SU147151A1 - Способ образовани потенциального рельефа - Google Patents
Способ образовани потенциального рельефаInfo
- Publication number
- SU147151A1 SU147151A1 SU696156A SU696156A SU147151A1 SU 147151 A1 SU147151 A1 SU 147151A1 SU 696156 A SU696156 A SU 696156A SU 696156 A SU696156 A SU 696156A SU 147151 A1 SU147151 A1 SU 147151A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrons
- sensitive layer
- layer
- plate
- formation method
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 3
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 208000008035 Back Pain Diseases 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 208000019804 backache Diseases 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 210000002706 plastid Anatomy 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
В состав известных типов приборов усилени электрических изображений входит подсвечивающа пластина. Подсвечивающа нластина содержит слой чувствительного материала, электрические характеристики которого могут измен тьс под воздействием бомбардировки электро. нами, обладающими большой энергией, причем величина такого изменени зависит от плотности электронов. Одна из сторон подсвечивающей пластины покрываетс пластинкой из электропроводного материала, через которую будут проходить электроны, обладающие большой энергией . Эта провод ща пластинка соедин етс с соответствующим источником напр жени посто нного тока. Свободна поверхность провод щей пластинки бомбардируетс несущим изображение лучом элекгронов, обладающих большой энергией, который через провод щую пластинку проникает в провод щий слой- Электрические характеристики каждого элементарного участка чувствительного сло измен ютс в соответствии с плотностью падающих электроновСвободна поверхность чувствительного сло подсвечивающей пластины сканируетс лучом электронов, обладающих малой энергией, и так как электрические характеристики каждого элементарного участка чувствительного сло измен ютс под воздействием бомбардирующего луча электронов, то на провод щей пластине будут наводитьс зар ды, обусловливающие протекание мен ющегос тока с этой провод щей пластины. Мгновенное значение этого тока будет соответствовать электрическим характеристикам элементарных участков чувствительного сло при его сканировании, и этот ток можно использовать дл модул ции луча кинескопа№ 1471512 По предлагаемому способу образовани потенциального рельефа на диэлектрической мишени дл уменьшени инерционности и улучшени качества изображени мишень изготовл ют из материала (например, окиси магни или хлористого кали ), обладающего возбужденной электронной проводимостью и коэффициентом вторичной эмиссии на «прострел, большим единицы.
На фиг. 1 приведена схема, показывающа относительное расположение основных составных частей прибора усилени электрических изображений , с введенной в соответствии с изобретением подсвечивающей пластиной; на фиг. 2 показана подсвечивающа пластипа в поперечном сечении (увеличенный масштаб).
Тонка мембрана 1 из пластичного материала, например мелинекса, нат гиваетс на раму 2 с таким расчетом, чтобы поверхность мембраны была ровной. Тонка пластинка 5 из электропроводного материала, например , располагаетс на одной поверхности мембраны У, причем с таким расчетом, чтобы она не доходила до внутренних краев рамы 2. Чувствительный слой 4, который имеет наведенную электронную проводимость и хорощо эмитирует вторичные электроны, покрываетс сверху свободной поверхностью провод щей пластинки.
Число вторичных ЭиПектронов, эмитируемых материалом чувствительного сло 4, находитс « соответствии с интенсивностью луча электронов , обладающих большой энергией. Материалом дл чувствительного сло может служить окись магни либо хлористый калий. Слой 5 электропроводного материала может располагатьс вокруг части свободной поверхности чувствительного сло 4, причем слой 5 выполнен с центральным отверстием 6, которое обычно имеет пр моугольную формуПровод ща пластинка 3 подключаетс через сопротивление 7 к соответствующему источнику 8 положительного напр жени . Кинескоп 9 включен через сопротивление 7 таким образом, что ток, протекающий по сопротивлению 7, будет модулировать интенсивность электронного луча в кинескопе 9.
После установки подсвечивающей пластины свободна поверхность пластичной мембраны 7 бомбардируетс несущим изображение лучом 10 электронов, обладающих большой энергией, достигающей 40-100 кв. Интенсивность электронного луча вдоль поперечного сечени пластичной мембраны измен етс в соответствии с содержащимс в луче изображением. Электроны, обладающие большой энергией, проход т через мембрану / и провод щую пластинку 3 с незначительным ослаблением и бомбардируют чувствительный слой 4, вызыва эмиссию вторичных электронов со свободной поверхности чувствительного сло 4, и, одновременно с этим, вызыва электропроводность каждого элементарного участка чувствительного сло 4, измен ющуюс в соответствии с интенсивностью электронов, бомбардирующих эти участки . Каждый элементарный участок чувствительного сло 4 эмитирует вторичные электроны, число которых зависит от интенсивности электронов , бомбардирующих этот участок, в результате чего свободна поверхность каждого элементарного участка тер ет соответствующий зар д . Следовательно, электрическое изображение (в виде зар дов), соответствующее изображению, содержащемус в бомбардирующем луче электронов, формируетс на свободной поверхности чувствительного сло .
Свободна поверхность чувствительного сло 4 внутри отверсти 6 в слое 5 затем сканируетс лучом 11 электронов, обладающих малой энергией. Эти электроны, достигающие свободной поверхности чувствительного сло 4, одновременно выполн ют две функции. Во-первых, они постепенно восстанавливают зар д, тер емый каждым элементарны .м участком поверхности чувствительного сло 4 путем эмиссии вторичных электронов, и при этом навод т соответствующий зар д на провод щей пластинке 3. Во-вторых, электроны, обладающие малой энергией , вызывают протекание через чувствительный слой 4 мен ющегос тока, вследствие возросщей электропроводности каждого элементарного участка чувствительного сло . Это второе вли ние также приводит к наведению зар да на провод щей пластинке 3, который соответствует току, протекающему через чувствительный слой. Благодар сочетанию вли ний вторичной электронной эмиссии и электронной проводи .мости, порожденных обегающнм лучом // электронов, обладающих малой энергией, на провод щей пластинке 3 наводитс суммарный мен ющийс зар д. Этот суммарный зар д имеет мгновенное значение , соответствующее возросшей проводимости и количеству вторичных электронов, эмитированных элементарными участками сло 4, при его обегании лучом 11 и, следовательно, соответствующее интенсивности луча 10 электронов, который бомбардирует эти элементарные участки. Под воздействием суммарного зар да, наведенного на провод щей пластинке 5, с пластинки через сопротивление 7 потечет мен ющийс ток. Этот .мен ющийс ток вызовет падение напр жени на сопротивлении 7, которое после усилени может быть использовано дл модул ции интенсивности луча кинескопа 9. Следовательно, на экране кинескопа по витс усиленное изображениеПровод щий слой 5 с помощью вывода 12 может быть подсоединен к соответствующему напр жению, что уменьщит рассеивание усиливае .мого изображени , которое обусловливаетс вли нием случайных электронов на кра х обегае.мой лучом 11 площади. Посто нна времени чувствительного сло описанного типа вл етс настолько малой, что скорость нарастани сигналов, производимых подсвечивающей пластиной , использующей такой слой, получаетс во много раз большей скорости нарастани сигналов, производимых аналогичной подсвечивающей пластиной , в которой используетс такой слой фотопровод щего материала , как селен. Поэтому прибор усилени электрических изображений, использующий описанную подсвечивающую пластину, может работать в более высокочастотном диапазоне сигналов.
Предложение может найти применение в электронных .микроскопах и электронографах.
Предмет изобретени
Способ образовани потенциального рельефа на диэлектрической мишени, отличающийс тем, что, с целью уменьшени инерционности и улучщени качества изображени , мишень изготовл ют из .материала (например, окиси магни или хлористого кали ), обладаюи;его возбужденной электродной ироводимостью и коэффициентом вторичной э.миссии на «прострел, больщим единицы.
3№ 147151
Ф«г2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU696156A SU147151A1 (ru) | 1961-02-04 | 1961-02-04 | Способ образовани потенциального рельефа |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU696156A SU147151A1 (ru) | 1961-02-04 | 1961-02-04 | Способ образовани потенциального рельефа |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU147151A1 true SU147151A1 (ru) | 1961-11-30 |
Family
ID=48302546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU696156A SU147151A1 (ru) | 1961-02-04 | 1961-02-04 | Способ образовани потенциального рельефа |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU147151A1 (ru) |
-
1961
- 1961-02-04 SU SU696156A patent/SU147151A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2773992A (en) | Display amplifier and method of making same | |
| US3069551A (en) | Electrical apparatus for intensifying images | |
| US2120765A (en) | Infrared ray viewing means | |
| US2622219A (en) | Television image tube | |
| US2945973A (en) | Image device | |
| US3051860A (en) | Image scanner for electron microscopes | |
| US2555091A (en) | Cathode-ray tube | |
| US2415842A (en) | Electrooptical device | |
| US2901662A (en) | Electronic storage device | |
| US4748325A (en) | Method and device to discharge samples of insulating material during ion analysis | |
| GB501375A (en) | Improvements in or relating to television transmission tubes | |
| US2970219A (en) | Use of thin film field emitters in luminographs and image intensifiers | |
| US3890523A (en) | Vidicon target consisting of silicon dioxide layer on silicon | |
| SU147151A1 (ru) | Способ образовани потенциального рельефа | |
| US2617058A (en) | Television transmitting tube | |
| US3774028A (en) | Ion beam intensity measuring apparatus | |
| US2324505A (en) | Television transmitting tube and electrode structure | |
| US3001098A (en) | X-ray image intensifying device | |
| US3714439A (en) | Image comparison device and method | |
| US2900555A (en) | Bombardment conducting target | |
| US2324504A (en) | Television transmitting system | |
| US2965783A (en) | Storage device | |
| US3268764A (en) | Radiation sensitive device | |
| US3204142A (en) | Pickup tube having photoconductive target | |
| US3234561A (en) | Electrostatic writing tube |