SU147151A1 - Способ образовани потенциального рельефа - Google Patents

Способ образовани потенциального рельефа

Info

Publication number
SU147151A1
SU147151A1 SU696156A SU696156A SU147151A1 SU 147151 A1 SU147151 A1 SU 147151A1 SU 696156 A SU696156 A SU 696156A SU 696156 A SU696156 A SU 696156A SU 147151 A1 SU147151 A1 SU 147151A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electrons
sensitive layer
layer
plate
formation method
Prior art date
Application number
SU696156A
Other languages
English (en)
Inventor
Алекс Эйнштейн Питер
Original Assignee
Ассошиэйтед Электрикал Инд
Ассошиэйтед Электрикал Индастриз Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ассошиэйтед Электрикал Инд, Ассошиэйтед Электрикал Индастриз Лимитед filed Critical Ассошиэйтед Электрикал Инд
Priority to SU696156A priority Critical patent/SU147151A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU147151A1 publication Critical patent/SU147151A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

В состав известных типов приборов усилени  электрических изображений входит подсвечивающа  пластина. Подсвечивающа  нластина содержит слой чувствительного материала, электрические характеристики которого могут измен тьс  под воздействием бомбардировки электро. нами, обладающими большой энергией, причем величина такого изменени  зависит от плотности электронов. Одна из сторон подсвечивающей пластины покрываетс  пластинкой из электропроводного материала, через которую будут проходить электроны, обладающие большой энергией . Эта провод ща  пластинка соедин етс  с соответствующим источником напр жени  посто нного тока. Свободна  поверхность провод щей пластинки бомбардируетс  несущим изображение лучом элекгронов, обладающих большой энергией, который через провод щую пластинку проникает в провод щий слой- Электрические характеристики каждого элементарного участка чувствительного сло  измен ютс  в соответствии с плотностью падающих электроновСвободна  поверхность чувствительного сло  подсвечивающей пластины сканируетс  лучом электронов, обладающих малой энергией, и так как электрические характеристики каждого элементарного участка чувствительного сло  измен ютс  под воздействием бомбардирующего луча электронов, то на провод щей пластине будут наводитьс  зар ды, обусловливающие протекание мен ющегос  тока с этой провод щей пластины. Мгновенное значение этого тока будет соответствовать электрическим характеристикам элементарных участков чувствительного сло  при его сканировании, и этот ток можно использовать дл  модул ции луча кинескопа№ 1471512 По предлагаемому способу образовани  потенциального рельефа на диэлектрической мишени дл  уменьшени  инерционности и улучшени  качества изображени  мишень изготовл ют из материала (например, окиси магни  или хлористого кали ), обладающего возбужденной электронной проводимостью и коэффициентом вторичной эмиссии на «прострел, большим единицы.
На фиг. 1 приведена схема, показывающа  относительное расположение основных составных частей прибора усилени  электрических изображений , с введенной в соответствии с изобретением подсвечивающей пластиной; на фиг. 2 показана подсвечивающа  пластипа в поперечном сечении (увеличенный масштаб).
Тонка  мембрана 1 из пластичного материала, например мелинекса, нат гиваетс  на раму 2 с таким расчетом, чтобы поверхность мембраны была ровной. Тонка  пластинка 5 из электропроводного материала, например , располагаетс  на одной поверхности мембраны У, причем с таким расчетом, чтобы она не доходила до внутренних краев рамы 2. Чувствительный слой 4, который имеет наведенную электронную проводимость и хорощо эмитирует вторичные электроны, покрываетс  сверху свободной поверхностью провод щей пластинки.
Число вторичных ЭиПектронов, эмитируемых материалом чувствительного сло  4, находитс  « соответствии с интенсивностью луча электронов , обладающих большой энергией. Материалом дл  чувствительного сло  может служить окись магни  либо хлористый калий. Слой 5 электропроводного материала может располагатьс  вокруг части свободной поверхности чувствительного сло  4, причем слой 5 выполнен с центральным отверстием 6, которое обычно имеет пр моугольную формуПровод ща  пластинка 3 подключаетс  через сопротивление 7 к соответствующему источнику 8 положительного напр жени . Кинескоп 9 включен через сопротивление 7 таким образом, что ток, протекающий по сопротивлению 7, будет модулировать интенсивность электронного луча в кинескопе 9.
После установки подсвечивающей пластины свободна  поверхность пластичной мембраны 7 бомбардируетс  несущим изображение лучом 10 электронов, обладающих большой энергией, достигающей 40-100 кв. Интенсивность электронного луча вдоль поперечного сечени  пластичной мембраны измен етс  в соответствии с содержащимс  в луче изображением. Электроны, обладающие большой энергией, проход т через мембрану / и провод щую пластинку 3 с незначительным ослаблением и бомбардируют чувствительный слой 4, вызыва  эмиссию вторичных электронов со свободной поверхности чувствительного сло  4, и, одновременно с этим, вызыва  электропроводность каждого элементарного участка чувствительного сло  4, измен ющуюс  в соответствии с интенсивностью электронов, бомбардирующих эти участки . Каждый элементарный участок чувствительного сло  4 эмитирует вторичные электроны, число которых зависит от интенсивности электронов , бомбардирующих этот участок, в результате чего свободна  поверхность каждого элементарного участка тер ет соответствующий зар д . Следовательно, электрическое изображение (в виде зар дов), соответствующее изображению, содержащемус  в бомбардирующем луче электронов, формируетс  на свободной поверхности чувствительного сло .
Свободна  поверхность чувствительного сло  4 внутри отверсти  6 в слое 5 затем сканируетс  лучом 11 электронов, обладающих малой энергией. Эти электроны, достигающие свободной поверхности чувствительного сло  4, одновременно выполн ют две функции. Во-первых, они постепенно восстанавливают зар д, тер емый каждым элементарны .м участком поверхности чувствительного сло  4 путем эмиссии вторичных электронов, и при этом навод т соответствующий зар д на провод щей пластинке 3. Во-вторых, электроны, обладающие малой энергией , вызывают протекание через чувствительный слой 4 мен ющегос  тока, вследствие возросщей электропроводности каждого элементарного участка чувствительного сло . Это второе вли ние также приводит к наведению зар да на провод щей пластинке 3, который соответствует току, протекающему через чувствительный слой. Благодар  сочетанию вли ний вторичной электронной эмиссии и электронной проводи .мости, порожденных обегающнм лучом // электронов, обладающих малой энергией, на провод щей пластинке 3 наводитс  суммарный мен ющийс  зар д. Этот суммарный зар д имеет мгновенное значение , соответствующее возросшей проводимости и количеству вторичных электронов, эмитированных элементарными участками сло  4, при его обегании лучом 11 и, следовательно, соответствующее интенсивности луча 10 электронов, который бомбардирует эти элементарные участки. Под воздействием суммарного зар да, наведенного на провод щей пластинке 5, с пластинки через сопротивление 7 потечет мен ющийс  ток. Этот .мен ющийс  ток вызовет падение напр жени  на сопротивлении 7, которое после усилени  может быть использовано дл  модул ции интенсивности луча кинескопа 9. Следовательно, на экране кинескопа по витс  усиленное изображениеПровод щий слой 5 с помощью вывода 12 может быть подсоединен к соответствующему напр жению, что уменьщит рассеивание усиливае .мого изображени , которое обусловливаетс  вли нием случайных электронов на кра х обегае.мой лучом 11 площади. Посто нна  времени чувствительного сло  описанного типа  вл етс  настолько малой, что скорость нарастани  сигналов, производимых подсвечивающей пластиной , использующей такой слой, получаетс  во много раз большей скорости нарастани  сигналов, производимых аналогичной подсвечивающей пластиной , в которой используетс  такой слой фотопровод щего материала , как селен. Поэтому прибор усилени  электрических изображений, использующий описанную подсвечивающую пластину, может работать в более высокочастотном диапазоне сигналов.
Предложение может найти применение в электронных .микроскопах и электронографах.
Предмет изобретени 
Способ образовани  потенциального рельефа на диэлектрической мишени, отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  инерционности и улучщени  качества изображени , мишень изготовл ют из .материала (например, окиси магни  или хлористого кали ), обладаюи;его возбужденной электродной ироводимостью и коэффициентом вторичной э.миссии на «прострел, больщим единицы.
3№ 147151
Ф«г2
SU696156A 1961-02-04 1961-02-04 Способ образовани потенциального рельефа SU147151A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU696156A SU147151A1 (ru) 1961-02-04 1961-02-04 Способ образовани потенциального рельефа

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU696156A SU147151A1 (ru) 1961-02-04 1961-02-04 Способ образовани потенциального рельефа

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU147151A1 true SU147151A1 (ru) 1961-11-30

Family

ID=48302546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU696156A SU147151A1 (ru) 1961-02-04 1961-02-04 Способ образовани потенциального рельефа

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU147151A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2773992A (en) Display amplifier and method of making same
US3069551A (en) Electrical apparatus for intensifying images
US2120765A (en) Infrared ray viewing means
US2622219A (en) Television image tube
US2945973A (en) Image device
US3051860A (en) Image scanner for electron microscopes
US2555091A (en) Cathode-ray tube
US2415842A (en) Electrooptical device
US2901662A (en) Electronic storage device
US4748325A (en) Method and device to discharge samples of insulating material during ion analysis
GB501375A (en) Improvements in or relating to television transmission tubes
US2970219A (en) Use of thin film field emitters in luminographs and image intensifiers
US3890523A (en) Vidicon target consisting of silicon dioxide layer on silicon
SU147151A1 (ru) Способ образовани потенциального рельефа
US2617058A (en) Television transmitting tube
US3774028A (en) Ion beam intensity measuring apparatus
US2324505A (en) Television transmitting tube and electrode structure
US3001098A (en) X-ray image intensifying device
US3714439A (en) Image comparison device and method
US2900555A (en) Bombardment conducting target
US2324504A (en) Television transmitting system
US2965783A (en) Storage device
US3268764A (en) Radiation sensitive device
US3204142A (en) Pickup tube having photoconductive target
US3234561A (en) Electrostatic writing tube