NL9402097A - Supergeleidende veldeffektinrichting met korrelgrens kanaal, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents
Supergeleidende veldeffektinrichting met korrelgrens kanaal, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9402097A NL9402097A NL9402097A NL9402097A NL9402097A NL 9402097 A NL9402097 A NL 9402097A NL 9402097 A NL9402097 A NL 9402097A NL 9402097 A NL9402097 A NL 9402097A NL 9402097 A NL9402097 A NL 9402097A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- thin film
- superconducting thin
- layer
- insulating layer
- template layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/128—Junction-based devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
- H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
Titel: Supergeleidende veldeffektinrichting met korrelgrens kanaal, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op eensupergeleidende veldeffektinrichting met een korrelgrens¬kanaal, en pp een werkwijze voor het vervaardigen daarvan, enmeer in het bijzonder op een supergeleidende veldeffekt-transistor waarin een in een hoog-temperatuur supergeleidendedunne film gevormde korrelgrens wordt gebruikt als een kanaaldaarvan, en op een werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
In het algemeen wordt een supergeleidende transistor opruime schaal toegepast als een actieve inrichting, met alskarakteristieken een hoge rekensnelheid, een hoge gegevens-verwerkingssnelheid en een laag verbruik aan energie, en welkekan worden opgenomen in een signaalverwerkend apparaat, zoalseen systeem voor het verwerken van videosignalen, een werk¬station met hoge prestaties, een systeem voor het verwerkenvan satellietsignalen, een supercomputer, en dergelijke.
De uitvinding beoogt een bekende supergeleidendeveldeffekttransistor te verbeteren.
Meer in het bijzonder beoogt de onderhavige uitvindingeen supergeleidende veldeffekttransistor te verschaffen waarinals kanaal een korrelgrens wordt gebruikt welke is gevormdtussen supergeleidende lagen met verschillende kristal-oriëntatie.
Het is een ander doel van de onderhavige uitvinding eenwerkwijze te verschaffen voor het vervaardigen van eensupergeleidende velfeffekttransistor waarin een korrelgrenswordt geproduceerd volgens kristaloriêntatiés tijdens hetgroeien van een hoog-tenpera tuur supergeleidende dunne film.
Het is een verder doel van de onderhavige uitvinding eenwerkwijze te verschaffen voor het vervaardigen van eensupergeleidende veldeffekttransistor waarin een korrelgrenswordt geproduceerd volgens variatie in groeitenperatuur vaneen hoog-terrpera tuur supergeleidende dunne film.
Voor het bereiken van deze doelstellingen omvat desupergeleidende veldeffektinrichting met een korrelgrenskanaalvolgens een eerste aspect van de onderhavige uitvinding eenoxydekristalsubstraat; eerste hoog-tenrqperatuur supergeleidendedunne films die elektrisch ten opzichte van elkaar geïsoleerdzijn, waarbij elk van deze eerste hoog-temperatuursupergeleidende dunne films dient als een source/drain; eensjabloonlaag welke gevormd is op één van de eerste hoog-temperatuur supergeleidende dunne films en op een gedeelte vaneen blootliggend oppervlak van het substraat; een tweede hoog-temperatuur supergeleidende dunne film welke een eerstegedeelte heeft dat in c-as verticaal georiënteerd is waar desjabloonlaag afwezig is, een tweede gedeelte dat in c-ashorizontaal georiënteerd is waar de sjabloonlaag aanwezig is,alsmede een tussen de eerste en tweede gedeelten gevormdekorrelgrens; een op de tweede hoog-temperatuur supergeleidendedunne film gevormde poort isolatielaag; een op depoortisolatielaag gevormde poortelektrode; en op blootliggendeoppervlakken van de tweede hoog-temperatuur supergeleidendedunne film boven beide eerste hoog-temperatuur supergeleidendedunne films gevormde source- en drain-elektroden.
volgens een ander aspect van de onderhavige uitvindingomvat een werkwijze voor het maken van een supergeleidendeveldeffektinrichting met een korrelgrenskanaal de stappen vanhet verschaffen van een oxydekristalsubstraat; het neerslaanvan een eerste hoog-temperatuur supergeleidende dunne film opeen hoofdvlak van het oxydekristalsubstraat; het vormen vaneen patroon in de eerste supergeleidende dunne film om een vaneen patroon voorziene supergeleidende dunne film met daarineen opening te vormen; het neerslaan van een sjabloonlaagdaarop bij een eerste vooraf bepaalde temperatuur; hetselectief terugetsen van de sjabloonlaag om een van eenpatroon voorziene sjabloonlaag te vormen met een blootgelegdgedeelte waar de sjabloonlaag verwijderd is en een gegroeidgedeelte waar de sjabloonlaag aanwezig is; het groeien van eentweede hoog-temperatuur supergeleidende dunne film bij eentweede vooraf bepaalde temperatuur teneinde tussen het blootgelegde gedeelte en de van een patroon voorzienesjabloonlaag op basis van de oriëntatie daarvan eenkorrelgrens te vormen; het neerslaan van een isolatielaag opde tweede hoog-temperatuur supergeleidende dunne film teneindede tweede hoog-temperatuur supergeleidende dunne film tebeschermen tegen kwaliteitsvermindering van een eigenschap inde lucht; het selectief terugetsen van de isolatielaag om eenvan een patroon voorziene isolatielaag te vormen met eenneergeslagen gedeelte over de opening en geëtste gedeeltenboven de van een patroon voorziene supergeleidende dunne film;het vormen van een poortisolatielaag op de van een patroonvoorziene isolatielaag; en het aanbrengen van metaalelektrodendaarop, waarbij op de geëtste gedeelten respectievelijksource- en drain-elektroden worden gevormd, en waarbij eenpoortelektrode wordt gevormd op het neergeslagen gedeelte vande poortisolatielaag direkt boven de korrelgrens.
In een uitvoeringsvorm bestaat het oxydekristalsubstraatuit één van de materialen van een oxyde-klasse van super¬geleiders .
In een uitvoeringsvorm omvat de oxyde-klasse vansupergeleiders een (100)-georiënteerd isolerend substraat vanSrTi03, en een (100)-georiënteerd isolerend substraat vanLaSrGa04.
In een uitvoeringsvorm wordt de stap van het neerslaanvan de eerste hoog-temperatuur supergeleidende dunne filmuitgevoerd bij een substraattemperatuur van 750 °C tot 800 °C,en onder een zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde dedunne film met een dikte van 100 nm te vormen. Daarbij bestaatbij voorkeur de sjabloonlaag uit PrBa2Cu3<>7-x (0ix.<7) .
In een uitvoeringsvorm wordt de stap van het neerslaanvan de sjabloonlaag uitgevoerd bij een substraattemperatuurvan 600 °C tot 650 °C, en onder een zuurstof druk van ongeveer100 mTorr teneinde de sjabloonlaag met een dikte van 200 nm tevormen.
In een uitvoeringsvorm wordt de stap van het groeien vande tweede supergeleidende dunne film uitgevoerd bij eensubstraattemperatuur van 7 50 °C tot 800 °C, en onder een zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde de tweedesupergeleidende dunne film met een dikte van 100 nm te vormen.
In een uitvoeringsvorm heeft de tweede supergeleidendedunne film een eerste gedeelte waarin het supergeleidendemateriaal verticaal georiënteerd is in c-as op hetblootliggende gedeelte van de sjabloonlaag, een tweedegedeelte waarin het supergeleidende materiaal horizontaalgeoriënteerd is in c-as op het gegroeide gedeelte van desjabloonlaag en een tussen de eerste en tweede gedeeltengevormde korrelgrens.
In een uitvoeringsvorm omvat de stap van het groeien vande tweede supergeleidende dunne film de stappen van hetneerslaan van een hoog-temperatuur supergeleidend materiaalmet een verticale c-as oriëntatie op het blootliggendegedeelte van de sjabloonlaag, en het neerslaan van een hoog-temperatuur supergeleidend materiaal met een horizontale c-asoriëntatie op het gegroeide gedeelte van de sjabloonlaag,waardoor het mogelijk wordt dat tussen de materialen metverticale en horizontale oriëntatie een korrelgrens wordtgevormd. Daarbij bestaat bij voorkeur de tweede super¬geleidende dunne film uit YBa2Cu3C>7-x (0<x<7) .
In een uitvoeringsvorm wordt de stap van het neerslaanvan de isolatielaag uitgevoerd bij een substraattemperatuurvan 650 °C tot 7 00 °C, en onder een zuurstofdruk van ongeveer100 mTorr teneinde de isolatielaag met een dikte van 10 nm tevormen. Daarbij bestaat bij voorkeur de isolatielaag uitSrTi03.
In een uitvoeringsvorm wordt de stap van het neerslaanvan de poortisolatielaag uitgevoerd bij eensubstraattemperatuur van 650 °C tot 7 00 °C, en onder eenzuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde depoortisolatielaag met een dikte van 100 nm te vormen. Daarbijbestaat bij voorkeur de poortisolatielaag uit SrTi03.
In een uitvoeringsvorm heeft elk van de metaalelektrodeneen dikte van ongeveer 100 nm en bestaat uit Ag of Au.
Aangezien een direkt boven een korrelgrens is gevormd,kan in de aldus vervaardigde supergeleidende veldeffekttransistor een tussen de source en de drainvloeiende stroom gecontroleerd worden door een via een poort -isolerende laag aangelegde spanning.
Voorts kan een hoog-temperatuur supergeleidende veld¬ef f ekttransistor op economische wijze worden gefabriceerdaangezien de als kanaal dienende korrelgrens kan wordengevormd in een goedkoper kristalsubstraat door variatie ingroeitemperatuur van dunne film, zonder gebruik te maken vaneen duur bi-kristalsubstraat.
De bovengenoemde en andere aspecten, kenmerken, doelen envoordelen van de onderhavige uitvinding zullen nader wordenverduidelijkt door de hierna volgende beschrijving van eenvoorkeursuitvoeringsvorm onder verwijzing naar de tekening,waarin: fig. l een dwarsdoorsnede toont van de constructie vaneen bekende supergeleidende veldeffektinrichting welke bestaatuit een drielaagsstructuur van metaal-isolator-supergeleider; fig. 2 een dwarsdoorsnede toont van de constructie vaneen andere bekende supergeleidende veldeffektinrichting welkebestaat uit een geïnverteerde drielaagsstructuur; en de figuren 3A t/m 3H dwarsdoorsneden tonen welke destappen voor het maken van een hoog-temperatuursupergeleidende veldeffektinrichting volgens een uitvoerings¬vorm van de onderhavige uitvinding illustreren.
Fig. 1 toont een constructie van een bekende super¬geleidende veldeffekttransistor (in het hierna volgendeaangeduid als "FET") met een extreem dun supergeleidendkanaal. In fig. l omvat de bekende supergeleidende FET eensubstraat 11 dat uit YBa2Cu307-x bestaat, een uit een dunnesupergeleidende oxydelaag bestaand extreem dun supergeleidendkanaal 12 op het hoofdoppervlak van het substraat ll, en eenop het supergeleidende kanaal 12 gevormde isolatielaag 13. DeFET omvat verder source/drain-elektroden 15 en 16 welke vaneen metaal zijn gevormd op beide uiteinden van de super¬geleidende kanaallaag 12, en een poortelektrode 14 welke vaneen metaal is gevormd op de isolatielaag 13. In deze FET-structuur is de isolatielaag 13 gemaakt van SrTi03, en bestaat het supergeleidende kanaal 12 uit een hoog-temperatuursupergeleidende dunne film. Deze supergeleidende FET bestaatuit een drielaagsstructuur waarin opeenvolgend een metaallaag,een isolatielaag, en een hoog-temperatuur supergeleidende laagzijn gevormd op het substraat 11, zoals beschreven in deEuropese octrooiaanvrage 0.533.519.
Fig. 2 toont een constructie van een andere bekendesupergeleidende fet met een geïnverteerde drielaagsstructuur.De supergeleidende FET van fig. 2 omvat een met Nb gedoteerdSrTi03 substraat 21, een op een hoofdvlak van het substraat 21gevormde platinalaag 22, en een boven de platinalaag 22gevormde supergeleidende kanaallaag 24, met daartussen eenisolatielaag 23. De supergeleidende FET van fig. 2 omvatverder metalen source/drain-elektroden 25 en 26 welke gevormdzijn op de supergeleidende kanaallaag 24 en elektrisch vanelkaar geïsoleerd zijn, en een poortelektrode 27 die gevormdis op het achtervlak van het substraat 21. Deze super¬geleidende FET van fig. 2 heeft een geïnverteerde drielaags¬structuur in vergelijking met de supergeleidende FET vanfig. l, en is beschreven in het Amerikaanse octrooischrift5.278.138.
Deze bekende supergeleidende FET's hebben echter hetserieuze probleem, dat het elektrische veldeffekt metverscheidene procenten is verlaagd aangezien als poort eenhoog-temperatuur supergeleidende film wordt gebruikt.
Ook kunnen in de bekende supergeleidende FET's geen hogeelektrische veldeffekten worden bereikt. Eén van de redenendaarvoor is dat een ultra-dunne film met een dikte van 100A ofminder wordt gebruikt als de hoog-temperatuur supergeleidendekanaallaag van de FET. Bij de praktische vervaardiging van dehoog-temperatuur supergeleidende laag rijzen diverseproblemen.
Ten eerste, in het geval van het maken van een extreemdunne YBa2Cu307-x supergeleidende laag, deze verliest desupergeleidende karakteristieken daarvan aangezien desupergeleidende laag chemisch reageert met vocht in de luchten met grote snelheid uiteenvalt in ander materiaal.
Ten tweede, bij het vervaardigen van de supergeleidendetransistor wordt de chemische stabiliteit van een extreemdunne supergeleidende laag aanzienlijk verminderd aangezien erdiverse stappen van etsprocessen moeten worden uitgevoerd.
Ten slotte wordt de reproduktie van een supergeleidendelaag aanzienlijk verminderd wanneer de dikte van een extreemdunne supergeleidende laag verder wordt verminderd, aangeziener een limiet bestaat van een optimaal gebied vanfilmvormingsomstandigheden.
Voorts is een andere bekende supergeleidende FETbeschreven waarin zwakke koppelingen kunstmatig geproduceerdzijn in een hoog-temperatuur supergeleidende dunne film om alspoort daarvan gebruikt te worden, in een dergelijkesupergeleidende FET is in de hoog-temperatuur supergeleidendedunne film een als zwakke koppeling dienende korrelgrensgevormd om als kanaal daarin gebruikt te worden.
De bekende supergeleidende FET welke een korrelgrens alskanaal gebruikt, wordt gefabriceerd door de stappen van hetpolijsten van een hoofdvlak van een substraat om een veelvoudvan groeven te vormen, en het groeien van een hoog-temperatuursupergeleidende dunne film op het hoofdvlak van het substraatom in de nabijheid van de groeven een korrelgrensgroep tevormen. Deze fabricagemethode is beschreven in het artikel vanJ. Mannhart, et al in het tijdschrift Applied Physics Letters62(6), blz. 630-632, 1993.
Een andere fabricagemethode van een dergelijkesupergeleidende FET omvat de stappen van het verenigen van tweekristallen met verschillende kristaloriëntatie om een bi-kristalsubstraat te vormen, en het groeien van een hoog-temperatuur supergeleidende dunne film op het bi-kristal-substraat om een korrelgrens te vormen in het overgangsgedeeltevan het bi-kristalsubstraat. Deze fabricagemethode isbeschreven in het artikel van K. Nakajima, et al in hettijdschrift Applied Physics Letters 63(5), blz. 684-688, 1993,of in het artikel van Z.G. Invanov, et al in het tijdschriftIEEE Transactions on Applied Superconductivity, Volume 3, NO. 1, blz. 2925-2928, 1993.
Bij deze bekende methoden rijzen echter diverse problemen,aangezien al deze methoden gebruik maken van het mechanischveranderen van een oppervlak van een substraat en daarvervolgens een hoog-temperatuur supergeleidende dunne film opaan te brengen teneinde in de supergeleidende dunne film eenkorrelgrens tot stand te brengen.
Eén van de problemen is, dat voor het maken van groeven ophet substraat diverse gecompliceerde stappen nodig zijn om hetsubstraat te bewerken, zoals het polijsten van het substraat,het schoonmaken van het substraat, het ontlaten van hetsubstraat, en dergelijke. Een ander probleem is, dat hetmoeilijk is om het aantal en de diepte van de groeven tecontroleren. Voorts is het niet mogelijk om op economischewijze een hoog-temperatuur supergeleidende FET te vervaardigenwanneer gebruik gemaakt wordt van een bi-kristalsubstraat,aangezien een bi-kristalsubstraat bijzonder duur is invergelijking met een kristalsubstraat.
Thans wordt verwezen naar fig. 3A, welke eenoxydekristalsubstraat 10 toont waarop, bijvoorbeeld doorgebruikmaking van pulslaser-neerslag, een van een patroonvoorziene supergeleidende dunne film 20 is gevormd. Hetvormingsproces van de van een patroon voorziene supergeleidendedunne film 20 is uitgevoerd bij een substraattemperatuur van7 50 °C tot 800 °C, en onder een zuurstofdruk van ongeveer100 mTorr, teneinde de dunne film 20 te vormen met een diktevan 100 nm.
Meer gedetailleerd, op het substraat 10 wordt een hoog-temperatuur supergeleidende laag neergeslagen van eenYBa2Cu3C>7-x (0<x_<7) materiaal, en dan wordt een patroon-vormingsproces uitgevoerd. Aldus wordt de van een patroonvoorziene supergeleidende dunne film 20 gevormd op hetsubstraat 10, zoals getoond in fig. 3A.
Bij het neerslaan van de supergeleidende laag wordt hetYBa2Cu307-x (0<x<7) materiaal verticaal georiënteerd op hetsubstraat 10. Bij het vormen van een patroon in desupergeleidende laag kan een op zich bekende droogets-methodeworden toegepast, zoals argon-ionbeschieting, om de supergeleidende laag selectief te verwijderen, en aldus wordtop het substraat de van een patroon voorziene supergeleidendedunne film 20 met een opening gevormd. De resterendesupergeleidende laag 20 dient als source/drain-gebieden van eenFET.
Het substraat bestaat uit één van de materialen van eenoxyde-klasse van supergeleiders, zoals een (100)-georiënteerdisolerend substraat van SrTiC>3, of een (100)-georiënteerdisolerend substraat van LaSrGa04.
Fig. 3B toont dat op de structuur van fig. 3A eensjabloonlaag 30 is gevormd. Zoals getoond in fig. 3B, is debijvoorbeeld uit PrBa2Cu307-x (0ix<7) bestaande sjabloonlaag 30neergeslagen op de van een patroon voorziene supergeleidendedunne film 20. Het vormingsproces van de sjabloonlaag 30 kanworden uitgevoerd bij een substraattemperatuur van 600 °C tot650 °C, en onder een zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorrteneinde de sjabloonlaag met een dikte van 200 nm te vormen.
Vervolgens wordt een patroonvormend proces uitgevoerdteneinde een van een patroon voorziene sjabloonlaag 30a tevormen. Dan wordt een gedeelte van de sjabloonlaag 30 selectiefverwijderd, bijvoorbeeld door het uitvoeren van een welbekendedroog-etsmethode, zoals getoond in fig. 3C.
In deze uitvoeringsvorm wordt een verwijderd gedeelte vande sjabloonlaag 30 een "eerste gedeelte" genoemd, en wordt eenachterblijvend gedeelte van de sjabloonlaag 30 een "tweedegedeelte" genoemd.
Fig. 3D toont, dat op de structuur van fig. 3C een hoog-temperatuur supergeleidende dunne film 40 met een korrelgrens40c is gevormd. Zoals getoond in fig. 3D, is de hoog-temperatuur supergeleidende dunne film 40 gegroeid op de vaneen patroon voorziene sjabloonlaag 30a. Dit groeiproces van desupergeleidende dunne film 40 wordt bij voorkeur uitgevoerd bijeen substraattemperatuur van 750 °C tot 800 °C, en onder eenzuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde de tweedesupergeleidende dunne film met een dikte van 100 nm te vormen.Dan wordt in de supergeleidende dunne film 40 een korrelgrens40c gevormd tengevolge van een oriëntatieverschil.
Meer gedetailleerd wordt, tijdens het groeien van desupergeleidende dunne film 40, een hoog-temperatuursupergeleidend materiaal verticaal georiënteerd in c-as op heteerste gedeelte van de van een patroon voorziene sjabloonlaag30a, en tegelijkertijd wordt een hoog-temperatuursupergeleidend materiaal horizontaal georiënteerd in c-as ophet tweede gedeelte van de van een patroon voorzienesjabloonlaag 30a. Dit komt, omdat de hoog-temperatuursupergeleidende dunne film direkt wordt gegroeid op eenblootliggend oppervlak van het substraat 10 en op een gedeeltevan de van een patroon voorziene supergeleidende dunne film 20waar geen sjabloonlaag aanwezig is. Bijvoorbeeld, opvergelijkbare wijze met de bovengenoemde groeiconditie, wordteen hoog-temperatuur supergeleidende dunne film 40a gegroeidmet een verticale c-as oriëntatie op het eerste gedeelte waareen sjabloonlaag van PrBa2Cu3(>7-x (0Oc<7) aanwezig is, maarwordt een hoog-temperatuur supergeleidende dunne film 40bgegroeid met een horizontale c-as oriëntatie op het tweedegedeelte waar de sjabloonlaag van PrBa2Cuj07-x (0<x<7) nietaanwezig is, zoals getoond in fig. 3D.
Tijdens het groeien van de hoog-temperatuursupergeleidende dunne film 40 wordt tussen de verticaalgeoriënteerde dunne film 40a en de horizontaal georiënteerdedunne film 40b een korrelgrens 40c gevormd tengevolge van eenoriëntatieverschil daartussen.
in deze uitvoeringsvorm bestaat de hoog-temperatuursupergeleidende dunne film 40 uit YBa2Cu307-x (01xi7).
Fig. 3E toont, dat op de hoog-temperatuur supergeleidendedunne film 40 een isolatielaag 50 is gevormd. Hetvormingsproces van de isolatielaag 50 wordt bij voorkeuruitgevoerd bij een substraattemperatuur van 650 °C tot 7 00 °C,en onder een zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde deisolatielaag met een dikte van 10 nm te vormen. De isolatielaagis verschaft om te voorkomen dat een eigenschap van de hoog-temperatuur supergeleidende dunne film 40 in kwaliteitachteruitgaat tengevolge van het blootstellen van de supergeleidende dunne film 40 aan de lucht, en kan ook bestaanuit SrTiC>3.
Fig. 3F toont, dat de isolatielaag 50 selectief isverwijderd. Om op blootliggende oppervlakken van de van eenpatroon voorziene supergeleidende dunne film 40 source/drain-elektroden aan te brengen, wordt een van een patroon voorzieneisolatielaag 50a gevormd, zoals getoond in fig. 3F.
Fig. 3G toont, dat op de van een patroon voorzieneisolatielaag 50a een poortisolatielaag 60 van SrTi03 isgevormd. Het vormingsproces van de poortisolatielaag 60 wordtbij voorkeur uitgevoerd bij een substraattemperatuur van 650 °Ctot 700 °C, en onder een zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorrteneinde de poortisolatielaag met een dikte van 100 nm tevormen. De poortisolatielaag 60 met een dikte van 100 nm isvoldoende om te voorkomen, dat daar doorheen een tunnelstroomvloeit.
Ten slotte worden op de blootliggende oppervlakken van dehoog-temperatuur supergeleidende dunne film 40 source/drain-elektroden 70a, 70b gevormd, en tegelijkertijd wordt eenpoortelektrode 70c gevormd op een gedeelte van depoortisolatielaag 60. De elektroden kunnen een dikte hebben van100 nm, en kunnen bestaan uit Ag of Au.
Bij de supergeleidende veldeffekttransistor welke isvervaardigd volgens de onderhavige uitvinding kan, aangezieneen poortelektrode direkt boven een korrelgrens is gevormd,zoals getoond in fig. 3H, een tussen source- en drainelektrodenvloeiende stroom gecontroleerd worden door een spanning welkewordt aangelegd door een poortisolatielaag.
Verder kan op economische wijze een hoog-temperatuursupergeleidende veldeffektinrichting worden'gefabriceerdaangezien de als een kanaal dienende korrelgrens kan wordengevormd in een goedkoper oxydekristalsubstraat door variatie ingroeitemperatuur van een dunne film zonder gebruik te maken vaneen duur bi-kristalsubstraat.
Het zal voor een deskundige duidelijk zijn dat diversemodificaties mogelijk zijn zonder af te wijken van de geest enomvang van de onderhavige uitvinding. Bijgevolg is het niet de bedoeling dat de omvang van de bijgevoegde conclusies beperktwordt tot de voorgaande beschrijving maar dat de conclusiesworden uitgelegd als omvattende al de kenmerken vanoctrooieerbare nieuwheid die in de onderhavige uitvindingaanwezig is, inclusief alle kenmerken die door deskundigenbehandeld zouden worden als equivalenten daarvan.
Claims (16)
1. Supergeleidende veldeffektinrichting met eenkorrelgrenskanaal, omvattende: een oxydekristalsubstraat; eerste hoog-temperatuur supergeleidende dunne films dieelektrisch ten opzichte van elkaar geïsoleerd zijn, waarbijelk van deze eerste hoog-temperatuur supergeleidende dunnefilms dient als een source/drain; een sjabloonlaag welke gevormd is op één van de eerstehoog-temperatuur supergeleidende dunne films en op eengedeelte van een blootliggend oppervlak van het substraat; een tweede hoog-temperatuur supergeleidende dunne filmwelke een eerste gedeelte heeft dat in c-as verticaalgeoriënteerd is waar de sjabloonlaag afwezig is, een tweedegedeelte dat in c-as horizontaal georiënteerd is waar desjabloonlaag aanwezig is, alsmede een tussen de eerste entweede gedeelten gevormde korrelgrens; een op de tweede hoog-temperatuur supergeleidende dunnefilm gevormde poort isolatielaag; een op de poortisolatielaag gevormde poortelektrode; enop blootliggende oppervlakken van de tweede hoog-temperatuur supergeleidende dunne film boven beide eerstehoog-temperatuur supergeleidende dunne films gevormde source-en drain-elektroden.
2. Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleidendeveldeffektinrichting met een korrelgrenskanaal, welke methodede stappen omvat van: het verschaffen van een oxydekristalsubstraat;het neerslaan van een eerste hoog-temperatuursupergeleidende dunne film op een hoofdvlak van hetoxydekristalsubstraat; het vormen van een patroon in de eerste supergeleidendedunne film om een van een patroon voorziene supergeleidendedunne film met daarin een opening te vormen; het neerslaan van een sjabloonlaag daarop bij een eerstevooraf bepaalde temperatuur; het selectief terugetsen van de sjabloonlaag om een vaneen patroon voorziene sjabloonlaag te vormen met eenblootgelegd gedeelte waar de sjabloonlaag verwijderd is en eengegroeid gedeelte waar de sjabloonlaag aanwezig is; het groeien van een tweede hoog-temperatuursupergeleidende dunne film bij een tweede vooraf bepaaldetemperatuur teneinde tussen het blootgelegde gedeelte en devan een patroon voorziene sjabloonlaag op basis van deoriëntatie daarvan een korrelgrens te vormen; het neerslaan van een isolatielaag op de tweede hoog-temperatuur supergeleidende dunne film teneinde de tweedehoog-temperatuur supergeleidende dunne film te beschermentegen kwaliteitsvermindering van een eigenschap in de lucht; het selectief terugetsen van de isolatielaag om een vaneen patroon voorziene isolatielaag te vormen met eenneergeslagen gedeelte over de opening en geëtste gedeeltenboven de van een patroon voorziene supergeleidende dunne film; het vormen van een poortisolatielaag op de van eenpatroon voorziene isolatielaag; en het aanbrengen van metaalelektroden daarop, waarbij op degeëtste gedeelten respectievelijk source- en drain-elektrodenworden gevormd, en waarbij een poortelektrode wordt gevormd ophet neergeslagen gedeelte van de poortisolatielaag direktboven de korrelgrens.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat hetoxydekristalsubstraat bestaat uit één van de materialen vaneen oxyde-klasse van supergeleiders.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat deoxyde-klasse van supergeleiders omvat: een (100)-georiënteerdisolerend substraat van SrTi03, en een (100)-georiënteerdisolerend substraat van LaSrGa04.
5. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat destap van het neerslaan van de eerste hoog-temperatuursupergeleidende dunne film wordt uitgevoerd bij eensubstraattemperatuur van 7 50 °C tot 800 °C, en onder eenzuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde de dunne film meteen dikte van 100 nm te vormen.
6. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat desjabloonlaag bestaat uit PrBa2Cu3(>7-x (01x17).
7. werkwijze volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat destap van het neerslaan van de sjabloonlaag wordt uitgevoerdbij een substraattemperatuur van 600 °C tot 650 °C, en ondereen zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde desjabloonlaag met een dikte van 200 nm te vormen.
8. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat destap van het groeien van de tweede supergeleidende dunne filmwordt uitgevoerd bij een substraattemperatuur van 750 °C tot800 °C, en onder een zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorrteneinde de tweede supergeleidende dunne film met een diktevan 100 nm te vormen.
9. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat detweede supergeleidende dunne film een eerste gedeelte heeftwaarin het supergeleidende materiaal verticaal georiënteerd isin c-as op het blootliggende gedeelte van de sjabloonlaag, eentweede gedeelte waarin het supergeleidende materiaalhorizontaal georiënteerd is in c-as op het gegroeide gedeeltevan de sjabloonlaag en een tussen de eerste'en tweedegedeelten gevormde korrelgrens.
10. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat destap van het groeien van de tweede supergeleidende dunne filmde stappen omvat van het neerslaan van een hoog-temperatuursupergeleidend materiaal met een verticale c-as oriëntatie ophet blootliggende gedeelte van de sjabloonlaag, en het neerslaan van een hoog- temperatuur supergeleidend materiaalmet een horizontale c-as oriëntatie op het gegroeide gedeeltevan de sjabloonlaag, waardoor het mogelijk wordt dat tussen dematerialen met verticale en horizontale oriëntatie eenkorrelgrens wordt gevormd.
11. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat detweede supergeleidende dunne film bestaat uit YBa2Cu307-x(0ix<7).
12. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat destap van het neerslaan van de isolatielaag wordt uitgevoerdbij een substraat temperatuur van 650 °C tot 7 00 °C, en ondereen zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde deisolatielaag met een dikte van 10 nm te vormen.
13. Werkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat deisolatielaag bestaat uit SrTiC>3.
14. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat destap van het neerslaan van de poortisolatielaag wordtuitgevoerd bij een substraattemperatuur van 650 °C tot 7 00 °C,en onder een zuurstofdruk van ongeveer 100 mTorr teneinde depoortisolatielaag met een dikte van 100 nm te vormen.
15. Werkwijze volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat depoortisolatielaag bestaat uit SrTiC>3.
16. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat elkvan de metaalelektroden een dikte heeft van ongeveer 100 nm enbestaat uit Ag of Au.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031493A KR0148596B1 (ko) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계효과 소자와 그 제조방법 |
| KR19940031493 | 1994-11-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL9402097A true NL9402097A (nl) | 1996-07-01 |
Family
ID=19399235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL9402097A NL9402097A (nl) | 1994-11-28 | 1994-12-09 | Supergeleidende veldeffektinrichting met korrelgrens kanaal, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5846846A (nl) |
| JP (1) | JP2798361B2 (nl) |
| KR (1) | KR0148596B1 (nl) |
| DE (1) | DE4443800C2 (nl) |
| NL (1) | NL9402097A (nl) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997025748A1 (en) * | 1996-01-12 | 1997-07-17 | International Business Machines Corporation | Electronic device |
| JP3699799B2 (ja) * | 1997-03-11 | 2005-09-28 | テルモ株式会社 | 血液検査具 |
| US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
| US6392257B1 (en) | 2000-02-10 | 2002-05-21 | Motorola Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| KR20030011083A (ko) | 2000-05-31 | 2003-02-06 | 모토로라 인코포레이티드 | 반도체 디바이스 및 이를 제조하기 위한 방법 |
| US6501973B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject |
| US6427066B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-07-30 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for effecting communications among a plurality of remote stations |
| US6555946B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device and process for forming the same |
| WO2002009187A2 (en) | 2000-07-24 | 2002-01-31 | Motorola, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
| US6590236B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure for use with high-frequency signals |
| US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
| US20020096683A1 (en) | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
| WO2002082551A1 (en) | 2001-04-02 | 2002-10-17 | Motorola, Inc. | A semiconductor structure exhibiting reduced leakage current |
| US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US6531740B2 (en) | 2001-07-17 | 2003-03-11 | Motorola, Inc. | Integrated impedance matching and stability network |
| US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
| US6498358B1 (en) | 2001-07-20 | 2002-12-24 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating |
| US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US6594414B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-07-15 | Motorola, Inc. | Structure and method of fabrication for an optical switch |
| US6585424B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-07-01 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-rheological lens |
| US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
| US6589856B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices |
| US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
| US20030034491A1 (en) | 2001-08-14 | 2003-02-20 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object |
| US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
| US20030102470A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-06-05 | Evgeni Il'ichev | Oxygen doping of josephson junctions |
| US20030071327A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Motorola, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| US7020374B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
| AU2006236905B2 (en) * | 2005-04-15 | 2010-06-03 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services | Methods and compositions for producing an enhanced immune response to a human papillomavirus immunogen |
| WO2013180780A2 (en) | 2012-03-08 | 2013-12-05 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US11038095B2 (en) | 2017-02-01 | 2021-06-15 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US20200152851A1 (en) | 2018-11-13 | 2020-05-14 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits |
| US12102017B2 (en) | 2019-02-15 | 2024-09-24 | D-Wave Systems Inc. | Kinetic inductance for couplers and compact qubits |
| CN110512286A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-29 | 清华大学 | 交流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法 |
| US12367412B2 (en) | 2019-12-05 | 2025-07-22 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabricating flux trap mitigating superconducting integrated circuits |
| US11563162B2 (en) * | 2020-01-09 | 2023-01-24 | International Business Machines Corporation | Epitaxial Josephson junction transmon device |
| WO2021231224A1 (en) | 2020-05-11 | 2021-11-18 | D-Wave Systems Inc. | Kinetic inductance devices, methods for fabricating kinetic inductance devices, and articles employing the same |
| US12392823B2 (en) | 2021-11-05 | 2025-08-19 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for on-chip noise measurements |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0484469A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Riken Corp | 三端子デバイス |
| EP0582889A1 (en) * | 1992-07-28 | 1994-02-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Junction device with lattice matching and method for fabricating the same |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5057485A (en) * | 1987-05-15 | 1991-10-15 | Hitachi, Ltd. | Light detecting superconducting Josephson device |
| JPH02130969A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Seiko Epson Corp | ジョセフソン接合の製造方法 |
| US5358927A (en) * | 1990-05-31 | 1994-10-25 | Bell Communications Research, Inc. | Growth of a,b-axis oriented pervoskite thin films |
| US5116072A (en) * | 1990-08-20 | 1992-05-26 | Swenson John C | Ball hitch with rotatable ball |
| CA2052379C (en) * | 1990-09-27 | 1997-01-07 | Takao Nakamura | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material |
| DE69114435T2 (de) * | 1990-09-27 | 1996-06-13 | Sumitomo Electric Industries | Supraleitendes Bauelement und dessen Herstellungsverfahren. |
| US5236896A (en) * | 1990-10-08 | 1993-08-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material |
| EP0484232B2 (en) * | 1990-10-29 | 2001-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting device having an extremely short superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same |
| EP0484251B1 (en) * | 1990-10-31 | 1996-03-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting device having an extremely short superconducting channel formed of extremely thin oxide superconductor film and method for manufacturing the same |
| CA2054795C (en) * | 1990-11-01 | 1996-08-06 | Hiroshi Inada | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same |
| EP0494580B1 (en) * | 1991-01-07 | 2002-04-03 | International Business Machines Corporation | Superconducting field-effect transistor with inverted MISFET structure and method for making the same |
| JPH05251773A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ジョセフソン素子とその作製方法 |
| US5157466A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-20 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
| DE69117503T2 (de) * | 1991-07-19 | 1996-09-19 | Ibm | Verbesserter supraleitender Feldeffekt-Transistor mit inverser MISFET-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP0533519B1 (en) * | 1991-08-26 | 1996-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same |
| JPH05251771A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 人工粒界型ジョセフソン接合素子およびその作製方法 |
| US5274249A (en) * | 1991-12-20 | 1993-12-28 | University Of Maryland | Superconducting field effect devices with thin channel layer |
| JPH05291637A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導電界効果型素子 |
| JPH05335638A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ジョセフソン接合構造体およびその作製方法 |
| EP0576363B1 (en) * | 1992-06-24 | 1998-01-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing a superconducting device having a superconducting channel formed of oxide superconductor material |
| JP2708671B2 (ja) * | 1992-07-28 | 1998-02-04 | 日本電信電話株式会社 | 超伝導薄膜粒界接合素子の製造方法。 |
| US5358928A (en) * | 1992-09-22 | 1994-10-25 | Sandia Corporation | High temperature superconductor step-edge Josephson junctions using Ti-Ca-Ba-Cu-O |
| JPH06112538A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Fuji Electric Co Ltd | 超電導素子 |
| US5273136A (en) * | 1992-12-18 | 1993-12-28 | Chrysler Corporation | Lubrication system for a north-south automatic transaxle |
-
1994
- 1994-11-28 KR KR1019940031493A patent/KR0148596B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-08 DE DE4443800A patent/DE4443800C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-09 NL NL9402097A patent/NL9402097A/nl active Search and Examination
- 1994-12-12 JP JP6307902A patent/JP2798361B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-20 US US08/560,962 patent/US5846846A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0484469A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Riken Corp | 三端子デバイス |
| EP0582889A1 (en) * | 1992-07-28 | 1994-02-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Junction device with lattice matching and method for fabricating the same |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| IVANOV Z G ET AL: "Field effect transistor based on a bi-crystal grain boundary Josephson junction", 1992 APPLIED SUPERCONDUCTIVITY CONFERENCE, CHICAGO, IL, USA, 23-28 AUG. 1992, vol. 3, no. 1, pt.4, ISSN 1051-8223, IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, MARCH 1993, USA, pages 2925 - 2928, XP000518140, DOI: doi:10.1109/77.234013 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 307 (E - 1229) 7 July 1992 (1992-07-07) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4443800A1 (de) | 1996-05-30 |
| KR960019820A (ko) | 1996-06-17 |
| DE4443800C2 (de) | 1996-11-14 |
| US5846846A (en) | 1998-12-08 |
| JP2798361B2 (ja) | 1998-09-17 |
| JPH08153908A (ja) | 1996-06-11 |
| KR0148596B1 (ko) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL9402097A (nl) | Supergeleidende veldeffektinrichting met korrelgrens kanaal, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| US5750474A (en) | Method for manufacturing a superconductor-insulator-superconductor Josephson tunnel junction | |
| US5407903A (en) | Superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer | |
| EP0546958B1 (en) | Superconducting field-effect transitor having an extremly thin superconducting channel formed of oxide superconductor material | |
| US5446016A (en) | Method for forming a patterned oxide superconductor thin film | |
| JPH05335638A (ja) | ジョセフソン接合構造体およびその作製方法 | |
| JP2963614B2 (ja) | 酸化物超電導体接合素子の製造方法 | |
| KR100249782B1 (ko) | 입방정 yba2cu3ox 박막을 장벽층으로 사용한 초전도 접합의 제조방법 | |
| EP0798790A1 (en) | Method for manufacturing a superconducting device having an extremely thin superconducting channel | |
| NL9402037A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een hoogtemperatuur supergeleidende veldeffekttransistor met een dikke supergeleidende kanaallaag. | |
| US5510324A (en) | Method for manufacturing a superconducting device having an extremely thin superconducting channel | |
| EP0551033B1 (en) | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same | |
| US5462919A (en) | Method for manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region and device utilizing the superconducting thin film | |
| EP0533519B1 (en) | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same | |
| CA2212473C (en) | Method for preparing layered structure including oxide superconductor thin film | |
| JP2680960B2 (ja) | 超電導電界効果型素子およびその作製方法 | |
| US5770470A (en) | High temperature superconducting electric field effect device and a method for fabricating the same | |
| JP2680949B2 (ja) | 超電導電界効果型素子の作製方法 | |
| JPH03166776A (ja) | トンネル接合素子とその作製方法 | |
| JPH08288563A (ja) | 超電導電界効果型素子およびその作製方法 | |
| JP2976904B2 (ja) | 超電導電界効果型素子およびその作製方法 | |
| JPH02271687A (ja) | トンネル型ジョセフソン接合の製造方法 | |
| JPH0730159A (ja) | ジョセフソン接合素子およびその作製方法 | |
| JPH05299714A (ja) | 超電導電界効果型素子およびその作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1C | A request for examination has been filed | ||
| BN | A decision not to publish the application has become irrevocable |