KR20170039187A

KR20170039187A - 3차원 ic 적용용 레이저 박리 재료로서의 폴리이미드

Info

Publication number: KR20170039187A
Application number: KR1020177003584A
Authority: KR
Inventors: 샤오 리우; 동순 바이; 토니 디. 플레임; 싱-푸 종; 치 우
Original assignee: 브레우어 사이언스 인코포레이션
Priority date: 2014-07-22
Filing date: 2015-07-22
Publication date: 2017-04-10
Anticipated expiration: 2035-07-22
Also published as: WO2016014648A2; US20160023436A1; SG11201700478YA; JP2017530206A; KR102404034B1; CN106687541A; JP6591526B2; EP3172762A4; US9827740B2; CN106687541B; EP3172762B1; WO2016014648A3; EP3172762A2; TWI663058B; TW201609402A

Abstract

본 발명은 광범위하게 마이크로 전자 공학 제조 동안 얇은 웨이퍼 취급을 가능하게 하는 박리 층 조성물에 관한 것이다. 바람직한 박리 층은 용매 시스템에 용해되거나 분산된 폴리암산 또는 폴리이미드를 포함하는 조성물로부터 형성된 다음, 약 250℃ 내지 약 350℃에서 약 10분 미만 동안 경화 및/또는 용매 제거시킴으로써 얇은 필름을 수득한다. 이 공정은 박리 조성물을 일시적인 결합 공정에 사용될 수 있고, 목적하는 처리가 수행된 후 레이저 박리될 수 있는 폴리이미드 박리 층으로 형성한다.

Description

3차원 IC 적용용 레이저 박리 재료로서의 폴리이미드{POLYIMIDES AS LASER RELEASE MATERIALS FOR 3-D IC APPLICATIONS}

관련 출원

본원은 본원에 참조로 인용된, 2014년 7월 22일자로 출원된 3차원 IC 적용용 레이저 박리 재료로서의 폴리이미드(POLYIMIDES AS LASER RELEASE MATERIALS FOR 3-D IC APPLICATIONS)란 표제의 출원 번호 제62/027,758호의 우선권 이점을 주장한다.

발명의 분야

본 발명은 일시적인 웨이퍼 결합을 위한 레이저 박리 재료의 분야에 관한 것이다.

일시적인 웨이퍼 결합(TWB)은 통상적으로 장치 웨이퍼 또는 마이크로전자 기판을 중합성 결합 재료에 의해 캐리어 웨이퍼 또는 기판에 부착시키는 공정을 의미한다. 결합 후, 장치 웨이퍼는 전형적으로 50㎛ 미만으로 얇아진 다음, 이의 배면에 규소 관통 바이어스(through-silicon vias; TSV), 재배치 층, 결합 패드, 및 다른 회로 기능을 생성하도록 처리된다. 캐리어 웨이퍼는 주위 온도와 고온(> 250℃) 사이에 반복 사이클링, 웨이퍼 취급 및 이송 단계로부터 기계적 충격 및 장치 웨이퍼를 얇게 하는데 사용되는 웨이퍼 백-그라인딩 공정 동안 부과된 것과 같은 강한 기계적 힘을 수반할 수 있는 배면 처리 동안 취약한 장치 웨이퍼를 지지한다. 이러한 처리가 모두 완료되면, 장치 웨이퍼는 일반적으로 필름 프레임에 부착된 다음, 캐리어 웨이퍼로부터 분리되거나 박리되고, 추가의 작동이 일어나기 전에 세정된다.

대부분의 TWB 공정은 장치 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 사이에 1개 또는 2개의 층을 사용한다. 2층 시스템의 경우에, 제1 층은 중합체 결합 재료이다. 이는 사실상 열가소성, 열경화성 또는 광경화성일 수 있다. 중합성 결합 재료 층은 전형적으로 두께가 10㎛ 내지 120㎛, 더욱 통상적으로 두께가 약 50㎛ 내지 100㎛이다. 제2 층은 비교적 얇고, 처리 후 결합된 웨이퍼 쌍의 용이한 분리가 가능하게 하기 위해 존재한다. 얇은 층은 레이저 또는 다른 광원으로부터의 방사선에 반응하고, 이는 층 자체의 분해 또는 인접하는 중합성 결합 재료의 분해를 유도하여 구조 내의 결합 완전성을 손실시키고 기계적 힘을 적용하지 않고 분해될 수 있게 한다.

레이저 유도 박리는 일반적인 박리 방식이 되고, 재료는 자외선(예: 248㎚, 308㎚ 및 355㎚)으로부터 근적외선(예: 1064㎚)까지의 레이저 파장에서 작동시키기 위해 이용 가능하다. 일부 경우, 중합성 결합 재료는 별도의 얇은 감광성 층이 필요하지 않는 레이저 방사선에 대한 충분한 반응을 갖는다는 것을 유의해야 한다. 그러나, 대분분은 아니지만 많은 경우에, 박리 층의 사용은 이 공정을 크게 촉진시킨다.

종래 기술 레이저 박리 재료가 갖는 하나의 문제점은 그들이 오히려 긴 경화 시간을 필요로 한다는 것이다. 예를 들면, 질소 환경에서 350℃에서 1시간의 경화 시간이 1000Å 정도의 두께로 신 에쓰(Shin Estu) ODL-38의 필름을 생성하기 위해 필요하다. 80℃ 및 120℃에서 연질 베이킹된 다음, 300℃ 내지 350℃에서 질소 중에서 1시간 동안 경화되는 HD Microsystems HD3007에는 더욱 더 복잡한 경화 공정이 필요하다. 이러한 극도로 긴 경화 시간은 전체 공정의 처리량을 상당히 감소시킨다.

레이저 박리에 쉽게 영향을 받으면서 더 짧은 경화 시간을 포함하는 박리 층으로서 사용하기에 적합한 추가의 재료가 필요하다.

발명의 요약

본 발명은 광범위하게

배면 및 전면을 갖는 제1 기판;

전면에 인접한 결합 층; 및

제1 표면을 갖는 제2 기판을 포함하는 스택을 제공하는 단계를 포함하는 일시적인 결합 방법을 포함한다. 제1 표면은 결합 층에 인접하는 폴리이미드 박리 층을 포함한다. 폴리이미드 박리 층은 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체를 포함하는 조성물로부터 형성되고, 중합체는 불소화 이무수물, 감광성 이무수물, 감광성 디아민 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함한다. 박리 층은 제1 및 제2 기판의 분리를 촉진시키기 위해 레이저 에너지에 노출시킨다.

본 발명은 또한

배면 및 전면을 포함하는 제1 기판;

전면에 인접한 결합 층; 및

제1 표면을 갖는 제2 기판을 포함하는 물품을 제공한다. 제1 표면은 폴리이미드 박리 층을 포함하고, 박리 층은 결합 층에 인접한다. 폴리이미드 박리 층은 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체를 포함하는 조성물로부터 형성되고, 중합체는 불소화 이무수물, 감광성 이무수물, 감광성 디아민 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함한다.

본 발명은 또한 폴리이미드 박리 층을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 유리 또는 다른 투명한 재료를 포함하는 기판 표면에 조성물을 적용하는 단계를 포함한다. 조성물은 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체를 포함하고, 중합체는 폴리암산 및 폴리이미드로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 조성물은 약10분 미만의 시간 동안 약 250℃ 내지 약 350℃의 온도에서 가열하여 폴리이미드 박리 층을 형성한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 구현예를 나타내는 개략도의 단면도이다.

본 발명의 방법

도 1a(비례하지 않음)를 참조하면, 전구체 구조(10)는 개략적인 단면도로 도시된다. 구조(10)는 제1 기판(12)를 포함한다. 기판(12)은 전면 또는 장치 표면(14), 배면(16) 및 최외부 가장자리(18)를 갖는다. 기판(12)이 임의의 형상을 가질 수 있지만, 이는 전형적으로 원형의 형상이다. 바람직한 제1 기판(12)은 장치 표면이 집적 회로, MEMS, 마이크로센서, 전력 반도체, 발광 다이오드, 광자 회로, 인터포저, 내장형 수동 장치, 및 규소 및 규소-게르마늄, 비소화갈륨, 질화갈륨, 비소화알루미늄갈륨, 인화알루미늄인듐갈륨 및 인화인듐갈륨과 같은 다른 반도체 재료 상에 또는 이들로부터 제조된 다른 마이크로장치로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치의 어레이(도시되지 않음)를 포함하는 것들과 같은 장치 웨이퍼를 포함한다. 이들 장치의 표면은 통상적으로 다음 재료 중의 하나 이상으로부터 형성된 구조물(또한 도시되지 않음)을 포함한다: 규소, 폴리규소, 이산화규소, (옥시)질화규소, 금속(예: 구리, 알루미늄, 금, 텅스텐, 탄탈), 낮은 k 유전체, 중합체 유전체 및 다양한 금속 질화물 및 규화물. 장치 표면(14)은 또한 땜납 범프, 금속 포스트, 금속 필러, 및 규소, 폴리규소, 이산화규소, (옥시)질화규소, 금속, 낮은 k 유전체, 중합체 유전체, 금속 질화물 및 금속 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성된 구조물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 구조를 포함할 수 있다.

조성물을 제1 기판(12)에 적용하여, 도 1a에 도시된 바와 같이, 장치 표면(14) 위에 결합 층(20)을 형성한다. 결합 층(20)은 제1 기판(12)으로부터 떨어진 상부 표면(21)을 갖고, 바람직하게는 결합 층(20)은 장치 표면(14)에 직접 인접하게(즉, 결합 층(20)과 기판(12) 사이에 임의의 중간체 층 없이) 형성된다. 결합 층(20)이 제1 기판(12)의 전체 장치 표면(14)을 피복하는 것으로 도시되어 있지만, 이는 본원에 참조로 인용된 미국 특허 공보 제2009/0218560호에 제시된 바와 같이, 장치 표면(14)의 일부 또는 "영역" 위에만 존재할 수 있는 것으로 이해될 것이다.

결합 조성물은 딥 코팅, 롤러 코팅, 슬롯 코팅, 다이 코팅, 스크린 프린팅, 드로우-다운 코팅 또는 스프레이 코팅을 포함하는 임의의 공지된 적용 방법에 의해 적용할 수 있다. 추가로, 코팅은 장치 기판 또는 캐리어 기판 표면에 적용 전에 자립 필름으로 형성될 수 있다. 하나의 바람직한 방법은 약 5초 내지 약 120초(바람직하게는 약 30초 내지 약 90초)의 시간 동안 약 200rpm 내지 약 3,000rpm(바람직하게는 약 500rpm 내지 약 3,000rpm)의 속도에서 조성물을 스핀-코팅하는 단계를 포함한다.

조성물을 적용한 후, 바람직하게는 약 60초 내지 약 8분(바람직하게는 약 90초 내지 약 6분)의 시간 동안 약 50℃ 내지 약 250℃, 더욱 바람직하게는 약 80℃ 내지 약 220℃의 온도로 가열한다. 결합 층(20)을 형성하기 위해 사용되는 조성물에 의존하여, 베이킹은 또한 층(20)을 경화시키기 위해 가교결합 반응을 개시할 수 있다. 일부 구현예에서, 사용된 조성물에 의존하여 층을 다단계 베이킹 공정에 적용하는 것이 바람직하다. 또한, 일부 경우에, 상기 적용 및 베이킹 공정은 제1 결합 층(20)이 다단계로 제1 기판(12) 위에 "조립되도록" 조성물의 추가 분량에 대해 반복될 수 있다. 생성되는 층(20)은 약 1㎛ 내지 약 200㎛, 더욱 바람직하게는 약 10㎛ 내지 약 150㎛, 더욱 더 바람직하게는 약 20㎛ 내지 약 120㎛의 평균 두께(5회 측정으로부터 취한 평균)를 가져야 한다.

제2 전구체 구조(22)도 또한 도 1a에서 개략적인 단면도로 도시된다. 제2 전구체 구조(22)는 제2 기판(24)을 포함한다. 이 구현예에서, 제2 기판(24)은 캐리어 웨이퍼이다. 즉, 제2 기판(24)은 전면 또는 캐리어 표면(26), 배면(28) 및 최외부 가장자리(30)를 갖는다. 제2 기판(24)이 임의의 형상을 가질 수 있지만, 이는 전형적으로 원형의 형상이고, 제1 기판(12)과 유사하게 크기가 정해진다. 바람직한 제2 기판(24)은 레이저 에너지가 캐리어 기판을 통해 통과하도록 하는 투명한 유리 웨이퍼 또는 임의의 다른 투명한(레이저 에너지에 대해) 기판을 포함한다. 하나의 특히 바람직한 유리 캐리어 기판은 Corning EAGLE XG 유리 웨이퍼이다.

조성물을 제2 기판(24)에 적용하여, 도 1a에 도시된 바와 같이, 캐리어 표면(26) 위에 박리 층(32)을 형성한다. 또는, 이미 형성된 구조(22)를 제공할 수 있다. 박리 층(32)은 제2 기판(24)으로부터 떨어진 상부 표면(33) 및 제2 기판(24)에 인접한 하부 표면(35)을 갖는다. 바람직하게는, 박리 층(32)은 캐리어 표면(26)에 직접 인접하여(즉, 제2 결합 층(32)과 제2 기판(24) 사이에 임의의 중간체 층 없이) 형성된다.

박리 조성물은 임의의 공지된 적용 방법으로 적용할 수 있고, 하나의 바람직한 방법은 약 10초 내지 약 120초(바람직하게는 약 30초 내지 약 90초)의 시간 동안 약 500rpm 내지 약 3,000rpm(바람직하게는 약 2,000rpm 내지 약 2,750rpm)의 속도에서 조성물을 스핀-코팅하는 것이다. 조성물을 적용한 후, 이를 약 10분 미만, 바람직하게는 약 1분 내지 약 10분, 더욱 바람직하게는 약 2분 내지 약 5분의 시간 동안 바람직하게는 약 250℃ 내지 약 350℃, 더욱 바람직하게는 약 300℃ 내지 약 350℃의 온도로 가열한다. 가장 바람직한 가열 조건은 약 5분 동안 약 300℃이다. 이는 상당히 더 긴 가열 공정을 필요로 하는 종래 기술의 레이저 박리 재료에 비해 중요한 이점이다. 추가로, 이 가열은 주위 환경(즉, "공기중"- 질소 환경이 필요하지 않다)에서 수행될 수 있다. 폴리암산 조성물(이하 보다 상세히 논의됨)이 박리 층(32)을 형성하기 위해 사용되는 구현예에서, 이 가열은 중합체의 이미드화를 초래한다. 폴리이미드 조성물이 박리 층(32)을 형성하기 위해 사용되는 구현예에서, 이 가열은 단순히 용매 제거를 위한 것이다.

가열 후, 박리 층(32)은 바람직하게는 약 50㎛ 미만, 바람직하게는 약 100Å 내지 약 50㎛, 더욱 바람직하게는 약 1,000Å 내지 약 3,000Å의 평균 두께를 갖는다. 다른 구현예에서, 박리 층(32)은 약 10,000Å 미만, 바람직하게는 약 100Å 내지 약 5,000Å, 더욱 바람직하게는 약 500Å 내지 약 3,000Å, 더욱 더 바람직하게는 약 500Å 내지 약 2,000Å, 가장 바람직하게는 약 1,500Å의 평균 두께를 갖는다.

다시, 도 1a의 구조(22)를 참조하면, 박리 층(32)이 제2 기판(24)의 전체 표면(26)을 피복하는 것으로 도시되었지만, 이는 결합 층(20)으로 기재된 바와 유사한 캐리어 표면(26)의 부분 또는 "영역"에만 존재할 수 있는 것으로 이해될 것이다.

박리 층(32)이 경화 후 전형적인 처리 화학약품에 실질적으로 불용성이어서 그것이 분해되는 것을 예방하고 조기(즉, 레이저 박리 이전)에 박리시킨다는 것이 특히 중요하다. 즉, 경화된 박리 층(32)은 사이클로헥사논, 에틸 락테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, N-메틸피롤리디논, HF, H₃PO₄, H₂O₂, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 및 이의 혼합물과 같은 전형적인 처리 화학약품에 실질적으로 불용성일 것이다. 따라서, 박리 시험에 적용되면, 경화된 박리 층(32)은 약 5% 미만, 바람직하게는 약 1% 미만, 더욱 더 바람직하게는 0%의 박리율을 가질 것이다. 박리 시험은 먼저 경화된 박리 층(32)의 두께(5개의 상이한 위치에서 측정치의 평균을 취함으로써)를 먼저 결정하는 단계를 포함한다. 이는 초기 평균 필름 두께이다. 이어서, 용매(예: 에틸 락테이트)를 약 20초 동안 경화된 필름 위에 퍼들링한 후, 약 30초 동안 약 3,000rpm에서 스핀 건조시켜 용매를 제거한다. 타원 편광 반사법을 사용하여 웨이퍼 상의 5개의 상이한 지점에서 두께를 다시 측정하고, 이러한 측정치의 평균을 결정한다. 이는 최종 평균 필름 두께이다.

박리량은 초기 및 최종 평균 필름 두께의 차이이다. 박리율은 다음과 같다:

.

이어서, 구조(10 및 22)를 결합 층(20)의 상부 표면(21)이 박리 층(32)의 상부 표면(33)과 접촉하도록 면-대-면의 관계로 함께 압착시킨다(도 1b). 압착 동안, 두 구조(10 및 22)를 함께 결합을 수행하여 결합된 스택(34)을 형성하기 위해 충분한 압력 및 온도를 충분한 시간 동안 인가한다. 결합 파라미터는 결합 층(20)이 형성되는 조성물에 의존하여 가변적이지만, 이 단계 동안 전형적인 온도는 약 150℃ 내지 약 375℃, 바람직하게는 약 160℃ 내지 약 350℃ 범위이고, 전형적인 압력은 약 30초 내지 약 20분, 바람직하게는 약 3분 내지 약 10분, 더욱 바람직하게는 약 3분 내지 약 5분의 시간 동안 약 1,000N 내지 약 25,000N, 바람직하게는 약 3,000N 내지 약 20,000N 범위이다.

대안의 구현예에서, 결합 층(20)은 제1 기판(12)의 표면(14)에 적용되기 보다는 이전에 기재된 적용 공정을 사용하여 박리 층(32)의 상부 표면(33)에 적용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 이러한 예에서, 제1 기판(12)은 이어서 제1 기판(12)의 표면(14)을 박리 층(32)의 상부 표면(33)에 이전에 형성된 결합 층(20)에 결합시키기 위해 상기 결합 공정에 적용된다.

어떤 구현예가 결합된 스택(34)을 형성하기 위해 사용되었는지에 상관 없이, 제1 기판(12)은 이하 안전하게 취급될 수 있고, 제2 기판(24)에 결합되지 않고 제1 기판(12)을 손상시킬 수 있는 추가의 처리에 적용할 수 있다. 따라서, 구조체는 기판(12 및 24)의 분리를 발생시키지 않고 이러한 후속 처리 단계 동안 직면하는 임의의 화학약품의 침투 없이 안전하게 백-그라인딩, 화학적-기계적 폴리싱("CMP"), 에칭, 금속 증착(즉, 금속화), 유전체 증착, 패턴화(예: 사진석판술, 에칭을 통해), 부동태화, 어닐링 및 이의 조합과 같은 배면 처리에 적용할 수 있다. 결합 층(20) 및 박리 층(32)은 이러한 공정을 견딜 수 있을 뿐만 아니라 이는 또한 약 450℃ 이하, 바람직하게는 약 200℃ 내지 약 400℃, 더욱 바람직하게는 약 200℃ 내지 약 350℃의 처리 온도도 견딜 수 있다.

처리가 완료되면, 기판(12 및 24)은 레이저를 사용하여 분리시켜 레이저 박리 층(32)의 모두 또는 일부를 분해하거나 박리시킬 수 있다. 적합한 레이저는 248㎚, 308㎚ 및 355㎚의 엑시머 레이저를 포함한다. 레이저 박리 층을 박리시키기 위해, 레이저는 전체 웨이퍼를 노출시키기 위해 스탠드-앤드-리피트(stnad-and-repeat) 방법 또는 라인 스캔(line scan) 방법으로 캐리어 웨이퍼의 표면을 교차하여 스캐닝된다. 예시적인 레이저 박리 도구는 SUSS MicroTec Lambda STEEL 2000 레이저 박리기 및 Kingyoup 레이저 박리기를 포함한다. SUSS MicroTec Lambda STEEL 2000 레이저 박리기를 사용하는 경우, 웨이퍼는 바람직하게는 12.5 x 4mm의 필드 크기를 갖는 레이저 스폿에 의해 스캐닝된다. 기판을 박리시키기에 적합한 조사량은 약 100mJ/cm² 내지 약 400mJ/cm², 바람직하게는 약 150mJ/cm² 내지 약 350mJ/cm²이다. Kingyoup 레이저 박리기를 사용하는 경우, 웨이퍼는 바람직하게는 140㎛ 피치 중복을 갖는 100㎛의 레이저 픽셀 크기를 사용하는 레이저 라인에 의해 스캐닝된다. 기판을 박리시키기에 적합한 강도는 약 2.5W 내지 약 6W, 바람직하게는 약 3W 내지 약 4W이다.

이어서, 기판(12 및 24)을 완전히 분리시키기 위해 낮은 기계적 힘(예: 지압, 가벼운 쐐기, 흡인 컵)을 적용할 수 있다. 분리 후, 임의의 잔류 결합 층(20)은 특정 층(20)을 용해시킬 수 있는 용매로 제거할 수 있다.

상기 구현예에서, 박리 층(32)은 캐리어 웨이퍼인 제2 기판(24) 상에 도시되는 반면, 결합 층(20)은 장치 웨이퍼인 제1 기판(12) 상에 도시된다. 이 기판/층 방식은 역전될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 즉, 박리 층(32)은 제1 기판(12)(장치 웨이퍼) 상에 형성될 수 있는 반면, 결합 층(20)은 제2 기판(24)(캐리어 웨이퍼) 상에 형성된다. 결합 층(20)이, 레이저 에너지가 제2 기판(24)을 통해 통과한 후 그것을 통과하여 레이저 에너지가 박리 층(32)과 접촉하게 할 수 있도록 선택되는 것 이외에는 상기한 바와 동일한 조성 및 처리 조건을 이 구현예에 적용한다.

추가로, 결합 층(20) 및 박리 층(32)이 추가의 결합 재료, 구조적 지지 층, 적층 보조제 층, 결합 층(초기 기판에의 접착용), 오염 제어 층, 및 세정 층과 함께 또는 이들로서 사용될 수 있다. 바람직한 구조 및 적용 기술은 적용 및 공정 흐름에 의해 좌우될 것이다.

결합 조성물

결합 층(20)을 형성하는데 사용하기 위한 조성물은 상기 접착성을 포함하는 층으로 형성될 수 있는 반면 열 및/또는 용매에 의해 제거가능한 시판되는 결합 조성물로부터 선택될 수 있다. 이러한 재료는 각각 제1 및 제2 기판(12 및 24)과 강한 접착성 결합을 형성할 수 있어야 한다. ASTM D4541/D7234에 의해 결정된 약 50psig 초과, 바람직하게는 약 80psig 내지 약 250psig, 더욱 바람직하게는 약 100psig 내지 약 150psig의 접착 강도를 갖는 것은 결합 층(20)으로서 사용하기에 바람직할 것이다.

전형적인 이러한 조성물은 유기물이고 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체 또는 올리고머를 포함할 것이다. 중합체 또는 올리고머는 전형적으로 사이클릭 올레핀, 에폭시, 아크릴, 실리콘, 스티렌, 비닐 할라이드, 비닐 에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 사이클릭 올레핀, 폴리올레핀 고무, 폴리우레탄, 에틸렌-프로필렌 고무, 폴리아미드 에스테르, 폴리이미드 에스테르, 폴리아세탈 및 폴리비닐 부티랄의 중합체 및 올리고머로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 전형적인 용매 시스템은 중합체 또는 올리고머 선택에 의존할 것이다. 조성물의 전형적인 고체 함량은 100중량%로서 간주되는 조성물의 전체 중량을 기준으로 하여, 약 1중량% 내지 60중량%, 바람직하게는 약 3중량% 내지 약 40중량% 범위이다. 일부 적합한 조성물은 각각 본원에 참조로 인용된 미국 특허 공보 제8,268,449호, 제7,713,835호, 제7,935,780호 및 제8,092,628호에 기재되어 있다.

박리 층 조성물

레이저 박리 재료는 광범위하게 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체를 포함한다. 하나의 구현예에서, 중합체는 폴리암산이다. 다른 구현예에서, 중합체는 폴리이미드이다.

폴리암산은 바람직하게는 폴리암산 전구체 용액을 형성하기 위해 특정 용매(예: 감마-부티로락톤, 사이클로헥사논, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르) 중에서 이무수물과 디아민 단량체를 혼합함으로써 축합 중합을 사용하여 합성된다. 이어서, 이후 가능한 노화를 방지하기 위해, 바람직하게는 말단 캡핑제를 첨가하여 말단 작용성 그룹을 제거한다. 감광성 이무수물을 함유하는 시판되는 폴리암산도 또한 레이저 박리 재료로서 사용될 수 있다. 또한 시판되는 폴리이미드가 존재하여 베이킹 동안 형성된 층을 이미드화할 필요성을 회피한다.

바람직한 이무수물은 불소화 이무수물(예: 2,2'-비스-(디카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물("6FDA"), 감광성 이무수물(예: 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카복실산 이무수물("BTDA")) 및 이의 조합의 단량체로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것들을 포함한다. 바람직한 디아민은 방향족 디아민(예: 9,9'-비스(4-아미노페닐) 불소("FDA"), 5(6)-아미노-1-(4' 아미노페닐)-1,3,-트리메틸인단)을 포함한다. BTDA와 같은 강한 UV-흡수성 또는 UV-민감성 단량체의 도입은 높은 레이저 박리 효율을 촉진시킨다.

중합체의 중량 평균 분자량은 약 1,000달톤 내지 약 100,000달톤, 더 바람직하게는 약 5,000달톤 내지 약 75,000달톤, 더욱 더 바람직하게는 약 10,000 달톤 내지 약 20,000달톤이다. 레이저 박리 조성물은 바람직하게는, 100중량%로서 간주되는 조성물의 전체 중량을 기준으로 하여, 약 3중량% 내지 약 25중량%의 고체, 더욱 바람직하게는 약 5중량% 내지 약 20중량%의 고체, 더욱 더 바람직하게는 약 5중량% 내지 약 10중량%의 고체를 포함한다. 박리 층 조성물과 함께 사용하기 위한 전형적인 용매 시스템은 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 감마-부티로락톤, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로폭시 프로판올("PnP"), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트 및 이의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매를 포함한다.

상기한 바와 같이, 말단 캡핑제는 바람직하게는 말단 아민을 캡핑하고, 반응 용액 중의 여분의 디아민을 소비함으로써 최종 생성물의 안정성을 증가시키기 위해 사용된다. 바람직하게는, 방향족 일무수물이 말단 캡핑제로서 사용된다. 하나의 특히 바람직한 말단 캡핑제는 프탈산 무수물이다. 이무수물:디아민:말단 캡핑제의 몰 공급비는 바람직하게는 약 0.7:1:0.3 내지 약 0.98:1:0.02, 더욱 바람직하게는 약 0.85:1:0.15 내지 약 0.95:1:0.05이다.

유리하게는, 레이저 박리 층은 낮은 승화를 갖는다. 고성능 액체 크로마토그래피(HPLC)에 적용될 경우, 중합체 용액은 약 700ppm 미만의 단량체 잔기, 바람직하게는 약 400ppm 미만, 더욱 바람직하게는 약 120ppm 미만의 단량체 잔기, 더욱 더 바람직하게는 40ppm 미만의 단량체 잔기를 나타낼 것이다.

실시예

다음 실시예는 본 발명에 따르는 바람직한 방법을 나타낸다. 그러나, 이러한 실시예들은 예시로 제공되고, 그 안의 어떤 것도 본 발명의 전반적인 범위에 대한 제한으로서 간주되어서는 안된다는 것이 이해될 것이다.

실시예 1

레이저 박리용 폴리암산

이 절차에서, 21.12g의 9,9'-비스(4-아미노페닐)플루오렌(FDA, Sigma-Aldrich)을 250ml 3구 환저 플라스크에서 113.16g의 감마-부티로락톤(GBL, Sigma-Aldrich)에 용해시켰다. 이어서, 24.79g의 2,2'-비스-(디카복시페닐)헥사-플루오로프로판 이무수물(6FDA, SynQuest Laboratories, Inc.)을 반응 혼합물에 고체로서 첨가한 다음, 56.58g의 GBL을 첨가했다. 반응은 실온에서 30분 동안 교반하면서 수행했다. 이어서, 반응물을 60℃로 가열하고, 1시간 동안 반응시켰다. 이후에, 1.24g의 프탈산 무수물(PTA, Sigma-Aldrich) 및 18.86g의 GBL을 첨가했다. 반응은 60℃에서 24시간 동안 계속했다.

실시예 2

레이저 박리용 폴리암산

이 실시예에서, 21.12g의 FDA를 250ml 3구 환저 플라스크에서 98.62g의 GBL에 용해시켰다. 이어서, 18.73g의 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카복실산 이무수물(BTDA, Sigma-Aldrich)을 반응 혼합물에 고체로서 첨가한 다음, 49.31g의 GBL을 첨가했다. 반응을 실온에서 30분 동안 수행했다. 이어서, 반응물을 60℃까지 가열하고, 1시간 동안 반응시켰다. 이후에, 1.24g의 PTA 및 16.44g의 GBL을 첨가했다. 반응을 60℃에서 24시간 동안 계속했다.

실시예 3

레이저 박리용 폴리암산

이 제조에서, 실시예 1에서 배합된 30g의 모액을 70g의 사이클로헥사논과 혼합하여 6중량% 용액을 형성하였다.

실시예 4

레이저 박리용 폴리암산

이 제조에서, 실시예 2에서 배합된 30g의 모액을 70g의 사이클로헥사논과 혼합하여 6중량% 용액을 형성하였다.

실시예 5

레이저 박리용 폴리이미드

이 실시예에서, 헌츠맨(Huntsman)으로부터의 상업적 폴리이미드, Matrimid 5218 3g을 97g의 사이클로펜타논에 용해시켜 3중량% 용액을 형성하였다.

실시예 6

실시예 1 및 2의 조성물의 HPLC 시험

고성능 액체 크로마토그래피(HPLC) 시험을 실시예 1 및 2의 폴리암산 조성물에 대해 수행하였다. 두 샘플은 낮은 단량체 잔기를 나타냈다(참조: 표 1). 디아민 단량체 및 BDL의 함량은 검출 한계 40ppm 이하였다. 이무수물 단량체의 함량은 약 650ppm이었다. PTA의 함량은 150ppm 이하였다.

재료		단량체 잔기
재료		6FDA	BTDA	FDA	PTA
실시예 1	BDL	-480.9 ppm-650 ppmBDL110 ppm	BDL		480.9 ppm
실시예 2		-	650 ppm	BDL	110 ppm

실시예 7

실시예 1, 2 및 5의 조성물의 광학 시험

실시예 1, 2 및 5의 조성물로부터 형성된 각 폴리이미드 박리 층의 광학 상수(n & k)는 가변 각도 분광 엘립소미터(VASE)를 사용하여 결정하였다. 표 2는 샘플 각각에 대한 광학 상수, n 및 k를 나타낸다.

재료	k		n
재료	308nm	355nm	308nm	355nm
실시예 1	0.094	0.01	1.83	1.74
실시예 2	0.136	0.024	1.95	1.83
실시예 3	0.094	0.03	1.89	1.77

실시예 8

실시예 1, 2 및 5의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 필름의 열 시험

열 안정성 시험용 중합체 필름을 10초 동안 3,000rpm/s의 ramp로 800rpm에서 4in. 규소 웨이퍼 상에 실시예 1, 2 및 5에서 배합된 재료를 스핀 코팅시켜 제조했다. 이어서, 각 샘플을 5분 동안 350℃에서 베이킹하여 경화시키고, 폴리암산을 폴리이미드로 전환시키고 용매를 제거하거나(실시예 1 및 2), 중합체가 이미 이미드화된 경우에는 용매를 제거하기만 하였다(실시예 5). 이어서, 각 폴리이미드 샘플의 분해 온도를 공기중에서 700℃까지 10℃/분의 속도로 열중량 분석(TGA)을 사용하여 결정하였다. 표 3은 각 샘플에 대한 T_d를 나타낸다. 추가로, 각 샘플을 1시간 동안 350℃에서 열 처리하였고, 어느 샘플에 대해서도 분해 징후가 검출되지 않았다.

재료	T _d
실시예 1	525℃
실시예 2	558℃
실시예 5	450℃

실시예 9

BrewerBOND^®305 재료를 사용하는 실시예 3의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 재료의 레이저 박리 성능

실시예 3의 폴리암산 조성물을 가열 및 이미드화하여 형성된 폴리이미드 필름의 레이저 박리 성능은 결합 조성물로서 BrewerBOND^®305 재료와 결합 후 308-㎚ 및 355-㎚ 레이저 둘 다를 사용하여 시험하였다. 이 실시예에서, 200-mm Corning EAGLE XG 유리 웨이퍼는 60초 동안 5,000rpm/s 가속으로 2,500rpm에서 실시예 3의 폴리암산 조성물로 코팅하여 150㎚의 코팅 두께를 수득하였다. 이어서, 웨이퍼를 300℃에서 5분 동안 베이킹시켜 폴리이미드 박리 층을 수득했다. BrewerBOND^®305 재료의 50-㎛ 피막을 30초 동안 3,000rpm/s 가속으로 1,000rpm에서 재료를 스핀 코팅시켜 200-mm 규소 웨이퍼 상에 코팅시켰다. 이어서, 웨이퍼를 60℃에서 3분 동안, 160℃에서 2분 동안, 200℃에서 2분 동안 베이킹시켰다. 이어서, 웨이퍼 쌍을 EVG 모델 510 결합기를 사용하여 진공하(< 5mbar)에 2분 동안 200℃, 1800N에서 결합시켰다. 이어서, 결합된 쌍을 30분 동안 260℃에서 열판 위에 위치시켰다. 열 처리 후 어떤 공동 또는 결함도 관찰되지 않았다. 열 처리 후, 웨이퍼 쌍은 230mJ/cm²의 레이저 조사량으로 SUSS의 308-nm 레이저 박리기를 사용하여 성공적으로 박리시켰다. 상부 유리 캐리어 웨이퍼는 흡인 컵으로 용이하게 들어 올렸다. 스캐닝 시간은 40초 미만이었다. 유사한 웨이퍼 쌍을 또한 45초 이내에 4W 이상의 강도를 사용하는 Kingyoup의 355-nm 레이저 박리기를 사용하여 박리시켰다.

실시예 10

BrewerBOND^®305 재료를 사용하는 실시예 4의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층의 레이저 박리 성능

두 개의 결합된 스택은 단지 실시예 4의 폴리암산 조성물이 실시예 3의 폴리암산 조성물 대신 사용된 것 이외에는 실시예 9와 동일한 파라미터를 사용하여 제조했다. 훨씬 더 양호한 레이저 박리 성능이 관찰되었다. 260℃에서 30분 동안 열 처리 후 308-㎚ 레이저에 의한 성공적인 박리를 위해 실시예 9의 레이저 조사량보다 훨씬 미만인 170mJ/cm²의 레이저 조사량이 필요했다. 또한, 유사한 웨이퍼 쌍의 경우 355-㎚ 레이저 박리기를 사용하는 경우 성공적인 박리를 위해 4W의 레이저 강도가 필요했다.

실시예 11

BrewerBOND^®305 재료를 사용하는 실시예 5의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층의 레이저 박리 성능

두 개의 결합된 스택은 단지 실시예 5의 폴리이미드 조성물이 실시예 3의 폴리암산 조성물 대신 사용된 것 이외에는 실시예 9와 동일한 파라미터를 사용하여 제조했다. 실시예 5의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층은 분자 구조에 BTDA의 존재에 기인하여 실시예 4의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층에 필적할 만한 레이저 박리 성능을 나타냈다. 308-㎚ 및 355-㎚ 레이저 박리기 둘 다를 사용하여 성공적인 박리를 위해 180mJ/cm²의 레이저 에너지 및 4W가 사용되었다.

실시예 12

실험용 폴리에테르설폰 결합 재료를 사용하는 실시예 4 및 5의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층의 레이저 박리 성능

실시예 4 및 5의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층의 레이저 박리 성능도 또한 300℃ 내지 350℃와 같은 고온 적용을 위한 실험용 폴리에테르설폰 결합 재료(Brewer Science, Inc., Rolla, MO)를 사용하여 조사하였다. 실험용 결합 재료의 20-㎛ 피막을 30초 동안 3,000rpm/s 가속으로 1,000rpm에서 재료를 스핀 코팅시켜 200-mm 규소 웨이퍼 상에 코팅시켰다. 이어서, 웨이퍼를 50℃에서 5분 동안, 120℃에서 2분 동안, 200℃에서 2분 동안 베이킹시켰다. 이어서, 웨이퍼 쌍은 EVG 모델 510 결합기를 사용하여 진공하(< 5mbar)에 10분 동안 380℃, 8,000N에서 결합시켰다. 이어서, 결합된 쌍을 1시간 동안 350℃에서 열판 위에 위치시켰다. 열 처리 후 어떤 공동 또는 결함도 관찰되지 않았다. 또한, 두 레이저 박리 재료는 이 시험에서 필적할만한 성능을 나타냈다. 200mJ/cm² 및 220mJ/cm²의 레이저 조사량은 SUSS의 308㎚ 레이저 박리기를 사용하는 경우, 각각 실시예 4 및 5의 폴리이미드 박리 층의 성공적인 박리를 위한 최소 값이었다.

실시예 13

실시예 4의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층의 내약품성

실시예 4의 조성물로부터 형성된 폴리이미드 박리 층은 다운스트림 공정 동안 사용된 다양한 화학약품에 대한 우수한 내약품성을 나타냈다. 표 4는 이러한 폴리이미드 박리 층의 내약품성의 결과를 나타낸다.

화학약품	종류	욕 온도	혼합	시간	결과
사이클로헥사논	용매	25℃	n/a	10분	결함 없음
에틸 락테이트	용매	25℃	n/a	10분	결함 없음
PGMEA	용매	40℃	n/a	10분	결함 없음
PGME	용매	70℃	n/a	10분	결함 없음
NMP	용매	70℃	n/a	10분	결함 없음
HF/탈이온수	산	25℃	1:10	10분	결함 없음
H₃PO₄	산	25℃	5%	10분	결함 없음
H₂O₂	산화제	60℃	20%	10분	결함 없음
TMAH	염기	70℃	2.38%	10분	결함 없음

Claims

일시적인 결합 방법으로서,
하기를 포함하는 스택을 제공하는 단계:
배면 및 전면을 갖는 제1 기판;
상기 전면에 인접한 결합 층; 및
제1 표면을 갖는 제2 기판으로서, 상기 제1 표면이 상기 결합 층에 인 접한 폴리이미드 박리 층을 포함하고, 상기 폴리이미드 박리 층이 용 매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체를 포함하는 조성물로부터 형성 되고,상기 중합체가 불소화 이무수물, 감광성 이무수물, 감광성 디아 민 및이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포 함하는, 제2 기판; 및
상기 폴리이미드 박리 층을 상기 제1 및 제2 기판의 분리를 촉진시키기 위해 레이저 에너지에 노출시키는 단계
를 포함하는, 일시적인 결합 방법.
제1항에 있어서, 상기 박리 층이 약 50㎛ 미만의 평균 두께를 갖는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 노출 단계가 약 100mJ/cm² 내지 약 400mJ/cm²의 조사량으로 수행되는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 중합체가 2,2'-비스-(디카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 3,3'4,4'-벤조페논 테트라카복실산 이무수물, 9,9'-비스(4-아미노페닐)불소, 5(6)-아미노-1-(4' 아미노페닐)-1,3-트리메틸인단 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 용매 시스템이 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 감마-부티로락톤, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로폭시 프로판올, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트 및 이의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매를 포함하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 조성물을 상기 제1 표면에 적용함으로써 상기 박리 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
제6항에 있어서, 상기 조성물을 약 10분 미만 동안 약 250℃ 내지 약 350℃의 온도에서 가열하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 결합 층이 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체 또는 올리고머를 포함하는 조성물로부터 형성되고, 상기 중합체 또는 올리고머가 사이클릭 올레핀, 에폭시, 아크릴, 스티렌, 비닐 할라이드, 비닐 에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 사이클릭 올레핀, 폴리올레핀 고무, 폴리우레탄, 에틸렌-프로필렌 고무, 폴리아미드 에스테르, 폴리이미드 에스테르, 폴리아세탈 및 폴리비닐 부테롤의 중합체 및 올리고머로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 전면이 집적 회로; MEMS; 마이크로센서; 전력 반도체; 발광 다이오드; 광자 회로; 인터포저; 내장형 수동 장치; 및 규소, 규소-게르마늄, 비소화갈륨 및 질화갈륨 상에 또는 이들로부터 제조된 마이크로장치로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치의 어레이를 포함하는 장치 표면인, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 표면이 집적 회로; MEMS; 마이크로센서; 전력 반도체; 발광 다이오드; 광자 회로; 인터포저; 내장형 수동 장치; 및 규소, 규소-게르마늄, 비소화갈륨 및 질화갈륨 상에 또는 이들로부터 제조된 마이크로장치로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치의 어레이를 포함하는 장치 표면인, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 기판이 유리 또는 다른 투명한 재료를 포함하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 기판이 유리 또는 다른 투명한 재료를 포함하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 전면이 땜납 범프; 금속 포스트; 금속 필러; 및 규소, 폴리규소, 이산화규소, (옥시)질화규소, 금속, 낮은 k 유전체, 중합체 유전체, 금속 질화물 및 금속 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로부터 형성된 구조물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 구조를 포함하는 장치 표면인, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 표면이 땜납 범프; 금속 포스트; 금속 필러; 및 규소, 폴리규소, 이산화규소, (옥시)질화규소, 금속, 낮은 k 유전체, 중합체 유전체, 금속 질화물 및 금속 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로부터 형성된 구조물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 구조를 포함하는 장치 표면인, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기판을 분리하기 전에, 상기 스택을 백-그라인딩, 화학적-기계적 폴리싱, 에칭, 금속화, 유전체 증착, 패턴화, 부동태화, 어닐링 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 처리에 적용하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
배면 및 전면을 갖는 제1 기판;
상기 전면에 인접한 결합 층; 및
제1 표면을 갖는 제2 기판으로서, 상기 제1 표면이 폴리이미드 박리 층을 포
함하고, 상기 박리 층이 상기 결합 층에 인접하고, 상기 폴리이미드 박리 층
이 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체를 포함하는 조성물로부터 형성
되고, 상기 중합체가 불소화 이무수물, 감광성 이무수물, 감광성 디아민 및
이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함하는, 제2
기판
을 포함하는 물품.
제16항에 있어서, 약 50㎛ 미만의 두께를 갖는, 물품.
제16항에 있어서, 상기 중합체가 2,2'-비스-(디카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 3,3'4,4'-벤조페논 테트라카복실산 이무수물, 9,9'-비스(4-아미노페닐)불소, 5(6)-아미노-1-(4' 아미노페닐)-1,3-트리메틸인단 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함하는, 물품.
제16항에 있어서, 상기 결합 층이 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체 또는 올리고머를 포함하는 조성물로부터 형성되고, 상기 중합체 또는 올리고머가 사이클릭 올레핀, 에폭시, 아크릴, 스티렌, 비닐 할라이드, 비닐 에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 사이클릭 올레핀, 폴리올레핀 고무, 폴리우레탄, 에틸렌-프로필렌 고무, 폴리아미드 에스테르, 폴리이미드 에스테르, 폴리아세탈 및 폴리비닐 부테롤의 중합체 및 올리고머로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 물품.
제16항에 있어서, 상기 전면이 집적 회로; MEMS; 마이크로센서; 전력 반도체; 발광 다이오드; 광자 회로; 인터포저; 내장형 수동 장치; 및 규소, 규소-게르마늄, 비소화갈륨 및 질화갈륨 상에 또는 이들로부터 제조된 마이크로장치로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치의 어레이를 포함하는 장치 표면인, 물품.
제16항에 있어서, 상기 제1 표면이 집적 회로; MEMS; 마이크로센서; 전력 반도체; 발광 다이오드; 광자 회로; 인터포저; 내장형 수동 장치; 및 규소, 규소-게르마늄, 비소화갈륨 및 질화갈륨 상에 또는 이들로부터 제조된 마이크로장치로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치의 어레이를 포함하는 장치 표면인, 물품.
제16항에 있어서, 상기 제2 기판이 유리 또는 다른 투명한 재료를 포함하는, 물품.
제16항에 있어서, 상기 제1 기판이 유리 또는 다른 투명한 재료를 포함하는, 물품.
제16항에 있어서, 상기 전면이 땜납 범프; 금속 포스트; 금속 필러; 및 규소, 폴리규소, 이산화규소, (옥시)질화규소, 금속, 낮은 k 유전체, 중합체 유전체, 금속 질화물 및 금속 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로부터 형성된 구조물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 구조를 포함하는 장치 표면인, 물품.
제16항에 있어서, 상기 제1 표면이 땜납 범프; 금속 포스트; 금속 필러; 및 규소, 폴리규소, 이산화규소, (옥시)질화규소, 금속, 낮은 k 유전체, 중합체 유전체, 금속 질화물 및 금속 규화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로부터 형성된 구조물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 구조를 포함하는 장치 표면인, 물품.
폴리이미드 박리 층을 형성하는 방법으로서,
조성물을 유리 또는 다른 투명한 재료를 포함하는 기판 표면에 적용하는 단계로서, 상기 조성물이 용매 시스템에 용해되거나 분산된 중합체를 포함하고, 상기 중합체가 폴리암산 및 폴리이미드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 단계; 및
상기 조성물을 약 10분 미만의 시간 동안 약 250℃ 내지 약 350℃의 온도에서 가열하여 폴리이미드 박리 층을 형성하는 단계
를 포함하는, 폴리이미드 박리 층을 형성하는 방법.
제26항에 있어서, 상기 중합체가 이무수물, 디아민, 이미드 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함하는, 방법.
제26항에 있어서, 상기 중합체가 불소화 이무수물, 감광성 이무수물, 감광성 디아민 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함하는, 방법.
제26항에 있어서, 상기 중합체가 2,2'-비스-(디카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 3,3'4,4'-벤조페논 테트라카복실산 이무수물, 9,9'-비스(4-아미노페닐)불소, 5(6)-아미노-1-(4' 아미노페닐)-1,3-트리메틸인단 및 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반복 단량체를 포함하는, 방법.
제26항에 있어서, 상기 용매 시스템이 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 감마-부티로락톤, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로폭시 프로판올, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트 및 이의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매를 포함하는, 방법.
제26항에 있어서, 상기 폴리이미드 박리 층이 약 50㎛ 미만의 두께를 갖는, 방법.