정이 가능한 이미지센서
DK2483925T3 (en) * 2009-09-29 2018-08-20 Res Triangle Inst QUANTITY POINT FILLER TRANSITION BASED PHOTO DETECTORS
US9349970B2 (en) * 2009-09-29 2016-05-24 Research Triangle Institute Quantum dot-fullerene junction based photodetectors
JP5520560B2 (ja) * 2009-09-29 2014-06-11 富士フイルム株式会社 光電変換素子、光電変換素子材料、光センサ、及び撮像素子
CN102714137B (zh) * 2009-10-16 2015-09-30 康奈尔大学 包括纳米线结构的方法和装置
KR101703311B1 (ko) * 2010-03-08 2017-02-13 삼성전자주식회사 적외선 센서, 이를 포함하는 터치패널 및 입체용 컬러 이미지센서
JP2012018951A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置及び撮像装置
JP2012049289A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
FR2966976B1 (fr) * 2010-11-03 2016-07-29 Commissariat Energie Atomique Imageur monolithique multispectral visible et infrarouge
WO2012065063A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-18 William Marsh Rice University Plasmon induced hot carrier device, method for using the same, and method for manufacturing the same
US8808861B2 (en) * 2010-11-18 2014-08-19 The Ohio State University Laminate composite and method for making same
JP2012119532A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
EP2694949A1 (en) * 2011-04-05 2014-02-12 Integrated Plasmonics Corporation Integrated plasmonic sensing device and apparatus
KR101863626B1 (ko) * 2011-11-02 2018-07-06 삼성전자주식회사 영상 처리 장치 및 방법
US8823930B2 (en) * 2012-08-07 2014-09-02 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Apparatus and method for inspecting an object
KR102070778B1 (ko) * 2012-11-23 2020-03-02 엘지전자 주식회사 Rgb-ir 센서 및 이를 이용한 3차원 영상 획득 방법 및 장치
WO2014083314A1 (en) * 2012-11-29 2014-06-05 The University Of Birmingham Optical absorber
FR3002367B1 (fr) * 2013-02-18 2015-03-20 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif imageur
KR102187752B1 (ko) * 2013-05-07 2020-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 박리 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10341585B2 (en) 2015-09-30 2019-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device
US10812738B2 (en) 2015-09-30 2020-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device configured to reduce light loss of possible light image and obtain distance information of an object
KR101726776B1 (ko) * 2015-11-04 2017-04-13 주식회사 파미 3차원 형상 획득 장치 및 그 제어 방법
CN109698211A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 三星电子株式会社 组合传感器和电子装置
CN109698211B (zh) * 2017-10-20 2023-12-08 三星电子株式会社 组合传感器和电子装置
US12222454B2 (en) 2018-08-16 2025-02-11 Sense Photonics, Inc. Integrated lidar image-sensor devices and systems and related methods of operation
US11575819B2 (en) 2020-02-06 2023-02-07 SK Hynix Inc. Image sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US20160165213A1 (en) 2016-06-09
WO2014204111A1 (en) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140147376A (ko) 적층형 컬러-깊이 센서 및 이를 채용한 3차원 영상 획득 장치
KR102497704B1 (ko) 광 검출기
JP6403776B2 (ja) 光学検出器
JP2018510320A (ja) 光学検出器
JP6660931B2 (ja) 少なくとも１つの物体の位置を決定するための検出器
JP6483127B2 (ja) 少なくとも１つの対象物の位置を求めるための検出器
KR101951318B1 (ko) 컬러 영상과 깊이 영상을 동시에 얻을 수 있는 3차원 영상 획득 장치 및 3차원 영상 획득 방법
JP2022033118A (ja) 撮像システム
JP2018507389A (ja) 光学検出器
KR20140046335A (ko) 결상 광학계 및 이를 포함하는 3차원 영상 획득 장치
KR20170092577A (ko) 광 검출기
CN1914492A (zh) 利用混合滤光片的波长相关成像和探测方法及系统
KR20150065473A (ko) 거리영상 측정용 카메라 및 이를 이용한 거리영상 측정방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130619

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20180605

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20130619

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190708

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20200203

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20190708

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I