SE516644C2 - Motståndselement för extrema temperaturer - Google Patents
Motståndselement för extrema temperaturerInfo
- Publication number
- SE516644C2 SE516644C2 SE0004819A SE0004819A SE516644C2 SE 516644 C2 SE516644 C2 SE 516644C2 SE 0004819 A SE0004819 A SE 0004819A SE 0004819 A SE0004819 A SE 0004819A SE 516644 C2 SE516644 C2 SE 516644C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- sub
- ti3sic2
- silicon carbide
- titanium silicon
- electrical resistance
- Prior art date
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910009871 Ti5Si3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910034327 TiC Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910009817 Ti3SiC2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020442 SiO2—TiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
- C04B35/5611—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides
- C04B35/5615—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides based on titanium silicon carbides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/148—Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Description
25 30 u o c n 516 644 Enligt uppfinningen består elementet huvudsakligen av titan- kiselkarbid (Ti3SiC2).
Elementet kan bestå av Ti3SiC2 till nära 100 vikts%.
Enligt en föredragen uföringsform består elementet av åtmin- stone 85 vikts% titankiselkarbid.
Enligt ett föredraget utförande innehåller materialet upp till 15 vikts% av en eller flera av föreningarna TiC, TiSi2, Ti5Si3eller SiC, och således som minst 85 vikts% titankisel- karbid.
Titankiselkarbid är i sin rena form ett tämligen nytt kera- miskt material som uppvisar bland annat mycket goda mekaniska och termiska egenskaper.
Materialet är till texturen av typen ett s.k. nanolaminat vilket bidrar till mycket god slagtålighet och högt termiskt chockmotstånd. Materialet låter sig, vilket är unikt för ett keramiskt material, enkelt bearbetas och kan t.ex. kapas med en tandsåg.
Materialet är relativt lätt med en densitet av 4.5 g/cm3. Den termiska ledningsförmågan är tämligen konstant med temperatu- ren kring 35 W/mK och materialet är dessutom en god elektrisk ledare.
Materialet kan deformeras plastiskt vid höga temperaturer.
Krypegenskaperna överträffar dem hos s.k. superlegeringar som används upp till 1100 °C vilket inte på något sätt utgör en övre temperaturgräns för Ti3SiC2.
G:\Ansokn00\0O0l45se.tr.rätt.doc , 2001-12-12 70 15 20 25 30 516 644 : u o c o n - . Q Q a . u.
En mycket väsentlig egenskap är att oxidationsegenskaperna hos Ti3SiC2överträffar oxidegenskaperna hos Mo, W, Ta (tan- tal) och grafit.
Materialet Ti3SiC2existerar upp till 2330 °C. Vid denna tem- peratur sönderfaller det till TiCx och Si. Detta sätter allt- så en praktisk gräns till 2300 °C vid användning.
Tills nyligen var egenskaperna hos ett fasrent material av Ti3SiC2 tämligen okända på grund av svårigheten att framställa ett sådant material.
Mätningar av elektriskt motstånd på tätsintrad tråd fram- ställd av pulver av Ti3SiC2 under argonatmosfär i temperatur- intervallet 20-1600 °C visade att materialets motstånd inom detta intervall varierar linjärt från ca. 0.28 ohm*mm2/m till ca. 1.43 ohm*nmf/m. Detta ligger i nivå med MoSi2-värmeelement 55% lägre än för MoSi2-värme- vid rumstemperatur, men är ca. element vid 1600 °C.
Det har visat sig att stabiliteten hos materialet gynnas av allt lägre partialtryck av syre vilket visar att materialet med framgång kan användas i vakuumugnar under högt vakuum där låg avgasningshastighet från värmarna är väsentligt.
Det har också överraskande visat sig att materialet förblir opåverkat under exponering i torr vätgas upp till åtminstone 1800 °C. Detta är den maximala temperatur vid vilket försök utförts, men det är troligt att materialet är stabilt i torr vätgas upp till ännu högre temperaturer.
Titankiselkarbid uppvisar också mycket goda egenskaper i oxi- derande atmosfärer, såsom luft, upp till 1100-1200 °C. Härvid G:\Ansokn0O\000l45se.t:.rätt.doc , 2001-12-12 70 75 20 25 30 u o v n n Q s n o a ø n a n . n» 516 644 šïï* består elementets ytoxid av TiO2. Innanför ytoxiden förefinns oxider i form av SiO2-TiO2. Dock överträffas titankiselkarbi- dens egenskaper i oxiderande atmosfär vid dessa och högre temperaturer av legeringar av typen FeCrAl och MoSi2. Dessa material tillverkas av sökanden i en mängd utföranden under varumärkena KANTHAL och KANTHAL SUPER. Ti3SiC2utgör således inte något bättre alternativ till dessa legeringar i oxide- rande miljö.
Titankiselkarbid motstår även relativt långa tider under oxi- dation upp till l700 °C i luft jämfört med element av Mo, W, Ta (tantal) och grafit. Denna egenskap innebär att materialet inte förbrukas under kort tid om en inert eller reducerande atmosfär av något skäl inte kan upprätthållas i ugnen.
Sammanfattningsvis kan sägas att motståndselementet enligt uppfinningen är särskilt lämpat för att användas för använd- ning i vakuum, inert eller reducerande atmosfär upp till 2300 °C och i oxiderande atmosfärer upp till omkring 1200 °C.
Ugnar som utrustas med Ti3SiC2-värmeelement behöver inte nöd- vändigtvis ha en gastät inneslutning som motverkar oxidation eftersom materialet är avsevärt mer oxidationsbeständigt än Ta, Mo, W och grafit. Detta underlättar ugnskonstruktionen.
I jämförelse med värmeelement av grafit som också används i vakuum samt inert och reducerande atmosfär är den mekaniska hàllfastheten betydligt högre hos Ti3SiC2.
En ytterligare klar fördel med Ti3SiC2 är att relativt tunna värmeelement kan tillverkas. Därmed kan det elektriska mot- ståndet hållas högt vilket innebär en inte alltför låg spän- ning på elementet. I jämförelse med Mo och W uppvisar Ti3SiC2 G:\AnsoknO0\000l45se.tr.râtt.doc , 2001-12-12 70 75 20 o o c o o - o o | ø a | . o ~ : nu 516 644 omkring sex gånger högre elektriskt motstånd vid rumstempera- tur vilket medför att kostnaden för erforderlig styr- och reglerutrustning blir lägre.
Värmeelement av Ti3SiC2 kan tillverkas i en mängd utföranden såsom: stång, rör, deglar (med eller utan elektrodmönster), tunna skikt med elektrodmönster (av typen “kokplatta" eller ytvärmare), plattor, band. Exempelvis kan element tillverkas i stång och U-formas samt förses med grövre anslutningsdelar på samma sätt som är fallet för element av MoSi2-typ. Tunna skikt med elektrodmönster utgör ett alternativ till den kon- ventionella värmeelementsdesignen av filamenttyp.
Den goda bearbetbarheten hos Ti3SiC2 medför att komplicerade geometrier med enkla medel kan utföras till en låg kostnad.
Utöver användningsområdet som värmeelement kan Ti3SiC2 även användas i ugnar för olika ändamål, såsom bärarmaterial för gods, värmesköldar, ugnsrullar och -balkar, mufflar, hängare, bälten och kedjor, likväl som genomföringar, samt även som ugnsinfodring.
G:\Ansokn0O\0OO 1 4Sse.tr.rätt.doc , 2001-12-12
Claims (3)
1. l. Elektriskt motståndselement för uppvärmning, k ä n n e - t e c k n a t a v, att elementet huvudsakligen består av titankiselkarbid (Ti3SiC2).
2. Elektriskt motstândselement enligt krav 1, k ä n n e ~ t e c k n a t a v, att elementet består av åtminstone 85 vikts% titankiselkarbid.
3. Elektriskt motståndselement enligt krav l eller 2, där materialet innehåller upp till 15 vikts% av en eller flera av föreningarna TiC, TiSi2, Ti5Si3eller SiC. G:\Ansokn00\000l45se.tr.rått.doc, 2001-12-12
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0004819A SE516644C2 (sv) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Motståndselement för extrema temperaturer |
| US10/451,035 US6903313B2 (en) | 2000-12-21 | 2001-12-14 | Resistance heating element for extreme temperatures |
| JP2002552371A JP2004516629A (ja) | 2000-12-21 | 2001-12-14 | 極端な温度用の抵抗体素子 |
| AU2002216529A AU2002216529A1 (en) | 2000-12-21 | 2001-12-14 | A resistor element for extreme temperatures |
| EP01271786A EP1344428B1 (en) | 2000-12-21 | 2001-12-14 | A resistor element for extreme temperatures |
| PCT/SE2001/002784 WO2002051208A1 (en) | 2000-12-21 | 2001-12-14 | A resistor element for extreme temperatures |
| AT01271786T ATE341178T1 (de) | 2000-12-21 | 2001-12-14 | Widerstandselement für extreme temperaturen |
| DE60123466T DE60123466T2 (de) | 2000-12-21 | 2001-12-14 | Widerstandselement für extreme temperaturen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0004819A SE516644C2 (sv) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Motståndselement för extrema temperaturer |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE0004819D0 SE0004819D0 (sv) | 2000-12-21 |
| SE0004819L SE0004819L (sv) | 2002-02-05 |
| SE516644C2 true SE516644C2 (sv) | 2002-02-05 |
Family
ID=20282399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE0004819A SE516644C2 (sv) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Motståndselement för extrema temperaturer |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6903313B2 (sv) |
| EP (1) | EP1344428B1 (sv) |
| JP (1) | JP2004516629A (sv) |
| AT (1) | ATE341178T1 (sv) |
| AU (1) | AU2002216529A1 (sv) |
| DE (1) | DE60123466T2 (sv) |
| SE (1) | SE516644C2 (sv) |
| WO (1) | WO2002051208A1 (sv) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003000618A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Sandvik Ab | A method of producing a metal-containing single-phase composition. |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7687746B2 (en) * | 2005-07-11 | 2010-03-30 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Electrical initiation of an energetic nanolaminate film |
| SE531749C2 (sv) * | 2007-09-17 | 2009-07-28 | Seco Tools Ab | Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel |
| EP2676946B1 (en) * | 2011-01-26 | 2018-11-07 | NGK Insulators, Ltd. | Ti3sic2 material, electrode, spark plug, and processes for production thereof |
| CN114277276B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-03-24 | 东莞理工学院 | Ti5Si3/TiC颗粒增强且热膨胀系数可调控的钛钽基复合材料制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE124534C1 (sv) * | 1949-01-01 | |||
| DE3706415A1 (de) | 1987-02-27 | 1988-09-08 | Thyssen Edelstahlwerke Ag | Halbfertigerzeugnis aus ferritischem stahl und seine verwendung |
| JPH0772104B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1995-08-02 | 敏雄 平井 | 多結晶質セラミックス |
| EP0503767B1 (en) * | 1991-03-11 | 1995-05-03 | Philip Morris Products Inc. | Flavor generating article |
| JPH05139834A (ja) * | 1991-05-16 | 1993-06-08 | Nkk Corp | チタン系セラミツクス焼結体及びその製造方法 |
| CR4906A (es) * | 1993-09-10 | 1994-09-09 | Philip Morris Prod | Sistema electrico de fumar para distribuir sabores y metodopara su fabricacion |
| SE504235C2 (sv) | 1995-04-11 | 1996-12-09 | Kanthal Ab | Elektriskt motståndselement av molybdensilicidtyp |
| US5942455A (en) * | 1995-11-14 | 1999-08-24 | Drexel University | Synthesis of 312 phases and composites thereof |
| US5882561A (en) * | 1996-11-22 | 1999-03-16 | Drexel University | Process for making a dense ceramic workpiece |
| JPH1179726A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-23 | Kanto Yakin Kogyo Kk | 金属炭化物とその製造方法 |
| AU2671099A (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-23 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Materials for use in electrochemical smelting of metals from ore |
| US6461989B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-10-08 | Drexel University | Process for forming 312 phase materials and process for sintering the same |
| US6544674B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-04-08 | Boston Microsystems, Inc. | Stable electrical contact for silicon carbide devices |
-
2000
- 2000-12-21 SE SE0004819A patent/SE516644C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-12-14 DE DE60123466T patent/DE60123466T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-14 JP JP2002552371A patent/JP2004516629A/ja active Pending
- 2001-12-14 EP EP01271786A patent/EP1344428B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-14 US US10/451,035 patent/US6903313B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-14 WO PCT/SE2001/002784 patent/WO2002051208A1/en not_active Ceased
- 2001-12-14 AT AT01271786T patent/ATE341178T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-12-14 AU AU2002216529A patent/AU2002216529A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003000618A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Sandvik Ab | A method of producing a metal-containing single-phase composition. |
| US6986873B2 (en) | 2001-06-21 | 2006-01-17 | Sandvik Ab | Method of producing a metal-containing single-phase composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE0004819L (sv) | 2002-02-05 |
| SE0004819D0 (sv) | 2000-12-21 |
| ATE341178T1 (de) | 2006-10-15 |
| US6903313B2 (en) | 2005-06-07 |
| US20040218450A1 (en) | 2004-11-04 |
| JP2004516629A (ja) | 2004-06-03 |
| AU2002216529A1 (en) | 2002-07-01 |
| DE60123466D1 (en) | 2006-11-09 |
| EP1344428B1 (en) | 2006-09-27 |
| DE60123466T2 (de) | 2007-08-23 |
| WO2002051208A1 (en) | 2002-06-27 |
| EP1344428A1 (en) | 2003-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sundberg et al. | Alumina forming high temperature silicides and carbides | |
| JPH09210573A (ja) | 電気炉 | |
| DE60136529D1 (de) | Refsicoat hitzebeständiges material und das material verwendende elektrische hochtemperatur-heizvorrichtungen | |
| CA2336695A1 (en) | Refractory and temperature-resistant composite material "refsic" | |
| JP3933345B2 (ja) | 発熱抵抗体及びセラミックヒータ用発熱抵抗体並びにその製造方法、及びセラミックヒータ | |
| CA1102103A (en) | Fuel ignitor comprising a novel silicon carbide composition and process for preparing the composition | |
| JP2006518810A (ja) | 高温用材料 | |
| SE516644C2 (sv) | Motståndselement för extrema temperaturer | |
| JPS62153169A (ja) | 窒化ケイ素セラミツクス焼結体 | |
| JP2022515529A (ja) | 窒化ホウ素および二ホウ化チタンを含むセラミック複合体ヒーター | |
| US11866371B2 (en) | Heating element comprising chromium alloyed molybdenum disilicide and the use thereof | |
| KR20020012196A (ko) | 내열 성분 | |
| JP4018998B2 (ja) | セラミックヒータおよびグロープラグ | |
| JP6291446B2 (ja) | 導電性炭化珪素質焼結体の製造方法 | |
| JP3277295B2 (ja) | 高温型炭化珪素質発熱体の製造方法 | |
| JP2537606B2 (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JPS5814487A (ja) | 電気炉用ヒ−タ | |
| Pilyugin et al. | High-Temperature Zirconium Carbide Heaters | |
| JP2003314970A (ja) | 管状電気炉 | |
| JP2005249235A (ja) | 熱処理用さや及びその製造方法 | |
| JPH11236267A (ja) | 耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材及びその製造方法 | |
| JP2694355B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 | |
| JPH02229765A (ja) | 導電性セラミックス焼結体およびヒーター | |
| JPH08120376A (ja) | Ｎｉ基耐熱合金製ヒータ基体およびそれを用いたヒータ部材 | |
| JPH0665627B2 (ja) | 温度センサー |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |