KR850006902A - 전압레벨 검출회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

전압레벨 검출회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 전압레벨 검출회로의 일실시예의 회로도. 제4도 및 5도는 제3도에 보인 회로의 동작을 설명하기 위한 그래프.

Claims (12)

  1. 제1및 제2공급라인들간에 연결된 전압레벨 검출회로에 있어서, 상기 제1공급라인과 공동노드간에 연결되는 상기 제1공급라인에 연결된 게이트를 갖는 제1공핍형 금속절연 반도체(MIS)트랜지스터와, 상기 공동노드와 상기 제2공급라인간에 연결되는 상기 제2공급라인에 연결된 게이트를 갖는 제2공핍형 트랜지스터와, 그리고 상기 공통노드의 전위가 예정값에 도달할때 출력신호를 발생시키기 위해 상기 공통노드에 연결된 수단으로 구성되는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  2. 제1항에서, 상기 출력신호 발생수단은 전압레벨 검출신호에 반응하여 논리신호를 출력시키도록 예정된 임계전압을 갖는 반전기회로를 포함하는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  3. 제2항에서, 상기 반전기회로는 직렬연결된 공핍형과 고양형 트랜지스터들을 갖는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  4. 제1항에서, 상기 출력신호 발생수단은 공통노드에 연결된 입력단자를 갖는 제1반전기 수단과 상기 제1반전회로의 출력단자에 연결된 입력단자를 갖는 제2반전기회로를 포함하며, 상기 전압레벨 검출회로는 제1공핍형 MIS트랜지스터의 드레인에 연결된 드레인, 제1공핍형 MIS트랜지스터의 소오스에 연결된 소오스와 출력신호 발생수단의 출력단자에서 안정된 출력신호를 출력시키도록 상기 출력신호 발생수단의 상기 출력단자에 연결된 게이트를 갖는 제3공핍형 MIS트랜지스터를 더 포함하는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  5. 제4항에서, 상기 각 인버터회로들은 직렬로 연결된 공핍형 및 고양형 트랜지스터들을 갖는 것의 특징인 전압레벨 검출회로.
  6. 제1항에서, 상기 전압레벨 검출회로는 제1공핍형 MIS트랜지스터의 드레인에 연결된 드레인, 제1공핍형 MIS트랜지스터의 소오스에 연결된 소오스와 출력신호 발생수단의 출력단자에서 안정된 출력신호를 출력시키도록 상기 출력신호 발생수단의 상기 출력단자에 연결된 게이트를 갖는 제3공핍형 MIS트랜지스터를 더 포할하는 것이 특징인 전압레벨 거출회로.
  7. 제6항에서 상기 출력신호 발생수단은 전압레벨 검출신호에 반응하는 논링신호를 출력시키도록 예정된 임계전압을 갖는 반전기회로를 포할하는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  8. 제7항에서, 상기 반전기회로는 직렬로 연결된 공핍형 및 고양형 트랜지스터들을 갖는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  9. 제1항에서, 상기 출력신호발생수단의 상기 출력값은 전압레벨 검출신호를 출력시키기 위한 예정값보다 더 낮은 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  10. 제1항에서, 상기 출력신호 발생수단으로부터의 상기 출력신호는 능동회로들을 작동시키기 위해 이용되는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  11. 제1항에서, 상기 제1전압공급라인은 직류(DC)전원에 연결되며, 상기 제2전압공급라인은 접지이 연결되는 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
  12. 제11항에서, 상기 DC전원의 정격전압은 5V이며, 전압레벨검출신호를 출력시키기 위한 상기 예정레벨은 약 3V인 것이 특징인 전압레벨 검출회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850001190A 1984-02-28 1985-02-26 전압레벨 검출회로 Expired KR900004195B1 (ko)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63755A (ja) * 1986-06-20 1988-01-05 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4736119A (en) * 1987-02-04 1988-04-05 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Dynamic CMOS current surge control
JPH04106784A (ja) * 1990-08-28 1992-04-08 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JP3217498B2 (ja) * 1992-10-29 2001-10-09 富士通株式会社 半導体集積回路装置
JPH06334480A (ja) * 1993-05-25 1994-12-02 Nec Corp 半導体集積回路
FR2822956B1 (fr) 2001-04-02 2003-06-06 St Microelectronics Sa Dispositif de detection d'alimentation
FR2871309B1 (fr) * 2004-06-02 2006-12-15 St Microelectronics Sa Circuit d'inhibition a faible consommation
CN100442772C (zh) 2005-10-19 2008-12-10 华为技术有限公司 一种桥接转发方法
TR200701135A2 (tr) * 2007-02-23 2008-09-22 Vestel Elektron�K San. T�C. A.�. İstenilmeyen I2C okuma/yazma işlemlerinin engellenmesi
US8154320B1 (en) * 2009-03-24 2012-04-10 Lockheed Martin Corporation Voltage level shifter

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3950654A (en) * 1974-11-14 1976-04-13 American Microsystems, Inc. Power-on initializing circuit for a calculator system
JPS5179540A (en) * 1975-01-06 1976-07-10 Hitachi Ltd Dengentonyugono shokijotaisetsuteikairo
CH607455A5 (ko) * 1975-05-09 1978-12-29 Siemens Ag
JPS5373340A (en) * 1976-12-11 1978-06-29 Toshiba Corp Abnormal voltage detection circuit
JPS6019011B2 (ja) * 1977-12-23 1985-05-14 株式会社日立製作所 オートクリア回路
GB2081458B (en) * 1978-03-08 1983-02-23 Hitachi Ltd Voltage comparitors
JPS55149871A (en) * 1978-07-31 1980-11-21 Fujitsu Ltd Line voltage detector
US4301380A (en) * 1979-05-01 1981-11-17 Motorola, Inc. Voltage detector
JPS56122225A (en) * 1980-02-29 1981-09-25 Fujitsu Ltd Power on reset circuit
US4463270A (en) * 1980-07-24 1984-07-31 Fairchild Camera & Instrument Corp. MOS Comparator circuit
JPS57168525A (en) * 1981-04-09 1982-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Detecting circuit of power supply voltage
US4460985A (en) * 1982-02-19 1984-07-17 International Business Machines Corporation Sense amplifier for MOS static memory array

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EP0155113B1 (en) 1990-11-14
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JPS60180216A (ja) 1985-09-14

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